半导体行业污染物排放标准
半导体行业污染物排放
标准
文件排版存档编号：[UYTR-OUPT28-KBNTL98-UYNN208]
上海市环境保护局
上海市质量技术监督局
ICS
DB31
发布
目次
前言
为贯彻《中华人民共和国环境保护法》、《中华人民共和国水污染防治法》、《中华人民共和国大气污染防治法》、《中华人民共和国海洋环境保护法》，加强半导体企业污染物的排放控制，保障人体健康，维护生态平衡，结合上海市实际情况，制定本标准。
本标准主要有以下特点：1）适用于半导体企业水污染物、大气污染物排放的管理；2）水污染物排放根据功能区执行分级标准；3）大气污染物排放不根据功
）排放标准的能区进行分级；4）对现有半导体企业规定达到挥发性有机物（VOC
s
时限，对其余污染源不再按建设时间规定排放限值。
半导体企业的噪声控制、固体废物控制按国家和本市的有关规定执行。
本标准实施之日起，半导体企业水污染物排放按本标准执行，不再执行DB31/199-1997《污水综合排放标准》；半导体企业大气污染物排放按本标准执行，不再执行GB16297-1996《大气污染物综合排放标准》。
本标准为首次发布。
本标准由上海市环境保护局提出并归口。
本标准由上海市环境科学研究院和上海市集成电路行业协会负责起草。
本标准由上海市人民政府2006年10月13日批准。
本标准由上海市环境保护局负责解释。
半导体行业污染物排放标准
1 范围
本标准规定了半导体企业的水污染物和大气污染物排放标准值。
本标准适用于半导体企业的水污染物排放管理、大气污染物排放管理，以及半导体企业建设项目环境影响评价、建设项目环境保护设施设计、竣工验收及其投产后的污染控制与管理。
2 规范性引用文件
下列标准和本标准表5、表6所列分析方法标准及规范所含的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款，与本标准同效。
GB 3095 环境空气质量标准
GB 3097 海水水质标准
GB 3838 地表水环境质量标准
GB/T 12997 水质采样方案设计技术规定
GB/T 12998 水质采样技术指导
GB/T 12999 水质采样样品的保存和管理技术规范
GB 13271 锅炉大气污染物排放标准
GB/T 16157 固定污染源排气中颗粒物测定与气态污染物采样方法
GB 16297 大气污染物综合排放标准
HJ/T 91 地表水和污水监测技术规范
HJ/T 92 水污染物排放总量监测技术规范
当上述标准和规范被修订时，应使用其最新版本。
3 术语和定义
下列术语和定义适用于本标准：
3.1 半导体企业 semiconductor industry
指从事半导体分立器件或集成电路的制造、封装测试的企业。
3.2 特殊保护水域 special protected water area
指经国家或上海市人民政府批准的自然保护区范围内水域；GB3838中II类水域；由本市各区、县人民政府规定的居民集中式生活饮用水取水口卫生防护带水域。
3.3 废气处理设施 exhaust gas control devices
指处理废气的湿式洗涤塔、焚烧塔、吸收塔、冷凝塔或其他设备，但不包括工艺中设备自带的预处理设备。
3.4 密闭排气系统 closed vent system
指可将设备或设备组件排出或逃逸的空气污染物捕集并输送至废气污染防治设备，使传送的气体不直接与大气接触的系统。
3.5 现有污染源和新污染源 existing pollutuion source and new pollution source
现有污染源指2007年2月1日前建设的半导体企业。
新污染源指2007年2月1日起建设（包括改、扩建）的半导体建设项目。
建设项目的建设（包括改、扩建）时间，以环境影响报告书（表）批准日期为准。
4 技术内容
4.1 水污染物排放标准
标准分级
特殊保护水域内不准新建排污口。原有排污口执行表1中的A标准和表2中的特殊保护水域标准。
排入GB3838 中III类水域和排入GB3097中第二类海域的污水执行表1中的A标准和表2中的一级标准。
排入GB3838 中IV、V类水域和排入GB3097中第三类海域的污水执行表1中的B标准和表2中的二级标准。
排入设置二级污水处理厂的排水系统的污水执行表1中的B标准和表2中的三级标准。
标准值分类
本标准将污染物按其性质及控制方式分成二类。
第一类污染物，不分污水排放方式和受纳水体的功能类别，一律在车间或车间处理设施排放口采样，其最高允许排放浓度应达到本标准要求。
第二类污染物，在排放单位排放口采样，其最高允许排放浓度应达到本标准要求。
本标准对氟化物、悬浮物（SS）、生化需氧量（BOD
5）、化学需氧量（COD
Cr
）、氨
氮、总有机碳（TOC）6项污染物均规定了以日均值计的最高允许排放浓度和以瞬时值计的最高允许排放浓度两项指标，这6项污染物的排放应同时遵守上述两项指标。其他污染物的最高允许排放浓度以日均值计。
标准值
半导体企业的水污染物排放执行表1和表2的规定。
表1 第一类污染物最高允许排放浓度(日均值) 单位：mg/L
表2 第二类污染物最高允许排放浓度单位：mg/L （pH值除外）
4.2 大气污染物排放标准
标准体系
本标准设置下列三项指标：
通过排气筒排放的污染物最高允许排放浓度。
通过排气筒排放的污染物，按排气筒高度规定的最高允许排放速率。
任何一个排气筒应同时遵守上述两项指标，超过其中任何一个均为超标排放。
）处理设施的最低处理效率。
挥发性有机物（VOC
s
标准值
位于GB3095中一类区的污染源禁止排放表3所列的大气污染物。
大气污染物排放的最高允许排放浓度和最高允许排放速率执行表3的规定。
挥发性有机物处理设施的最低处理效率执行表4的规定。
半导体企业产生的大气污染物应由密闭排气系统导入废气处理设施后排放，不应有无组织排放存在。
表3 大气污染物排放限值
表4 挥发性有机物（VOCs）处理设施的最低处理效率
为减少全氟化物（PFCs）排放对环境产生的影响，集成电路制造企业宜制订PFCs 排放的年削减计划，通过优化工艺、原料替代、循环利用、污染治理等措施减少PFCs的排放。
其他规定
排气筒高度不应低于15m。
排气筒高度除应遵守表3所列排放速率标准值外，还应高出周围200m半径范围的建筑5m以上，不能达到该要求的排气筒，应按其高度对应的表3所列排放速率标准值严格50%执行。
两个排放相同污染物（不论其是否由同一生产工艺过程产生）的排气筒，若其距离小于其几何高度之和，应合并视为一根等效排气筒。若有三根以上的近距离排气筒，且排放同一种污染物时，应以前两根的等效排气筒，依次与第三、四根排气筒取等效值。等效排气筒的有关参数计算方法同GB16297-
