芯片手册
74系列
74ls48 BCD—7段译码器-内部上拉输出驱动 1 7473 TTL 带清除负触发双J-K触发器 1 7474 TTL 带置位复位正触发双D触发器 2 7476 TTL 带预置清除双J-K触发器 2 7483 TTL 四位二进制快速进位全加器 3 7485 TTL 四位数字比较器 4 7486 TTL 2输入端四异或门 5 7490 TTL 可二-五分频十进制计数器 5 7495 TTL 四位并行输入-输出移位寄存器7 74107 TTL 带清除主从双J-K触发器8 74109 TTL 带预置清除正触发双J-K触发器8 74122 TTL 可再触发单稳态多谐振荡器9 74126 TTL 三态输出低有效四总线缓冲门9 74138 TTL 3-8线译码器-复工器10 74139 TTL 双2-4线译码器-复工器11 74150 TTL 16选1数据选择-多路开关12 74154 TTL 4线—16线译码器13 74157 TTL 同相输出四2选1数据选择器14 74160 TTL 可预置BCD异步清除计数器15 74165 TTL 八位并行入-串行输出移位寄存器16 74166 TTL 八位并入-串出移位寄存器16 74169 TTL 二进制四位加-减同步计数器17 74173 TTL 三态输出四位D型寄存器18 74174 TTL 带公共时钟和复位六D触发器18 74175 TTL 带公共时钟和复位四D触发器19 74180 TTL 9位奇数-偶数发生器-校验器20 74185 TTL 二进制—BCD代码转换器21 74192 TTL 可预置BCD双时钟可逆计数器22 74194 TTL 四位双向通用移位寄存器22 74197 TTL 二进制可预置锁存器-计数器23 74245 TTL 八同相三态总线收发器23 74247 TTL BCD—7段15V输出译码-驱动器23 74248 TTL BCD—7段译码-升压输出驱动器24 74273 TTL 带公共时钟复位八D触发器24 74299 TTL 三态输出八位通用移位寄存器25 74323 TTL 三态输出八位双向移位-存贮寄存器25
CD系列
4008 CMOS 4位二进制并行进位全加器26 4013 CMOS 带置位-复位的双D触发器28 4014 CMOS 8级同步并入串入-串出移位寄存器29
4015 CMOS 双4位串入-并出移位寄存器29 4021 CMOS 异步8位并入同步串入-串出寄存器30 4027 CMOS 带置位复位双J-K主从触发器32 4028 CMOS BCD- 十进制译码器32 4030 CMOS 四异或门33 4042 CMOS 四时钟控制D 锁存器34 4043 CMOS 四三态或非R-S 锁存器36 4051 CMOS 8选1双向模拟开关36 4052 CMOS 双4选1双向模拟开关37 4056 CMOS BCD—7段译码-驱动器39 4070 CMOS 四异或门40 4077 CMOS 四异或非门41 4094 CMOS 8级移位存储总线寄存器42 4099 CMOS 八位可寻址锁存器42 4502 CMOS 可选通六反相缓冲器43 4503 CMOS 六三态同相缓冲器44 4506 CMOS 双二组2输入可扩展与或非门45 4511 CMOS BCD-7段锁存-译码-LED驱动47 4512 CMOS 8通道数据选择器48 4513 CMOS BCD-7段译码-锁存-驱动器49 4514 CMOS 四位锁存-4-16高有效译码器50 4515 CMOS 四位锁存-4-16低有效译码器51 4528 CMOS 双单稳态多谐振荡器52 4529 CMOS 双四路或单八路模拟开关53 4531 CMOS 12位奇偶校验电路54 4538 CMOS 双精密单稳多谐振荡器55 4539 CMOS 双四路数据选择器-多路开关56 4541 CMOS 可编程振荡器-计时器57 4543 CMOS BCD-7段译码-锁存-液晶驱动器58 4544 CMOS BCD-7段译码-消隐-驱动器59 4547 CMOS BCD-7段译码-大电流驱动器60 4549 CMOS 逐级近似寄存器61 4553 CMOS 3位数BCD计数器62 4557 CMOS 1-64位可变字长移位寄存器62 4558 CMOS BCD-7段译码器63 4559 CMOS 逐级近似寄存器64 4560 CMOS BCD全加器65 4561 CMOS “9”补码电路66 4568 CMOS 相位比较器-可编辑计数器66 4583 CMOS 双多能施密特触发器67 4585 CMOS 4位数字比较器68 40110 CMOS 十进制加减计数-译码-锁存-驱动69 40117 CMOS 10线—4线BCD优先编码器70 40174 CMOS 六D触发器71
40175 CMOS 四D触发器71 40181 CMOS 4位算术逻辑单元72 40257 CMOS 四2线-1线数据选择器-多路传输73
光电耦合
4n35-36-37光电藕合器（达林顿输出）74 4n25 26 74 6n137光电藕合器74 std4nb25 光电藕合器75 6n136 75 Tlp521光电藕合器76 4n25光电藕合器76
模拟集成电路
Ua741高增益运放77 Ua725高精度运算放大器77 ICL7650斩波稳零运放78 LM358双运放78 CMOS集成四运放79 LM324四运放79
74系列
74ls48 BCD—7段译码器-内部上拉输出驱动
7473 TTL 带清除负触发双J-K触发器
7474 TTL 带置位复位正触发双D触发器
7476 TTL 带预置清除双J-K触发器
7483 TTL 四位二进制快速进位全加器
7485 TTL 四位数字比较器
7486 TTL 2输入端四异或门
7490 TTL 可二-五分频十进制计数器
7495 TTL 四位并行输入-输出移位寄存器
74107 TTL 带清除主从双J-K触发器
74109 TTL 带预置清除正触发双J-K触发器
74122 TTL 可再触发单稳态多谐振荡器
74126 TTL 三态输出低有效四总线缓冲门
74138 TTL 3-8线译码器-复工器
74139 TTL 双2-4线译码器-复工器
74150 TTL 16选1数据选择-多路开关
74153 TTL 双4选1数据选择器
74154 TTL 4线—16线译码器
74157 TTL 同相输出四2选1数据选择器
74160 TTL 可预置BCD异步清除计数器
十进制同步计数器（异步清除）
74165 TTL 八位并行入-串行输出移位寄存器
74166 TTL 八位并入-串出移位寄存器
74169 TTL 二进制四位加-减同步计数器
