河北工业大学电气考研电路数电模电
以下为当年用的复习重点，不会有太大变化的，因为老师对这些东西已经烂熟于心
我来分享一下近几年专业课考试电路的变化情况。
总体来说，电路这几年的考研专业课试题经历了从2004~2006年的难度一般（05年略微偏难）到2007~2009年的较为偏难（其中以2008年为甚）再到2010~2012年的较为简单的过程。期间，学校出题老师虽然不同，但是可以大致看出，一些基础的知识点所占分数比重越来越大。比如以第一到第四章的基础知识部分，是整个电路的基础和灵魂。此部分分值由以前的20分左右增加到最近的接近40分，其实更多的是增加来大题中的运用。更考察大家的灵活解题能力。相比而言，正弦电路中对于耦合部分的考察最近越来越少了，三相电路的考察比重也有所下降。动态电路中，不再要求用运算法去计算电路，以前的状态方程的列写最近基本上也在试卷中绝迹。这些偏难考点的消失无疑降低了电路的难度，同时也给出一份合理的试卷造成了难度。因此，改革也就出现了。
改革后，试卷可能有什么变化呢？
从2012年考研出卷的情况来看，出题老师已经越来越倾向于不再对小题进行考察，2012年已经取消了选择题，不排除这次改革连填空题也取消的可能。但是无论是否取消填空，填空所占的分值都不可能很大。而且填空可涉及的知识点很多，也不方便总结，在此略去。个人分析，考试中完全以大题出现的可能性还是比较大的。
对于电路来说，基本的重点不会改变，对1~4章即线性电阻电路部分的考察，应该不会离开回路法，节点法这些基本计算方法。但是，其他内容不可能与这部分分开。也可能加入功率计算，最大功率传输的问题，也不排除计算中要应用到戴维宁定理等问题。当然，这部分可能出一个大题也可能出两个。
5~8章属于交流电路的分析问题，基本正弦稳态电路的计算依然是必会的内容。对于以前出现的考点，如耦合问题和三相电路，不能绝对保证能从2013年考研的考点中消失。但是这几年这部分考点较为弱化，大家复习的时候可以有所侧重。第八章基本上是不出题的。9~10章属于动态电路的问题，从这些年的考察中可以看出，对于一阶电路三要素法解题的考察还是非常看重的。因此也是经常考的问题。估计在2013年考研中不会去掉这种问题。11章，即二端口网络这几年出题也很少。但是12章的节点电压方程矩阵形式的列些，还是经常考的，这部分大家应该注意。第13章非线性电路的考察一直很少，历年来只考过小信号法分析非线性电路的问题。因此大家可以不用特别在意这部分。混合入模电问题后，这部分可作为放大电路分析的内容而不再进行考察。
从电路占40%的分值看来，这部分出4道大题的可能性很大，作为上面的分析，可能一部分出一道大题。
模拟电路部分
电子技术部分的介绍着重以本学校讲课即期末考试的重点为大家讲解。
模拟电子中最重要的一部分就是放大电路（对应2~3章），单管放大电路也好，两级放大电路也好。考察重点一般为三极管放大电路。MOS管放大电路的考察从来都很少，但是不排除出现的可能性。这是一个重要的复习重点：放大电路的计算，可能涉及的计算包括静态工作点，电压放大倍数，输入输出电阻。
放大电路的复合形成多级放大电路，并集成运算放大器。因此运算放大器的考察也是一个重点（对应4章和7.8章）。第四章来说考察内容较少，主要是第七章和第八章的分析计算，也包括振荡电路的形成（主要是正反馈条件的判断），画波形图和分析等。
频率特性（第五章）的考察比较少，但是这部分可能与电路的某些知识点综合起来，至于这部分是否会单独出题，目前还较为难说。
第六章也是一个考察的较多的章节，主要是针对反馈组态的判断，是否深度负反馈，反馈系数等相关内容的计算。
那么，还剩下的内容就是第九章和第十章，这两章内容第九章可能会出题，但是第十章出题的可能性不大。
模拟电子占30%即45分，3~4道大题是有可能的，但是应该可以看出来，放大电路是重点，后面的部分考察可能涉及运算放大器的内容会有一部分，剩下的，就从5,6,9章之中选择出题填满剩下的分值。
数字电路部分
数字电路部分的考察点就很简单了，肯定不会逃出组合逻辑电路，时序逻辑电路的分析和设计问题。对应书上4~6章，这是数字电路部分考察的主体部分，预计所占分值可能在30分左右，不排除考察内容全在这里（可能性较小）。第一章和第三章作为基础准备知识一般只涉及小点的考察。在复习中可以不着重去看此部分的内容，但是第二章还是可能出一个比较小的大题的。历年期末考试中，这部分基本是必出大题，出题种类不外乎卡诺图法，公式法化简或者根据逻辑图写出表达式并化简一类的，所以要注意。
剩下的内容里，第七章~第九章不出问题，第十章的施密特触发器这部分还是可能出现一些小问题的。
具体分析
模拟电路部分：（没说明部分是教学和考试中均不涉及的，不在此浪费空间）
第一章：常用半导体器件
1.1：了解半导体的两种载流子，知道PN结的概念
1.2：知道二极管的伏安特性和交流，直流等效电路。掌握管子的外特性
1.3：知道三极管的三个工作区，知道共射特性曲线。
1.4：了解场效应管的工作原理及场效应管和晶体管的比较
总结：总体来说，这部分的知识点以了解和知道的居多，很少有具体应用的，在出题中一般为小点，或者作为融入其他部分的题目中考核，一般不会单独出大题。
第二章：基本放大电路&第三章：多级放大电路
2.1：了解放大电路的基本指标
2.2：了解静态工作点设置的必要性，知道静态工作点的表达式
*2.3：会画放大电路的直流通路和交流通路，了解图解法求解放大电路的思路，知道放大电路的两种失真，会用等效电路法分析共射放大电路。
2.4：知道静态工作点稳定的原理
2.5：知道晶体管方法电路的几种接法和他们各自的特点
2.6：了解场效应管放大电路，会对简单的共源放大电路应用等效模型进行分析。
2.7：知道复合管的组成，复合管的正确接法
3.1：知道多级放大电路的耦合方式
3.2：会进行耦合放大电路的分析
*3.3:知道零点漂移现象以及抑制温漂的方法，知道长尾放大电路的特性，会计算单输出式长尾查分放大电路，知道长尾放大电路的改进形式，了解交越失真和消除方法
总结：这两部分可以说是模拟电子的基础，最重要的两个方面就是基本放大电路和多级阻容耦合的放大电路和长尾式差分放大电路的计算。计算的基本原理就是微变等效电路。因此这部分也是必须要会的内容。在考试中也是占有一定比重分量的。对于基本放大电路究竟考晶体管还是场效应管，只能说晶体管可能性更大，但是不排除考场效应管的可能。复习时请尤其注意这一部分。