1996中附录A。
若某排气筒的高度处于本标准列出的两个值之间，其执行的最高允许排放速率以内插法计算；当某排气筒高度大于本标准列出的最大值（30m）时，应按本标准列出的最大排气筒高度对应的最高允许排放速率执行。内插法的计算公式同GB16297-1996中附录B。
企业内部设置的锅炉，其大气污染物排放应执行GB13271。
5 监测
5.1 采样点
污水采样点位设置应符合HJ/T 91的规定，在排放口应设置排污口标志、污水水量计量装置。
污水监测采样方案设计应符合GB/T 12997的规定。
废气排气筒中气态污染物监测的采样点数目及采样点位置的设置，按GB/T 16157执行。
新建（包括改、扩建）的项目应在废气处理设施的进口和出口预设采样孔。
5.2 采样频率
污水样品采集应符合GB/T 12997、GB/T 12998和GB/T 12999的规定。污水的采样频率应符合HJ/T 91的规定。
排气筒中废气样品采集（不包括氨的排放速率监测）以连续1h的采样获取平均值；或在1h 内，以等时间间隔采集4个样品，并计平均值。
特殊情况下废气的采样时间和频次
若某排气筒的排放为间断性排放，排放时间小于1h，应在排放时段内实行连续采样，或在排放时段内以等时间间隔采样2-4个样品，并计平均值；
氨的排放速率监测应按生产周期确定监测频率，生产周期在8h以内的，每2h 采集一次，生产周期大于8h的，每4h采集一次，取其最大测定值；
在进行污染事故排放监测时，按需要设置的采样时间和采样频次，不受上述要求限制；
建设项目环境保护设施竣工验收监测的采样时间和频次，根据国家环境保护总局制定的建设项目环境保护设施竣工验收监测办法执行。
5.3 监测工况要求
在对污染源的日常监督性监测中，采样期间的工况应与当时的运行工况相同，排污单位的人员和实施监测的人员都不应任意改变当时的运行工况。
建设项目环境保护设施竣工验收监测的工况要求按照国家环境保护总局制定的建设项目环境保护设施竣工验收监测办法执行。
5.4 分析方法
污染物的分析方法按表5和表6执行。
表5 水污染物分析方法
续表
续表
表6 大气污染物分析方法
6 标准的实施与监督
本标准由市和区、县政府环境保护行政主管部门负责监督实施。
半导体行业深度研究报告
半导体行业深度研究报告
内容目录 1.人工智能倒逼芯片底层的真正变革 (4) 2.基于摩尔定律的机器时代的架构——从Wintel到AA (6) 2.1. Intel——PC时代的王者荣耀 (6) 2.1.1. Intel公司简介 (6) 2.1.2. Intel带来的PC行业的市场规模变革和产业变化 (7) 2.2. ARM——开放生态下移动时代的新王加冕 (9) 2.2.1. ARM公司简介 (9) 2.2.2. ARM架构——重新塑造移动智能时代 (10) 2.2.3. 生态的建立和商业模式的转变——ARM重塑了行业 (12) 3.人工智能芯片——新架构的异军突起 (15) 3.1. GPU——旧瓶装新酒 (16) 3.1.1. GPU芯片王者——NVIDIA (17) 3.2. FPGA——紧追GPU的步伐 (19) 3.3. ASIC——定制化的专用人工智能芯片 (21) 3.3.1. VPU——你是我的眼 (22) 3.3.1. TPU——Google的野心 (23) 3.4. 人工神经网络芯片 (24) 3.4.1. 寒武纪——真正的不同 (25) 4.从2个维度测算人工智能芯片空间 (26) 5.重点标的 (29) 图表目录 图1：遵从摩尔定律发展到微处理器发展 (4) 图2：摩尔定律在放缓 (4) 图3：全球智能手机每月产生的数据量（EB）5年提升了13X (4) 图4：单一神经元VS复杂神经元 (5) 图5：2次应用驱动芯片发展 (6) 图6：英特尔x86处理器总市场份额 (6) 图7：使用X86架构的单元 (7) 图8：摩尔定律下推动下的Intel股价上扬 (8) 图9：Intel 2012Q1-2016Q4 各产品线增速 (8) 图10：Intel 总产品收入VS PC端收入 (8) 图11：Intel VS 全球半导体增速 (8) 图12：ARM的商业模式 (9) 图13：ARM架构的发展 (10) 图14：高级消费电子产品正在结合更多的ARM技术 (12) 图15：ARM在智能手机中的成分 (13) 图16：基于ARM芯片的出货量 (13)
半导体行业污染物排放标准
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前言 为贯彻《中华人民共和国环境保护法》、《中华人民共和国水污染防治法》、《中华人民共和国大气污染防治法》、《中华人民共和国海洋环境保护法》，加强半导体企业污染物的排放控制，保障人体健康，维护生态平衡，结合上海市实际情况，制定本标准。 本标准主要有以下特点：1）适用于半导体企业水污染物、大气污染物排放的管理；2）水污染物排放根据功能区执行分级标准；3）大气污染物排放不根据功 ）排放标准的能区进行分级；4）对现有半导体企业规定达到挥发性有机物（VOC s 时限，对其余污染源不再按建设时间规定排放限值。 半导体企业的噪声控制、固体废物控制按国家和本市的有关规定执行。 本标准实施之日起，半导体企业水污染物排放按本标准执行，不再执行DB31/199-1997《污水综合排放标准》；半导体企业大气污染物排放按本标准执行，不再执行GB16297-1996《大气污染物综合排放标准》。 本标准为首次发布。 本标准由上海市环境保护局提出并归口。 本标准由上海市环境科学研究院和上海市集成电路行业协会负责起草。 本标准由上海市人民政府2006年10月13日批准。 本标准由上海市环境保护局负责解释。
半导体行业污染物排放标准 1 范围 本标准规定了半导体企业的水污染物和大气污染物排放标准值。 本标准适用于半导体企业的水污染物排放管理、大气污染物排放管理，以及半导体企业建设项目环境影响评价、建设项目环境保护设施设计、竣工验收及其投产后的污染控制与管理。 2 规范性引用文件 下列标准和本标准表5、表6所列分析方法标准及规范所含的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款，与本标准同效。 GB 3095 环境空气质量标准 GB 3097 海水水质标准 GB 3838 地表水环境质量标准 GB/T 12997 水质采样方案设计技术规定 GB/T 12998 水质采样技术指导 GB/T 12999 水质采样样品的保存和管理技术规范 GB 13271 锅炉大气污染物排放标准 GB/T 16157 固定污染源排气中颗粒物测定与气态污染物采样方法 GB 16297 大气污染物综合排放标准 HJ/T 91 地表水和污水监测技术规范
