声表面波

声表面波
声表面波

声表面波滤波器(surface acoustic wave)简称SAW滤波器,声表面波是沿物体

表面传播的一种弹性波。

声表面波概念

在各式各样的电子产品及无线通讯产品中,都会牵涉到信号的接收与发射。为了确保信号的质量,在系统设计时,会使用到数量不一的滤波器。滤波器的种类很多,有陶瓷滤波器、LC滤波器等,各依所对应之频率范围、频率响应特性、价格之不同而在使用上有所分别。SAW滤波器是利用电磁波与声波的特性进行传播的。

表面声波是一种独特的机械波,它沿着晶体表面行进时,在垂直晶体表面的方向,能量会以指数形式衰减(就是说衰减非常非常快),而当其深入超过一个波长深度时,能量密度则降为在表面时的十分之一,因此这种波在晶体表面行进时,最主要的优点就是能量能够集中于表层。这种独特的性质,使得声表面波元件可以很容易地运用其所携带之能量。

声表面波(SAW,Surface Acoustic Wave)是沿物体表面传播的一种弹性波。声表面波是英国物理学家瑞利(Rayleigh)在19世纪80 年代研究地震波的过程中偶尔发现的一种能量集中于地表面传播的声波。1965年,美国的怀特(R.M.White)和沃尔特默(F.W.Voltmer)发表题为“一种新型声表面波声——电转化器”的论文,取得了声表面波技术的关键性突破,能在压电材料表面激励声表面波的金属叉指换能器 IDT的发明,大大加速了声表面波技术的发展,使这门年轻的学科逐步发展成为一门新兴的、声学和电子学相结合的边缘学科。

简介

声表面波[1] 在固体半空间表面存在的一种沿表面传播,能量集中于表面附近的弹性波。[1] 又称为表面声波。

从严格意义上说,声表面波泛指沿表面或界面传播的各种模式的波,不同的边界条件和传播介质条件可以激发出不同模式的声表面波。在半无限基片上存在的声表面波有瑞利波(Rayleigh waves)、漏波(Leaky SAW)、广义瑞利波(Generalized Rayleigh waves)、水平剪切波(SH.SAW)、电声波(B.G waves)、兰姆波(Lamb waves)等。在层状结构的基片存在有乐甫波(Love waves)、西沙瓦波(Sezawa waves)、斯东莱波(Stoneley waves)等。

早在九十多年前,人们就对这种波进行了研究。1885 年,瑞利根据对地震波的研究,从理论上阐明了在各向同性固体表面上弹性波的特性。但由于当时的科学技术水平所限,这种弹性表面波一直没有得到实际上的应用。直到六十年代,由于半导体平面工艺以及激光技术的发展,出现了大量人造压电材料为声表面波技术的发展提供了必要的物质和技术基础。

作为六十年代末期才发展起来的一门新兴科学技术,它是声学和电子学相结合的一门边缘学科。由于声表面波的传播速度比电磁波慢十万倍,而且在它的传播路径上容易取样和进行处理,因此,用声表面波去模拟电子学的各种功能,能使电子器件实现超小型化和多功能化。同时,由于声表面波器件在甚高频和超高频波段内以十分简单的方式提供了其它方法不易得到的信号处理功能,因此,声表面波技术在雷达、通信和电子对抗中得到了广泛的应用。声表面波的应用最早是在军用雷达、广播、电视领域作频率稳定的滤波器之用。

1949 年,美国贝尔电话实验室发现了LiNbO3单晶。1964 年产发表了激发弹性表面波平面结构换邹器的专利。特别应该指出的是,1965 年,怀特(R . M.white)和沃尔特默(F.W.voltmer )在应用物理杂志上发表了题为“一种新型表面波声-电换能器―叉指换

能器”的论文,从而取得了声表面波技术的关键性突破。

特点

声表面波滤波器的主要特点是:设计灵活性大、模拟/数字兼容、群延迟时间偏差和频率选择优良(可选频率范围在10MHz-3GHz)、输入输出阻抗误差小、传输损耗小、抗电磁干扰性能好(EMI)、可靠性高、制作的器件体积小、重量轻,而且能够实现多种复杂的功能。SAW 滤波器的特征和优点,正适应了现代通信系统设备以及移动通信轻薄短小化和高频化、数字化、高性能、高可靠性等方面的要求。SAW的不足之处在于所需基片材料价格较贵,另外对基片的定向、切割、抛光和制造工艺要求较高,受到基片结晶工艺苛刻和制造精度要求较严的影响。

第一,声表面波具有极低的传播速度和极短的波长,它们各自比相应的电磁波的传播速度的波长小十万倍。在VHF 和UHF 频段内,电磁波器件的尺寸是与波长相比拟的。同理,作为电磁器件的声学模拟声表面波器件,它的尺寸也是和信号的声波波长相比拟的。因此,在同一频段上,声表面波器件的尺寸比相应电磁波器件的尺寸减小了很多,重量也随之大为减轻。例如,用一公里长的微波传输线所能得到的延迟,只需用传输路径为 1 。m 的声表面波延迟线即可完成。这表声表面波技术能实现电子器件的超小型化。

第二,由于声表面波系沿固体表面传播,加上传播速度极慢,这使得时变信号在给定瞬时可以完全呈现在晶体基片表面上。于是当信号在器件的输入和输出端之间行进时,就容易对信号进行取样和变换。这就给声表面波器件以极大的灵活性,使它能以非常简单的方式去.完成其它技术难以完成或完成起来过于繁重的各种功能。比如脉冲信号的压缩和展宽,编码和译码以及信号的相关和卷积。一个实际例子是1976 年报道的一个长为一英寸的声表面波卷积器,它具有使两个任意模拟信号进行卷积的功能,而它所适应的带宽可达100MHz ,时带宽积可达一万。这样一个卷积器可以代替由几个快速傅里叶变换(FFT )链作成的数字卷积器,即实际上可以代替一台专用卷积计算机。

此外,在很多情况下,声表面波器件的性能还远远超过了最好的电磁波器件所能达到的水平。比如,用声表面波可以作成时间-带宽乘积大于五千的脉冲压缩滤波器,在UHF 频段内可以作成Q 值超过五万的谐振腔,以及可以作成带外抑制达70dB 、频率达1 低Hz 的带通滤波器。

第三,由于声表面波器件是在单晶材料上用半导体平面工艺制作的,所以它具有很好的一致性和重复性,易于大量生产,而且当使用某些单晶材料或复合材料时,声表面波器件具有极高的温度稳定性。

第四,声表面波器件的抗辐射能力强,动态范围很大,可达100dB 。这是因为它利用的是晶体表面的弹性波而不涉及电子的迁移过程。

由子受工艺的限制,声表面波器件的工作频率被局限在2-3GHz 以下,另外,由于它采用单晶材料,制作工艺要求精度高、条件苛刻,使一得它的成本较高、价格较贵,这个声表面波器件的一个缺点

传感器

开关柜无源无线测温系统中的声表面波温度传感器,用于电力行业的变电站开关柜测温,温度传感器是直接安装在被测物体表面的测温元件,它负责接收探询射频信号,并返回带温度信息的射频信号到读入器。

原理

传感器表面波技术应用了晶体材料的物理特性。晶体的物理特性的改变通过压电感应原理被自动转化成了电信号。传感器的工作原理是将射频信号发射到压电材料的表面,然后将受到温度影响了的反射波再转回电信号而获取温度数据。表面波技术的最大好处是利用了传感器的被动工作原理-即在非常规的运行环境下(高电压,高电流)实现无线温度数据采集。

声表面波器件相关的工艺原理可以参考以下文献: [3]

识别

利用声表面波技术的电子标签始于上世纪80年代末,它是有别于IC芯片识别的另一种新型非接触自动识别技术,或者,我们可以据此将RFID分成SAWRFID和IC RFID,需要说明的是,SAW RFID也属于无芯片电子标签系统(Chipless)。