第四章&第七章&第八章
4.1：知道集成运放的电压传输特性
4.2：知道基本电流源电路与改进型电流源电路
*7.1：知道深度负反馈下集成运放的虚短，虚断特性，并会用这一特性计算一下电路：比例，加减，积分与微分电路（其他不要求）
7.3：知道滤波电路原理和种类
*8.1：知道产生正弦波振荡的条件，能判断变压器振荡电路中引入正反馈的同名端，了解石英振荡电路的等效电路及振荡频率
*8.2：会画各类比较器的电压输出波形
8.3：了解矩形波，三角波，锯齿波发生电路的基本原理
总结：这三部分内容虽然占课本的篇幅很大，但是实际要考的内容不是很多，也不是很难。上面所列重点复习到位，这部分的分数应该很好拿到。
第五章：
5.1：知道频率效应的概念，了解电压放大倍数与频率之间的关系，知道上限截止频率和下限截止频率的概念。
5.2：了解晶体管π型等效电路
*5.4：会计算（具体参看例题，波特图部分不要求）
这一章只有一个要求计算的，但是不是总作为期末考试大题出现的，所以复习时可以不太注重此部分。
第六章：
6.1：会判断反馈的种类
6.2：知道反馈的四种基本组态并会判断
6.3：知道反馈的框图表示
*6.4：知道深度负反馈的实质，会计算其放大倍数
6.5：了解负反馈对放大电路的影响
这一部分虽然较为困难，但是基本的考察只有两类，一个是判断反馈的基本组态，一个是深度负反馈的放大倍数的计算。
第九章：
9.1：知道几种功率放大电路的构成
9.2：知道OCL电路的工作原理及计算
考试中有功率放大电路的相关计算，但是并不是每次都会出现在大题里
第十章：
知道直流电源的各部分组成，几种电路（整流，滤波，稳压）的特点或者相关计算。
出现在大题的部分中也较少，一旦出现，基本上是要求计算最后的稳压输出电压的。
数字电子部分：
第一章：
作为基础的第一章很少出现在大题中，了解数制和数制之间的转换，几种编码即可
第二章：
虽然同样作为基础，但是却经常出现在考试的大题中，主要有以下体型：
1. 根据逻辑关系图写逻辑函数式，并化简
2. 用公式法化简逻辑函数式
3. 用卡诺图法化简逻辑函数式
这部分内容也不是很难，但是记忆起来可能有些困难。所以要注意
第三章重点不多，主要要求大家明白TTL与CMOS门电路的区别，OC、OD与线与功能等，具体可参看后面给出的参考习题
第四章作为数电的一个主打重点，其重要作用不言而喻，大家在复习数电部分时应尤其注意这部分的复习。作为出题重点，组合逻辑电路的分析和设计都可能出大题，而重要的组合逻辑电路中，编码器译码器都有考过，也涉及过书上P179的十进制数码显示器。数据选择器在考试中也经常遇到，而加法器和数值比较器的考察相对较少。对于组合逻辑电路中的竞争—冒险现象，简要了解其成因和消除方法即可，一般考试中很难遇到。
第五章的触发器作为第六章的引子也有其重要之处，要求大家了解几类触发器的特性方程。知道触发器的触发方式及其特点。
第六章又是一个考试的重点。时序逻辑电路分析中，要求能写出电路的驱动方程，触发器的特性方程，并根据逻辑图写出输出关系。亦可能让大家画状态转换图（状态转换表和时序图不要求）。虽然异步时序逻辑电路的分析在书中画星号，但是期末考试中曾经考过，至于今年考研是否涉及这里的内容不得而知，希望大家不要忽略这一部分，这是唯一一处书上标星号但是却讲到和考到的内容。常用的时序逻辑电路中，寄存器考的较少，但是计数器涉及的相当广泛，考试中常常会有设计任意进制计数器的问题出现，可见这一部分的重要性。请复习中尤其注意这一部分的复习。
第七章和第八章课上只是简要介绍，考试中从未涉及，第九章没讲也不考
第十章涉及的部分也不是很多，有以下几点提醒大家注意：施密特触发器，单稳态触发器以及多谐振荡器的电路特点、基本工作原理及波形图；555定时器构成的三类电路及波形图。
第十一章考试中涉及不多，简要知道A/D、D/A转换的基本原理、过程、步骤即可。
相关配题：书上课后题中，本校老师主要要求大家掌握的习题
模拟电路部分：
1.8，9，10
2.7，11，12，13
3.6，7
4.3
5.4，5，6，12
6.4~6.9
7.4~7.6，7.8，7.10~7.12
8.10~8.15
9.4
10.15
数字电路部分
1.9，10
2.4，6，8，9，15，16，20，22，23
3.2，3，4，8，14，15，18
4.1~5，7，10，12，14，16~23，25
5.1，2，13~16，18，23，24，26，27
6.1~6，11~16，18~21，24，30，31，33
10.1，19
11.1
模拟电路课程设计心得体会
模拟电路课程设计心得 体会 内部编号：（YUUT-TBBY-MMUT-URRUY-UOOY-DBUYI-0128）
精选范文:《模拟电路》课程设计心得体会(共2篇)本学期我们开设了《模拟电路》与《数字电路》课，这两门学科都属于电子电路范畴，与我们的专业也都有联系，且都是理论方面的指示。正所谓“纸上谈兵终觉浅，觉知此事要躬行。”学习任何知识，仅从理论上去求知，而不去实践、探索是不够的，所以在本学期暨模电、数电刚学完之际，紧接着来一次电子电路课程设计是很及时、很必要的。这样不仅能加深我们对电子电路的任职，而且还及时、真正的做到了学以致用。这两周的课程设计，先不说其他，就天气而言，确实很艰苦。受副热带高气压影响，江南大部这两周都被高温笼罩着。人在高温下的反应是很迟钝的，简言之，就是很难静坐下来动脑子做事。天气本身炎热，加之机房里又没有电扇、空调，故在上机仿真时，真是艰熬，坐下来才一会会，就全身湿透，但是炎炎烈日挡不住我们求知、探索的欲望。通过我们不懈的努力与切实追求，终于做完了课程设计。在这次课程设计过程中，我也遇到了很多问题。比如在三角波、方波转换成正弦波时，我就弄了很长时间，先是远离不清晰，这直接导致了我无法很顺利地连接电路，然后翻阅了大量书籍，查资料，终于在书中查到了有关章节，并参考，并设计出了三角波、方波转换成正弦波的电路图。但在设计数字频率计时就不是那么一帆风顺了。我同样是查阅资料，虽找到了原理框图，但电路图却始终设计不出来，最后实在没办法，只能用数字是中来代替。在此，我深表遗憾!这次课程设计让我学到了很多，不仅是巩固了先前学的模电、数电的理论知识，而且也培养了我的动手能力，更令我的创造性思维得到拓展。希望今后类似这样课程设计、类似这样的锻炼机会能更多些!