工艺用水管理规程
1.目的 加强对工艺用水质量的管理，确保工艺用水的制备和使用不对医疗器械产品质量造成影响。 2.范围 适用于本公司工艺用水的制备、检测、使用和设备维护。 3.职责 3.1.设备工程部负责工艺用水设备的维修。 3.2.生产部负责工艺用水的制备、使用及设备保养与维护。 3.3.质保部 3.3.1.负责工艺用水的取样、检测。 3.3.2.监督本规程的执行情况。 4.规程 4.1.定义 工艺用水是医疗器械产品实现过程中使用或接触的水的总称，以饮用水为源水，主要包括符合《中华人民共和国药典》规定的纯化水、注射用水和灭菌注射用水，还包括体外诊断试剂用纯化水、血液透析及相关治疗用水、分析实验室用水等。 工艺用水主要用于：可作为产品的组成成分；可用于试剂的配制；可用于零部件、半成品或外协件、成品、包装材料的清洁；可用于产品的检验；可用于洁净环境的清洁；可用于洁净室（区）内直接接触产品的工装、工位器具、设施设备的清洁；可用于洁净室（区）内工作服及人员的清洁等。 4.2.工艺用水的分类 根据《无菌医疗器具生产管理规范》YY0033-2000以及我公司生产的产品需要，我公司的工艺用水分为饮用水和纯化水两种。 4.3.工艺用水的水质要求 4.3.1.饮用水应符合《生活饮用水卫生标准》GB5749-2006的要求。 4.3.2.纯化水应符合《中国药典》（2015版）中纯化水的有关规定。 4.4.工艺用水的用途(具体见产品工艺规程) 4.4.1.饮用水：非洁净区所有生产工序用水、制备纯化水的水源。 4.4.2.纯化水：洁净区内设备、工装、工位器具、工作服的清洗；清洗液、消毒液和试剂的配制用水。
中国半导体产业发展演变研究
中国半导体产业发展演变研究 中国半导体产业发展演变研究 1956年，经过几年的恢复建设中国工业逐步走上正规，但当时电子工业在中国基本还是一片空白，为此，我国提出“向科学进军”，根据国外发展半导体产业的进程，国务院制订了“十二年科学技术发展远景规划”明确了中国发展半导体的决心。这是中国半导体产业发展的初始阶段，即分立器件发展阶段，时间跨度从1956～1965年，历时十年，从半导体材料开始，依靠自力更生研究半导体器件。典型的代表为1957年北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶，之后，我国技术人员依靠自身技术开发，相继研制出锗点接触二极管和三极管，随后1959年在天津四十六所利用直拉法拉制出中国第一颗实用直拉硅单晶，1962年又研发了砷化镓(GaAs)单晶，同年，我国研究制成硅外延工艺，并着手研究开发照相制版、光刻工艺。随着我国在半导体材料研究取得一些列成就，半导体器件研究的进程也开始加快，为此，中国科学院于1960年在北京建立了中国科学院半导体研究所，同年在河北省石家庄建立了工业性专业研究所，即现在的河北半导体研究所。到了上个世纪60年代初，中国半导体器件开始在工厂生产。通过十年的发展，半导体这门新兴的学科在中国由一批归国半导体学者带领，完全依靠自身的力量，将半导体从课堂和实验室发展到实验性工厂和生产型工厂。 从零开始踏上集成电路产业征程
中国集成电路产业始于1965年，在集成电路初始发展阶段的15年中，中国依靠自己的力量，于1965年12月由河北半导体研究所鉴定了第一批半导体管，并在国内首先鉴定了DTL型数字逻辑电路，1966年底，在上海元件五厂鉴定了TTL电路产品，这些小规模双极型数字集成电路主要以与非门为主，还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路等。这一系列的进展标志着中国已经研制出了自己的小规模集成电路。1968年，组建国营东光电工厂即878厂、上海无线电十九厂，并于1970年建成投产。进入七十年代，全国掀起IC企业建设热潮，仅七十年代初全国就建成了四十多家集成电路生产工厂，尽管取得了一些成就，但由于受到文革的影响，再加上闭门造车和国外封锁，中国集成电路产业与国外差距逐渐拉大，而此时美国已经进入超大规模（VLSI）时代。 改革开放使中国IC产业获得生机 中国IC产业规模化发展是从改革开发以后开始的，1982年10月，为了加强中国计算机和大规模集成电路的的发展，国务院成立了“电子计算机和大规模集成电路领导小组”，制定了我国IC产业发展规划，提出“六五”期间要对半导体工业进行技术改造，并于1983年确立了“建立南北两个基地和一个点”。其中，南方基地是以江苏、上海、浙江为主，北方基地则以北京为主。在改革开放的条件下，全国有33个单位不同程度的引进了各种IC设备，共引进了约24条线的设备，但全行业存在重复引进和过于分散的问题，其中大部分为淘汰的3英寸及少量的
工业用水标准
工业用水标准 电导率≤10μS/CM动物饮用纯水(医药)、普通化工原料配料用纯水、食品行业配料用纯水、普通电镀行业冲洗用去离子纯水、纺织印染用除硬脱盐纯水、聚脂切片用纯纯水、精细化工用纯水、民用饮用纯净水、其它有相同纯水质要求的用纯水. 电导率≤4μS/CM电镀化学品生产用纯水、化工行业表面活性剂生产用纯水、医用纯化水、白酒生产用纯水、啤酒生产用纯水、民用饮用纯净水、普通化妆品生产用纯水、血透纯水机用纯水、其它有相同纯水质要求的用纯水. 电阻率5~10MΩ.CM锂电池生产用纯水、蓄电池生产用纯水、化妆品生产用纯水、电厂锅炉用纯水、化工厂配料用纯水、其它有相同纯水质要求的用纯水. 电阻率:10~15MΩ.CM动物实验室用纯水、玻壳镀膜冲洗用纯水、电镀用纯纯水、镀膜玻璃用纯水、其它有相同纯水质要求的用纯水. 电阻率≥15 MΩ.CM医药生产用无菌纯水、口服液用纯水、高级化妆品生产用去离子纯水、电子行业镀膜用纯水、光学材料清洗用纯水、电子陶瓷行业用纯水、尖端磁性材料用纯水、其它有相同纯水质要求的用纯水. 电阻率≥17 MΩ.CM磁性材料锅炉用软化纯水、敏感新材料用纯水、半导体材料生产用纯水、尖端金属材料用纯水、防老化材料实验室用纯水、有色金属，贵金属冶炼用纯水、钠米级新材料生产用纯水、航空新材料生产用纯水、太阳能电池生产用纯水、纯水晶片生产用纯水、超纯化学试剂生产用纯水、实验室用高纯水、其它有相同纯水质要求的用纯水. 电阻率≥18 MΩ.CM ITO导电玻璃制造用纯水、化验室用纯水、电子级无尘布生产用纯水等其它有相同纯水质要求的用纯水