如果表面波遇到了机械的或者电的不连续表面,那么,表面波的一小部分被反射。自由表面与金属化表面之间的过渡就具有这样的不连续性。因此,可以用周期性配置的反射条作为反射器。如果反射周期与半波长相符,则所有反射重叠起来的相位是相同的。因此,对于固有频率来说,发射率达到最大值。

SAW无源电子标签采用反射调制方式完成电子标签信息向阅读器的传送。

SAW标签是由叉指换能器和若干反射器组成,换能器的两条总线与电子标签的天线相连接。阅读器的天线周期地发送高频询问脉冲,在电子标签天线的接收范围内,被接收到的高频脉冲通过叉指换能器转变成声表面波,并在晶体表面传播。反射器组对入射表面波部分反射,并返回到叉指换能器,叉指换能器又将反射声脉冲串转变成高频电脉冲串。如果将反射器组按某种特定的规律设计,使其反射信号表示规定的编码信息,那么阅读器接收到的反射高频电脉冲串就带有该物品的特定编码。通过解调与处理,达到自动识别的目的。

声表面波电子标签识别系统的一般做法和ICRFID的一般做法是基本一致的,也就是将声表面波电子标签安装在被识别对象物上,当带有电子标签的被识别对象物进入阅读器的有效阅读范围时,阅读器自动侦测到电子标签的存在,向电子标签发送指令,并接收从电子标签返回的信息,从而完成对物体的自动识别。由于声表面波传播速度低,有效的反射脉冲串在经过几微秒的延迟时间后才回到阅读器,在此延迟期间,来自阅读器周围的干扰反射已衰减,不会对声表面波电子标签的有效信号产生干扰。由于SAW器件本身工作在射频波段,无源且抗电磁干扰能力强,因此SAW技术实现的电子标签具有一定独特的优势,是对集成电路技术的补充。

其主要特点是:

1)读取范围大且可靠,可达数米;

2)可使用在金属和液体产品上;

3)标签芯片与天线匹配简单,制作工艺成本低;

4)不仅能识别静止物体,而且能识别速度达300千米/小时的高速运动物体;

5)可在高温差(-100℃~300℃)、强电磁干扰等恶劣环境下使用。

SAW电子标签技术应用领域非常广泛,包括物流管理、路桥收费、公共交通、门禁控制、防伪、农场的健康与安全监控识别、超市防盗和收费、航空行李分拣、邮包跟踪、工厂装配流水线控制和跟踪、设备和资产管理、体育竞赛等。

SAW标签也适用于压力、应力、扭曲、加速度和温度等参数变化的测量,如铁路红外轴温探测系统的热轴定位、轨道衡、超偏载检测系统、汽车轮胎压力等。

原理

声表面波器件是在压电基片上制作两个声一电换能器―叉指换能器。所谓叉指换能器,就是

在压电基片表面上形成形状像两只手的手指交叉状的金属图案,它的作用是实现声一电换能。声表面波器件的工作原理是,基片左端的换能器(输入换能器)通过逆压电效应将输入的电信号转变成声信号,此声信号沿基片表面传播,最终由基片右边的换能器(输出换能器)将声信号转变成电信号输出。整个声表面波器件的功能是通过对在压电基片上传播的声信号进行各种处理,并利用声一电换能器的特性来完成的。

当我们把电压加载在压电晶体如石英的电极上,那么由于压电效应就会在压电晶体的晶格中形成机械畸变。所谓的声表面波就是在压电基片材料表面产生并传播、并且其振幅随深入基片材料的深度的增加而迅速减少的弹性波。声表面波滤波器的基本结构是在具有压电特性的基片材料抛光面上制作两个0.1μm厚的铝膜构成的电极结构即声电换能器(叉指换能器)。叉指换能器就是采用半导体集成电路的平面工艺,在压电基片表面蒸镀一定厚度的铝膜,再把设计好的两个IDT的掩膜图案利用光刻方法沉积在基片表面,分别作为输入换能器和输出换能器。声电转换器的形状是指状电极结构,即手指相互交叉的形式(如图1所示)。每两个这种相互交叉的指状系统构成一个指间转换器或者叉指换能器。其工作原理是:输入换能器将电信号转换成声波信号,沿晶体表面传播,输出换能器再将接收到的声波信号转换成电信号输出。

应用

迄今已经研制成功了许多声表面波器件,如表面波带通滤波器、延迟线、匹配滤波器、温度传感器、振荡器和表面波卷积器等:由于声表面波器件具有小型、可靠性高、一致性好、多功能以及设计灵活等优点,所以它在雷达、通信、空中交通管制、电子战f 微波中继、声纳以及电视中已经或正在得到广泛的应用。

声表面波滤波器原理和应用

声表面波滤波器原理及应用 1.声表面波滤波器(SAWF)的结构和工作原理 声表面波滤波器(SAWF)是利用压电材料的压电效应和声特性来工作的。具有压电效应的材料能起到换能器的作用,它可以将电能转换成机械能,反之亦然。压电效应包括正压电效应和反压电效应。所谓正压电效应是指压电材料受力变形产生电荷,因而产生电场的效应,即由机械能转换为电能,反压电效应是指压电材料在外加电场的作用下,产生机械形变的效应,也即由电能转换为机械能。 声表面波滤波器(SAWF)的结构如图2—12所示。这种滤波器的基片是由压电材料(如铌酸锂或石英晶体)制成,在基片上蒸镀两组“叉指电极”,一般由金属薄膜用光刻工艺刻成。左侧接信号源的一组称为发送换能器,右侧接负载的一组称为接收换能器,图中a、b分别为电极宽度和极间距离,W为相邻叉指对的重叠长度,称为“叉指孔径”。当交变的电信号u s 加到发送换能器的两个电极上时,通过反压电效应,基片材料就会产生弹性形变,这个随信号变化的弹性波,即“声表面波”,它将沿着垂直于电极轴向(图中x方向)向两个方向传播,一个方向的声表面波被左侧的吸声材料吸收,另一方向的声表面波则传送到接收换能器,由正压电效应产生了电信号,再送到负载R L。但叉指换能器的形状不同时,滤波器对不同频率信号的传送与衰减能力就会不一样。

图2—12 声表面波滤波器结构示意图 为了简便起见,仅分析“均匀”型叉指换能器的频率特性。所谓“均匀”型就是指图2—12中各叉指对的参数a、b、W 都相同,设换能器有n+1个电极,并把换能器分为n节或N个周期(N=n/2),各电极将激发出相同数量的声表面波,声表面波的波长由指装点基的宽度a和间隔b决定,声表面波的频率与传播速度有关,其自然谐振频率(或机械谐振频率)为 v是声表面波的传播速度,约为3×103m/s,比光速小很多,比声速高9倍多。在f0一定,速度v低时(a+b)就可以小,所以声表面波器件的尺寸可以做得很小,但f0很低,则(a+b)就增大,SAWF的尺寸就增大,因此它适合工作在高频或超高频段。 叉指换能器的尺寸决定后,换能器的f0就固定了,当外加信号的频率等于f0时,换能器各节电极所激发的声表面波同相叠加,振幅最大,即所激发出的声表面波幅值最大;当外加信号的频率偏离f0时,换能器各节电极所激发的声表面波振