数电考研复习
复 习 1. 一个CMOS 与非门的延迟时间为10ns ，那么由CMOS 组成的与缓冲器的延迟为多少ns ？ （a ）5 ns （b ）10 ns （c ）15 ns （d ）20 ns （e ）30 ns 2. 请看图3由CMOS 非门和与非门构成的电路，每个门的延迟时间为15 ns 。在输入端提供一脉冲，一个周期为200 ns ，占空比为60%，请问下列情况： 电路功能 ，输出一个周期为 ，占空比为 。 3. 请参看图4，试叙述电路工作原理，并说明电路功能。 4. 有四个J-K 触发器，R 和S 无效，J 和K 接高电平，第一个J-K 触发器的时钟接在外加时钟信号，第一个的输出Q 端作为第二个J-K 触发器的时钟，第二个的输出Q 端作为第三个J-K 触发器的时钟，第三个的输出Q 端作为第四个J-K 触发器的时钟，且每个J-K 触发器时钟为低电平有效，问电路完成什么功能？ 。若每个J-K 触发器时钟为高电平有效，问电路又完成什么功能？ 。 5. 请参看图5，试叙述电路工作原理，并说明电路功能。 图 3 OUT CLK BCD 码A 3A 2A 1A 0=0000（MSB …LSB ） BCD 码B 3B 2B 1B 0=1000（MSB …LSB ） 图 4
6. 请写出下列英文缩写的英文全称。 （1） ASCII ： （2） FPGA ： （3） VHDL ： （4） BCD ： （5） DRAM ： 7．图6方框图表示双极型TTL 工作电压的三个范围，如果规定正逻辑，请在适当的位置标出逻辑1、逻辑0和未定义逻辑区。 图 5 CLK 5.0V 3.5V 1.5V 0.0V 图 6
河北工业大学材料学院优秀学生干部标兵评选细则
河北工业大学材料学院优秀学生干部标兵评选细则学生干部在思想政治教育、丰富校园文化生活、促进学校建设等方面发挥着积极的作用，是学校教书育人工作中的一支重要力量，为鼓励更多的优秀学生担任学生干部，促进良好院风、学风的建设，激励广大学生刻苦学习，奋发成才，现将河北工业大学材料学院优秀学生干部标兵的具体评选范围、条件及评选办法公布如下： 一、评选范围 范围为材料学院在籍的本科生及研究生中校级或院级学生会主席、副主席、部长、学生各社团主要负责人且任期满一年，学生党支部、团支部、班委会主要干部且任期满两年。 二、评选机构 在学院统一领导下，成立由主管领导任组长，由辅导员、教师代表、学生代表组成的学院评选委员会。委员会下设办公室，办公室设在学院学工组。 三、评选名额为名 四、评选时间 定于每年月日至月日。 五、评选条件 、具有坚定正确的政治方向，坚持党的基本路线，牢固树立科学发展观，坚持以科学的理论武装自己，迫切要求进步，积极靠近组织，能够在各项工作和集体活动中积极组织，并能起到带头作用，带领同学模范的遵守国家法令和学校的各项规章制度，勇于开展批评与自我批评，敢于同不良现象做斗争。 、热心为同学服务，工作责任心强，能够踏踏实实、任劳任怨地做好工作；具有一定的语言表达、组织管理、协调合作的能力，善于沟通，积极调动广大同学的积极性，并取得显著成绩；善于总结经验，仔细听取广大同学的意见，能够创造性地开展各项活动并出色完成各
项工作任务。 、学习仔细刻苦，目的明确，态度端正，比较好地处理学习与工作的关系，加权平均成绩在分以上。综合测评排名在班级前，无考试不及格现象，通过大学英语四级和计算机一级，未受过任何处分。 、在德、智、体各方面能以身作则，作风民主，有广泛的群众基础，在学生中有较高的威信。 六、评选步骤、要求 . 宣传发动阶段：月日，学院下发评选通知，并通过多种途径进行宣传报道。 . 学生自荐或班级推荐阶段：月日日，符合条件的学生，可以通过自荐或由所在班级推荐参评，将本人书面申请、荣誉证书复印件、个人参评成果证明以及登记表等材料，在规定时间内送交材料学院学工组。 .候选人资格审查阶段：月日日，学工组汇总参评学生信息，对申请人进行资格审查。如发现弄虚作假，委员会有权取消候选人参评资格，并对其进行处理。 . 初选名单审定阶段：月日日，学院评选委员会对申请人选进行审定，初定名“优秀学生干部标兵”候选人。 . 风采展示阶段：月日月日，候选人需制作进行自我介绍，演讲时间分钟以内；然后由师生投票（权重，分为教职工投票和学生投票两种投票方式）和学院评选委员会投票（权重）确定“优秀学生干部”正式名单。 .初选名单公示阶段：对投票产生的正式名单进行为期三天的公示，通过校园网、宣传橱窗等方式，接受广大师生监督。 七、奖励办法 .授予材料学院“优秀学生干部标兵”荣誉称号，颁发荣誉证书和奖品。
河北工业大学化工学院导师
化工学院硕士研究生指导教师名单 （按姓氏笔画排列） 1 、070305 高分子化学与物理 丁会利、王月欣、王家喜、任丽、刘国栋、刘宾元、张福强、张庆新、张旭、杨永芳郑德、袁金凤、郭宏飞、秦大山、解一军、潘明旺、黎钢、瞿雄伟 2 、080706 化工过程机械 王金戌、史晓平、刘鸿雁、刘燕、张及瑞、张少峰、张继军、李春利、陈建民、陈文义、赵景利、赵斌、高炳军 3 、081701 化学工程 王洪海、王志英、刘继东、刘智勇、吕建华、张文林、李春利、李柏春、 杨振生、袁俊生 4 、081702 化学工艺 王延吉、王桂荣、王桂赟、王淑芳、王军、冯树波、田辉平、邓会宁、刘振法、 刘智勇、刘雁、任铁真、纪志永、张林栋、张敏卿、李金来、李彦涛、李焕荣、李芳、陈霄榕、陈建新、杨红健、周秋香、侯凯湖、胡琳娜、赵新强、赵继全、耿艳楼、 高静、袁俊生、常俊石、曹吉林、程庆彦、谢英惠、薛伟 5 、081703 生物化工 史延茂、田连生、齐树亭、吴兆亮、宋水山、邹晋、胡滨、高静、董庆霖、郑辉杰、荆迎军、黄亚丽 6 、081704 应用化学 王月欣、王家喜、王振平、王荷芳、卢星河、刘宾元、刘红光、刘秀伍、刘洁翔、
朱令之、许刚、李效军、李梦青、李国华、张福强、张月成、张颖、张惠欣、张西慧陈玉焕、罗萍、赵继全、段中余、郝玉芝、高忠良、姚颖悟、章文军、龚金保、 韩恩山、滕厚开、潘明旺、黎钢 导师详情 姓名性别职称研究方向 丁会 利 男教授聚合物基复合材料 王月 欣 女教授通用塑料高性能化 王延 吉 男教授绿色催化反应过程与工艺,材料化学 王金 戌 男高工化工分离过程 王振 平 男教授有机地球化学理论及应用 王家 喜 男教授功能高分子的设计、合成及应用，催化 王桂 荣 女教授绿色化工 王桂赟女教授 海水资源的综合利用、钙钛矿型无机材料的合成 及应用性能的研究 王淑 芳 女教授绿色化学 冯树 波 男副研究员工业催化 卢星 河 男副教授电化学、新型能源材料史延 茂 男副研究员微生物发酵工程 史晓 平 男副教授化工过程传热强化与优化田连 生 男高级工程师生物防治 田辉男高级工程师催化材料工程研究
河北工业大学学术论文分类办法(试行)资料
