多晶硅片少子寿命的影响因素研究与分析
少子寿命的测量
表面复合对少子寿命测量影响的定量分析 我们测量硅单晶、铸造多晶以及单晶硅片、多晶硅片的少子寿命，都希望得到与真实体寿命b τ相接近的测量值（表观寿命），而不是一个受表面影响很大的表面复合寿命s τ。因为在寿命测量中只有b τ才能真正反映半导体材料的内在质量，而表面复合寿命只能反映样品的表面状态，是随表面状态变化而变化的变数。 通过仪器测量出的寿命值我们一般称为表观寿命，它与样品体寿命及表面复合寿命有如下关系，公式（1）由SEMI MF28-0707给出的计算公式τ0 =S F R τ--11（τ0或b τ表示体寿命）推演出来： S b F τττ111+= （1） 即仪器测量值F τ，它实际上是少子体寿命b τ和表面复合寿命s τ的并联值。 光注入到硅片表面的光生少子向体内扩散，一方面被体内的复合中心（如铁原子）复合，另一方面扩散到非光照面，被该表面的复合中心复合。 光生少子在体内平均存在的时间由体复合中心的多少而决定，这个时间就称为体寿命。如果表面很完美，则表面复合寿命趋于无穷大，那么表观寿命即等于体寿命。 但实际上的表面复合寿命与样品的厚度及表面复合速度有关。 由MF1535-0707中给出s l D l sp diff s 222+=+=πτττ （2）可知，其中： diff τ=D l 22 π——少子从光照区扩散到表面所需的时间 sp τ= 2l s ——少子扩散到表面后，被表面（复合中心、缺陷能级）复合所需要的时间 l ——样品厚度 D ——少子扩散系数，电子扩散系数Dn=33.5cm 2/s ，空穴扩散系数Dp=12.4 cm 2/s
S ——表面复合速度，单位cm/s 硅晶体的表面复合速度随着表面状况在很大范围内变化。如表1所示： 表1 据文献记载，硅抛光面在HF 酸中剥离氧化层后复合速度可低至0.25cm/s ，仔细制备的干氧热氧化表面复合速度可低至1.5-2.5cm/s ，但是要达到这样的表面状态往往不容易，也不稳定，除非表面被钝化液或氧化膜保护。一般良好的抛光面表面复合速度都会达到 104 cm/s ，最容易得到而且比较稳定的是研磨面，因为它的表面复合速度已达到饱和，就像饱和浓度的盐水那样，再加多少盐进去浓度依然不变。 现在很多光伏企业为了方便用切割片直接测量寿命，即切割后的硅片不经清洗、抛光、钝化等减少和稳定表面复合的工艺处理，直接放进寿命测试仪中测量，俗称裸测，这种测量简单、方便、易操作。 为了定量分析表面复合对测量值F τ的影响，我们以最常用厚度为180μm 的P 型硅片为例进行定量分析。因为切割面实质上也是一种研磨面，是金属丝带动浆料研磨的结果，一般切割、研磨面的表面复合速度为S=107cm/s ，但线切割的磨料较细，我们将其表面复合的影响估计的最轻，也应该是S ≥105cm/s 。因为良好的抛光面S ≈104cm/s,我们按照2007版的国际标准MF1535-0707、MF28-0707提供的公式：b τ= S F R τ--1 1 ，其中Rs 是表面复合速率，表面复合寿命S s R 1=τ， 由以上公式即可推演出常用公式：S b F τττ111+= 表面复合寿命s l D l sp diff s 222+=+=πτττ 我们以以下的计算结果来说明，当切割面的表面复合速度为S=105cm/s 时， l =180μm 厚的硅片当它的体寿命由0.1μS 上升到50μS （或更低、更高）时， 我们测出的表观寿命受表面影响的程度，以及真实体寿命b τ与实测值F τ相差多
影响人均寿命的因素的统计分析
影响人均寿命的因素的统计分析 摘要：本文利用相关与回归分析的统计学方法对亚洲各国人均GDP、成人识字率及疫苗接种率对这些国家人均寿命的影响进行统计分析，结果表明以上三个因素与人均寿命有很大的相关性。 关键词：人均寿命人均GDP 成人识字率疫苗接种率 Abstract: The thesis mainly uses correlation and regression analysis to investigate the influences of per capita GDP, literary rate of grown-ups and vaccine coverage rate on average lifespan in Asia. The results reveals that there were obvious relationship between the above three factors and average lifespan. Keywords: average lifespan per capita GDP literary rate of grown-ups vaccine coverage rate 0.引言 随着多学科交叉发展的进行，统计学与自然科学、人文科学、社会科学的结合也焕发出了勃勃生机，并极大地推动了这些学科的发展。统计学与自然科学的结合可以推动科研的发展，提高生产力；统计学与人文学科结合是人文科学发展的必然，只有结合统计学，结论才更有说服力，才能避免主观臆断的危险。否则，就会造成“公说公有理，婆说婆有理”的局面，大家各执己见，这样以来打的只是口水仗，问题却丝毫不能解决。是统计学的介入结束了英美国学者争论不休的一首作者不详的诗是否为莎士比亚所作的问题，随后统计学在确定一些美国匿名作品作者到底是谁的问题上发挥了重要的作用；统计学与社会科学结合可以发现与人类生活息息相关的问题，进一步分析产生这些问题的根源，从而帮助国家或者团体做出正确的决策，解决问题。