声表面波简介

声表面波简介 声表面波技术是六十年代末期才发展起来的一门新兴科学技术,它是声学和电子学相结合的一门边缘学科。由于声表面波的传播速度比电磁波慢十万倍,而且在它的传播路径上容易取样和进行处理,因此,用声表面波去模拟电子学的各种功能,能使电子器件实现超小型化和多功能化。同时,由于声表面波器件在甚高频和超高频波段内以十分简单的方式提供了其它方法不易得到的信号处理功能,因此,声表面波技术在雷达、通信和电子对抗中得到了广泛的应用。 声表面波是沿物体表面传播的一种弹性波。早在九十多年前,人们就对这种波进行了研究。1885 年,瑞利根据对地震波的研究,从理论上阐明了在各向同性固体表面上弹性波的特性。但由于当时的科学技术水平所限,这种弹性表面波一直没有得到实际上的应用。直到六十年代,由于半导体平面工艺以及激光技术的发展,出现了大量人造压电材料为声表面波技术的发展提供了必要的物质和技术基础。 1949 年,美国贝尔电话实验室发现了LiNbO3单晶。1964 年产发表了激发弹性表面波平面结构换邹器的专利。特别应该指出的是,1965 年,怀特(R . M.white)和沃尔特默(F.W.voltmer )在应用物理杂志上发表了题为“一种新型表面波声-电换能器― 叉指换能器”的论文,从而取得了声表面波技术的关键性突破。 声表面波器件的基本结构和工作原理 声表面波器件是在压电基片上制作两个声一电换能器―叉指换能器。所谓叉指换能器,就是在压电基片表面上形成形状像两只手的手指交叉状的金属图案,它的作用是实现声一电换能。声表面波器件的工作原理是,基片左端的换能器(输入换能器)通过逆压电效应将愉入的电信号转变成声信号,此声信号沿基片表面传播,最终由基片右边的换能器(输出换能器)将声信号转变成电信号输出。整个声表面波器件的功能是通过对在压电基片上传播的声信号进行各种处理,并利用声一电换能器的待性来完成的。 声表面波技术有如下的特点: 第一,声表面波具有极低的传播速度和极短的波长,它们各自比相应的电磁波的传播速度的波长小十万倍。在VHF 和UHF 绳段内,电磁波器件的尺寸是与波长相比拟的。同理,作为电磁器件的声学模拟声表面波器件,它的尺寸也是和信号的声波波长相比拟的。因此,在同一频段上,声表面波器件的尺寸比相应电磁波器件的尺寸减小了很多,重量也随之大为减轻。例如,用一公里长的微波传愉线所能得到的延迟,只需用传输路径为1 。m 的声表面波延迟线即可完成。这表声表面波技术能实现电子器件的超小型化。 第二,由于声表面波系沿固体表面传播,加上传播速度极慢,这使得时变信号在给定瞬时可以完全呈现在晶体基片表面上。于是当信号在器件的输入和输出端之间行进时,就容易对信号进行取样和变换。这就给声表面波器件以极大的灵活性,使它能以非常简单的方式去.完成其它技术难以完成或完成起来过于繁重的各种功能。比如脉冲信号的压缩和展宽,编码和译码以及信号的相关和卷积。一个实际例子是1976 年报道的一个长为一英寸的声表面波卷积器,它具有使两个任意模拟信号进行卷积的功能,而它所适应的带宽可达100MHz ,时带宽积可达一万。这样一个卷积器可以代替由几个快速傅里叶变换(FFT )链作成的数字卷积器,即实际上可以代替一台专用卷积计算机。此外,在很多情况下,声表面波器件的性能还远远超过了最好的电磁波器件所能达到的水平。比如,用声表面波可以作成时间-带宽乘积大于五千的脉冲压缩滤波器,在UHF 频段内可以作成Q 值超过五万的谐振腔,以及可以作成带外抑制达70dB 、频率达1 低Hz 的带通滤波器。 第三,由于声表面波器件是在单晶材料上用半导体平面工艺制作的,所以它具有很好的一致性和重复性,易于大量生产,而且当使用某些单晶材料或复合材料时,声表面波器件具有极高的温度稳定性。 第四,声表面波器件的抗辐射能力强,动态范围很大,可达100dB 。这是因为它利用的是晶体表面的弹性波而不涉及电子的迁移过程。

声表面滤波器的作用和应用

声表面滤波器的作用和应用 声表面滤波器它是一种滤波频率杂质的压电元件,利用压电材料的压电特性,利用输入与输出换能器(Transducer)将电波的输入信号转换成机械能,经过处理后,再把机械能转换成电的信号,以达到过滤不必要的信号及杂讯,提升收讯品质的目标. 声表面滤波器产品广泛应用于电视系列,卫星通讯,移动系统,无线传呼,计算机及报警系统等领域,其中定时器,遥控器,音响较为常用. 声表滤波器是以石英、铌酸锂或钎钛酸铅等压电晶体为基片,经表面抛光后在其上蒸发一层金属膜,通过光刻工艺制成两组具有能量转换功能的交叉指型的金属电极,分别称为输入叉指换能器和输出叉指换能器.当输入叉指换能器接上交流电压信号时,压电晶体基片的表面就产生振动,并激发出与外加信号同频率的声波,此声波主要没着基片的表面的与叉指电极升起的方向传播,故称为声表面波,其中一个方向的声波被除数吸声材料吸收,别一方向的声波则传送到输出叉指换能器,被转换为电信号输出. SAW滤波器的选频作用常规4大分类: ●⑴低通滤波器从0~f2频率之间,幅频特性平直,它可以使信号中低于f2的频 率成分几乎不受衰减地通过,而高于f2的频率成分受到极大地衰减. ●⑵高通滤波器与低通滤波相反,从频率f1~∞,其幅频特性平直.它使信号中高 于f1的频率成分几乎不受衰减地通过,而低于f1的频率成分将受到极大地衰减. ●⑶带通滤波器它的通频带在f1~f2之间.它使信号中高于f1而低于f2的频率

成分可以不受衰减地通过,而其它成分受到衰减. ⑷带阻滤波器与带通滤波相反,阻带在频率f1~f2之间.它使信号中高于f1而 低于f2的频率成分受到衰减,其余频率成分的信号几乎不受衰减地通过. 在声表面波滤波器中,信号经过电-声-电的两次转换,由于基片的压电效应,则叉 指换能器具有选频特性.显然,两个叉指换能器的共同作用,使声表面波滤波器的选频 特性较为理想. 声表滤波器的主要特点是设计灵活性大、模拟/数字兼容、群延迟时间偏差和频率选择性优良(可选频率范围为10MHz~3GHz)、输入输出阻抗误差小、传输损耗小、抗电磁干扰(EMI)性能好、可靠性高、制作的器件体小量轻,其体积、重量分别是陶瓷介质滤波器的1/40和1/30左右,且能实现多种复杂的功能. SAW滤波器的特点: 适应了现代通信系统设备及便携式电话轻薄短小化和高频化、数字化、高性能、高可靠等方面的要求.其不足之处是所需基片材料的价格昂贵,对基片的定向、切割、研磨、抛光和制造工艺要求高.受基片结晶工艺苛刻和制造精度要求严的影响,日本富士通、三洋电器、丰田等少数几家掌握压电基片生产技术的制造商垄断了世界SAW滤波器市场.富士通公司控制了移动电话用小型射频SAW滤波器全球市场40%左右的份额,目前其年产量在1.5亿只以上,最小的产品尺寸已达到2.5mm×2mm,重22mg,集倒装式组件和专利谐振器型滤波器设计于一体,使滤波器性能突破性飞跃.三洋电器公司是世界最大的视听家电用SAW滤波器制造商之一. 帝国科技为保持其价格上的优势,公司在我国深圳设有组装厂,年产5000万只.丰田公司主要生产移动通信用SAW滤波器,可提供30多种标准型产品,均适用于表面安装.