河北工业大学文件校政字〔2013〕257号签发人：展永 河北工业大学学术论文分类办法（试行） 为加快推进我校高水平大学建设，提升学术水平，提高学术地位，实现相关学术管理工作的科学化和规范化，促进高质量学术论文的产出，在广泛调研和征求学校有关部门、单位意见的基础上，按照质量导向、学科导向、总量平衡和结构优化的原则，借鉴国际、国内学术科研机构学术论文分类标准，结合我校实际情况，制定本学术论文分类办法。 一、论文分类 根据本分类办法，将我校学术论文划分为A、B、C、D四类。 （一）A类论文 1、美国科学信息研究所（ISI）每年公布的期刊引证报告（JCR）的科学引文索引（SCIE）收录的期刊论文。 根据国内公认的权威机构对SCIE收录期刊的分区情况，在第一至第四区期刊上发表的论文分别为A1、A2、A3、A4级论文。其中，在《Science》、《Nature》上发表的论文以及ISI基本科学指标数据库（ESI）高被引论文为A0级论文。
2、ISI社会科学引文索引（SSCI）、艺术与人文引文索引（AHCI）收录期刊上发表的论文。论文的分级原则同上。 3、《中国科学》（A～G辑，中英文）、《新华文摘》（全文转载）、《人民日报》、《光明日报》(理论版学术论文)以及各学科认定的其他A类期刊（见附件1、附件2）上发表的论文为A5级论文。 （二）B类论文 1、美国工程信息中心发布的“工程索引”（EI）数据库核心部分收录的期刊论文（检索类型JA）。 2、中国科学院国家科学图书馆公布的“中国科学引文数据库”（CSCD）收录期刊论文。 3、南京大学中国社会科学研究评价中心公布的“中文社会科学引文索引”（CSSCI）来源期刊论文。 在EI、CSCD核心库、CSSCI核心库收录期刊上发表的论文为B1级论文，在CSCD与CSSCI扩展版收录期刊上发表的论文为B2级论文。 （三）C类论文 1、北京大学图书馆最新编制的《中文核心期刊要目总览》收录核心期刊论文。 2、中国管理科学研究院“科学引文数据库”（SCD）收录期刊论文。 （四）D类论文
基础工程河北工业大学(期末复习资料)
天然地基：未经人工处理处理就可以满足设计要求的地基。 人工地基：天然地层图纸过于软弱或存在不良工程地质问题，需要经过人工加固或处理后才能修筑基础。 浅基础：埋置深度较浅（一般在数米以内），且施工相对简单的基础，在设计计算中，可忽略基础侧面土体的摩阻力和侧向抗力（如刚性扩大基础，柔性扩大基础） 深基础：浅层图纸不良，需将地基至于较深的良好图层上，且在设计计算中不能忽略基础侧面土体的摩阻力和侧向抗力的基础形式（桩基础、沉井基础、地下连续墙） 浅基础，综述 刚性基础（无筋扩展基础）：当基础圬工具有足够的截面使材料的容许应力大于有地基反力产生的弯曲拉应力和剪应力时，基础不产生裂缝而不需配置受力钢筋，这种基础称为刚性基础。 柔性基础（钢筋混凝土扩展基础）：在外力和地基外力的作用下，基础本身发生较明显的变形，基础刚度较小，不可以承受压力，弯曲拉应力和剪应力，需要配置钢筋。 因为刚性基础不易变形的特点，使其一般应用于桥梁基础 扩散角：自墩台身边缘处的垂线与基地边缘的连线的夹角α 刚性角：自墩台身边缘处的垂线与基地边缘的连线最大夹角αmax。（由基础本生的材料决定的） 当α≤αmax则安全（刚），所以通常也用刚性角来定义刚性基础和柔性基础 浅基础的构造 刚性扩大基础、单独和联合基础、条形基础、筏板和箱型基础 由于地基强度一般较墩台或墙柱圬工的强度低，因而需要将地基平面尺寸扩大以满足地基强度要求，这种刚性基础有成为刚性扩大基础 地基承载力容许值[?a]（修正后得到的）地基承载力基本容许值[?a0] 地基承载力容许值的确定 地基承载力容许值[?a]，由下式确定。当基础位于水中不透水地层上时，[?a]按平均常水位至一般冲刷线的水深每米再增大10kPa [?a] = [?a0] + k1γ1(b-2) + k2γ2（h-3） [?a]——地基承载力容许值（kPa） b——基础底面的最小变宽（m），当b<2m，时取b=2m； 当b>10m，时取b=10m h——基地埋置深度（m），自天然地面起算，有水流冲刷时自一般冲刷线算。 当h<3m，时取b=3m； 当h/b>4m，时取h=4bm； k1、k2——基底、深度修正系数，根据基底持力层土累呗按表确定 γ1——基底持力层土天然重度（kN/m 3），若持力层在水面以下切为透水者，应取浮 重度 γ2——基底以上土层的加权平均重度（kN/m 3），换算是若持力层在水面以下，且不 不透水时，不论基底以上土的透水性质如何，一律去饱和重度；当透水时，水 中土层则应取浮重度
河北工业大学材料力学重点及其公式
工业大学材料力学重点及其公式 材料力学的任务 （1）强度要求；（2）刚度要求；（3）稳定性要求。 变形固体的基本假设 （1）连续性假设；（2）均匀性假设；（3）各向同性假设；（4）小变形假设。 外力分类：表面力、体积力；静载荷、动载荷。 力：构件在外力的作用下，部相互作用力的变化量，即构件部各部分之间的因外力作用而引起的附加相互作用力 截面法：（1）欲求构件某一截面上的力时，可沿该截面把构件切开成两部分，弃去任一部分，保留另一部分研究（2）在保留部分的截面上加上力，以代替弃去部分对保留部分的作用。（3）根据平衡条件，列平衡方程，求解截面上和力。 应力： dA dP A P p A = ??=→?lim 0正应力、切应力。 变形与应变：线应变、切应变。 杆件变形的基本形式 （1）拉伸或压缩；（2）剪切；（3）扭转；（4）弯曲；（5）组合变形。 静载荷：载荷从零开始平缓地增加到最终值，然后不再变化的载荷。 动载荷：载荷和速度随时间急剧变化的载荷为动载荷。 失效原因：脆性材料在其强度极限 b σ破坏，塑性材料在其屈服极限 s σ时失效。二者统称为极限应力理想情形。塑性 材料、脆性材料的许用应力分别为： []3n s σσ=，[]b b n σσ=，强度条件： []σσ≤??? ??=max max A N ，等截面杆 []σ≤A N max 轴向拉伸或压缩时的变形：杆件在轴向方向的伸长为：l l l -=?1，沿轴线方向的应变和横截面上的应力分别为：l l ?= ε，A P A N == σ。横向应变为：b b b b b -=?=1'ε，横向应变与轴向应变的关系为：μεε-=' 。 胡克定律：当应力低于材料的比例极限时，应力与应变成正比，即 εσE =，这就是胡克定律。E 为弹性模量。将应力与应变的表达式带入得：EA Nl l = ? 静不定：对于杆件的轴力，当未知力数目多于平衡方程的数目，仅利用静力平衡方程无法解出全部未知力。 圆轴扭转时的应力 变形几何关系—圆轴扭转的平面假设dx d φργρ=。物理关系——胡克定律dx d G G φργτρρ==。力学关系dA dx d G dx d G dA T A A A ??? === 2 2ρφφρρτρ 圆轴扭转时的应力：t p W T R I T ==max τ；圆轴扭转的强度条件： ][max ττ≤= t W T ，可以进行强度校核、截面设计和确定许可载荷。 圆轴扭转时的变形：??== l p l p dx GI T dx GI T ?；等直杆：p GI Tl =? 圆轴扭转时的刚度条件： p GI T dx d == '??，][max max ??'≤='p GI T 弯曲力与分布载荷q 之间的微分关系)()(x q dx x dQ =；()()x Q dx x dM =；()()()x q dx x dQ dx x M d ==2 2 Q 、M 图与外力间的关系