2017年中国十大半导体公司排名
2017年中国十大半导体公司排名 2017年已接近尾声，接下来就让小编带你看看最新的中国十大半导体公司排名吧!1、环旭电子(601231)环旭电子股份有限公司是全球ODM/EMS领导厂商，专为国内外品牌电子产品或模组提供产品设计、微小化、物料采购、生产制造、物流与维修服务。环旭电子成立于2003年，现为日月光集团成员之一，于2012年成为上海证券交易所A股上市公司。环旭电子股份有限公司以信息、通讯、消费电子及汽车电子等高端电子产品EMS、JDM、ODM为主，主要产品包括WiFi ADSL、WiMAX、WiFi AP、WiFi Module、Blue-Tooth Module、LED LighTIng & Inverter、Barcode Scanner、DiskDrive Array、网络存储器、存储芯片、指纹辨识器等。2、长电科技(600584)成立于1972年，2003年在上交所主板成功上市。历经四十余年发展，长电科技已成为全球知名的集成电路封装测试企业。长电科技面向全球提供封装设计、产品开发及认证，以及从芯片中测、封装到成品测试及出货的全套专业生产服务。长电科技致力于可持续发展战略，崇尚员工、企业、客户、股东和社会和谐发展，合作共赢之理念，先后被评定为国家重点高新技术企业，中国电子百强企业，集成电路封装技术创新战略联盟理事长单位，中国驰名商标，中国出口产品质量示范企业等，拥有国内唯一的高密度集成电路国家工
程实验室、国家级企业技术中心、博士后科研工作站等。由江阴长江电子实业有限公司整体变更设立为股份有限公司，是中国半导体第一大封装生产基地，国内著名的晶体管和集成电路制造商，产品质量处于国内领先水平。长电科技拥有目前体积最小可容纳引脚最多的全球顶尖封装科技，在同行业中技术优势十分突出。3、歌尔股份(002241)有限公司成立于2001年6月，2008年5月在深交所上市，主要从事微型声学模组、传感器、微显示光机模组等精密零组件，虚拟现实/增强现实、智能穿戴、智能音响、机器人/无人机等智能硬件的研发、制造和销售，目前已在多个领域建立了全球领先的综合竞争力。自上市以来，歌尔保持高速成长，年复合增长率达44.5%。4、中环股份(002129)天津中环半导体股份有限公司成立于1999年，前身为1969年组建的天津市第三半导体器件厂，2004年完成股份制改造，2007年4月在深圳证券交易所上市，股票简称“中环股份”，代码为002129。是生产经营半导体材料和半导体集成电路与器件的高新技 术企业，公司注册资本482，829，608元，总资产达20.51 亿。天津中环股份有限公司致力于半导体节能和新能源产业，是一家集半导体材料-新能源材料和节能型半导体器件-新能 源器件科研、生产、经营、创投于一体的国有控股企业。5、三安光电(600703)三安光电股份有限公司(以下简称“三安光电”或公司，证券代码：600703)是具有国际影响力的全色系
芯片手册
74系列 74ls48 BCD—7段译码器-内部上拉输出驱动 1 7473 TTL 带清除负触发双J-K触发器 1 7474 TTL 带置位复位正触发双D触发器 2 7476 TTL 带预置清除双J-K触发器 2 7483 TTL 四位二进制快速进位全加器 3 7485 TTL 四位数字比较器 4 7486 TTL 2输入端四异或门 5 7490 TTL 可二-五分频十进制计数器 5 7495 TTL 四位并行输入-输出移位寄存器7 74107 TTL 带清除主从双J-K触发器8 74109 TTL 带预置清除正触发双J-K触发器8 74122 TTL 可再触发单稳态多谐振荡器9 74126 TTL 三态输出低有效四总线缓冲门9 74138 TTL 3-8线译码器-复工器10 74139 TTL 双2-4线译码器-复工器11 74150 TTL 16选1数据选择-多路开关12 74154 TTL 4线—16线译码器13 74157 TTL 同相输出四2选1数据选择器14 74160 TTL 可预置BCD异步清除计数器15 74165 TTL 八位并行入-串行输出移位寄存器16 74166 TTL 八位并入-串出移位寄存器16 74169 TTL 二进制四位加-减同步计数器17 74173 TTL 三态输出四位D型寄存器18 74174 TTL 带公共时钟和复位六D触发器18 74175 TTL 带公共时钟和复位四D触发器19 74180 TTL 9位奇数-偶数发生器-校验器20 74185 TTL 二进制—BCD代码转换器21 74192 TTL 可预置BCD双时钟可逆计数器22 74194 TTL 四位双向通用移位寄存器22 74197 TTL 二进制可预置锁存器-计数器23 74245 TTL 八同相三态总线收发器23 74247 TTL BCD—7段15V输出译码-驱动器23 74248 TTL BCD—7段译码-升压输出驱动器24 74273 TTL 带公共时钟复位八D触发器24 74299 TTL 三态输出八位通用移位寄存器25 74323 TTL 三态输出八位双向移位-存贮寄存器25 CD系列 4008 CMOS 4位二进制并行进位全加器26 4013 CMOS 带置位-复位的双D触发器28 4014 CMOS 8级同步并入串入-串出移位寄存器29
一文看透中国半导体行业现状
一文看透中国半导体行业现状 2016-10-13 在中国近年来在半导体领域的重大投入和中国庞大市场的双重影响下，中国半导体在全球扮演的的角色日益重要。国际社会上很多观察家在把中国看成一个机会的同时，也同时顾虑到中国半导体崛起带来的威胁。但有一点可以肯定的是，近年来中国半导体玩家频频露面知名国际会议，已经制造了相当程度的全球影响力。 自从中国宣布建立千亿的投资基金，挑战全球半导体霸主的地位。业界的巨头们都在思考并谨慎防御中国的半导体野心。 考虑到中国庞大的国内市场和本土业者的技术悟性”，还有中国近几十年来所缔造的电子生产龙头地位，再加上近年来在各个领域的深入探索。你就会明白为什么中国对发展相对滞后的硅产业如此重视。 据我们预测，到2020 年,中国会消耗世界上55%的存储、逻辑和模拟芯片，然而当中只有15%是由中国自身生产的，和多年前的10%相比还是有了一定比例的提升。但是供需之间的差距仍然在日益扩大。 中国想在全球半导体产业中扮演一个重要角色，为本土生产的智能手机、平板等消费电子设备，工业设备制造更多国产的微处理器芯片、存储和传感器，能够满足本土电子产业的需求甚至还展望可以出口相关元器件。 在这种目标的指导下，中国在全国已经开发了好几个半导体产业群（图1），且在未来十年内，国家和地方政府计划额外投资7200亿人民币（1080亿美金）到半导体产业。这些投资除了满足消费和工业需求外，还会兼顾到中国在通信、安全等工业，以求减少对国际半导体的依赖。 图1 ：中国半导体的全国分布图