声表面波器件工艺原理-9倒装焊工艺原理

九,声表器件倒装焊工艺原理 序:倒装芯片(FC)技术,是在芯片的焊接区金属上制作凸焊点,然后将芯片倒扣在 外壳基座上,以实现机械性能和电性能的连接,由于FC是通过凸焊点直接与底座相连,因此与其它互连技术相比,FC具有最高的封装密度、最小的封装尺寸(线焊可焊的最小陶瓷外壳为3×3mm,而FC可以作到芯片级)、最好的高频性能(电感小)、最小的高度、最轻的重量,以及产品高可靠、生产高工效等。倒装焊工艺:主要由UBM的形成、凸点的制作、倒装焊接三部分组成。 (一)UBM的形成: 当凸焊点材料与芯片上的焊接区金属不能很好浸润粘附时(或接触电阻大,或热匹配差,或两种材料间易形成会导致键合强度降低的金属间化合物),需要在凸焊点与芯片压焊块之间置入一层既能与芯片焊接区金属良好粘附、又能与凸焊点良好浸润、还能有效阻挡两者之间相互反应扩散的金属膜(UBM),因我们无法找到可同时满足上述要求的材料,所以通常UBM由多层金属膜组成。(说明:与凸点连接的还有底座上相应的焊接点,由于在底座制作时该部位已镀有多层金属,能满足要求,固在此不于讨论。) 1,对UBM的各层要求及材料选择: 1)粘附层:要求与铝膜及钝化层间的粘附性好,低阻接触,热膨涨系数接近,热应力小。常选用材料有:Cr、Ti、Ti-W、Al、V等,因它们与Al浸润性很好,固该层可较薄。2)扩散阻挡层:能有效阻挡凸焊点材料与铝间的相互扩散,以免形成不利的金属间化合物,特别是金凸焊点,在高温下与铝可生成Al2Au、AlAu、AlAu2、Al2Au5等脆性金属间化合物及在接触处相互扩散形成空洞,导致键合强度降低甚至失效。该层常用材料有:Ti、Ni、Cu、Pd、Pt、Ti-W等。(当用软焊料如PbSn作凸点时,由于其回流时会吃掉浸润层,直接与阻挡层接触;此时阻挡层应足够厚,且与凸点相浸润,不反应产生有害物) 3)浸润层:要求一方面能和凸焊点材料良好浸润,可焊性好,且不会形成不利于键合 的金属间化合物;另一方面还能保护粘附层和阻挡层金属不被氧化、粘污。该层常选用薄的金膜、金的合金膜或较厚的铜膜(用于焊料凸焊点)。 2,UBM的制作: 1)UBM的组合选择:对于金凸焊点,常选用的UBM为:Cr/Ni/Au、Ti/Ni/Au、Ti/Pt/Au、Ti-W/Au等;对于PbSn凸焊点,常选用的UBM有:Ti-W/Cu、Ti-W/Au/Cu、Cr/Cr-Cu/Cu、Al/Ni-V/Cu、Ti/Cu、Ti-W/Cu/化学镀Ni等。 2)UBM的制作方法:UBM的制作是凸焊点制作的关键工艺,其质量好坏直接影响凸焊点质量、倒装焊接的成功率和封装后凸焊点的可靠性。由于UBM是多层金属,为防止薄膜间形成氧化膜夹层,对UBM的制作基本上都是采用溅射或电子束蒸发,在高真空腔内一次完成(当需要制作厚金属膜时,则采用电镀或化学镀)。为防止多层金属腐蚀时造成凸点脱落,可采用剥离技术(电镀法制凸点除外),既可解决腐蚀不易控制,又可简化工艺,提高芯片凸点可靠性;这对换能器裸露于芯片表面的声表器件尤其适宜。 (二)凸焊点制作: 1,凸焊点常用材料: 要具有电阻率小、延展性好、化学性能稳定等特点,同时凸点(包括UBM)材料还要能承受器件在加工、使用、老化、可靠性实验等过程中所需承受的条件。 1)Au:由于金浸润性好,延展性好,内应力小,接触电阻小,化学性能稳定,因此是 高频、高可靠器件常用的凸点材料。现在已可作节距为20μ,直径为20μ,高为15μ的金凸点。对小尺寸、高密度的金凸点的制作主要是用厚金电镀技术,低密度的金凸点可用金丝球焊切尾制作。目前国内无氰电镀金凸点剪切强度已达11.8 mg/μm2,高度容差±1.4μm(优于美国公司标准:剪切强度>8.7mg/μm2,高度容差:管芯内±1.5μm,圆片内±2.5μm)。

声表面波标签工作原理及应用

声表面波标签 1、声表面波射频标签 声表面波是沿物体表面传播的一种弹性波,其声速仅为电磁波速的十万分之一,传播衰耗很小。 2、声表面波射频标签的工作原理 SAW标签采用反射调制方式完成射频标签信息向阅读器的传送,主要由压电基片、叉指换能器、反射栅和天线组成,在压电基片上以平面电极结构制作叉指换能器和反射栅。声表面波标签通过天线接收到高频脉冲信号,该信号传至叉指换能器,由于基片的逆压电效应,换能器激发出同频的SAW,该SAW沿基片表面传播,到达一系列紧密排列编码的反射栅后,部分能量可以反射到叉指换能器,通过基片的压电效应再次转变成电磁波由天线发射回来。如果将反射器组按某种特定的规律设计,使其反射信号表示规定的编码信息,那么阅读器接收到的反射高频电脉冲串就带有该物品的特定编码。通过解调与处理,达到识别标签的目的。 3、声表面波射频标签的应用 在各式各样的电子产品及无线通讯产品中,都会牵涉到信号的接收与发射。为了确保信号的质量,在系统设计时,会使用到数量不一的滤波器。滤波器的种类很多,有陶瓷滤波器、LC滤波器等,各依所对应之频率范围、频率响应特性、价格之不同而在使用上有所分别。SAW滤波器是利用电磁波与声波的特性进行传播的。

表面声波是一种独特的机械波,它沿着晶体表面行进时,在垂直晶体表面的方向,能量会以指数形式衰减(就是说衰减非常非常快),而当其深入超过一个波长深度时,能量密度则降为在表面时的十分之一,因此这种波在晶体表面行进时,最主要的优点就是能量能够集中于表层。这种独特的性质,使得声表面波元件可以很容易地运用其所携带之能量。 早期应用雷达、广播 作为六十年代末期(85后父母一代哦)才发展起来的一门新兴科学技术,声表面波技术是声学和电子学相结合的一门边缘学科。由于声表面波的传播速度是电磁波的十万分之一(最快的飞机1000Km/h,它的1/100000是10m/h,比蜗牛似乎快一点?),在它的传播路径上容易取样和进行处理,因此,用声表面波去模拟电子学的各种功能,能使电子器件实现超小型化和多功能化。同时,由于声表面波器件在甚高频和超高频波段内以十分简单的方式提供了其它方法不易得到 的信号处理功能,因此,声表面波技术在雷达、通信和电子对抗中得到了广泛的应用。声表面波的应用最早是在军用雷达、广播领域作频率稳定的滤波器之用。军方的需求推动了SAW技术的发展。 第一个繁荣期彩电 八十年代后期到本世纪初,彩色电视机对SAW器件的大量需求,引导了声表面波器件的一个繁荣期。回忆一下,最初的彩色电视机价格是不是很贵?为什么呢?因为在当时,一个其中的声表面波器件就