出水电导率≤10μS/CM的纯净水，白酒生产用纯水，啤酒生产 用纯水等，生产制造出水电导率≤5μS/CM的电镀用纯水设备、蓄 电池用水设备、镀膜玻璃钢纯水设备、生产制造出水电导率0.110μ S/CM的导电玻璃制造用水，实验室用超纯水。生产出水电阻率在 5-10MΩ.CM的锂电池、蓄电池生产用水，10~15MΩ.CM的电镀用水，光学材料清洗用水等等，生产制造电阻率≥17 MΩ.CM 磁性材料锅炉用软化水、敏感新材料用水、半导体材料生产用水、尖端金属材料用水等。生产制造电阻率≥18 MΩ.CM ITO导电玻璃制造用水、化验室用水、电子级无尘布生产用水等 制取高纯水的主要工艺为反渗透+EDI工艺和反渗透+抛光混床工艺或反渗透+EDI+抛光混床工艺，出水水质最小电阻率能达到10M Ω.CM，电阻率能达到18.5MΩ.CM，生产用纯水各行业标准不一，比如电池行业至少需要电阻率达到10MΩ.CM，电镀行业用水、镀膜玻璃用水一般要求达到15MΩ.CM，纯净水生产，白酒生产用纯水，啤酒生产用纯水一般只需达到电导率≤10μS/CM即可，一级反渗透工艺即可达到电导率≤10μS/CM，所以订购纯水设备，纯净水设备时先了解水质需要达到一个什么标准，然后再咨询厂家工艺的可行性及效益性，以最少的投入达到预期的纯水水质标准。 反渗透设备出水水质在各行业应用： 电导率≤10μS/CM 普通化工原料配料用水、食品行业配料用水，普通电镀行业冲洗用去离子水、纺织印染用除硬脱盐纯水、聚脂切片
一文看透中国半导体行业现状
一文看透中国半导体行业现状 2016-10-13 在中国近年来在半导体领域的重大投入和中国庞大市场的双重影响下，中国半导体在全球扮演的的角色日益重要。国际社会上很多观察家在把中国看成一个机会的同时，也同时顾虑到中国半导体崛起带来的威胁。但有一点可以肯定的是，近年来中国半导体玩家频频露面知名国际会议，已经制造了相当程度的全球影响力。 自从中国宣布建立千亿的投资基金，挑战全球半导体霸主的地位。业界的巨头们都在思考并谨慎防御中国的半导体野心。 考虑到中国庞大的国内市场和本土业者的技术悟性”，还有中国近几十年来所缔造的电子生产龙头地位，再加上近年来在各个领域的深入探索。你就会明白为什么中国对发展相对滞后的硅产业如此重视。 据我们预测，到2020 年,中国会消耗世界上55%的存储、逻辑和模拟芯片，然而当中只有15%是由中国自身生产的，和多年前的10%相比还是有了一定比例的提升。但是供需之间的差距仍然在日益扩大。 中国想在全球半导体产业中扮演一个重要角色，为本土生产的智能手机、平板等消费电子设备，工业设备制造更多国产的微处理器芯片、存储和传感器，能够满足本土电子产业的需求甚至还展望可以出口相关元器件。 在这种目标的指导下，中国在全国已经开发了好几个半导体产业群（图1），且在未来十年内，国家和地方政府计划额外投资7200亿人民币（1080亿美金）到半导体产业。这些投资除了满足消费和工业需求外，还会兼顾到中国在通信、安全等工业，以求减少对国际半导体的依赖。 图1 ：中国半导体的全国分布图
但据我们观察，中国半导体要崛起首先面临的第一个障碍就是目前中国大部分项目都是和已存在的公司合作，追逐市场的领先者和落后者，考虑到他们的目标、技术需求和国外政府对其的限制等现状。许多的中国公司已经释放出了一种信号一一那就是想投资更多的跨国半导体公司。最近的频频示好，也让中国半导体斩获不少。 在2016年1月，贵州政府出钱和高通成立了一家专注于高端服务器芯片生产的公司华芯通，合资公司中贵州政府所占的比例为55% ;另外，清华紫光集 团也给台湾的Powertech （力成）投资了6亿美金，成为后者的第一大股东。 力成成立于1997年，是全球第五大封测服务厂，美国存储生产商金士顿为其重要股东，原持股比例约3.83%，并拥有四席董事席位，台湾东芝半导体也拥有一席，在增资后股份以及董事席次估计都会有所更动。力成在营运业务上主要 专注在存储IC封测。这次投资体现了紫光和中国大陆对存储产业的决心。 早前，紫光还想买下西部数据和美光，但受限于美国监管局，这两笔交易最后只能夭折。虽然困难重重，但展望不久的将来，中国半导体业势必会发起更多并购，让我们拭目以待。 对于国际上的半导体玩家而言，中国半导体的雄心壮志有时候会让他们望而生畏。 考虑到中国庞大的市场、雄厚的资本和追求经济增长的长久目标，这就要求这些跨国公司在中国需要制定更清晰的策略。当然，这并不是说全球半导体玩家在和中国打交道的时候缺乏影响力和议价能力。 其实参考中国以往进入新市场的表现，结果是喜忧参半的。他们的国有公司政府组织会根据竞争者的状况和市场现状采取不同的策略。考虑到中国半导体目 标和他们进入国际市场的困难重重，展望未来他们还是会持续保持和跨国公司的合作，并在此期间培育自己的企业和产业。 中国抢占市场的方式 在对中国半导体并购策略了解之前，我们先了解一下中国抢占市场的惯用方
半导体制造行业产业链研究报告
半导体制造行业产业链研 究报告 The document was prepared on January 2, 2021
半导体制造行业研究报告2017 1 对半导体制造设备行业的整体研究 通过对参加这次展会厂商的总体范围的了解，对半导体制造产业链的总体情况有了基本的认识，半导体制造涉及以下几个相关的细分行业。 晶圆加工设备 在半导体制造中专为晶圆加工的工序提供设备及相关服务的供应商，包括光刻设备、测量与检测设备、沉积设备、刻蚀设备、化学机械抛光(CMP)、清洗设备、热处理设备、离子注入设备等。 厂房设备 包括工厂自动化、工厂设施、电子气体和化学品输送系统、大宗气体输送系统等。晶圆加工材料 在半导体制造中提供原材料和相关服务的供应商，包括多晶硅、硅晶片、光掩膜、电子气体及化学、光阻材料和附属材料、CMP 料浆、低 K 材料等。 测试封装设备 在半导体测试和封装过程中提供设备及其他相关服务的供应商。主要涉及晶圆制程的后道工序，就是将制成的薄片“成品”加工为独立完整的集成电路。包括切割工具及材料、自动测试设备、探针卡、封装材料、引线键合、倒装片封装、烧焊测试、晶圆封装材料等。 测试封装材料 在半导体测试和封装过程中提供材料和相关服务的供应商，包括悍线、层压基板、引线框架、塑封料、贴片胶、上料板等。 子系统、零部件和间接耗材 为设备和系统制造提供子系统、零部件、间接材料及相关服务的厂商，包括质量流量控制、分流系统、石英、石墨和炭化硅等。 2 对电子气体和化学品输送系统行业的详细研究