但据我们观察，中国半导体要崛起首先面临的第一个障碍就是目前中国大部分项目都是和已存在的公司合作，追逐市场的领先者和落后者，考虑到他们的目标、技术需求和国外政府对其的限制等现状。许多的中国公司已经释放出了一种信号一一那就是想投资更多的跨国半导体公司。最近的频频示好，也让中国半导体斩获不少。 在2016年1月，贵州政府出钱和高通成立了一家专注于高端服务器芯片生产的公司华芯通，合资公司中贵州政府所占的比例为55% ;另外，清华紫光集 团也给台湾的Powertech （力成）投资了6亿美金，成为后者的第一大股东。 力成成立于1997年，是全球第五大封测服务厂，美国存储生产商金士顿为其重要股东，原持股比例约3.83%，并拥有四席董事席位，台湾东芝半导体也拥有一席，在增资后股份以及董事席次估计都会有所更动。力成在营运业务上主要 专注在存储IC封测。这次投资体现了紫光和中国大陆对存储产业的决心。 早前，紫光还想买下西部数据和美光，但受限于美国监管局，这两笔交易最后只能夭折。虽然困难重重，但展望不久的将来，中国半导体业势必会发起更多并购，让我们拭目以待。 对于国际上的半导体玩家而言，中国半导体的雄心壮志有时候会让他们望而生畏。 考虑到中国庞大的市场、雄厚的资本和追求经济增长的长久目标，这就要求这些跨国公司在中国需要制定更清晰的策略。当然，这并不是说全球半导体玩家在和中国打交道的时候缺乏影响力和议价能力。 其实参考中国以往进入新市场的表现，结果是喜忧参半的。他们的国有公司政府组织会根据竞争者的状况和市场现状采取不同的策略。考虑到中国半导体目 标和他们进入国际市场的困难重重，展望未来他们还是会持续保持和跨国公司的合作，并在此期间培育自己的企业和产业。 中国抢占市场的方式 在对中国半导体并购策略了解之前，我们先了解一下中国抢占市场的惯用方
cc2590 芯片手册
FEATURES APPLICATIONS DESCRIPTION CC2590BLOCK DIAGRAM RF_P RXTX RF_N PAEN EN CC2590 https://www.360docs.net/doc/0111920629.html,........................................................................................................................................................................................SWRS080–SEPTEMBER2008 2.4-GHz RF Front End,14-dBm output power ?All2.4-GHz ISM Band Systems ?Seamless Interface to2.4-GHz Low Power RF Devices from Texas Instruments?Wireless Sensor Networks ?Wireless Industrial Systems ?Up to+14-dBm(25mW)Output Power ?IEEE802.15.4and ZigBee Systems ?6-dB Typical Improved Sensitivity on CC24xx ?Wireless Consumer Systems and CC2500,CC2510,and CC2511 ?Wireless Audio Systems ?Few External Components –Integrated Switches –Integrated Matching Network CC2590is a cost-effective and high performance RF –Integrated Balun Front End for low-power and low-voltage 2.4-GHz –Integrated Inductors wireless applications. –Integrated PA CC2590is a range extender for all existing and future –Integrated LNA 2.4-GHz low-power RF transceivers,transmitters and ?Digital Control of LNA Gain by HGM Pin System-on-Chip products from Texas Instruments.?100-nA in Power Down(EN=PAEN=0)CC2590increases the link budget by providing a power amplifier for increased output power,and an ?Low Transmit Current Consumption LNA with low noise figure for improved receiver –22-mA at3-V for+12-dBm,PAE=23% sensitivity. ?Low Receive Current Consumption CC2590provides a small size,high output power RF – 3.4-mA for High Gain Mode design with its4x4-mm QFN-16package. – 1.8-mA for Low Gain Mode CC2590contains PA,LNA,switches,RF-matching,? 4.6-dB LNA Noise Figure,including T/R Switch and balun for simple design of high performance and external antenna match wireless applications. ?RoHS Compliant4×4-mm QFN-16Package ? 2.0-V to3.6-V Operation Please be aware that an important notice concerning availability,standard warranty,and use in critical applications of Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.