声表面波器件工艺原理-3光刻工艺原理

三,声表器件光刻工艺原理: 目录: (一)光刻胶:1,正性光刻胶2,负性光刻胶3,光刻胶的性质 (二)光刻工艺原理(湿法): 1,匀胶:1)匀胶方法2)粘附性3)光刻胶的厚度4)膜厚均匀性5)对胶面要求6)注意事项 2,前烘:1)前烘目的2)对前烘温度和时间的选择3)前烘方法 3,暴光:1)暴光目的2)暴光技术简介3)暴光条件选择4)暴光不良原因 4,显影:1)显影目的2)显影方法3)影响显影质量的因素4)常见问题5)其它 5,坚膜:1)坚膜目的2)坚膜方法3)问题讨论 6,腐蚀:1)腐蚀目的2)腐蚀因子3)腐蚀方法4)影响因素5)注意事项 7,去胶:1)去胶目的2)去胶方法3)注意事项 8,问题分析:1)光刻分辨率2)控制光刻线宽的方法3)浮胶4)毛刺及钻蚀5)小岛6)针孔 9,小结(光刻各工序需控制的工艺参数) (三)光刻工艺原理(干法)简介: 1,干法腐蚀原理:1)等离子体腐蚀2)离子腐蚀3)反应离子腐蚀 2,干法工艺:1)干法显影2)铝的干法刻蚀3)干法去胶 (四)金属剥离工艺简介:1)剥离工艺特点2)剥离技术3)有关问题 (五)微细光刻技术简介:1)抗蚀剂2)暴光技术3)刻蚀技术4)问题及原因 序: 光刻是SAW器件制造的关键工艺,是一种复印图象同化学腐蚀相结合的综合技术。它先采用照相复印的方法,将光刻版上的图形精确的复印在涂有感光胶的金属膜层上,然后利用光刻胶的保护作用,对金属层进行选择性化学腐蚀,从而在金属层上得到与光刻版相应的图形,并要求图形线条陡直、无钻蚀、无断条和连指等。影响光刻质量的因素很多,除暴光技术外,还有掩膜版、金属膜、光刻胶等的质量以及操作技术和环境条件等。实践表明,光刻质量对器件性能有很大影响,是生产中影响成品率的关键因素。 (一) 光刻胶:按光化学反应的不同,光刻胶大体可分为正性光刻胶和负性光刻胶两类。1,正性光刻胶: 它的特点是原来的胶膜不能被某些溶剂溶解,当受适当波长光照射后发生光分解反应,切断树脂聚合体主链和从链之间的联系,使其变为可溶性物质。因此当用正胶光刻时,可在基片表面得到与光刻版遮光图案完全相同的光刻胶图形,方向相差180度。正性胶分辨率较高,对一些常用金属表面有较好粘附性;但与负胶相比,其稳定性和抗蚀能力较差。目前常用的正性胶为DQN和PMMA。 1)DQN:DQN是一种近紫外NUV(365、435nm)光刻胶,主要由感光剂DQ、基体 材料N和溶剂组成。通常使用的基体材料是酸催化酚醛树脂,具有良好的成膜性和耐磨性,能溶于碱溶液和许多普通溶剂;感光剂DQ(邻叠氮醌化合物)如同基体材料N在碱溶液中溶解的抑制剂,当在基体N中加入20-50%的DQ,混合物(光刻胶)将变为不可溶;溶剂是用来溶解感光剂和基体材料、同时又易挥发的液体,由于溶剂的用量决定光刻胶的黏度(黏度也与温度有关),从而影响光刻胶的涂敷厚度,而厚度又与光聚合反应所需暴光量有关,与胶膜的分辨率有关,所以对溶剂用量的控制也十分重要。 DQN感光机理是,经近紫外光照射,感光剂发生分解,并重新组合为乙烯酮,乙烯酮和空气中的水气反应,产生酸性基,酸性基可与碱性溶液发生中和反应,使不溶性光刻胶可溶

第二章 声表面波与器件的制作2

第二章 声表面波与器件制作 本章中,我们主要介绍声表面波(SAW)的基本特性和基本类型,压电基片的选择,叉指换能器(IDTs)的特征以及声表面波器件的制作方法。 2.1 引言 压电效应是指在晶体上施加压力时产生电势差的现象。压电晶体在外力的作用下发生形变时,某些表面会出现异号电荷,而在压电晶体上加一电场时,晶体不仅产生极化,而且会产生应变和应力。压电材料的几何应变与施加电场成比例。从1880年居里兄弟发现压电效应以来,压电学已经成为现代科学技术中的一个非常重要的领域。而作为压电学发展的一个重要分支,在二十世纪六十年代中期美国的怀特等人提出用叉指换能器在压电基片上激励和检测声表面波的方法之后,声表面波器件的研究得到了很大的发展。 2.2 SAW 的介绍 在各向同性固体中传播的声波,根据质点的偏振方向可以分为两大类,一类是质点振动垂直于传播方向的波称之为横波,一类是质点振动平行于传播方向的波称之为纵波。二者的速度取决于材料的弹性常数,即 横波速度 1/2s (/)υ=μρ (2.1) 纵波速度 1/2 L 2()λ+μυ=ρ (2.2) 各向同性材料的弹性常数,称为拉密常数;ρ是材料密度。从式子中可以看到,横波通常要比纵波慢。 在各向异性固体材料如压电晶体中,质点振动方向和声波传播方向的关系并非如此简单。一般来说,质点振动方向既不垂直也不平行于声波传播方向,而是有三个互相垂直的偏振方式。其中偏振方向较为接近传播方向的波称为“准纵波”,两个偏振方向较为接近垂直于传播方向的偏振波称之为“准横波”。这三种波的速度各不相同,其中准纵波速度最快,而两个准横波的速度比较慢,其中较快的一个称为“准快横波”,较慢的一个称为“准慢横波”。同时波前的法线方向亦即波的相速度方向与波的能流方向并不一定相同,

声表面波器件工艺原理-1清洗工艺原理

一,声表器件清洗工艺原理 序: 声表器件制作工艺中的清洗技术及洁净度是影响器件合格率、器件性能和可靠性的重要因素。杂质污染主要来源于晶片加工过程、环境污染、水(包括纯水)污染、试剂污染、工艺气体污染、生产用设备、器皿、工具及易耗品污染、人体污染和工艺过程造成的污染。由于表面污染是通过污染物与表面间的作用力引起(主要是化学力和分子间力),清洗就是为破坏这种作用力,除去由上述污染源所带来的有机物、微粒、金属原子(离子)及微粗糙。(一)对基片表面的清洗: 由于有机物会遮盖部分基片表面,影响对微粒和金属的清洗,所以清洗的一般思路是:先除去表面的有机污染,然后再去除微粒和金属杂质。 1,对有机物的清洗: 基片上的有机污染主要有油膜、残余的蜡膜胶膜、不纯有机溶剂挥发后的残膜,以及微生物的有机残渣、手油等。这些杂质分子与基片表面的接触通常是依靠分子间力维持,多属物理吸附,吸引力较弱,且随分子间距的增加很快削弱,。基片表面上的有机物除影响清洗效果外,工艺上主要影响金属膜的粘附和光刻质量。清洗有机物常用方法主要有: a)擦洗:当基片表面有微粒、有机残渣或残膜时常用擦片办法,它是靠人工(或机械)作用及有机溶剂溶解作用去除表面大块污物,根据有机溶剂结构相似相溶原理,可依次用甲苯、丙酮、无水乙醇棉球在基片表面沿同一方向轻轻擦拭,然后用纯水超声5-10分钟,最后用纯水冲洗、甩干。操作中注意,不可将溶剂顺序颠倒或打乱,擦片要无划伤、不留液渍。 b)等离子体清洗(干法清洗):等离子体是部分电离的气体,由电子、离子、自由基(以氧为例,指游离态氧原子)及其它中性粒子组成,是物质的第四态。等离子体清洗机理主要是依靠等离子体中的活性粒子(电子、离子和自由基)的活化作用达到去除表面污渍的目的。其反应过程包括:无机气体被激发为等离子态;气相物质被吸附在固体表面;被吸附基团与固体表面分子反应生成产物分子;产物分子解析形成气相;反应残余物脱离表面。 按反应类型分类:等离子体与固体表面反应可以分为物理反应(离子轰击)化学反应及物理化学反应。物理反应机制是,活性离子轰击待清洗表面,使污染物脱离表面并最终被真空泵抽走;其优点是,自身无化学反应,表面不留氧化物,腐蚀作用各向异性;缺点是,使表面在分子级范围内变的粗糙,对被清洗表面的各种不同物质选择性差,热效应大,腐蚀速度低。化学反应机制是,各种活性的粒子和污染物反应生成易挥发性物质,然后由真空泵吸走;其优点是,清洗速度高,选择性好,对清除有机污染比较有效,缺点是会在表面产生氧化物。物理化学反应机制是,两种反应都起重要作用,并互相促进;离子轰击使被清洗表面产生损伤,削弱其化学键或者形成原子态,使其容易吸收反应剂,离子碰撞使被清洗物加热,使之更容易发生反应,其效果是既有好的选择性、清洗效率、均匀性,又有好的方向性。 按激发频率分类:等离子态密度n(cm-3)和激发频率v(Hz)有如下关系: n =1.2425×108v2 ,由上式见,频率越高,等离子态密度越大,列表说明其分类: 频率 等离子体类型 自偏压 反应类型 应用 40KHz 超声等离子体 1000V 物理反应 对表面影响大,易造成二次污染 13.56MHz 射频等离子体 250V 物理化学反应 去除表面污染物、有机物、氧化物(氢)等 2.45GHz 微波等离子体 几十伏 化学反应 去除表面污染物、有机物、氧化物(氢)等 典型的等离子体化学清洗工艺是氧等离子体清洗。在低压系统中通入少量氧,受高频电场作用,氧被激励成游离态氧原子,使有机物氧化成挥发性物质CO2 和H2O,达到清除目的(但不能去掉碳和其它非挥发性金属或金属氧化物)。工艺要求的真空度、高频频率、通氧量、功率、时间可参照设备说明或由实验确定。具体反应如下: O2—→O* + O* C x H y + O*—→C O2↑+ H2 O↑ 典型的等离子体物理清洗工艺是氩等离子体清洗。在镀膜前,抽高真空到5×10-3Pa,充