本文的话题与每个生命个体息息相关，对该问题进行分析依赖统计知识，依赖统计数据和统计方法。 随着经济的发展和人们生活水平的提高，健康问题受到越来越多的人的关注。其中健康的一个重要表现形式就是寿命，那寿命的长短究竟与哪些因素有关呢？要想得出合理的解释还要依靠统计数据，我们要让数据来说话，这样结论才更有说服力。一些学者就可能影响平均寿命的三个因素：人均GDP，成人识字率及疫苗接种率在亚洲22个国家和地区展开调查调查。笔者用统计学的方法对这些数据进行分析，发现平均寿命的确与上述因素有关（具体数据见附表）。 1.研究设计 1.1研究问题 本研究主要探讨亚洲各国人均寿命与人均GDP、成人识字率及疫苗接种率的相关性。具体问题包括： 1）人均GDP与亚洲各国的人均寿命是否有影响？ 2）成人识字率与亚洲各国的人均寿命是否有影响？ 3）疫苗接种率与亚洲各国的人均寿命是否有影响？ 1.2研究对象 本文的研究对象包括日本、中国香港、韩国、新加坡、泰国、马来西亚、斯里兰卡、中国大陆、菲律宾、朝鲜、蒙古、印度尼西亚、越南、缅甸、巴基斯坦、老挝、印度、孟加拉国、柬埔寨、尼泊尔、不丹、阿富汗在内的亚洲22个国家和地区的人均寿命、人均GDP，成人识字率及疫苗接种率的关系。 1.3研究工具与研究程序
影响疲劳寿命的因素
影响橡胶疲劳寿命的因素 一环境条件 环境影响在疲劳过程中特别是在长寿命的橡胶材料中起着关键作用。橡胶应力-应变关系和疲劳老化性能发展的方式在很大程度上依赖于材料的温度以及橡胶成分周围化学反应物的存在和浓度 A温度 升高的温度对橡胶形核寿命和疲劳裂纹增长速率产生有害的影响，这种有害影响在无定形橡胶中表现的最为明显，对于纯的丁苯橡胶处于可控测试中，随着温度从0°到100°，疲劳寿命化降低10000倍，而对于纯的天然胶而言，在相同条件下，疲劳寿命降低4倍。填料的加入可能降低对温度的依赖性。在疲劳裂纹增长测试中类似的影响可能被观察到。 上述温度的影响与由于老化或进一步教交联所发生的化学变化无关。温度对这些化学过程的速率产生很大的影响这种影响能够在升温或长时间内导致附加分解。温度实际对长期行为地影响程度取决于配方设计；固化剂，抗氧化剂等这些因素以后讨论。 B臭氧 在一个长期的疲劳测试中，有臭氧存在很大程度上会增大裂纹的增长速率和缩短寿命。由于应力集中，弹性体网链在裂纹尖端很容易与臭氧反应，臭氧与主要聚合物分子链的碳-碳双键发生反应引起断链。 当瞬间的能量释放速率超过一个小的起点，就会发生由于臭氧袭击而引起的裂纹增长，这个起点由Gz表示，Gz通常比机械疲劳起点T更小，Gz的值恨得程度上取决于配方设计，特别是抗氧化剂和抗臭氧剂存在。对于没有加入任何这些物质的橡胶来说，Gz = 0.1J/m2，当有抗臭氧剂存在时，Gz会增大10倍或更多，相比较而言，机械疲劳起点大约为T = 50 J/m2，臭氧看起来不影响机械疲劳起点的值，其他化学物质能够以一种类似臭氧的方式侵袭橡胶。Gent和Mrath 研究了在一个很大的范围内温度对臭氧增长速的影响。两个物理量被发现可以控制列为裂纹增长率da/dt，在玻璃化转变温度附近裂纹增长速率是与v温度成比例的，而与臭氧无关。在足够高的温度下（Q-Tg >100°），裂纹增长速率完全依赖于臭氧浓度而与温度无关。总的裂纹增长速率由下列方程式近似的给出
少数载流子寿命测试
第三章：少数载流子寿命测试 少数载流子寿命是半导体材料的一个重要参数，它在半导体发展之初就已经存在了。早在20世纪50年代，Shockley 和Hall等人就已经报道过有关少数载流子的复合理论[1-4]，之后虽然陆续有人研究半导体中少数载流子的寿命，但由于当时测试设备简陋，样品制备困难，尤其对于测试结果无法进行系统地分析。因此对于少数载流子寿命的研究并没有引起广泛关注。直到商业需求的增加，少数载流子寿命的测试才重新引起人们的注意。晶体生产厂家和IC集成电路公司纷纷采用载流子寿命测试来监控生产过程，如半导体硅单晶生产者用载流子寿命来表征直拉硅单晶的质量，并用于研究可能造成质量下降的缺陷。IC集成电路公司也用载流子寿命来表征工艺过程的洁净度，并用于研究造成器件性能下降的原因。此时就要求相应的测试设备是无破坏，无接触，无污染的，而且样品的制备不能十分复杂，由此推动了测试设备的发展。 然而对载流子寿命测试起重要推动作用的，是铁硼对形成和分解的发现[5,6]，起初这只是被当作一种有趣的现象，并没有被应用到半导体测试中来。直到Zoth 和Bergholz发现，在掺B半导体中，只要分别测试铁硼对分解前后的少子寿命，就可以知道样品中铁的浓度[7]。由于在现今的晶体生长工艺中，铁作为不锈钢的组成元素，是一种重要的金属沾污，对微电子器件和太阳能电池的危害很严重。通过少数载流子寿命测试，就可以得到半导体中铁沾污的浓度，这无疑是一次重大突破，也是半导体材料参数测试与器件性能表征的完美结合。之后载流子寿命测试设备迅速发展。 目前，少数载流子寿命作为半导体材料的一个重要参数，已作为表征器件性能，太阳能电池效率的重要参考依据。然而由于不同测试设备在光注入量，测试频率，温度等参数上存在差别，测试值往往相差很大，误差范围可能在100％，甚至以上，因此在寿命值的比较中要特别注意。 概括来说，少数载流子寿命的测试及应用经历了一个漫长的发展阶段，理论上，从简单的载流子复合机制到考虑测试结果的影响因素。应用上，从单纯地用少子寿命值作为半导体材料的一个参数，到把测试结果与半导体生产工艺结合起来考虑。测试设备上，从简陋，操作复杂到精密，操作简单，而且对样品无接触，
人的寿命与哪些因素有关