考研《数字电子技术》考试大纲
考研《数字电子技术》考试大纲 暨南大学2016考研《数字电子技术》考试大纲 Ⅰ、考查目标 1.考查考生对数字电路的基本概念和基本定理的理解程度; 2.考查考生应用数字电路的基本原理和方法对组合逻辑电路、时序逻辑电路进行分析和设计的能力; 3.考查考生对脉冲电路、A/D、D/A转换器工作原理的了解和对可编程逻辑器件的应用程度。 Ⅱ、考试形式和试卷结构 一、试卷满分及考试时间 本试卷满分为150分，考试时间为180分钟 二、答题方式 答题方式为闭卷、笔试 三、试卷内容结构 基础知识50分 电路分析和设计100分 四、试卷题型结构 单项选择题30分(10小题，每小题3分) 填空题10分(5个空，每空2分) 综合应用题110分 五、参考书：《数字电子技术基础》阎石，第四版，高等教育出版社 Ⅲ、考查范围 第一章逻辑代数基础 1、数制和码制、各码制之间的换算 2、逻辑代数中的基本运算和复合运算关系 3、逻辑代数中的基本公式和常用公式和三个基本定理 4、逻辑函数及其表示方法 5、逻辑函数的两种标准形式 6、逻辑函数的公式化简法 7、逻辑函数的卡诺图化简法 第二章门电路 1、TTL门电路 2、TTL反相器的电路结构和工作原理 3、TTL反相器的静态输入特性和输出特性 4、TTL门电路输入端的的动态特性 5、其他类型的TTL门电路 6、COMS反相器的工作原理 7、COMS反相器的静态输入和输出特性
8、其他类型的COMS门电路 第三章组合逻辑电路 1、组合逻辑电路的分析方法和设计方法 2、若干常用的组合逻辑电路的功能及应用 2.1编码器 2.2译码器 2.3数据选择器 2.4加法器 2.5数值比较器 第四章触发器 1、触发器的电路结构与动作特点 2、触发器的逻辑功能及其描述方法(各种触发器的特性表及特性方程) 3、不同逻辑功能的触发器之间的转换 第五章时序逻辑电路 1、时序逻辑电路的分析方法 1.1、同步时序逻辑电路的分析方法 1.2、时序逻辑电路的状态转换表、状态转换图和时序图 1.3、简单的异步时序逻辑电路的分析(通过画时序图分析电路的逻辑功能) 2、若干常用的时序逻辑电路的功能和应用 2.1寄存器和移位寄存器 2.2计数器 2.3顺序脉冲发生器 2.4序列信号发生器 3、同步时序逻辑电路的设计方法 第六章脉冲波形的产生和整形 1、施密特触发器电路、特性、应用 2、单稳态触发器电路、特性、应用 3、多谐振荡器电路、特性、应用 4、555定时器及其应用 4.1、555定时器的电路结构与功能 4.2、用555定时器接成的施密特触发器 4.3、用555定时器接成的单稳态触发器 4.4用555定时器接成的多谐触发器 第七章半导体存储器 7.1、只读存储器(ROM) 7.2、掩模只读存储器 7.3、可编程只读存储器(PROM) 7.4、可擦除的可编程只读存储器(EPROM) 7.5、随机存储器(RAM) 7.6、用存储器实现组合逻辑函数 第八章可编程逻辑器件 8.1、现场可编程逻辑阵列(FPLA) 8.2、可编程阵列逻辑(PLA)
南开大学考研数电模电复习资料以及心得分享
同学们，又是一年考研热，在这炎热的暑假里，我们每个考研学子都是怀着一样的梦想，一样的希望，聚集起来，共同奋斗，考上我们理想的学校。这一年注定了艰辛万苦，注定了我们要放弃很多，虽然这一年我们只有通过我们不懈的努力，才能达到幸福的彼岸，学习没有捷径，这是我们公认的道理，但是学习方法可以大大的提高我们的学习效率，有时候还有事半功倍的效果。 考研历程——各个阶段 考研注定了是份艰辛的工作，和大家一样，从大三上半学期就开始投入考研，但也是热热身，真正的投入考研的状态也是在暑假以后，暑假的这个假期是我们提高最快，最有效果的阶段，所以大家一定要好好把握这个阶段的复习（特别是数学、英语的复习）。从暑假开始到8月份之前，我一直就专供数学和英语，每天早上6点起床，去自习室把前一天不会的英语单词和不理解的句子统统在过一遍，时间充裕的同学可以在读读新概念4的短文，自我感觉在8月份之前重要的就是英语单词。大概读到8点，就翻开数学书，暑假这个阶段都是在做李永乐的全书，每天给自己制定计划，下午2点半到5点半的时间都是给英语的，开始先做得是张剑的150篇，之后就是把从05年之前的英语考研真题阅读理解部分开始做，把不会的单词和一些自己翻译不通顺的句子做好笔记。晚上还是数学部分的复习（主要是课本基础知识）。考研最主要就是不停的重复，重复才能避免遗忘，才能避免生疏。如果要考好学校的同学，建议在8月份就开始着手专业课的复习，这样时间充沛，容易查漏补缺。 ——13年专业课考试（数电，模电） 数电大家都觉得很容易，但往往很容易的科目，考研时候，出的题目会比较恶心，所以大家不要掉以轻心。例如在13年南开大学专业课考试当中就不走寻常路，在涵盖以往考试重点的情况下，加以创新（特别是最后一大题的设计题）。模电可能给大家的印象会比较难，难也有难得好处，出题方面会比较注重基础，例如13年模电考试，和以往的题目没什么太大的变化，基础的放大电路，基础的反馈电路，还有对放大电路的设计，估算等等。 ——专业课复习（数电、模电） 建议大家在8月份开始就着手专业课的复习，最基础的就是教材，南开大学模电（秦世才，贾香鸾）和数电（杨文霞、孙青林）的教材，版本比较陈旧，（我买的时候就很难买到），特备是模电数，概念和题目都比较生涩难懂，建议大家可以先看看自己学校的数电模电教材，之后在看指定教材，这样会更好理解，而且所花的时间比较短。大概10月份之前就是注重教材，重基础，课后练习题。10月份之后就要专心研究历年真题，因为真题就涵盖了这个学院比较容易考的重点。在冲刺阶段可以适当做些模拟题，掌握做题方法和技巧。 ——关于上辅导班 这个大家可以按需分配，我当时因为英语不好，报了一个英语辅导班，感觉提高很大，所以大家如果时间允许可以报一个辅导班，因为考研老师教你的一些方法对你确实有帮
材料专业全国排名及考研感受
材料专业全国排名及某人考研感受 材料专业全国排名 材料学（160） 排名学校名称等级 1 清华大学A+ 2 西北工业大学A+ 3 北京科技大学A+ 4 上海交通大学A+ 5 哈尔滨工业大学A+ 6 同济大学A+ 7 东北大学A+ 8 北京航空航天大学A+ 9 浙江大学A 10 华南理工大学A
11 中南大学A 12 四川大学A 13 山东大学A 14 武汉理工大学A 15 西安交通大学A 16 北京化工大学A 17 北京工业大学A 18 中国科学技术大学A 19 天津大学A 20 东华大学A 21 南京理工大学A 22 合肥工业大学A 23 燕山大学A 24 吉林大学A 25 上海大学A
26 重庆大学A 27 大连理工大学A 28 湖南大学A 29 华中科技大学A 30 昆明理工大学A 31 北京理工大A学 32 武汉科技大学A B+等(48个)：南京大学、东南大学、武汉大学、复旦大学、西安建筑科技大学、河北工业大学、兰州理工大学、郑州大学、南京工业大学、西安理工大学、厦门大学、电子科技大学、江苏大学、中国石油大学、太原理工大学、华东理工大学、哈尔滨工程大学、陕西科技大学、西南交通大学、广东工业大学、哈尔滨理工大学、苏州大学、青岛科技