声表面波的应用

声表面波传感器的应用 一.声表面波简介 声表面波(SAW)技术是声学和电子学相结合而形成的一门新兴边缘学科。在该技术的基础上,现已经成功地研制出声表面波带通滤波器、振荡器、表面波卷积器和传感器等声表面波器件。由于声表面波器件具有体积小、可靠性高、一致性好以及设计灵活等优点,所以在雷达、通信等领域的研究得到了广泛的应用。把声表面波技术应用于传感器技术领域在近十年来得到了很大的发展。目前, 采用技术来研制力、加速度、温度、湿度、气体及电压等一系列新型传感器的工作逐渐成为传感器研究的一个热点。 二.声表面波传感器工作原理 SAW传感器构成的识别系统由一个SAW传感器标签、一个带主动式天线的阅读器和一个信号后处理单元组成。SAW 标签由传感器天线、压电模式、指换能器和经传感器体外编码的反射区组成。传感器天线接收由远处阅读器发送来的访问电磁脉冲信号,通过叉指换能器转化为声表面波,遇到反射条后形成回波,回波通过叉指换能器重新转化为电磁波并再次通过天线发射出去。这些回波信号形成了由晶体表面的反射条的数目和位置决定的脉冲序列,它类似于条形码图案,每个脉冲的时间延迟取决于SAW 传播速度。信号后处理单元对脉冲延迟变进行估计,实时解调出识别码。天线接收到询问信号后,由IDT将电信号转换为声波信号,声波信号撞击反射区。反射区位置不同,个数不同,会产生不同的振幅和不同的相位变化。 三.声表面波传感器的应用 (1) LiNb03的声表面波应用 声表面波器件(SAW)的基本原理是在压电基体上通过光刻的方法制出由相互交叉的电极(一般为铝电极)组成的叉指电极(叉指换能器),利用基片的压电效应激发起沿着表面层传播的高频超声波,从而实现滤波、延时、脉冲压缩与扩展、卷积等多种电子学功能。叉指换能器的基本构造如图,换能器的中心频率f0由声

声表面波器件工艺原理-7粘片工艺原理

七,声表器件粘片工艺原理; (一)粘结机理: 粘片的实现是粘合剂分子和芯片表面分子及底座(或支架)表面分子、以及粘合剂内部分子间相互作用的结果。粘片的强度取决于粘合剂本身的内聚力(抗拉断能力)和粘合剂与被粘物之间的粘附力。 粘附力存在于两种材料接触面之间,通过范德华力实现吸引或吸附,同一种(不同)粘合剂与不同(同一种)材料之间的粘附力不同。当我们把芯片加压放置于涂敷在底座(或支架)的胶面上时,粘合剂会润湿芯片和底座表面,并渗入芯片和底座表面空隙;胶分子和芯片及底座分子通过接触产生分子引力,使芯片和底座粘合在一起。粘附力一方面取决于表面分子间引力,同时也取决于润湿的渗透度;粘合剂必须渗入表面粗糙处并完全润湿表面,才能得到最完全的分子间交换;在粘合剂的表面张力已经确定的条件下,润湿取决于被粘结物的表面能及粘合剂的黏度;只有当粘合剂的表面能小于被粘物的表面能时,粘合剂才能较好的润湿固体表面;如果存在污染物,湿润程度将降低,会影响粘附力。 当我们进行光(热)固化时,线状结构的粘合剂分子会反应聚合为立体网状大分子,粘合剂的形态也由黏液状变为固态,极大的增强了粘合剂本身的机械强度(即内聚力)。同时粘合剂与被粘物之间的结合也由线状小分子与被粘物分子间的结合转变为网状大分子与被粘物分子间的结合,使粘附力极大增强。 (二) 粘片质量要求: 粘片是把划片后的芯片用粘合剂粘附在管座(金属、陶瓷管座或塑封支架)上,通过热 固化(或光固化)使芯片和管座牢牢粘合在一起。对声表器件不仅要求粘片位置准确、粘结牢固、不裂片、不掉片、不粘污晶片表面和支架压点。同时还要求粘片胶有良好的高温性能,固化后其形变不影响压焊效果,及粘片胶要有良好的吸声效果。 (三) 对与粘片有关材料的介绍: 1,粘合剂(适用于粘片和封装): 对电子元器件装配用粘合剂的要求是:在机械性能方面要有较好的抗拉、抗剪、抗压、 抗弯强度及适宜的硬度;在物理性能方面,要有良好的耐热、耐湿、耐溶剂、耐高低温冲击等性能,并且要有合适的热膨胀系数,高的绝缘性;此外,还必须在高温和低气压下,没有挥发物出现;对声表器件而言,粘合剂还要有良好的吸声效果等。按固化分类,粘合剂主要分为室温固化、热固化、光固化。其中热固化(室温固化)粘合剂主要成分是环氧树脂或硅橡胶,光固化粘合剂的主要成分是丙烯酸脂。 1)光固化粘合剂:主要成分是低聚物的丙烯酸脂及改性丙烯酸类,再加入配合剂[主 要有交联剂(如丙烯酸)、光敏剂、增塑剂等]。经UV固化,使线性树脂聚合为三维网状结构;有较好的耐振动和抗冲击性能,坚韧易弯曲,有强的粘结力,好的吸声效果。但由于其热膨胀系数较大,与芯片及金属支架会出现热不匹配。以3781胶为例,使用中易出现裂片现象,并有实验显示,当温度>300℃时,胶变深黄色,粘结力和吸声效果开始下降。 光固化厌氧粘合剂:光固化粘合剂和厌氧粘合剂的主要成分都是低聚物的丙烯酸脂,再分别加入各种配合剂即分别组成光固化粘合剂和厌氧粘合剂。厌氧配合剂主要有交联剂(如丙烯酸)、引发剂、促进剂、稳定剂和表面处理剂等,厌氧胶的固化是按游离基聚合反应进行,微量空气存在有利于促进聚合反应,大量空气存在起阻聚作用。厌氧胶为单组分、无溶剂,具有固化速度快,耐油、耐酸碱,能与油污面进行粘结等优点,缺点是接触空气的胶不固化。光固化厌氧粘合剂是在光固化粘合剂中再加入厌氧配合剂而成,具有固化速度快、粘结力强、耐油、耐酸碱等优点。是目前生产在用的粘合剂。 2)热固化粘合剂:环氧树脂有优异的物理、机械和电气性能及良好的吸声效果。固化 过程无副产物生成,固化后的收缩率在热固化树脂中为最小(<2%),有较低的吸水率(0.5%)。