电子气体和化学品输送系统涉及上游的电子气体产品提供商，半导体行业用阀门管件提供商，常规阀门管件提供商，气体供应设备提供商，气体输送系统设计、施工单位以及下游的后处理设备厂商。 电子气体 电子气体在半导体器件的生产过程中起着非常重要的作用，几乎每一步、每一个生产环节都离不开电子气体，并且电子气体的质量在很大程度上决定了半导体器件性能的好坏。 电子气体的纯度是一个非常重要的指标，其纯度每提高一个数量级,都会极大地推动半导体器件质的飞跃。同时，电子气体纯度也是区分气体厂商技术水平和生产能力的一个重要考量指标。 目前主要的气体产品公司多为欧美公司在中国的分公司，主要有法国液化空气公司，美国普莱克斯，德国林德公司，美国空气产品公司等。国内的品牌有苏州金宏气体，广东华特气体等。 半导体阀门管件 半导体阀门管件是气体输送系统和设备中重要的原材料，阀门管件的性能和质量水平也直接影响着气体输送系统的送气能力和运行稳定性，也会影响半导体产品的质量和性能。严重的情况下，一个阀门出现质量问题可能造成严重的生产事故。 半导体阀门管件的重要性也体现在其成本上，目前阀门管件等原材料的成本占据了气体输送系统和设备的大部分成本，但是，目前绝大部分供应要依赖进口品牌，并且是供不应求（货期较长），这造成了目前系统和设备厂商的运营成本居高不下。 此领域知名的厂商有APTECH,TESCOM,PARKER,SWAGELOK,KITZ，Valex等，但都为进口品牌，价格贵，交货期长（目前一般要2个月以上）。国产品牌目前主要的问题是半导体阀门管件产品种类少，并且产品并不成熟。通过和杰瑞，赛洛克等厂商的交流，了解到目前这些国内厂家公司规模多在一百人左右，新产品的研发能力和研发投入都十分有限，很难在短期内保质保量的供应市场上需求的半导体阀门管件。这也预示着电子气体输送系统和设备厂商在很长一段时间内还是要依赖进口品牌提供相应的材料，这种现状就要求系统和设备厂商有更好的成本和交货周期的管控能力，甚至在承接项目时做好提高其成本预算和延长交货期的准备。
工艺用水管理规定
工艺用水管理规定 文稿归稿存档编号：[KKUY-KKIO69-OTM243-OLUI129-G00I-FDQS58-
文件编号： 工艺用水管理规定 1.0目的 明确规定工艺用水的监控和检查，保证工艺用水的质量。 2.0适用范围 适用于本公司工艺用水的制备、检测、使用和设备维护。 3.0职责 3.1生产采购部负责工艺用水的制备、使用及设备维护的管理。 3.2技术质量部负责工艺用水的检测。 4.0工作程序 4.1工艺用水的分类a.饮用水b.纯化水 4.2工艺用水的制备： 4.2.1由受过专业培训的人员按设备操作规程操作设备，按工艺制水要求进行制水。操作员需每天清洁设备和场地，保持制水室内卫生干净。 4.2.2工艺用水需通过管道输送至洁净区内的使用点，管道应为不锈钢或其它无毒材料制作。 4.3工艺用水及使用范围及用量配置 43.1根据生产工艺要求，对需要使用工艺用水的对象作如下表规定： 4.3.2工艺用水的用量在确定年最大生产能力方案时，按最大用水量和保险系数确定其制水设备能力的配置要求。 4.3.3生产采购部每年要根据现行的生产能力和用水设备的变化情况进行一次总用水量分析，若总用水量超出制水设备生产能力时，应补充制水设备或采取适应的措施，确保工艺用水能满足生产需求。
4.5取样方式和取样点 4.5.4取样所用器具和方式确保不能对检测指标产生影响，如盛放做微生物限度的器具必须先进行灭菌。 4.6工艺用水贮存要求 4.6.1饮用水不储存，直接使用市政自来水； 4.6.2纯化水在室温条件下可用不锈钢贮缸贮存，贮存时间不得超过36小时。 4.6.3购买的注射用水应在12小时内使用。 4.7管道贮罐消毒 4.7.1输送、贮存纯化水的管道和贮罐每3个月清洗、消毒1次。 消毒方法：用适量的2.5%次氯酸钠溶液注入纯化水贮罐中，按在线清洗消毒方式打开各管道阀门，足量循环消毒30min后排放，停机浸泡30分钟，如此反复3次停止，后还是冲洗，冲洗完毕后，将清洗水箱残液排完，注入符合RO 装置原水指标的水（即RO装置前级水），以清洗相同条件进行清洗消毒。或用预处理的低压冲洗条件来冲洗消毒。冲洗完毕后，按规定的运行方式进行低压冲洗和高压运行，最初产物排入地沟，到出水指标合格后。最后，在各使用点取样，按《中国药典》2010版附录纯化水规定的项目检验合格方可使用。4.8维护和保养 4.8.1制水设备的机械过滤器、活性炭过滤器应每周进行一次正洗、反洗，除去设备运行中截留的杂质。反洗时间约15分钟，正洗时间约5分钟。 4.8.2制水设备中的过滤器或滤膜应每3个月清洗一次，压差阻力太大导致产水量明显减少时 应进更换。 4.8.3RO膜应定期清洗（可视水质情况而定）。 4.8.4设备上的紫外线灯管累计使用不超过800小时应更换。 4.9操作人员应做好相关的监测记录和维护保养记录，检测人员应做好水质检测并保存好记录。 5.0相关记录
分析实验室用水国家标准
分析实验室用水国家标准 一二三级实验室用水的技术指标（GB6682－92） 分析实验室用水规格和试验方法 ［作者:admin来源:中国环境监测评价网更新时间:2007-8-7 文章录 入:admin］ 【字体：】 本标准参照采用国际标准IS03696(1987)《分析实验室用水规格和试验方法》。 1主题内容与适用范围 本标准规定了分析实验室用水的级别、技术要求和试验方法。 本标准适用于化学分析和无机痕量分析等试验用水。可根据实际工作需要选用不同级别的水。 2饮用标准 GB 601 化学试剂滴定分析(容量分析)用标准溶液的制备 GB 602 化学试剂杂质测定用标准溶液的制备 GB 603 化学试剂试验方法中所用制剂及制品的制备 GB 9724 化学试剂 pH值测定通则 GB 9740 化学试剂蒸发残渣测定通用方法 3外观 分析实验室用水目视观察应为无色透明的液体。 4级别 分析实验室用水的原水应为饮用水或适当纯度的水。 分析实验室用水共分三个级别：一级水、二级水和三级水。 4.1一级水 一级水用于有严格要求的分析试验，包括对颗粒有要求的试验。如高压液相色谱分析用水。 一级水可用二级水经过石英设备蒸馏或离子交换混合床处理后，再经过0.2μm微孔滤膜过滤来制取。 4.2二级水 二级水用于无机痕量分析等试验，如原子吸收光谱分析用水。