人的寿命与以下因素有关： 1.性别 从不同国家在不同时期男女平均寿命统计，历来女性长于男性。而且，随着人类寿命的延长，男女平均寿命的差别更为明显。 2.先天因素 人体细胞有46条染色体，配成23对，其中有一对决定性别的性染色体，男性为XY型配对，女性为XX型配对，X染色体粗大，具有完整的遗传信息；Y染色体弱小，所含遗传成分很少。如果妇女的某一个X染色体中有一个致命的成为遗传性疾病的基因；第二个x染色体可提供一个修复这种状况的基因；而男性只有一个x染色体，一旦有一个致命的基因，没有改正的机会，容易潜伏遗传性疾病。也有的专家指出，妇女有两套免疫系统，一个是保护妇女本身，一个是保护胎儿。而男性则没有后者，因而，其免疫力不如妇女强。 3.后天因素 男性一般能量消耗比女性大(基础代谢男性比女性人5％-7％，能量消耗男性比女性大30%-40％)，以及男性一般从事的工种较复杂、艰巨，因战争和各种意外事故而死亡也较多，精神与身体过度损伤较女性多等，也对两性寿命差别起一定作用。 4.优生 据统计，近亲婚姻的遗传性疾病比非近亲婚姻的高出十倍以上。长寿者很少是近亲婚姻产生的，因近亲婚姻容易使下一代得遗传性疾病，而遗
传性疾病对人的健康和寿命有很大影响。人类现已证实的遗传性疾病有3000多种，人类疾病中约有1／4~1／3与遗传因素有密切关系。科学调查还发现，长寿者中约2／3属第一、二胎生，即生于父母生命力最旺盛的时期；而且晚婚、少育长寿者的生活能力较强，高血压病患病率也较低。 5.心理状态 老年人的心理状态对他的健康和寿命有明显影响。我们常见到有的癌症病人在得知自己患癌症后，心理压力很大，精神萎靡不振，病情很快恶化，以至加速死亡。而有的病人，能正确对待疾病，不气馁、不麻痹，积极配合治疗，病情就相对稳定。老年人如常有衰老感、孤独感和忧郁心理，会使之情绪低沉，意志减退，体力减弱，加重原有疾病和易得新的疾病。相反心理上如能保持“青春”，则可使之情绪稳定，精神振作，抗病能力增强，充满生命活力，可以延缓或推迟生理上的老化，有益于健康长寿。 6.性格修养 长寿的人多心胸宽阔，性格开朗，不务名利，道德观念很强。据调查统计，我国长寿老人21％43％性格开朗、乐观，远离毒气或放射源。 饮用被细菌污染的水可得痢疾、霍乱、伤寒等传染病，这些都会影响人的健康和寿命。老年人饮用的水，一般以煮沸为宜，浑浊度不超过每升5毫克。水中不含任何肉眼可见的杂质，无异臭异味。 7.阳光
少子寿命概念
少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。它直接反映了材料的质量和器件特性。能够准确的得到这个参数,对于半导体器件制造具有重要意义。 少子，即少数载流子，是半导体物理的概念。它相对于多子而言。 半导体材料中有电子和空穴两种载流子。如果在半导体材料中某种载流子占少数，导电中起到次要作用，则称它为少子。如，在 N型半导体中,空穴是少数载流子，电子是多数载流子；在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 多子和少子的形成:五价元素的原子有五个价电子，当它顶替晶格中的四价硅原子时，每个五价元素原子中的四个价电子与周围四个硅原子以共价键形式相结合，而余下的一个就不受共价键束缚，它在室温时所获得的热能足以便它挣脱原子核的吸引而变成自由电子。出于该电子不是共价键中的价电子，因而不会同时产生空穴。而对于每个五价元素原子，尽管它释放出一个自由电子后变成带一个电子电荷量的正离子，但它束缚在晶格中，不能象载流子那样起导电作用。这样，与本征激发浓度相比，N型半导体中自由电子浓度大大增加了，而空穴因与自由电子相遇而复合的机会增大，其浓度反而更小了。 少子浓度主要由本征激发决定，所以受温度影响较大。 香港永先单晶少子寿命测试仪 >> 单晶少子寿命测试仪 编辑本段产品名称 LT-2单晶少子寿命测试仪 编辑本段产品简介 少数载流子寿命(简称少子寿命)是半导体材料的一项重要参数,它对半导体器件的性能、太阳能电池的效率都有重要的影响.我们采用微波反射光电导衰减法研制了一台半导体材料少子寿命测试仪,本文将对测试仪的实验装置、测试原理及程序计算进行了较详细的介绍,并与国外同类产品的测试进行比较,结果表明本测试仪测试结果准确、重复性高,适合少子寿命的实验室研究和工业在线测试. 技术参数： 测试单晶电阻率范围 >2Ω.cm 少子寿命测试范围 10μS～5000μS 配备光源类型 波长：1.09μm；余辉<1 μS； 闪光频率为：20～30次／秒； 闪光频率为：20～30次／秒； 高频振荡源 用石英谐振器，振荡频率：30MHz 前置放大器 放大倍数约25，频宽2 Hz-1 MHz 仪器测量重复误差 <±20％
我国人均寿命的影响因素研究汇总
统计学院学年论文 题目：我国人均寿命的影响因素研究 班级：2013级统计学班 姓名：刘胜男 学号：201302070113 指导老师：张帅 二○一五年六月
我国人均寿命的影响因素研究 摘要：我国人均期望寿命低于世界平均水平，且不同地区之间平均期望寿命最大可差10岁。文章从环境因素，日常生活方式，医疗条件三方面选取了十个指标进行回归分析来研究影响人均寿命的显著性因素。文章得出结论，消费水平和教育水平以及饮食习惯对人均寿命产生显著性影响。 关键词：人均寿命相关性分析线性回归人均GDP教育水平 一、引言 人均寿命主要用平均人均预期寿命这一指标来衡量。人均预期寿命是指已经活到一定岁数的人平均还能再活的年数。人均预期寿命是衡量一个国家或地区现阶段经济社会发展水平及医疗卫生服务水平的综合指标。它是联合国千年发展目标的重要内容，也是计算一些国际对比指标比如人口质量指数PQLI，人类发展指数HDI等的基础。温家宝总理曾经在十一届全国人大四次会议政府工作报告中提出：“十二五”时期“人均预期寿命提高一岁”目标。