声表面波传感器的综述

声表面波传感器的综述 摘要:声表面波(SAW)是一种在固体浅表面传播的弹性波,SAW传感器是电子技术与材料科学相结合的产物。由于SAW传感器具有非接触、快速、无电源、抗干扰、易编码、保密性好、成本低等优点,目前已广泛应用于许多领域。同时,SAW传感器也朝着更高精度更智能化等发展趋势发展。 关键字:声表面波特点应用发展趋势 1.声表面波的基本原理 声表面波( surface acoustic wave,SAW)是英国物理学家瑞利在19世纪80年代研究地震波的过程中偶尔发现的一种能量集中于地表面传播的声波。声表面波是一种在固体浅表面传播的弹性波,它存在若干模式,主要包括Rayleigh波、Love波、Lamb波、B2G波、漏剪切声表面波以及快速声表面波模式的准纵漏声表面波等[1]。 瑞利波是应用比较广泛的声表面波,瑞利波质点的运动是一种椭圆偏振,它是相位差为90°的纵振动和横振动合成的结果。表面质点作反时针方向的椭圆振动,其振幅随离开表面的深度而衰减如图1所示,但纵振动与横振动的衰减不一致,其衰减规律如图2所示。 图1 在各向同性固体中,瑞利波质点运动随深度的变化图

图2 在各向同性固体中,瑞利波的纵震动与横震动随深度的变化图由图可见,瑞利波能量集中在约1个波长深的表面层内。频率愈高,集中能量层愈薄。这一特点使SAW较体波更易获得高声强,同时该特点也使基片背面对SAW传播的影响很小,因而就SAW器件本身而言,对基片的厚度及背面质盘无严格要求[2]。 2.SAW传感器 1965年,美国怀特和沃尔特默发表题为“一种新型声表面波声——电转化器”的论文,取得了声表面波技术的关键性突破,首次采用叉指换能器IDT激发SAW,加速了声表面波技术的发展。 SAW传感器是电子技术与材料科学相结合的产物,它由SAW 振荡器、敏感的界面膜材料和振荡电路组成。SAW 传感器的核心部件是SAW 振荡器,由压电材料基片和沉积在基片上不同功能的叉指换能器所组成,有延迟线型(DL型) 和谐振器型(R型) 两种。如下图所示[3]。 图3 延迟线型SAW传感器

声表面波器件工艺原理-8引线键合工艺原理

八,声表器件引线键合工艺原理: 在SAW器件的后封装工艺中,尽管目前已发展了倒装焊(FC)等其它互连技术,但引线键合仍是主要的互连技术。其目的是完成器件内引线与外引线的连接,即利用金属丝将芯片上的压点与底座上相对应的电极连接起来。引线键合应具有低的接触电阻,合适的机械强度,长期的金相稳定性和小的寄生参量;常用方法有热压键合、超声键合、热超声键合。下面对键合用引线及几种常用键合方法作简单介绍: (一) 键合引线: 键合用引线对器件的可靠性和稳定性关系很大,理想的引线材料应具备化学性能稳定(不会形成有害的金属间化合物),可塑性好,弹性小,结合力强,低的欧姆电阻(并能与待压点金属层形成低欧姆接触)。键合方法不同,引线材料也不同,如热压焊常用金丝,超声焊常用铝丝。 1,金丝: 金具有优良的抗氧化性,化学性能稳定,延展性好,抗拉强度高,4个9的金丝为热压 焊和热超声焊的标准用材。为增加机械强度,金丝中常添加5-10 PPm的铍或30-100 PPm的铜。金在高温时(>200℃),易与铝产生脆性的金属间化合物AuAl2(紫斑)和Au5Al2(白斑),同时在接触处因相互扩散形成空洞;而使金-铝键合点导电能力变差,并极易碎裂产生脱键,因此使用金丝时,应尽量避免采用金-铝系统,而采用金-金结合。 2,铝丝: 铝具有良好的导电性,成本低,可避免金-铝系统的“紫斑”,而成为铝-铝系统常用导线。纯铝柔软,键合性差,为增加其强度,故标准铝丝为AlSi合金(Si:1%)。由于铝化学性质活泼,易氧化,因此它不适宜于热压焊,而适用于超声键合和气密性封装的器件。另外铝丝和金层键合同样会产生“紫斑”,但当二者实际接触宽度L与金层厚度d之比大于4时(L/d >4),不会引起电阻变化。 3,关于键合引线的“退火”: 为减小金属丝硬度,改善延伸性及净化表面,键合使用的金属丝要经过退火处理。铝丝(金丝)退火一般在氢气、氮气或真空中进行,硅铝丝退火温度为450℃左右,金丝退火温度650℃左右;恒温15-20分,自然冷却。要求退火后的金属丝表面光亮,具有金属光泽,不氧化,不发脆,可塑性好。 (二)超声键合: 由于SAW器件的压电基片表面以铝为主,而铝丝超声键合工艺具有不需加热,Al-Al系 统不易受腐蚀,有好的可靠性,成本低等优点,因此超声键合是SAW器件键合技术中的首选。它的缺点是必须旋转芯片和底座,使其始终处于楔焊方向,故速度较慢;其次,它对管芯、底座的平整度要求较高,否则,不仅会使压点接触热阻增大,而且,当为保证焊接,施加合适的压力时,会损伤芯片;另外,铝丝因其固有的抗弯曲性能差,以及设备的设置可能不当(键合参数、焊头移动形式、铝丝和劈刀的选择等),所导致的根切问题常是超声键合的重要缺陷。 1,超声键合原理: 换能系统将超声发生器产生的高频电信号,通过压电陶瓷(PZT)晶片的逆压电效应,转换为轴向高频机械振动经变辐杆放大并传递到劈刀,再由劈刀将其转换为与芯片平行的横向振动,劈刀末端带动金属丝(Al)在芯片压点的铝层表面来回磨擦,从而将超声能量传递到键合界面,摩擦击破了键合界面上的氧化膜、潮湿层及污染物,暴露出洁净的金属表面,同时,磨擦产生的热量也软化了界面,在劈刀压力的作用下产生塑性形变,并使两金属面紧密接触,依靠原子间的引力实现了键合。 2,工艺质量要求:

全球声表面波滤波器技术发展趋势

全球声表面波滤波器技术发展趋势 半导体行业观察 百家号2018-10-07 13:10 来源:SIMIT战略研究室 一、TC-SAW 对于声表面波器件来说,对温度非常敏感。在较高温度下,衬底材料的硬度易于下降,声波速度也因此下降。由于保护频带越来越窄,并且消费设备的指定工作温度范围较大(通常为-20℃至85℃),因此这种局限性的影响越来越严重。 一种替代方法是使用温度补偿(TC-SAW)滤波器,它是在IDT的结构上另涂覆一层在温度升高时刚度会加强的涂层。温度未补偿SAW器件的频率温度系数(TCF)通常约为-45ppm/℃,而TC-SAW滤波器则降至-15到-25ppm/℃。但由于温度补偿工艺需要加倍的掩模层,所以,TC-SAW滤波器更复杂、制造成本也相对更高。 目前TC-SAW技术越来越成熟,国外大厂基本都有推出相应产品,在手机射频前端取得不少应用,而国内的工艺仍需要摸索。 二、高频SAW 普通SAW基本上是2GHz以下,村田开发出克服以往声表面波弱点的I.H.P.SAW(Incredible High Performance-SAW)。村田意将SAW技术发挥到极致(4GHz以下),目前量产的频率可达3.5GHz。

图I.H.P.SAW的基本结构 I.H.P.SAW可以实现与BAW相同或高于BAW的特性,并兼具了BAW的温度特性、高散热性的优点,具体如下: (1)高Q值:在1.9GHz频带上的谐振器试制结果显示,其Q值特性的峰值超过了3000,比以往Qmax为1000左右的SAW得到了大幅度的改善。