SSD1306 OLED驱动芯片中文手册
简介 SSD1306是一个单片CMOS OLED/PLED驱动芯片可以驱动有机/聚合发光二极管点阵图形显示系统。由128 segments 和64 Commons组成。该芯片专为共阴极OLED面板设计。 SSD1306中嵌入了对比度控制器、显示RAM和晶振，并因此减少了外部器件和功耗。有256级亮度控制。数据/命令的发送有三种接口可选择：6800/8000串口，I2C接口或SPI接口。适用于多数简介的应用，注入移动电话的屏显，MP3播放器和计算器等。 特性 1.分辨率：128 * 64 点阵面板 2.电源： a)VDD = 1.65V to 3.3V 用于IC逻辑 b)VCC = 7V to 15V 用于面板驱动 3.点阵显示 a)OLED驱动输出电压，最大15V b)Segment最大电流：100uA c)常见最大反向电流：15mA d)256级对比亮度电流控制 4.嵌入式128 * 64位SRAM显示缓存 5.引脚选择MCU接口 a)8位6800/8000串口 b)3/4线SPI接口 c)I2C接口 6.水平和垂直两个方向的屏幕保存连续滚动功能。 7.RAM写同步信号 8.可编程的帧率和多重比率 9.行重映射和列冲映射 10.片上晶振 11.两种封装 COG和COF 12.工作温度范围广：‐40℃ to 85℃ 订购信息 暂不翻译
结构方框图 功能块描述 MCU接口选择 SSD1306MCU接口由8个数据引脚和5个控制引脚组成。引脚分配由不同的接口选择决定， 详情如下表。不同的MCU模块可以通过BS[2:0]引脚的硬件选择设置。
MCU 并口 6800系列接口 不翻译 MCU 并口8080系列接口 不翻译 MCU串口（4‐wire SPI） 不翻译 MCU串口（3‐wire SPI） 不翻译 MCU I2C 接口 I2C通讯接口由从机地址为SA0，I2C总线数据信号（SDAout/D2输出和SDAin/D1输入）和I2C 总线时钟信号SCL（D0）组成。数据和时钟信号线都必须接上上拉电阻。RES#用来初始化设备。 a.从机地址位（SA0） SSD1306在发送或接受任何信息之前必须识别从机地址。设备将会响应从机地址，后面跟随着从机地址位（SA0位）和读写选择位（R/W#位），格式如下： b7 b6 b5 b4 b3 b2 b1 b0 0 1 1 1 1 0 SA0 R/W# SA0位为从机地址提供了一个位的拓展。0111100或0111101都可以做为SSD1306的从机地址。D/C#引脚作为SA0用于从机地址选择。R/W#为用来决定I2C总线接口的操作模式。R/W# = 1，读模式。R/W# = 0 写模式 b.I2C总线数据信号SDA SDA作为发送者和接受者之间的通讯通道。数据和应答都是通过SDA发送。 应该注意的是ITO轨道电阻和SDA引脚上的上拉电阻会变成一个潜在的电压分压器。结
全球和中国半导体产业发展历史和大事记
全球和中国半导体产业发展历史和大事记 1947年，美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管，从而开创了人类的硅文明时代。 1956年，我国提出“向科学进军”，根据国外发展电子器件的进程，提出了中国也要研究半导体科学，把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。中国科学院应用物理所首先举办了半导体器件短期培训班。请回国的半导体专家黄昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制造技术和半导体线路。在五所大学――北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学联合在北京大学开办了半导体物理专业，共同培养第一批半导体人才。培养出了第一批著名的教授：北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德、吉林大学的高鼎三。1957年毕业的第一批研究生中有中国科学院院士王阳元（北京大学微电子所所长）、工程院院士许居衍（华晶集团中央研究院院长）和电子工业部总工程师俞忠钰（北方华虹设计公司董事长）。 1957年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年，中国相继研制出锗点接触二极管和三极管（即晶体管）。 1958年，美国德州仪器公司和仙童公司各自研制发明了半导体集成电路（IC）之后，发展极为迅猛，从SSI（小规模集成电路）起步，经过MSI（中规模集成电路），发展到LSI（大规模集成电路），然后发展到现在的VLSI（超大规模集成电路）及最近的ULSI（特大规模集成电路），甚至发展到将来的GSI （甚大规模集成电路），届时单片集成电路集成度将超过10亿个元件。 1959年，天津拉制出硅（Si）单晶。 1960年，中科院在北京建立半导体研究所，同年在河北建立工业性专业化研究所――第十三所（河北半导体研究所）。 1962年，天津拉制出砷化镓单晶（GaAs），为研究制备其他化合物半导体打下了基础。 1962年，我国研究制成硅外延工艺，并开始研究采用照相制版，光刻工艺。 1963年，河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。 1964年，河北省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。 1965年12月，河北半导体研究所召开鉴定会，鉴定了第一批半导体管，并在国内首先鉴定了DTL型（二极管――晶体管逻辑）数字逻辑电路。1966年底，在工厂范围内上海元件五厂鉴定了TTL电路产品。这些小规模双极型数字集成电路主要以与非门为主，还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路等。标志着中国已经制成了自己的小规模集成电路。 1968年，组建国营东光电工厂（878厂）、上海无线电十九厂，至1970年建成投产，形成中国IC产业中的“两霸”。 1968年，上海无线电十四厂首家制成PMOS（P型金属－氧化物半导体）电路（MOSIC）。拉开了我国发展MOS电路的序幕，并在七十年代初，永川半导体研究所（现电子第24所）、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路。之后，又研制成CMOS电路。 七十年代初，IC价高利厚，需求巨大，引起了全国建设IC生产企业的热潮，共有四十多家集成电路工厂建成，四机部所属厂有749厂（永红器材厂）、871（天光集成电路厂）、878（东光电工厂）、4433厂（风光电工厂）和4435厂