我国作为世界第一人口大国，也是21世纪上半叶人口老龄化速度最快，人口健康压力最大的发展中国家之一。 新中国成立以来，随着中国经济社会的全面迅速发展，人民生产水平不断提高，加之医疗技术和条件的空前完善和提高，使得人们的人均寿命由20世纪50年代的40多岁增加到近年来的70多岁。中国的人均寿命在不断的增长，但新阶段的人均寿命水平在全球仅排第80位。由卫生部2012年发布的《“健康中国”战略研究报告》指出我国东西部人均寿命相差15岁。由此可见，提高中国人均寿命具有重大的意义，而这个任务在现阶段还很艰巨。因此，充分了解中国人均寿命的因素并进行定量分析有很强的理论与实际意义，并且可为制定提高人均寿命的措施提供坚实的依据，同样也可以为社会保障、人力资源、医疗和环境保护等政策和国家战略的制定提供参考依据，为促进社会经济发展和提供民生福利提供参考依据。 二、文献综述 影响我国人均寿命的因素有很多。比如经济发展水平，医疗服务水平，教育水平，地理位置等。我国现在对人均寿命的研究并不多。乔轶娟（2009）以全国31个地区数据为基础，选取了经济，卫生，教育等十多个因素通过计量分析发现人均GDP和出生率这两个因素最显著。郝勇（2003）通过对影响上海人均寿命与综合环境因素的逐步回归分析，主要研究了环境因素社会经济因素，消费水平，医疗卫生条件等方面，其中作者引入了人居用水量这一因素，并得到显著性结果。徐鑫（2011）引入层次分析
少子寿命测量
高频光电导衰减法测量Si 中少子寿命 预习报告： 一，什么是少子寿命？ 少子，即少数载流子。少子寿命指少子的平均生存时间，寿命标志少子浓度减少到原值的1/e 所经历的时间。少数载流子寿命是与半导体中重金属含量、晶体结构完整性直接有关的物理量。它对半导体太阳电池的换能效率、半导体探测器的探测率和发光二极管的发光效率等都有影响。 二，如何测量少子寿命？ 测量非平衡少数载流子寿命的方法有许多种，分别属于瞬态法和稳态法两大类。本实验采用高频光电导衰减法测量Si 中少子寿命。 三，实验原理： 当能量大于半导体禁带宽度的光照射样品时，在样品中激发产生非平衡电子和空穴。若样品中没有明显的陷阱效应，那么非平衡电子（?n ）和空穴(?p)的浓度相等，它们的寿命也就相同。样品电导率的增加与少子浓度的关系为n q p q n p ?+?=?μμσ当去掉光照，少子密度将按指数衰减，即τ t e p -∝?，因此导致电导率为τ σt e - ∝?。 高频源提供的高频电流流经被测样品，当红外光源的脉冲光照射样品时，单晶体内产生的非平衡光生载流子使样品产生附加光电导，从而导致样品电阻减小。由于高频源为恒压输出，因此流经样品的高频电流幅值增加?I ，光照消失后，?I 逐渐衰减，其衰减速度取决于光生载流子在晶体内存在的平均时间，即寿命。在小注入条件下，当光照区复合为主要因素时，?I 将按指数规律衰减，此时取样器上产生的电压变化?V 也按同样的规律变化，即 τt e V V - ?=?0 图2指数衰减曲线 一， Si. t
?V~t 曲线: （一） （二） （三） 计算少子寿命： 电压满足τ t e V V -?=?0，在测量数据中，由于时间原点的不同选择，t 的绝对值不同， 但是相对值相同。任选两个点（t 1,?V 1）,（t 2,?V 2），有?V 1=?V 0e ? t 1+?t τ ，?V 2=?V 0e ? t 2+?t τ ，
影响使用寿命的主要因素和注意事项
影响使用寿命的主要因素和注意事项 ⑴环境温度对电池的影响较大。环境温度过高，会使电池过充电产生气体，环境温度过低，则会使电池充电不足，这都会影响电池的使用寿命。因此，一般要求环境温度在25℃左右， UPS浮充电压值也是按此温度来设定的。实际应用时，蓄电池一般在5℃～35℃范围内进行充电，低于5℃或高于35℃都会大大降低电池的容量、缩短电池的使用寿命。 ⑵放电深度对电池使用寿命的影响也非常大。电池放电深度越深，其循环使用次数就越少,因此在使用时应避免深度放电。虽然UPS都有电池低电位保护功能，一般单节电池放电至10.5V左右时，UPS就会自动关机。但是，如果UPS 处于轻载放电或空载放电的情况下,也会造成电池的深度放电。 ⑶电池在存放、运输、安装过程中，会因自放电而失去部分容量。因此，在安装后投入使用前，应根据电池的开路电压判断电池的剩余容量，然后采用不同的方法对蓄电池进行补充充电。对备用搁置的蓄电池，每3个月应进行一次补充充电。可以通过测量电池开路电压来判断电池的好坏。以12V电池为例，若开路电压高于12.5V，则表示电池储能还有80％以上，若开路电压低于12.5V，则应该立刻进行补充充电。若开路电压低于12V，则表示电池存储电能不到20％，电池不堪使用。 ⑷电池充放电电流一般以C来表示，C的实际值与电池容量有关。例如，100AH的电池，C＝100A。松下铅酸免维护电池的最佳充电电流为0.1C左右，充电电流不能大于0.3C。充电电流过大或过小都会影响电池的使用寿命。放电电流一般要求在0.05C～3C之间,UPS在正常使用中都能满足此要求，但也要防止意外情况的发生，如电池短路等。 ⑸充电电压。由于UPS电池属于备用工作方式，市电正常情况下处于充电状态，只有停电时才会放电。为延长电池的使用寿命， UPS的充电器一般采用恒压限流的方式控制，电池充满后即转为浮充状态，每节浮充电压设置为13.6V 左右。如果充电电压过高就会使电池过充电,反之会使电池充电不足。充电电压异常可能是由电池配置错误引起，或因充电器故障造成。因此，在安装电池时，一定要注意电池的规格和数量的正确性，不同规格、不同批号的电池不要混用。外加充电器不要使用劣质充电器，而且安装时要考虑散热问题。目前，为进一步提高电池寿命，先进的UPS都采用一种ABM(Advanced Battery Management)三阶段智能化电池管理方案，即充电分成初始化充电、浮充电和休息三个阶段：第一阶段是恒流均衡充电，将电池容量充到90％；第二阶段是浮充充电，将电池容量充到100％，然后停止充电；第三阶段是自然放电，在这个阶段里，电池利用自身的漏电流放电，一直到规定的电压下限，然后再重复上述的三个阶段。这种方式改变了以前那种充满电后，仍使电池处于一天24h的浮充状态，因此延长了电池的寿命。 ⑹免维护电池由于采用吸收式电解液系统，在正常使用时不会产生任何气体，但是如果用户使用不当，造成电池过充电，就会产生气体，此时电池内压就会增大,将电池上的压力阀顶开，严重的会使电池爆裂。