(2)低TCF:它通过同时控制线膨胀系数和声速来实现良好的温度特性。以往SAW的TCF转换量非常大(约为-40ppm/℃),而I.H.P.SAW可将其改善至±8ppm/℃以下。 (3)高散热性:向RF滤波器输入大功率信号后IDT会产生热量,输入更大功率则可能因IDT发热而破坏电极,从而导致故障。I.H.P.SAW可将电极产生的热量高效地从基板一侧散发出去,可将通电时的温度上升幅度降至以往SAW的一半以下。低TCF和高散热性两种效果,使其在高温下也能稳定工作。 三、新型体声波滤波器 目前市面上的体声波滤波器基本上基于多晶薄膜工艺。而初创公司Akoustis Technologies, Inc.发明的Bulk ONE? BAW技术是采用单晶AlN-on-SiC谐振器,据称性能能够提升30%。 图单晶硅BAW技术针对高频应用

声表面波器件工艺原理-4修频工艺原理

四,声表器件修频工艺原理 序: 利用石英作SAW 谐振器基片时,具有良好的温度特性。然而,在制作器件的过程中,各道工序都可能出现误差,即使采用最精确的工艺控制,对1GHz 以上的高频器件,产生±300KHz 的偏差,也在所难免;这样的偏差是不能满足高频传输系统的要求;因此,频率调整也就成为制作SAW 谐振器不可缺少的重要工序。 (一) 制作误差引起的频移: SAW 谐振器制作工艺中产生频率误差的原因多种多样。由于SAW 谐振器的中心频率取决于叉指电极(IDT )指间宽度和石英基片上SAW 的相速,而影响SAW 相速变化原因又可归纳为IDT 偏离SAW 的传播方向、形成IDT 的铝膜厚度和电极指的线宽等。由下表列出采用通用工艺制作1GHz 的SAW 器件造成频偏的主要原因及由此产生的偏离。(仅供参考) 制作误差 频率偏移 SAW 传播方向±1° 石英切割方向±1° IDT 膜厚±100A° 石英表面的电极占有比±10% ±70 KHz ±300 KHz ±200 KHz ±200 KHz (二)修频技术: 修频的方法很多,如等离子刻蚀,金属减薄或加厚,覆盖介 质膜,聚合物质量加载,高能离子注入,紫外光照射,激活聚 合物等。下面选设备投入少、批量生产易操作的方法作简单介 绍。 1, 等离子体频率修正技术: 1) 基本原理:它是用CF 4+O 2(CF 4:80%,O 2:20%)或F 12等离子体对石英基片进行 选择性刻蚀,来改变换能器电极的台阶高度,从而改变SAW 速度及换能器的反射率,达到修正频率的目的。对谐振器而言,由于增高了台阶,除SAW 速度降低有助于降低谐振频率外,凹槽电极的换能器的反射率的提高也有助于谐振频率的降低。 在传统RIE 系统中,CF 4被离解为氟离子和CF 2 ,与SiO 2的反应生成物是SiF 4、CO 、CO 2 ;刻蚀过程大约如下:CF 4→2F+CF 2 SiO 2+4F →SiF 4+2O SiO 2+2CF 2→SiF 4+2CO ; 另外在CF 4中加入O 2 ,会反应释放出F ,因而增进了SiO 2的刻蚀速率;只是当氧超过一定量后,气相的F 原子会再结合成为F 2,反而使刻蚀速率下降。 调频所需总台阶高度h 2可由下式给出: h 2 =λ{(h 1/λ)2 —[(f 1-f 2)λ/K V]}1/2 式中: V—自由声表面波速度, K—系数,约为10.5, λ—声表面波波长, h 1—金属台阶高度, f 1—初始频率, f 2—调频最终频率。 由上式算出,增加1200A°台阶高度,频率降200KHz,与刻蚀实际达到台阶增高1000A°时,频率降低200KHz 基本一致。等离子体频率修正技术简单易行;对500MHz 谐振器调频200KHz(400ppm),刻蚀30秒,没发现器件增大响应崎变,不改变器件的长期可靠性。由于等离子体频率修正是使频率降低,所以应使设计和制作的器件的初始频率偏高于所需的最终频率。 2)方法简介:(例)将基片放置在反应离子刻蚀机真空室内的平行平板电极(阴极)上,阴极接射频电源(13.56MHz ),阳极接地。当反应室抽至高真空后,充入反应性气体,将气压调至9-3Pa ,加射频电压,激励起辉光放电,使反应气体电离,产生自由电子和具有化学活性的离子及离子团,对基片进行刻蚀。下表列出当电极距离为30mm ,射频功率为280-360W ,气压为9-3Pa 时,常用压电晶体的刻蚀特性。

声表面波

声表面波滤波器(surface acoustic wave)简称SAW滤波器,声表面波是沿物体 表面传播的一种弹性波。 声表面波概念 在各式各样的电子产品及无线通讯产品中,都会牵涉到信号的接收与发射。为了确保信号的质量,在系统设计时,会使用到数量不一的滤波器。滤波器的种类很多,有陶瓷滤波器、LC滤波器等,各依所对应之频率范围、频率响应特性、价格之不同而在使用上有所分别。SAW滤波器是利用电磁波与声波的特性进行传播的。 表面声波是一种独特的机械波,它沿着晶体表面行进时,在垂直晶体表面的方向,能量会以指数形式衰减(就是说衰减非常非常快),而当其深入超过一个波长深度时,能量密度则降为在表面时的十分之一,因此这种波在晶体表面行进时,最主要的优点就是能量能够集中于表层。这种独特的性质,使得声表面波元件可以很容易地运用其所携带之能量。 声表面波(SAW,Surface Acoustic Wave)是沿物体表面传播的一种弹性波。声表面波是英国物理学家瑞利(Rayleigh)在19世纪80 年代研究地震波的过程中偶尔发现的一种能量集中于地表面传播的声波。1965年,美国的怀特(R.M.White)和沃尔特默(F.W.Voltmer)发表题为“一种新型声表面波声——电转化器”的论文,取得了声表面波技术的关键性突破,能在压电材料表面激励声表面波的金属叉指换能器 IDT的发明,大大加速了声表面波技术的发展,使这门年轻的学科逐步发展成为一门新兴的、声学和电子学相结合的边缘学科。 简介 声表面波[1] 在固体半空间表面存在的一种沿表面传播,能量集中于表面附近的弹性波。[1] 又称为表面声波。 从严格意义上说,声表面波泛指沿表面或界面传播的各种模式的波,不同的边界条件和传播介质条件可以激发出不同模式的声表面波。在半无限基片上存在的声表面波有瑞利波(Rayleigh waves)、漏波(Leaky SAW)、广义瑞利波(Generalized Rayleigh waves)、水平剪切波(SH.SAW)、电声波(B.G waves)、兰姆波(Lamb waves)等。在层状结构的基片存在有乐甫波(Love waves)、西沙瓦波(Sezawa waves)、斯东莱波(Stoneley waves)等。 早在九十多年前,人们就对这种波进行了研究。1885 年,瑞利根据对地震波的研究,从理论上阐明了在各向同性固体表面上弹性波的特性。但由于当时的科学技术水平所限,这种弹性表面波一直没有得到实际上的应用。直到六十年代,由于半导体平面工艺以及激光技术的发展,出现了大量人造压电材料为声表面波技术的发展提供了必要的物质和技术基础。 作为六十年代末期才发展起来的一门新兴科学技术,它是声学和电子学相结合的一门边缘学科。由于声表面波的传播速度比电磁波慢十万倍,而且在它的传播路径上容易取样和进行处理,因此,用声表面波去模拟电子学的各种功能,能使电子器件实现超小型化和多功能化。同时,由于声表面波器件在甚高频和超高频波段内以十分简单的方式提供了其它方法不易得到的信号处理功能,因此,声表面波技术在雷达、通信和电子对抗中得到了广泛的应用。声表面波的应用最早是在军用雷达、广播、电视领域作频率稳定的滤波器之用。 1949 年,美国贝尔电话实验室发现了LiNbO3单晶。1964 年产发表了激发弹性表面波平面结构换邹器的专利。特别应该指出的是,1965 年,怀特(R . M.white)和沃尔特默(F.W.voltmer )在应用物理杂志上发表了题为“一种新型表面波声-电换能器―叉指换

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