大学、湘潭大学、青岛大学、福州大学、华侨大学、陕西师范大学、天津工业大学、湖北大学、南京航空航天大学、长春理工大学、沈阳工业大学、长安大学、武汉工程大学、南昌大学、中国地质大学、河南科技大学、安徽工业大学、暨南大学、中国矿业大学、景德镇陶瓷学院、内蒙古科技大学、河海大学、大连交通大学、西南科技大学、长春工业大学、浙江理工大学B等(48个)：浙江工业大学、南昌航空工业学院、北京交通大学、济南大学、西华大学、重庆交通大学、中国海洋大学、深圳大学、湖南科技大学、河南师范大学、江苏科技大学、山东轻工业学院、江南大学、沈阳理工大学、云南大学、江西理工大学、贵州大学、兰州大学、安徽大学、
新版河北工业大学材料与化工考研经验考研参考书考研真题
回首过去一年的各种疲惫，困顿，不安，怀疑，期待等等全部都可以告一段落了，我真的是如释重负，终于可以安稳的让自己休息一段时间了。 虽然时间如此之漫长，但是回想起来还是历历在目，这可真是血与泪坚坚实实一步步走来的。相信所有跟我一样考研的朋友大概都有如此体会。不过，这切实的果实也是最好的回报。 在我备考之初也是看尽了网上所有相关的资料讯息，如大海捞针一般去找寻对自己有用的资料，所幸的是遇到了几个比较靠谱的战友和前辈，大家共享了资料和经验。他们这些家底对我来讲还是非常有帮助的。 而现如今，我也终于可以以一个前人的姿态，把自己的经验下下来，供大家翻阅，内心还是比较欣喜的。 首先当你下定决心准备备考的时候，要根据自己的实际情况、知识准备、心理准备、学习习惯做好学习计划，学习计划要细致到每日、每周、每日都要规划好，这样就可以很好的掌握自己的学习进度，稳扎稳打步步为营。另外，复试备考计划融合在初试复习中。在进入复习之后，自己也可以根据自己学习情况灵活调整我们的计划。总之，定好计划之后，一定要坚持下去。 由于篇幅较长，还望各位同学能够耐心看完，在结尾处附上我的学习资料供大家下载。 河北工业大学材料与化工初试科目：(101)思想政治理论(201)英语一 （302）数学二(851)化工原理 (851)化工原理参考书： [1]《化工原理（上、下）》，主编：李春利等，浙江大学出版社。 [2]《化工原理（上、下）》，主编：陈敏恒等，化学工业出版社。
[3]《化工原理（上、下）》，主编：柴城敬，高等教育出版社。 [4]《化工原理实验》，主编：张金利等，天津大学出版社。 [5]《化工原理实验》，主编：刘继东等，天津教育出版社。 关于英语复习。 我提一个建议，考研单词主要是用于阅读，所以知道意思即可，建议背单词书的同学不要死啃单词书，以“过单词”的方式背单词，每个单词记忆时间不要太长，不然很容易走神，效率也会很低，背诵单词应利用好零碎的时间，如吃饭之前半个小时，饭后半个小时，也可以穿插在复习专业课期间学累了的时候。 我大概早上会有半个小时的时间来背单词，考研单词大多数是不要求掌握拼写的，在阅读中见到能认出即可，所以速度可以快一点，多重复几遍。早上大概背一到两个单元，晚上睡觉之前再听一遍录音，第二天再迅速的复习一下，效果还不错。阅读还是要多读多看，一遍一遍地过。大家应该也都报了相应的辅导班，老师会有自己的节奏，跟着走就好。特别推荐大家可以多看一些课外的英语文章，了解下英语阅读的背景知识。作文从晚些开始就可以，多背范文，自己总结一些好的句子、模板，力争和别人不一样。作文部分还是要给予高度重视的，我身边有同学就是客观题做的特别好，但是大小作文分数特别低，导致总分比较低。 英语前期单词一定要抓紧，所以说我觉得听听网课也是可以的，但不是必须，如果时间紧的话，但是单词必须过关，根据你的记忆曲线滚动复习，可以作为每天零碎时间用，吃饭走路啥的，把时间利用起来。阅读从始至终不能丢，尤其到了后期，英语这个东西如果一放下，就很难拾起来，那之前的功夫就白花了，所以你可以不用每天拿出三四个小时，但是要每天不间断学习。 其次是阅读，我觉得木糖英语真题手译真的很好。他的真题解析部分会教一
东北电力大学电路分析考研模拟试题套及答案
东北电力大学电路分析考研模拟试题（Ⅰ） 二. 填空（每题1分，共10分） 1．KVL体现了电路中守恒的法则。 2．电路中，某元件开路，则流过它的电流必为。 3．若电路的支路数为b，节点数为n，则独立的KCL方程数 为。 4．在线性电路叠加定理分析中，不作用的独立电压源应将 其。 5．如果两个单口网络端口的完全相同，则这两个单口网络等效。 6．若一阶电路电容电压的完全响应为uc(t)= 8 - 3e-10t V,则电容电压的零输入响应为。 7．若一个正弦电压的瞬时表达式为10cos(100πt+45°)V,则它的周期T 为。 8．正弦电压u1(t)=220cos(10t+45°)V, u2(t)=220sin(10t+120°)V, 则相位差φ12＝。 9．若电感L＝2H的电流i =2 cos(10t+30°)A (设u ,i为关联参考方向)，则它的电压u为。 10．正弦稳态电路中,若无源单口网络吸收的复功率S~＝80＋j60 VA,则功率因数λ＝。 *11．L1=5H, L2=2H, M=1H 的耦合电感反接串联的等效电感 为。 三．求下图单口网络的诺顿等效电路，并画等效电路图。(15分) a b 四．用结点分析法，求各结点电位和电压源功率。(15分) 1 2 五．一阶电路如图，t = 0开关断开，断开前电路为稳态，求t ≥ 0电感电流i L(t) ,并画出波形。(15分) 六．含理想变压器正弦稳态相量模型电路如图，Us&＝100∠0°V，求U&3。(15分) *七．含空心变压器正弦稳态电路如图，u S(t)2°)V, 求电流i1(t), i2(t)。(15分) 东北电力大学电路分析考研模拟试题（Ⅱ） 一．单项选 D．10∠180°V
2011河北工业大学材料学院课题组介绍
2011河北工业大学材料学院课题组介绍 1. 高性能热镀合金技术及工程化 在热镀锌领域，以高性能热镀合金为研究对象，通过研究节能、环保、减排、高效生产的先进技术与工程化问题，最终实现提高热镀锌制品的性能，改变传统行业的高污染、高消耗、低产出的落后面貌的总目标。具体的研究内容涉及热镀合金的性能、工艺性研究，各种金属制品的热镀合金的工艺技术、原理及设备的研究以及工程应用中涉及的问题的解决。最终实现新技术的工业化实施。 成员：廖波曹晓明马瑞娜温鸣武建军范永哲 在研项目： 1). Fe-B共晶合金在液态锌中的腐蚀规律与机理国家自然科学基金2009-2011 2). α-Fe2B共晶合金在液锌中的腐蚀机理研究河北省自然基金项目2008-2011 3). 镁合金超声波纳米化学复和镀机理研究河北省自然基金项目2009-2011 4). 高效环保热镀钢丝工艺和设备的研究科技人员服务企业项目2009-2011