二级水可用多次蒸馏或离子交换等方法制取。 4.3三级水 三级水用于一般化学分析试验。 三级水可用蒸馏或离子交换等方法制取。 5技术要求 分析实验室用水应符合下表所列规格： 名称一级二级三级 pH 值范围(25℃) - - 5.0-7.5 电导率（25℃）,mS/m ≦ 0.01 0.10 0.50 可氧化物质[以（O）计]，mg/L 《 - 0.08 0.4 吸光度（254nm,1cm光程）≦ 0.001 0.01 蒸发残渣（105℃±2℃），mg/L ≦ - 1.0 2.0 可溶性硅[以(SiO2)计],mg/L 《 0.01 0.02 注：①由于在一级水、二级水的纯度下，难于测定其真实的pH值，因此，对一级水、二级水的pH值范围不做规定。 ②一级水、二级水的电导率需用新制备的水“在线”测定。 ③由于在一级水的纯度下，难于测定可氧化物质和蒸发残渣，对其限量不做规定。可用其他 条件和制备方法来保证一级水的质量。 6取样与贮存 6.1容器 6.1.1各级用水均使用密闭的、专用聚乙烯容器。三级水也可使用密闭的、专用玻璃容器， 6.1.2新容器在使用前需用盐酸溶液(20％、浸泡2—3d再用待测水反复冲洗。并注满待 测水浸泡6 h以上。 6.2取样 按本标准进行试验．至少应取3L有代表性水样。 取样前用待测水反复清洗容器。取样时要避免沾污。水样应注满容器。 6.3贮存 各级用水在贮存期间，其沾污的主要来源是容器可溶成分的溶解、空气中二氧化碳和其他杂质。因此，一级水不可贮存，使用前制备。二级水、三级水可适量制备，分别贮存在预先经同级水清洗过的相应容器中。 各级用水在运输过程中应避免沾污。 7试验方法 在试验方法中，各项试验必须在洁净环境中进行。并采取适当措施。以避免对试样的沾污。 试验中均使用分析纯试剂和相应级别的水。 7.1pH值的测定 量取1OOml水样，按GB9724之规定测定。 7.2电导率的测定 7.2.1仪器 7.2.1.1用于一、二级水测定的电导仪：配备电极常数为0.01-0.1cm-1的“在 线”电导池。并具有温度自动补偿功能。 若电导仪不具温度补偿功能，可装“在线”热交换器，使测量时水温控制在25 土1℃。或记录水温度，按附录A进行换算。 7.2.1.2用于三级水测定的电导仪：配备电极常数为0.01-0.1cm-1的电导池。 并具有温度自动补偿功能。若电导仪不具温度补偿功能，可装恒温水
工业超纯水水质试行标准
我国电子工业超纯水水质试行标准、半导体工业用纯水指标、集成电路水质标准。电子工业部把电子级水质技术分为五个行业等级，分别为18MΩ.cm、15MΩ.cm、10MΩ.cm、2MΩ.cm、0.5MΩ.cm，以区分不同水质。 电导率≤10μS/CM动物饮用纯水(医药)、普通化工原料配料用纯水、食品行业配料用纯水、普通电镀行业冲洗用去离子纯水、纺织印染用除硬脱盐纯水、聚脂切片用纯纯水、精细化工用纯水、民用饮用纯净水、其它有相同纯水质要求的用纯水. 电导率≤4μS/CM电镀化学品生产用纯水、化工行业表面活性剂生产用纯水、医用纯化水、白酒生产用纯水、啤酒生产用纯水、民用饮用纯净水、普通化妆品生产用纯水、血透纯水机用纯水、其它有相同纯水质要求的用纯水. 电阻率5~10MΩ.CM锂电池生产用纯水、蓄电池生产用纯水、化妆品生产用纯水、电厂锅炉用纯水、化工厂配料用纯水、其它有相同纯水质要求的用纯水. 电阻率:10~15MΩ.CM动物实验室用纯水、玻壳镀膜冲洗用纯水、电镀用纯纯水、镀膜玻璃用纯水、其它有相同纯水质要求的用纯水. 电阻率≥15 MΩ.CM医药生产用无菌纯水、口服液用纯水、高级化妆品生产用去离子纯水、电子行业镀膜用纯水、光学材料清洗用纯水、电子陶瓷行业用纯水、尖端磁性材料用纯水、其它有相同纯水质要求的用纯水.
电阻率≥17 MΩ.CM磁性材料锅炉用软化纯水、敏感新材料用纯水、半导体材料生产用纯水、尖端金属材料用纯水、防老化材料实验室用纯水、有色金属，贵金属冶炼用纯水、钠米级新材料生产用纯水、航空新材料生产用纯水、太阳能电池生产用纯水、纯水晶片生产用纯水、超纯化学试剂生产用纯水、实验室用高纯水、其它有相同纯水质要求的用纯水. 电阻率≥18 MΩ.CM ITO导电玻璃制造用纯水、化验室用纯水、电子级无尘布生产用纯水等其它有相同纯水质要求的用纯水，光伏光电行业。
2020年半导体行业深度研究报告
2020年半导体行业深度研究报告 一、新科技起点，不可缺芯 半导体位于电子行业中游。通过集成电路、分立器件、被动器件在PCB 上组合形成模组，构成了手机、电脑、工业、航空航天、军事装备等电子产品的核心。这些产品又直接影响到国家的发展、社会的进步以及个人的生活，完全改变了没有半导体时候的结构与数据流动形式。所以我们说半导体产业是支撑经济社会发展和保障国家安全的基础性和战略性产业。没有集成电路产业的支撑，信息社会就失去了根基，集成电路因此被喻为现代工业的“粮食”。 再回顾过去的大科技趋势，我们已经经历了2000 年开始的数字时代以及从2010 年开始的互联时代，并开始逐步进入数据时代。 对于数据，全球知名咨询公司麦肯锡表示：“数据，已经渗透到当今每一个行业和业务职能领域，成为重要的生产因素。人们对于海量数据的挖掘和运用，预示着新一波生产率增长和消费者盈余浪潮的到来。”大数据在物理学、生物学、环境生态学等领域以及军事、金融、通讯等行业存在已有时日，却因为近年来互联网和信息行业的发展而引起人们关注。 在这个时代，科技的进步与发展潜移默化的改变了我们的生活习惯和思维方式。在这个时代，越来越多的科技从实验室走出来，走向大众。那科技的的基础是什么？科技的基础是硬件设备，而当代硬件设备的基础便是半导体。
近年在以物联网、可穿戴设备、云计算、大数据、新能源、医疗电子和安防电子等为主的新兴应用领域强劲需求的带动下，全球半导体产业恢复增长。半导体行业发展历程遵循一个螺旋式上升的过程，放缓或回落后又会重新经历一次更强劲的复苏。根据WSTS 统计，从2013 年到2018 年，全球半导体市场规模从3056 亿美元迅速提升至4688 亿美元，年均复合增长率达到8.93%。2019 年全球半导体市场规模受存储器价格滑坡同比下降12.8%到4089.88 亿美元。 随着技术的进步，对硬件的要求也越来越高，对芯片的需求也越来越强烈，比如5G 基站建设、5G 周边应用落地、IoT、汽车电子、AI 等等。 由于半导体的应用市场在各类终端智能化、互联化的过程中不断拓展，使得半导体产业与经济总量增速的相关度日益紧密，增长的稳健性加强、期性波动趋弱。知名半导体市调机构IC Insights 发布报告称，预计2018 年-2023 年全球的GDP 增长和半导体市场增长的相关性系数将从2010-2018 年的0.87 上升到0.88，而2000 年-2009 年该相关性系数仅为0.63。 我们从几个细分领域来简述全球半导体市场未来将会保持繁荣。这都可说明未来科技需要更大程度上的硬件集成度、更高程度的半导体元器件电子化需求。 （一）汽车日益电子化 汽车是未来半导体行业最强劲的增长来源之一。传统汽车的芯片基本用于发动机控制、电池管理、娱乐控制、安全气囊控制、转向辅助等
半导体行业用水标准