74系列芯片数据手册大全
74系列芯片数据手册大全 74系列集成电路名称与功能常用74系列标准数字电路的中文名称资料7400 TTL四2输入端四与非门 7401 TTL 集电极开路2输入端四与非门 7402 TTL 2输入端四或非门 7403 TTL 集电极开路2输入端四与非门 7404 TTL 六反相器 7405 TTL 集电极开路六反相器 7406 TTL 集电极开路六反相高压驱动器 7407 TTL 集电极开路六正相高压缓冲驱动器 7408 TTL 2输入端四与门 7409 TTL 集电极开路2输入端四与门 7410 TTL 3输入端3与非门 74107 TTL 带清除主从双J-K触发器 74109 TTL 带预置清除正触发双J-K触发器 7411 TTL 3输入端3与门 74112 TTL 带预置清除负触发双J-K触发器 7412 TTL 开路输出3输入端三与非门 74121 TTL 单稳态多谐振荡器 74122 TTL 可再触发单稳态多谐振荡器 74123 TTL 双可再触发单稳态多谐振荡器 74125 TTL 三态输出高有效四总线缓冲门 74126 TTL 三态输出低有效四总线缓冲门 7413 TTL 4输入端双与非施密特触发器 74132 TTL 2输入端四与非施密特触发器 74133 TTL 13输入端与非门 74136 TTL 四异或门 74138 TTL 3-8线译码器/复工器 74139 TTL 双2-4线译码器/复工器 7414 TTL 六反相施密特触发器 74145 TTL BCD—十进制译码/驱动器 7415 TTL 开路输出3输入端三与门 74150 TTL 16选1数据选择/多路开关 74151 TTL 8选1数据选择器 74153 TTL 双4选1数据选择器 74154 TTL 4线—16线译码器 74155 TTL 图腾柱输出译码器/分配器 74156 TTL 开路输出译码器/分配器 74157 TTL 同相输出四2选1数据选择器 74158 TTL 反相输出四2选1数据选择器 7416 TTL 开路输出六反相缓冲/驱动器 74160 TTL 可预置BCD异步清除计数器 74161 TTL 可予制四位二进制异步清除计数器
74HC595中文芯片手册
74HC595 8位移位寄存器与输出锁存器 功能描述 这种高速移位寄存器采用先进的硅栅CMOS技术。该装置具有高的抗干扰性和标准CMOS集成电路的低功率消耗，以及用于驱动15个LS-TTL负载的能力。 此装置包含馈送一个8位D型存储寄存器的8位串行入，并行出移位寄存器。存储寄存器具有8 TRI-STATE e输出。提供了用于两个移位寄存器和存储寄存器独立的时钟。 移位寄存器有直接首要明确，串行输入和串行输出（标准）引脚级联。两个移位寄存器和存储寄存器的使用正边沿触发的时钟。如果两个时钟被连接在一起时，移位寄存器的状态 将总是提前存储寄存器的一个时钟脉冲。 该54HC/74HC逻辑系列就是速度，功能和引脚输出与标准54LS/74LS逻辑系列兼容。所有输入免受损害，由于静电放电由内部二极管钳位到VCC和地面。 产品特点 1低静态电流：80 mA最大值（74HC系列） 2低输入电流为1mA最大 38位串行输入，并行出移位寄存器以存储 4宽工作电压范围：2V ± 6V 5级联 6移位寄存器直接明确 7保证移频率：DC至30兆赫
TL/F/5342-1 Top View Order Number MM54HC5S5 or MM74HC595 DuaHn-Line Package RCK SCK SCLR G Function X X X H Q A thruQH = TRI-STATE X X L L Shift Register cleared Q H -O X T H L Shift Register clocked C)N = Qnd ，Qo = SER T X H L Con tents of Shift Register transferred to output latches Operating Conditions Supply Voltage (V QC ) -0.5 to +7.0V DC Input Voltage (V IM ) -1.5 toV C c+15V DC OutpiX Voltage (V OUT ) -0.5 toVcc+0.5V Clamp Diode Current (I IK . I(X ) ±20 mA DC Output Current, per pin (lour) ±35 mA DC Vcc or GND Current, per pin (Icc) ±70 mA Storage Temperature Range (T STG ) -65"Cto+15(rC Power Dissipation (P Q ) (Note 3) 600 mW S.O. Package only 500 mW Lead Temp. (TO (Sobering 10 seconds) 2?TC Min Max Units Supply Voltage (Vcc) 2 6 V DC Input or Outpu* Voltage 0 Vcc V (Vw. VOUT ) Operating Temp. Range (T A ) MM74HC -40 +85 ?c MM54HC -55 + 125 ?c Input Rise or Fall Times VOC-20V 1000 ns V QC -4.5V 500 ns Vcc-6.0V 400 ns Absolute Maximum Ratings (Notes 1&2) If Military/Aerospace specified devices are required, please contact the National Semiconductor Sales Office/Distributors for availability and specifications ?