地址：动力楼204，206, 材料科学楼 2.金属复合材料 在结构金属复合材料研究方面，通过对非晶纳米晶细化孕育剂的基础理论研究和技术创新，研制用于铝、钛和钢铁材料的非晶纳米晶孕育细化剂，研发性能优异用于航空航天和汽车工业的高强金属复合材料产品。在功能金属复合材料方面，研究生物性能优异的系列钛合金复合材料，构建新型钛合金生物医用复合材料体系，开发出高耐蚀、高生物活性钛合金生物医用零部件。开展纳米磁性复合材料的制备、界面微结构和磁性性能的基础研究工作。 成员：崔春翔孙继兵步绍静王清周戚玉敏杨薇刘双进丁贺伟王铁宝 在研项目： 1).原位纳米TiB2、AlN颗粒增强Al-Cu-Mg-Mn-Ag高强度复合材料的研究国家科技部国际科技合作计划项目2010.01-2013.12 2).自生陶瓷颗粒增强钛合金复合材料民航发动机紧固螺栓天津市科技支撑重点项目2009.4-2012.3
数电考研阎石《数字电子技术基础》考研真题与复习笔记
数电考研阎石《数字电子技术基础》考研真题与复习 笔记 第一部分考研真题精选 第1章数制和码制 一、选择题 在以下代码中，是无权码的有（）。[北京邮电大学2015研] A．8421BCD码 B．5421BCD码 C．余三码 D．格雷码 【答案】CD查看答案 【解析】编码可分为有权码和无权码，两者的区别在于每一位是否有权值。有权码的每一位都有具体的权值，常见的有8421BCD码、5421BCD码等；无权码的每一位不具有权值，整个代码仅代表一个数值。 二、填空题 1（10100011.11）2＝（）10＝（）8421BCD。[电子科技大学2009研] 【答案】163.75；000101100011.01110101查看答案 【解析】二进制转换为十进制时，按公式D＝∑k i×2i求和即可，再由十进制数的每位数对应写出8421BCD码。 2数（39.875）10的二进制数为（），十六进制数为（）。[重庆大学2014研] 【答案】100111.111；27.E查看答案
【解析】将十进制数转化为二进制数时，整数部分除以2取余，小数部分乘以2取整，得到（39.875）10＝（100111.111）2。4位二进制数有16个状态，不够4位的，若为整数位则前补零，若为小数位则后补零，即（100111.111）2＝（0010 0111.1110）2＝（27.E）16。 3（10000111）8421BCD＝（）2＝（）8＝（）10＝（）16。[山东大学2014研] 【答案】1010111；127；87；57查看答案 【解析】8421BCD码就是利用四个位元来储存一个十进制的数码。所以可先将8421BCD码转换成10进制再进行二进制，八进制和十六进制的转换。（1000 0111）8421BCD＝（87）10＝（1010111）2 2进制转8进制，三位为一组，整数向前补0，因此（001 010 111）2＝（127）8。同理，2进制转16进制每4位为一组，（0101 0111）2＝（57）16。 4（2B）16＝（）2＝（）8＝（）10＝（）8421BCD。[山东大学2015研] 【答案】00101011；53；43；01000011查看答案 【解析】4位二进制数有16个状态，因此可以将一位16进制数转化为4位二进制数，得到（2B）16＝（0010 1011）2；八进制由0～7八个数码表示，可以将一组二进制数从右往左，3位二进制数分成一组，得到（00 101 011）2＝（53）8；将每位二进制数与其权值相乘，然后再相加得到相应的十进制数，（0010 1011）2＝（43）10；8421BCD码是一种二进制的数字编码形式，用二进制编码的十进制代码。因此可以将每位二进制数转化为4位8421BCD码，（43）10＝（0100 0011）8421BCD。
河北工业大学历史
河北工业大学从创建到现在已有百年，虽历尽沧桑、多次变动，但历史沿革的脉络较为清楚，主线鲜明。大体经历可分为以下几个阶段： 1、前清阶段 1903年1月，天津知府凌福彭受直隶总督袁世凯委派，筹建了北洋工艺学堂（学校最前身），选址天津旧城东南贡院草厂庵，即行招收学生30人。 1903年3月19日，学校开学，正式开办。当时设立化学、染织及普通各科，学制三年。周学熙任总办，日本工学士藤井恒久任教务长，赵元礼任庶务长。 1904年，遵照学部章程改北洋工艺学堂为直隶高等工业学堂。 1907年，学校有了第一批毕业生，先后共50名，其中14名优秀者被选派去日本学习深造。 此时，学校已设化学科、机器科、化学制造科、化学专科、机器专科、绘图科等6科和甲乙两班预备科。 由于学生数额增多，堂舍偏窄，遂于当年9月报请直隶学务处，在天津河北黄纬路另建新校舍，1908年6月竣工，7月迁入新址。学生数增加至200余名，教司13人，其中日本教司5人。 这期间先后有周学熙、毛庆藩、孙多森相继任总办。 2、民国时期 1912年8月，根据教育部颁令直隶高等工业学堂改称直隶高等工业学校，监督改为校长，由邢端担任。当年遵章改为秋季始业。 1913年2月，直隶高等工业学校改为直隶公立工业专门学校。 1914年8月，直隶省府因财政困难，令机械科停招新生，并撤销中学实科，已有中学实科学生并入南开中学续读。 1916年6月，直隶省教育厅批准，机械科恢复招生。8月，学校各科成绩在北京参加赛会，经教育部审查，均获优秀，列为甲等，发给一等奖状。 1928年9月，直隶省改称河北省，本校随之改名为"河北省立工业专门学校"。 1929年5月，河北省立工业专门学校奉令升格学院，定名河北省立工业学院，招收高级中学男女毕业生，学制四年。设化学制造、机电工程、市政水利三个系，魏元光任院长。 1930年5月，奉令将省立第一职业学校改为工业学院附属高级职业部。 1931年3月，省府下令将北洋铁工厂旧址20亩连同旧有厂房44间、住室34间拨归工业学院作为分院。接收后，即将机电系工厂移至分院。同时在该址建筑职员宿舍、客室及辅助建筑物、制革厂等。 1934年，学院与全国棉业统制委员会商定，合作棉业教育。 1934年5月，第三届全国铁路沿线生产产品展览会在北平举办，学院应北宁铁路局及津浦铁路局的征集将机械、制革、纺织印染各厂产品运往参展，销路颇畅。6月，学院开设水利学系，与华北水利委员会、导淮水利委员会、黄河水利委员会、太湖流域水利委员会、北洋工学院、中央模范灌溉局等7个单位商订合办水利实验工作，并建筑全国第一个水工实验所。 1935年11月，"中国第一个水工实验所"竣工建成，并举行揭幕仪式。 1937年7月7日，日寇发动侵华战争，7月28日天津沦陷，河北省立工业学院惨遭破坏，水工实验所被炸毁，历年文书卷宗、图书仪器被抢劫一空，教学被迫中断。 同年8月，学院秘书路荫柽携带公章及经费余款到天津英租界慈惠学校暂避，并办理资送教职员转移及学生转学、借读等事宜。 1938年3月，值此国难当头之际，河北省立工业学院爱国师生杨十三教授、马沣教授、洪麟阁、连芬亭等在中共党的领导下组成"华北人民抗日自卫委员会"所属"工字团"，参加冀
模电数电考研面试