电子行业水质标准 1.电子工业与超纯水 在半导体制作工艺中，80%以上的工序要经过化学处理，而每一道化学处理都离不开超纯水；在硅片的处理工序中，一半以上的工序经过超纯水清洗后便直接进入高温处理过程，此时如水中含有杂质便会进入硅片，造成器件性能下降成品率低。 电子工业提出的超纯水电阻率≥18MΩ.cm (25℃),已极其接近理论纯水水质18.3 MΩ.cm(25℃)。对电解质、DO、TOC、SIO2、颗粒及细菌等技术指标提出更高要求。如256 兆位的动态随机储存器生产工艺，光刻线条宽已达0.1 微米,要保证这一指标,超纯水中颗粒径就得≤0.05μm,而且≥0.05μm 不得超过500 个/升超纯水。 2、水质标准 超纯水水质标准大多数由中科院半导体所主要制定。 2.1 电子级水国家标准:详见表2.1
3、超纯水中杂质的污染源 3.1 制备超纯水的水源 由于水是一种溶解能力很强的溶剂,因此天然水中含有各种盐类和化合物,溶有CO2, 还有胶体(包括硅胶和腐殖质胶体),天然水中还存在大量的非溶解性质,包括粘土、砂石、细菌、微生物、藻类、浮游生物、热源等等。 3.2 材料的影响: 制备超纯水的材料设备的材质都是用金属和塑料制成的,金属在水中会有痕量溶解,造成金属离子污染。一些高分子材料在合成时常常加入各种添加剂、增塑剂紫外吸光剂着色剂，引入大量的金属、非金属杂质、同时还会带来有机污染。 材质的污染主要以污染值来衡量，所谓污染值是指，单位面积的材料使单位体积的纯水电阻率的增加值。表3.2 分别列出了各种材料的污染值和TOC 的溶出值。 表3.2 各种材料的污染值(TOC 的溶出值) 4水的电阻值 在测定水的导电性能时，与水的电阻值大小有关，电阻值大，导电性能差，电阻值小，导电性能就良好。根据欧姆定律，在水温一定的情况下，水的电阻值R大小与电极的垂直截面积F成反比，与电极之间的距离L成正比。
工艺用水分类
第六章工艺用水 一、工艺用水分类及标准 1.工艺用水分类 药品生产工艺中使用的水统称工艺用水。工艺用水分饮用水、纯化水和注射用水等三类 二、工艺用水的水质标准 1.饮用水 饮用水水质必须符合国家《生活饮用水水质标准》的要求，具体标准要求见表6－1。 2.纯化水 纯化水为蒸馏法、离子交换法、反渗透法其它适宜的方法制得供药用的水，不含任何附加剂。 纯化水水质应符合《中国药典》（1995年版）1998年增补标准。详见P79。 3．注射用水为纯化水经蒸馏所得的水，水质应符合《中国药典》（1995版）的注射用水标准。详见P80。生活饮用水水质标准（GB5749－85）表6－1 序号项目标准
感官生状和一般化学指标 1色色度不超过15度，并不得呈现其他异色2混浊度不超过3度，特殊情况不超过5度。 3嗅和味不得有异嗅、异味。 4肉眼可见物不得含有 5Ph 6.5~ 8.5 6总硬度（以碳酸钙计）450mg/l 7铁0.3 mg/l 8锰0.1 mg/l 9铜 1.0 mg/l 10锌 1.0 mg/l 11挥发酚类（以苯酚计）0.002 mg/l 12阳离子合成洗涤剂0.3 mg/l 13硫酸盐250 mg/l 14氧化物1000 mg/l
15溶解性总固体 毒理学指标 16氟化物 1.0 mg/l 17氰化物0.05 mg/l 18砷0.05 mg/l 19硒0.01 mg/l 20汞0.001 mg/l 21镉0.01 mg/l 22铬（六价）0.05 mg/l 23铅0.05 mg/l 24银0.05 mg/l 25硝酸盐（以氨计）20 mg/l 26氯仿60m m 27四氯化碳3m m 28苯并（a）芘0.01m m
关于中国半导体产业发展的现状分析和趋势展望
关于中国半导体产业发展的现状分析和趋势展望 摘要：步入二十一世纪的第十个年头，伴随着中国经济实体的繁荣发展，中国的半导体产业即将进入产业大发展的战略机遇期，如何把握机遇更好更快的发展半导体产业成为了未来中国经济发展的重点之一。中国半导体设计、制造、封测共同发展，结构日渐优化，产业链逐步完善，形成了相互促进共同发展的良好互动的大好局面。然而，由于各式各样的原因，半导体产业同时也面临着种种困难和挑战，如何制定科学合理的发展战略则成为了产业发展的重中之重。总之，中国半导体产业的发展充满机遇和挑战。 关键词：半导体产业科学发展产业调整战略优化 正文： 一、中国半导体产业的现状及分析 中国的半导体市场需求强劲，市场规模的增速远高于全球平均水平。不过，产业规模的扩大和市场的繁荣并不表明国内企业分得的份额更大，相反，中国的半导体市场正日益成为外资公司的乐土。国内半导体公司的发展面临强大的压力，生存环境堪忧。从两大分支上看，分立器件由于更新换代较慢、对技术和制造的要求较低、周期性也不明显，因而更适合国内企业，加上国际低端分立器件产能的转移，国内企业能够在低端市场获得优势。而从产业链环节上看，我们相对看好设计业，认为本土设计公司有突破的可能。基于政策支持、市场需求和产能转移，我们判断半导体行业在国内有很大的增长潜力。 二、长三角半导体产业的集群效应 我国尤其是长三角地区的半导体产业在国际半导体产业转移过程中获得了极好的发展机会,半导体产业初步形成了有一定规模的半导体产业集群,大大地推动了长三角地区的产业结构升级和带动了地区经济的发展。目前长三角地区已经成为我国集成电路产业的重镇,在国际半导体产业版图也占有极其重要的一席之地。但是应该认识到,长三角地区的半导体产业集群还只是如低廉的劳动力成本、地方政府提供的土地与财税优惠政策等基本生产要素驱动所形成的。这种低层次生产要素无法构成我国半导体产业的长久竞争优势,很快就会被以低成本比较优势的后起之秀所取代。长三角地区目前已经具有较好的半导体产业集群基础,国内又有极为庞大的内需市场,在国际半导体产业大转型的产业背景下,我们应转变传统靠低成本比较优势来招徕产业投资的观念,而应积极建立促进半导体产业高层次生产要素产生的机制,来提升长三角地区半导体产业集群的国际竞争力。 There was favorable opportunity for semiconductor industry development in China, esp. the Changjiang River delta, during the global industry transferring. There is semiconductor industrial cluster in this area and it improves the industry structures greatly and drives the economy development. The Changjiang River delta has been being as the most important area of China Semiconductor industry and it also is important in global semiconductor market.But we have to say that the