《影响寿命的因素 [九个因素影响寿命质量]》
《影响寿命的因素[九个因素影响寿命质 量]》 英国医生特丽莎·麦克奈尔在其所著《长寿：增减寿命的100个因素》一书中综合多项研究，提出了一些影响寿命的重要因素。房间视野开阔：增寿，2年研究表明，病房视野开阔的住院患者，康复速度更快，出院更早。健康人群则更能通过开阔的视野改善情绪、缓解压力、变得乐观，以保持健康体魄。如果你不喜欢窗户外的风景，则可以在室内观风景——以最喜欢的风景画或照片取而代之。 生活乱七八糟：减寿1年 当我们生活在一片混乱中的时候，大多数人都感觉压抑沮丧。这种混乱可能是家里物件胡乱摆放，或者债务繁多。由此产生的压力会导致心率和血压升高，有害健康的应激激素水平也随之提升。 养宠物：增寿2年 美国一项研究表明，饲养宠物的人较少看医生，也较少发生抑郁。抚摸或与宠物在一起，可以降低心率和血压水平。 和谐性生活：增寿4年 和谐性生活有益健康。男性（至少每周两次）可以使罩亡危险降低一半；也帮助男性降低前列腺癌风险。研究表明，女性性生活不正常也容易导致心脏病危险增加。 噪音污染：减寿1年 研究发现，高达3％的心血管疾病与长期暴露于噪音之中有关。噪音会产生一种慢性压力，导致人体处于过分警觉状态。即使睡眠之
中，人体也会继续对噪音发生反应，产生应激激素，进而导致心脏和血管的变化，增加高血压、心脏病和中风发病率。 做女人：增寿7年 就全球平均寿命而言，女人普遍高出男人10％。除了环境和遗传因素外，男性睾丸激素易导致攻击性和竞争性行为，因而暴力致死等意外伤亡大大增加。女人更长寿的另一大原因是，雌性激素提高“好胆固醇”水平。 结婚：增寿7年 已婚夫妇的寿命一般会高出离婚、寡居或不结婚的人。美国研究表明，从来不结婚的人早亡危险高出2／3。与不结婚的人相比，婚姻生活幸福者更少出现经济问题、身心健康问题，即使生病，康复速度也更快。 离婚：减寿3年 离婚会导致情感大起大落、意外死亡及心脏病死亡危险大增。同时，癌症、肺炎、高血压风险也大大增加。当然如果婚姻生活极不幸福，分手还是有益健康的最佳选择。 不良姿势：减寿2年 不良姿势会导致肌肉、肌腱及韧带拉伤、关节损伤，甚至影响到内脏的有效工作。另外，不良姿势还会导致影响正常工作和健康的背疼、关节炎、腰痛。老年驼背更易因心脏病而早逝。 内容仅供参考
少子寿命
在硅的各种加工过程中，硅表面上通常都有离子吸附，它们引起半导体内的表面势垒产生耗尽层或反型层。光照在半导体表面时，能量稍大于半导体禁带宽度的光子，将会把价带中的电子激发到导带，从而形成电子空穴对，并向低密度区扩散。由于表面上存在着耗尽区，其电场将电子-空穴分离，产生表面光电压（SPV ）。 理论计算 α-=++1 Φ1()(1)eff P A S V L L （1） 其中对于耗尽层 A =qn 0/KT exp(qV /KT ) 对于反型层 A =qu i 2/KTn O 在小注入条件下寿命值τ与扩散长度L 的关系，即：L = 2 L D τ=，扩散系数D 为已知常数，因此通过扩散长度测量可以立即计算出寿命值。 用SPV 测量扩散长度的方法： （1）恒定表面光电压法，其特点是测量过程中单色光的波长度变化时，表面
光电压恒定不变，可对电阻率为0.1~6Ω·cm 、少子寿命短到20ns 的硅单晶进行测量。一般认为表面光电压(ΔV)是非平衡载流子浓度的函数。根据光照强度Φ与表面光电压△V 的函数关系： )11()(L M V F α+ ?=Φ /(1)S D L M B R +=- （2） 其中，对于给定的样品，M 是一个常数，对于F （△V ）在测量过程中，即在改变 光源波长时（吸收系数α随之而和），调节光强Φ，使表面光电压△V 保持不变，于是F （△V ）在测量过程中也保持为常数，在数次改变波长（即改变α-1）后， 得到相应的Φ值，即有一组：α-11，Φ1；α-12，Φ2；……α-1n ，Φn 数据，以Φ 为纵标，α-1为横座标，联成一直线，并将直线延长到Φ=0得： 1)L αΦ=0=(1+ （3） 该直线的截距即为要测的扩散长度（样品（或处延层） 的厚度必须大于4倍扩散长度，如果小于扩散长度的一半，则测得的不是在外延层中的扩散长度，而是衬底中的扩散长度）， 如图所示： （2）恒定光通量法 即Φeff 是恒定的。根据（1）式 )11)((1 -++=?ΦαL L D S A V eff 扩散长度L 可以Φeff/△V 对α-1的直线图确定 (3）
影响寿命的几个因素