国内31家半导体上市公司
国内31家半导体上市公司排行 内容来源网络，由“深圳机械展（11万㎡，1100多家展商，超10万观众）”收集整理！更多cnc加工中心、车铣磨钻床、线切割、数控刀具工具、工业机器人、非标自动化、数字化无人工厂、精密测量、3D打印、激光切割、钣金冲压折弯、精密零件加工等展示，就在深圳机械展. 中国芯是科技行业近几年的高频词汇之一，代表着我国对于国内半导体发展的期许，提升和现代信息安全息息相关的半导体行业的自给率，实现芯片自主替代一直是我国近年来的目标。为实现这一目标，我国从政策到资本为半导体产业提供了一系列帮助，以期在不久的将来进入到全球半导体行业一线阵营。 半导体是许多工业整机设备的核心，普遍使用于计算机、消费类电子、网络通信、汽车电子等核心领域。半导体主要由四个组成部分组成：集成电路，光电器件，分立器件，传感器。半导体行业的上游为半导体支撑业，包括半导体材料和半导体设备。中游按照制造技术分为分立器件和集成电路。下游为消费电子，计算机相关产品等终端设备。 截至3月31日收盘，中国A股半导体行业上市公司市值总额为3712．3亿元，其中市值超过100亿元的公司有11家，市值超过200亿元的公司有4家，分别为三安光电、利亚德、艾派克、兆易创新，其中三安光电以652．1亿元的市值位居首。 详细排名如下： 三安光电 三安光电是目前国内成立早、规模大、品质好的全色系超高亮度发光二极管外延及芯片产业化生产基地，总部坐落于美丽的厦门，产业化基地分布在厦门、天津、芜湖、泉州等多个地区。三安光电主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、化合物太阳能电池及Ⅲ
－Ⅴ族化合物半导体等的研发、生产和销售。是我国国内LED芯片市场市占高、规模大的企业，技术水平比肩国际厂商。 利亚德 利亚德是一家专业从事LED使用产品研发、设计、生产、销售和服务的高新技术企业。公司生产的LED使用产品主要包括LED全彩显示产品、系统显示产品、创意显示产品、LED 电视、LED照明产品和LED背光标识系统等六大类。 艾派克 艾派克是一家以集成电路芯片研发、设计、生产和销售为核心，以激光和喷墨打印耗材使用为基础，以打印机产业为未来的高科技企业。是全球行业内领先的打印机加密SoC 芯片设计企业，是全球通用耗材行业的龙头企业。艾派克科技的业务涵盖通用耗材芯片、打印机SoC芯片、喷墨耗材、激光耗材、针式耗材及其部件产品和材料，可提供全方位的打印耗材解决方案。 兆易创新 兆易公司成立于2005年4月，是一家专门从事存储器及相关芯片设计的集成电路设计公司，致力于各种高速和低功耗存储器的研究及开发，正在逐步建立世界级的存储器设计公司的市场地位。产品广泛地使用于手持移动终端、消费类电子产品、个人电脑及其周边、网络、电信设备、医疗设备、办公设备、汽车电子及工业控制设备等领域。 长电科技 长电科技是主要从事研制、开发、生产销售半导体，电子原件，专用电子电气装置和销售企业自产机电产品及成套设备的公司。是中国半导体封装生产基地，国内著名的三极管制造商，集成电路封装测试龙头企业，国家重点高新技术企业。2015年成功并购同行业的新加坡星科金朋公司，合并后的长电科技在业务规模上一跃进入国际半导体封测行业的第一
HK20芯片使用手册(20091214)
深圳市大开实业发展有限公司 地址：深圳车公庙泰然工贸园210栋东座5C 电话：0755-******** 88839828 88839838 传真：0755-******** E-mail ：sales-a@https://www.360docs.net/doc/0111920629.html, 完 美 方 案 HK20来电显示芯片 ? 机械锁控制，无需二极管············降低成本 ? 选用12位LCD 时，LCD 选项脚悬空····帮线更少 ? 多种FLASH 时间选择，无需二极管····用料更省 ? 无振铃检测电路,超大铃声· ··········适合挑剔用户 ? 解决外线电阻开路问题· ·············适合更多使用环境 ? 支持PVC 碳膜键盘· ·················成本更低 ? 厂家常规使用无需元件选项功能· ·····成本再次降低 ? 超简化菜单························方便灵活应用 ? 两组IP 键·························适合更多用户需求 ? 新来电指示灯控制··················不漏接每一个来电 ? 自动收线功能······················更多智能人性化
HK20来电显示芯片 HK20来电显示芯片是我司继HK6508、HK108系列芯片以来，又一款电话机应用主导芯片。集多年经验与各生产厂家之共同需求，以电路精简、功能实用、应用灵活为宗旨，打造完美电话机应用方案。 本芯片支持PVC碳膜键盘，省掉了振铃检测外围电路，且外线检测电阻开路，仍可接收来电。 一：功能简介 z FSK、DTMF来电显示，自动识别 z两种LCD显示模式 1）12位小玻璃和万年历玻璃显示 2）16位小玻璃显示 ●动态来电号码记录： FSK 最大8位57组、12位44组、16位36组 DTMF最大8位65组、12位49组、16位39组 z去电号码及通话时间记录：8位16 组、12位9组、32位5组 z实时日期及星期显示 z24首铃声选择，1首贵宾铃声 z按键设置振铃音量及免提音量 z按键设置LCD亮度5级可调 z软件与硬件设置电子防盗与P/T z机械锁锁0或全锁（开放110，112，119，120，122，200，800） z键盘300、600、1000msFLASH和硬件600/300msFLASH可选 z110ms R键 z4组16位号码存储键 z2组32位IP号码存储键，其中任一组可设为自动IP z1组24小时闹钟设定 z内置音乐HOLD功能，并机提机自动解除 z自动追拨，拨通回铃 z10位计算器 z在忘记收线或挂机不好时，自动收线（线路无杂波干扰下） z新来电指示灯控制 z背景灯指示灯控制
×××芯片用户手册
L X Y28162用户手册 2008年07月 V1.0