semiconductor industrial clusters in the Changjiang River delta is initiated by generalized factors such as low labor cost, privilege policy of finance and landing provided by local governments. These generalized factors cannot be the competitive strength in long term and will be replaced soon by other area with low-cost comparison strength. The Changjiang River delta has good foundation of semiconductor industrial clusters and there is a huge marketing, so we should take proactive actions to buildup the environment and system to encourage high-level factors generating for semiconductor industry, during the transforming time of industry. Only in this way, we can promote the global competitive strength of the semiconductor industry in the Changjiang River delta. 三、南昌半导体照明成为国家半导体照明工程产业化基地
实验室用水要求
实验室用水要求 实验室用水按照国家标准可以分为以下三类： （1）三级水； （2）二级水； （3）一级水.。 具体技术指标如下: 指标一级二级三级pH值范围（25℃）---- 5.0-7.5电导率（25℃），mS/m.≤0.010.10.5可氧化物质（以0计），mg/L＜--0.080.4吸光度（254nm,25px光程）≤0.0010.01--蒸发残渣（105°±2℃），mg/L≤--12可溶性硅（以SiO2计）mg/L＜0.010.02--按照实验室常见的水的制备方法可以分以下几种： 1、蒸馏水（DistilledWater ）： 实验室最常用的一种纯水，虽设备便宜（蒸馏水制备机，各位同学应该见过）， 但极其耗能和费水且速度慢，应用会逐渐减少。蒸馏水能去除自来水内大部分的 污染物，但挥发性的杂质无法去除，如二氧化碳、氨、二氧化硅以及一些有机物。 新鲜的蒸馏水是无菌的，但储存后细菌易繁殖；此外，储存的容器也很讲究，若 是非惰性的物质，离子和容器的塑形物质会析出造成二次污染。 2、去离子水（DeionizedWater ）： 应用离子交换树脂去除水中的阴离子和阳离子，但水中仍然存在可溶性的有 机物，可以污染离子交换柱从而降低其功效，去离子水存放后也容易引起细菌的 繁殖。 3、反渗水（Reverseosmosis Water）： 其生成的原理是水分子在压力的作用下，通过反渗透膜成为纯水，水中的杂 质被反渗透膜截留排出。反渗水克服了蒸馏水和去离子水的许多缺点，利用反渗
透技术可以有效的去除水中的溶解盐、胶体，细菌、病毒、细菌内毒素和大部分有机物等杂质，不同厂家生产的反渗透膜对反渗水的质量影响很大。 4、超纯水（Ultra-puregrade water）： 其标准是水电阻率为18.2MΩ-cm。但超纯水在TOC、细菌、内毒素等指标方面并不相同，要根据实验的要求来确定，如，细胞培养则对细菌和内毒素有要求，HPLC 要求TOC低。
国家食品药品监督管理总局关于发布医疗器械工艺用水质量管理指南的通告(2016年第14号)
国家食品药品监督管理总局关于发布医疗器械工艺用水质量管理指南的通告 （2016年第14号） 2016年01月29日为指导医疗器械生产企业做好工艺用水质量管理工作，提高工艺用水质量安全保证水平，根据《医疗器械生产监督管理办法》（国家食品药品监督管理总局令第7号）和《医疗器械生产质量管理规范》（国家食品药品监督管理总局公告2014年第64号）及相关附录，国家食品药品监督管理总局组织制定了《医疗器械工艺用水质量管理指南》，现予发布。 特此通告。 附件：医疗器械工艺用水质量管理指南 食品药品监管总局 2016年1月26日 医疗器械工艺用水质量管理指南 医疗器械生产企业应当按照《医疗器械生产质量管理规范》（国家食品药品监督管理总局公告2014年第64号）的
要求，加强对工艺用水质量的管理，确保工艺用水的制备和使用不对医疗器械产品质量造成影响。 一、适用范围 本指南所指工艺用水是医疗器械产品实现过程中使用或接触的水的总称，以饮用水为源水，主要包括符合《中华人民共和国药典》规定的纯化水、注射用水和灭菌注射用水，还包括体外诊断试剂用纯化水、血液透析及相关治疗用水、分析实验室用水等。工艺用水主要用于：可作为产品的组成成分；可用于试剂的配制；可用于零部件、半成品或外协件、成品、包装材料的清洁；可用于产品的检验；可用于洁净环境的清洁；可用于洁净室（区）内直接接触产品的工装、工位器具、设施设备的清洁；可用于洁净室（区）内工作服及人员的清洁等。 本指南适用于医疗器械生产企业对工艺用水的相关管理，医疗器械生产企业应当制定风险防控措施，按照有关技术标准的规定,确保所用工艺用水的用途合理，质量符合产品生产工艺要求。 二、质量管理指南 （一）应当根据工艺用水有关的法规文件、技术标准，结合所生产产品特性及工艺用水用途明确所需工艺用水种类，确保工艺用水的要求符合法规及相关标准规定。 （二）应当根据工艺用水种类和用量确定适宜的制水系统，确保制水系统的功能及配备的设施与工艺用水的制备相适应。 （三）应当确定工艺用水的传输形式，用量较大时应当通过管道输送至洁净室（区）的用水点。通过管道输送时，应当对工艺用水种类、流向进行标识。 （四）应当确保与工艺用水直接接触的储罐、输送管道的材质不对工艺用水造成污染和影响，设计安装方式应避免死角盲端，以防止微生物的滋生。 （五）应当对制水系统的安装、运行和性能等进行验证和确认，确保制水系统持续、稳定生产出符合标准、适合产品生产要求的工艺用水，并保存制水系统验证计划、方案、报告以及再确认等相关技术资料。 （六）应当保存制水系统的设计图纸、使用说明书、工艺用水制备流程图、技术文件等档案资料。 （七）应当确定工艺用水制备和检验的责任部门及岗位人员，岗位人员应当熟悉相关的法规，具备与岗位相适应的