龙源期刊网 https://www.360docs.net/doc/506329498.html, 影响寿命的几个因素 作者：谢钟琪 来源：《现代养生》2005年第05期 人的寿命究竟应有多长？《黄帝内经》中说善于养生之人，“度百岁乃去”。由此可见，人类的正常寿命应在百岁以上。到现在为止，为何活到百岁以上的人仍居少数？究其原因，影响寿命的因素有以下几种： 1.社会经济因素：人类的物质生活和精神生活与社会的政治、经济、文化和人与人之间的关系有关。在原始社会，人的平均寿命只有18岁，奴隶社会是20＿30岁，半封建社会为30 ＿40岁。1963年，我国平均寿命为67岁，1980年为70岁。由此可知，随着人民生活质量的提高，寿命也在逐渐延长。 2.家庭因素：家庭人员之间和睦与否，直接影响着寿命的长短。凡是有百岁寿星的家庭必定是和睦的。 3.情绪因素：不良的情绪，会损害健康。精神愉快，能推迟衰老。一个知足常乐的人，其寿命必然会延长。 4.环境因素：长寿老人大多生活在山区、农村、环境优美、空气新鲜。在发展中国家工业愈发达，空气污染愈严重，于是导致疾病，尤其癌症发病率上升。 5.饮食因素：俗话说：“病从口入”，过多摄入高脂肪、高蛋白、高盐、高糖的人，必然导致高血压、冠心病、糖尿病等疾病。只有多素少荤，才能保持健康。俗话说：“肉长膘、鱼生痰、青菜豆腐保平安。” 6.性欲因素：适度的性生活有益于健康。过度的性生活有损健康，影响寿命。古代皇帝有三宫六院、七十二妃，由于耗精过多，绝大多数寿命不长。 7.劳动因素：劳动者多长寿。一个不爱体力活动的人是不可能长寿的。 8.运动因素：生命在于运动。一个人如果不运动，就会使心脏衰弱、肺活量降低、骨质疏松、肌肉萎缩、反应迟钝等。老年人应坚持散步、快走、慢跑、打太极拳等，才能延缓衰老，达到长寿目的。 9.睡眠因素：睡眠是恢复疲劳的手段。据研究表明，每晚睡7＿8小时的人，寿命最长； 睡4小时以下者，寿命最短；睡10小时以上的人也不能长寿。由此可见，睡眠过多过少，都会影响寿命。
少子寿命测试判断是否有外延
Abruptness of a-Si:H/c-Si interface revealed by carrier lifetime measurements Stefaan De Wolf and Michio Kondo Citation: Appl. Phys. Lett. 90, 042111 (2007); doi: 10.1063/1.2432297 View online: https://www.360docs.net/doc/506329498.html,/10.1063/1.2432297 View Table of Contents: https://www.360docs.net/doc/506329498.html,/resource/1/APPLAB/v90/i4 Published by the AIP Publishing LLC. Additional information on Appl. Phys. Lett. Journal Homepage: https://www.360docs.net/doc/506329498.html,/ Journal Information: https://www.360docs.net/doc/506329498.html,/about/about_the_journal Top downloads: https://www.360docs.net/doc/506329498.html,/features/most_downloaded Information for Authors: https://www.360docs.net/doc/506329498.html,/authors
Abruptness of a-Si:H/c-Si interface revealed by carrier lifetime measurements Stefaan De Wolf a?and Michio Kondo National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(AIST),Central2,1-1-1Umezono, Tsukuba,Ibaraki305-8568,Japan ?Received27September2006;accepted15December2006;published online26January2007? Intrinsic hydrogenated amorphous silicon?lms can yield outstanding electronic surface passivation of crystalline silicon wafers.In this letter the authors con?rm that this is strongly determined by the abruptness of the interface.For completely amorphous?lms the passivation quality improves by annealing at temperatures up to260°C,most likely by?lm relaxation.This is different when an epitaxial layer has been grown at the interface during?lm deposition.Annealing is in such a case detrimental for the passivation.Consequently,the authors argue that annealing followed by carrier lifetime measurements allows determining whether the interface is abrupt.?2007American