目录 1芯片功能说明 (4) 1.1芯片主要功能特性 (5) 1.2芯片应用场合 (5) 1.3芯片基本结构描述 (5) 2芯片特性说明 (5) 2.1芯片的封装和引脚 (5) 2.2芯片最大极限值 (6) 2.3芯片电气特性（VDD=5） (7) 2.4开关特性（VDD＝5V） (8) 2.5开关特性测试电路图 (9) 2.6芯片时序图 (10) 2.6.1 串口时序图 (10) 2.6.2 电流输出端口时序图............................................................... 错误!未定义书签。 2.6.3 控制命令时序图....................................................................... 错误!未定义书签。3芯片功能模块描述.................................................................................... 错误!未定义书签。 3.1设置像素灰度（Setting Gray Scales of Pixels） ............................ 错误!未定义书签。 3.2数据加载时时序图（Full Timing for Data Loading） ................... 错误!未定义书签。 3.3配置加载时时序图（Full Timing for Config Loading）................ 错误!未定义书签。 3.4开路检测原理（Open-Circuit Detection Principle） (10) 3.5短路检测原理（Short-Circuit Detection Principle） (10) 3.6奇偶校验位（Checking Parity Bit） ............................................... 错误!未定义书签。 3.7温度错误指示（Thermal Error Flag） (10) 3.8恒定电流输出（Constant Current） (10) 3.9设定输出电流（Setting Output Current） (11) 3.10级连输出的延迟（Delay Time of Staggered Output） (11) 3.11功耗（Package Power Dissipation ） (11) 3.12管脚散热（Usage of Thermal Pad） (11) 3.13过热保护（Thermal Protection Function ） (12) 3.14LED供电电压（LED Supply Voltage ） (12) 3.15开关噪声抑制（Switching Noise Reduction） (12) 3.16控制命令（Control Command）................................................. 错误!未定义书签。4芯片寄存器描述........................................................................................ 错误!未定义书签。 4.1寄存器定义（Definition of Configuration Register） .................... 错误!未定义书签。 4.2输入输出管脚等效电路（Equivalent Circuits of Inputs and Outputs） (13) 5芯片的封装 (13)
DM9000中文数据手册
dm9000 1、总体介绍 该DM9000是一款完全集成的和符合成本效益单芯片快速以太网MAC控制器与一般处理接口，一个10/100M自适应的PHY和4K DWORD值的SRAM 。它的目的是在低功耗和高性能进程的3.3V与5V的支持宽容。 DM9000还提供了介质无关的接口，来连接所有提供支持介质无关接口功能的家用电话线网络设备或其他收发器。该DM9000支持8位，16位和32 -位接口访问内部存储器，以支持不同的处理器。DM9000物理协议层接口完全支持使用10MBps 下3类、4类、5类非屏蔽双绞线和100MBps下5类非屏蔽双绞线。这是完全符合I EEE 802.3u规格。它的自动协调功能将自动完成配置以最大限度地适合其线路带宽。还支持IEEE 802.3x全双工流量控制。这个工作里面DM9000是非常简单的，所以用户可以容易的移植任何系统下的端口驱动程序。 2、特点 支持处理器读写内部存储器的数据操作命令以字节/ 字/ 双字的长度进行 集成10/100M自适应收发器 支持介质无关接口 支持背压模式半双工流量控制模式 IEEE802.3x流量控制的全双工模式 支持唤醒帧，链路状态改变和远程的唤醒 4K双字SRAM 支持自动加载EEPROM里面生产商ID和产品ID 支持4个通用输入输出口 超低功耗模式 功率降低模式 电源故障模式 可选择1：1 YL18-2050S,YT37-1107S 或5：4变压比例的变压器降低格外功率 兼容3.3v和5.0v输入输出电压 100脚CMOS LQFP封装工艺 3、引脚描述 I=输入O=输出I/O=输入/输出O/D=漏极开路P=电源LI=复位锁存输入#= 普遍低电位
世界著名半导体(芯片)公司--详细
世界半导体公司排名———详细 25大半导体厂商排名（2006年统计数据）： 1. 英特尔，营收额313.59亿美元 2. 三星，营收额192.07亿美元 3. 德州仪器，营收额128.32亿美元 4. 东芝，营收额101.66亿美元 5. 意法半导体，营收99.31亿美元 6. Renesas科技，营收82.21亿美元 7. AMD，营收额74.71亿美元 8. Hynix，营收额73.65亿美元 9. NXP，营收额62.21亿美元 10.飞思卡尔，营收额60.59亿美元 11. NEC，营收额56.96亿美元 12. Qimonda，营收额55.49亿美元 13. Micron，营收额52.90亿美元 14. 英飞凌，营收额51.95亿美元 15. 索尼，营收额48.75亿美元 16. 高通，营收额44.66亿美元 17. 松下，营收额41.24亿美元 18. Broadcom，营收额36.57亿美元 19. 夏普，营收额34.76亿美元 20. Elpida，营收额33.54亿美元 21. IBM微电子，营收额31.51亿美元
22. Rohm，营收额29.64亿美元 23. Spansion，营收额26.17亿美元 24. Analog Device，营收额25.99亿美元 25. nVidia，营收额24.75亿美元 飞思卡尔介绍： 飞思卡尔半导体是全球领先的半导体公司，为汽车、消费、工业、网络和无线市场设计并制造嵌入式半导体产品。这家私营企业总部位于德州奥斯汀，在全球30多个国家和地区拥有设计、研发、制造和销售机构。 产品领域： 嵌入式处理器 汽车集成电路 集成通信处理器 适用于2.5G 和3G无线基础设施的射频功率晶体管 基于StarCore? 技术的数字信号处理器(DSP) 下列领域处于领先地位： 8位、16位和32位微控制器 可编程的DSP 无线手持设备射频微处理器 基于Power Architecture?技术的32位嵌入式产品 50多年来，飞思卡尔一直是摩托罗拉下属机构，2004年7月成为独立企业开始了新的生活。此后，公司在董事长兼首席执行官Michel Mayer的领导下，努力提高财务业绩，打造企业文化，构筑全球品牌。 意法半导体（ST）集团介绍
CY7C1051DV33芯片手册
PRELIMINARY 8-Mbit (512K x 16) Static RAM CY7C1051DV33 Features ?High speed —t AA = 10 ns ?Low active power —I CC = 110 mA @ 10 ns ?Low CMOS standby power —I SB2 = 20 mA ?2.0V data retention ?Automatic power-down when deselected ?TTL-compatible inputs and outputs ?Easy memory expansion with CE and OE features ? Available in lead-free 48-ball FBGA and 44-pin TSOP II packages Functional Description [1] The CY7C1051DV33 is a high-performance CMOS Static RAM organized as 512K words by 16 bits. Write to the device by taking Chip Enable (CE) and Write Enable (WE) inputs LOW. If Byte LOW Enable (BLE) is LOW,then data from IO pins (IO 0–IO 7), is written into the location specified on the address pins (A 0–A 18). If Byte HIGH Enable (BHE) is LOW, then data from IO pins (IO 8–IO 15) is written into the location specified on the address pins (A 0–A 18). Read from the device by taking Chip Enable (CE) and Output Enable (OE) LOW while forcing the Write Enable (WE) HIGH.If Byte LOW Enable (BLE) is LOW, then data from the memory location specified by the address pins will appear on IO 0–IO 7.If Byte HIGH Enable (BHE) is LOW, then data from memory will appear on IO 8 to IO 15. See the “Truth Table” on page 8 for a complete description of Read and Write modes. The input/output pins (IO 0–IO 15) are placed in a high-impedance state when the device is deselected (CE HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), the BHE and BLE are disabled (BHE, BLE HIGH), or a Write operation (CE LOW,and WE LOW) is in progress. The CY7C1051DV33 is available in a 44-pin TSOP II package with center power and ground (revolutionary) pinout, as well as a 48-ball fine-pitch ball grid array (FBGA) package. Note 1.For guidelines on SRAM system design, please refer to the “System Design Guidelines” Cypress application note, available on the internet at https://www.360docs.net/doc/0111920629.html, . 1415Logic Block Diagram A 1A 2A 3A 4A 5A 6A 7A 8 COLUMN DECODER R O W D E C O D E R S E N S E A M P S INPUT BUFFER 512K × 16ARRAY A 0A 11A 13A 12A A A 16A 17A 18 A 9A 10IO 0–IO 7OE IO 8–IO 15 CE WE BLE BHE