Institute of Physics.?DOI:10.1063/1.2432297? Hydrogenated amorphous silicon?a-Si:H??lms depos-ited on crystalline silicon?c-Si?surfaces have increasingly attracted attention over the past20years.Initially,it was discovered that abrupt electronic heterojunctions can be cre-ated with such structures.1Soon afterwards applications fol-lowed,including bipolar transistors,2imaging devices,3and solar cells.4For the latter it was recognized that the output parameters bene?t substantially from inserting a few nano-meter thin intrinsic a-Si:H?i??lm between the doped amor-phous emitter and c-Si substrate.For solar cells that feature a similar heterostructure back surface?eld,impressive energy conversion ef?ciencies exceeding21%have been reported.5 The role of the a-Si:H?i?buffer layer has been discussed in literature?see,e.g.,Refs.6–12?:It is known that such?lms can yield outstanding surface passivation for c-Si surfaces,13 but also that growth of an epitaxial interface during a-Si:H?i?deposition is detrimental for heterojunction device performance.12For hot wire chemical vapor deposited ?CVD?a-Si:H,where no ion bombardment takes place, abrupt interfaces have been obtained either by limiting the deposition temperature T depo?Ref.14?or by terminating the c-Si surface with a SiN x monolayer prior to a-Si:H deposition.15The abruptness of the interface,i.e.,whether instant a-Si:H deposition on c-Si occurred without initial epitaxial growth,was in these studies determined either by transmission electron microscopy?TEM??Refs.12,14,and 15?or by?in situ?spectroscopic ellipsometry?SE?,16for which mirror polished surfaces are desirable.To gain know- ledge about the electronic surface passivation properties of these interfaces,the most straightforward technique is by measuring the effective carrier lifetime?eff of the samples. Such measurements are known to be extremely sensitive, allowing for detection of bulk defect densities as low as 109–1011cm?3in a simple,contactless technique at room temperature.17 In this letter,we show that by low temperature?up to 260°C?postdeposition annealing,the surface passivation quality of direct plasma enhanced?PE?CVD a-Si:H?i??lms improves when the a-Si:H/c-Si interface is abrupt.This contrasts with the case when an epitaxial?lm has been grown at the interface,where the surface passivation quality is seen to degrade signi?cantly by a similar annealing treat-ment.Consequently,we argue that annealing followed by carrier lifetime measurements allows accurate determination of the onset of epitaxial growth in an easy-to-use way which is not restricted to polished c-Si surfaces. For the experiments,300?m thick relatively low resistivity??3.0?cm?boron-doped?oat zone?100??FZ?-Si?p?wafers have been used.Both surfaces of the sub-strates were mirror polished to eliminate the in?uence of substrate surface roughness on the passivation properties18 and to allow for SE measurements.For predeposition surface cleaning,the samples were?rst immersed in a ?H2SO4:H2O2??4:1?solution for10min to grow a chemical oxide,which was followed by a rinse in de-ionized water. The oxide was then stripped off in a dilute HF solution?5%?for30s.After this the samples were immediately transferred to the load lock of the deposition system.For?lm deposi-tion,a parallel plate direct PECVD reactor operated at radio frequency?rf??13.56MHz?power was used,in which the samples were mounted at the top electrode.The electrode distance and diameter were respectively20and230mm.An undiluted SiH4?ow of20SCCM?SCCM denotes cubic cen-timeter per minute at STP?was used and the chamber was maintained at low pressure?0.5Torr?.The value for T depo was varied from105to255°C.The rf power absorbed by the plasma was5W.This is the minimal power required to maintain a stable plasma at the given deposition conditions. To evaluate the surface passivation quality,identical?lms of about50nm thick were deposited on both wafer surfaces. After deposition,the samples were consecutively annealed in a vacuum furnace?30min,with annealing temperatures T ann ranging from120to260°C?.In between the annealing steps,the value for?eff of the samples was measured with a Sinton Consulting WCT-100quasi-steady-state photocon-ductance system,19operated in the so-called generalized mode.Since high quality FZ-Si wafers have been used throughout the experiments,the contribution of the bulk to the total recombination expressed by?eff can be neglected.In such a case,the effective surface recombination velocity S eff, which value can be regarded as a direct measure for the passivation quality of the?lms present at the surfaces,may a?Electronic mail:stefaan.dewolf@aist.go.jp APPLIED PHYSICS LETTERS90,042111?2007? 0003-6951/2007/90?4?/042111/3/$23.00?2007American Institute of Physics 90,042111-1