可能会问一些比较基本的问题，比如说触发器的类型啊，什么是米勒状态机啊？什么是CMOS管子的截断电流啦，简易的低通滤波器，高通滤波器怎么搭啦，之类的 考外校一般会问的比较多，考本校都问的很简单。一般也就问问竞争-冒险的原因和处理办法，正反馈对电压还是电流起作用啊，是放大还是减小啊之类的。滤波器分哪几类） 1.TTL与COMS的区别 2.桥式整流+3端稳压管连线 3.直流负反馈和交流负反馈的作用，对电路参数的影响 4.A/D,D/A转换的一些基本概念 5.时序逻辑电路有什么特点，举3种时序电路常用器件 基本要求：模电数电中的“三基”，即基本概念、基本分析方法，典型单元电路。 主要内容： 一、模拟部分 1、晶体管（包括二极管、Bipolar、MOS晶体管）的基本结构和放大、开关工作原理、输出特性曲线、参数、处于三个工作区的条件和特点、小信号等效电路； 2、基本放大电路的三种电路组态及其特点（共发、共基、共集）； 3、基本放大电路的基本分析方法（如何求静态工作点、负载线、电路增益、输入电阻和输出电阻）；微变参数等效电路分析方法； 4、放大器的频率相应和频带相关概念和简要计算方法； 5、放大器中的反馈，反馈、负反馈的概念、反馈类型及其性质、反馈的判别，反馈电路的计算特别是深反馈电路的判别和计算； 6、放大电路中的非线性失真、和线性失真； 7、功率放大电路的特殊问题及设计原则，典型功率放大单元电路：甲类、乙类、OCL电路；
8、正弦波振荡器的起振条件及其判别，RC振荡器、LC各类振荡器、振荡频率的计算； 9、运算放大器的电路分析、运放的开环运用和闭环运用的特点，虚短（地）和虚断、运放的性能参数、 10、负反馈接法的运放的直流计算； 11、运放电路组成的运算电路（加、减、积分、微分、对数） 12、运放电路构成波形发生电路（迟滞比较器、方波、锯齿波发生器） 13、A/D 和D/A 转换电路 二、数字部分 1、数字逻辑基础 1）数制和代码，二进制数和十进制、八进制数的转换； 2）三种基本逻辑运算； 3）逻辑函数表达式、真值表、逻辑图、逻辑电路；逻辑函数的基本定律及逻辑函数的代数法化简和变换；卡诺图的化简方法； 4）基本门电的结构及其工作原理（二极管的简单与、或、非门，TTL 门电路的静态特性和动态特性，ECL门电路，I2L门电路，CMOS门电路静态特性和动态特性等。） 2、组合逻辑电路的含义、逻辑功能的描述；组合逻辑电路的分析和设计方法，编码器和译码器、数据选择器、数字比较器、全加器、超前进位加法器，减法器； 组合逻辑电路中的竞争冒险； 3、时序逻辑电路的分析和设计方法
(完整版)考研复试数电模电
数字电路基本概念 一．基本概念。 1.门是实现一些基本逻辑关系的电路。 2.三种基本逻辑是与、或、非。 3.与门是实现与逻辑关系的电路，或门是实现或逻辑关系的电路，非门是实现非逻辑关系的电路。 4.按集成度可以把集成电路分为小规模（SSI）中规模（MSI）大规模（LSI）和超大规模（VLSI）集成电路。 5.仅有一种载流子参与导电的器件叫单极性器件；有两种载流子参与导电的器件叫双极性器件。单极性器件主要有：PMOS.NMOS.CMOS双极性器件主要有：TTL.HTL.ECL.IIL. 6.TTL门电路的低电平噪声容限为V NL =V OFF -V IL; 高电平噪声容限为V NH =V IH -V ON 7.直接把两个门的输出连在一起实现“与”逻辑关系的接法叫线与；集电极开门路可以实现线与；普通TTL门不能实现线与。 8.三态门的输出端可以出现高电平、低电平和高阻三种状态。 9.三态门的主要用途是可以实现用一条导线（总线）轮流传送几个不同的数据或控制性号。 10.用工作速度来评价集成电路，速度快的集成电路依次是ECL.TTL.CMOS 11.用抗干扰能力来评价集成电路，抗干扰能力的集成电路一次是CMOS.TTL.ECL 12.CMOS门电路的输入阻抗很高，所以静态功耗很小，但由于存在输入电容，所以随着输入信号频率的增加，功耗也会增加。 13.逻代数的四种表示方法是真值表、函数表达式、卡诺图和逻辑图。 14.逻辑变量和函数只有0和1两种取值，而且它们只是表示两种状态。 15.逻辑代数只有“与”“或”“非”三种基本逻辑运算。 16.描述逻辑函数各个变量取值组合和函数值对应关系的代数式叫函数表达式。 17.逻辑函数表达式的标准形式有标准与或式即最小项表达式和标准或与式即最大项表达式。 18.逻辑函数的化简方法有代数法即公式法和图形法及卡诺图法。 19.最简与或式是指乘积项数最少，乘积项中的变量个数最少的与或式。 20.约束项是不会出现的变量组合，其值总为0. 21.约束条件是由约束项加起来构成的逻辑表达式，是一个值恒为0的条件等式。 22.按逻辑功能的特点，数字电路可以分为组合逻辑电路和时序逻辑电路两大类。 23.用二进制代码表示有关对象的过程叫二进制编码：n为二进制编码器有2n个输入，有n个输出。 24.将十进制数的十个数字编成二进制代码的过程叫二—十进制编码，简称为BCD编码。 25.在几个信号同时输入时，只对优先级低额最高的进行编码叫优先编码。 26.把代码的特定含义“翻译”出来的过程叫码译；n位二进制译码器有n个输入，有2n个输出。，工作时译码器只有一个输出有效。 27.两个一位热劲制数相加叫做半加。两个同位的加和来自低位的进位三者相加叫做全加。 28.从若干输入数据中选择一路作为输出叫多路选择器。 29.组合逻辑电路任意一时刻的输出仅仅取决于该时刻的输入，而与过去的输入
考研专业课数电模电教学计划--徐潇
数电模电教案 徐潇 Tip： 考试课程名称：电子技术基础[826] 1、从模电开始。一是模电在试卷中占的比例远大于数电，二是与数电相比，模电的内容多、难度大。对模电的基础部分掌握之后，再加入数电的学习。 2、对模电的掌握要求：会看、会算、会选、会调。初看模电，对此要求不以为然，随着学习深入，愈感此四点即为考研试卷中的全部。特别是后面两点，往往被我们忽略而造成遗憾。 3、初步拟定，学生在上课的过程中把课本按计划逐步看完。（因为感觉如果自己提前看课本，会浪费较多时间，只是个人建议。） 4、来自大纲上的参考书目。我使用的是华成英的模电和阎石的数电。 0804仪器科学与技术826 电子技术基础《模拟电子技术基础》（第四版）华成英、童诗白高等教育出版社，2006 《数字电子技术基础》（第五版）阎石高等教育出版社，2006 《模拟电子技术基础》王淑娟、蔡惟铮、齐明. 高等教育出版社. 2009年5月出版 《数字电子技术基础》杨春玲、王淑娟高等教育出版社. 2011年7月出版 《电子技术基础》（模拟部分第5版）康华光高等教育出版社. 2006年1月出版 《电子技术基础》（数字部分第5版）康华光2006年1月出版 ５、按照大纲的划分，我将模电分为７部分，数电分为５部分。参照大纲的考核内容，我对10次课的安排如下：
第一课： 模电部分：1、基本放大电路（课本的前两章） (1)放大电路的基本概念和技术指标； (2)基本放大电路的分析（包括静态分析和动态分析）； (3)三种基本放大电路（共射、共集和共基）的比较； (4)FET的结构和分类，MOSFET工作原理、特性曲线和参数； (5)场效应管共源放大电路的静态分析和动态分析，三种基本放大电路（共源、共栅和共漏）的比较。 # 第一章中以了解为主。了解半导体、PN结，会分析二极管在电路中的通断、注意稳压管，区分双极性晶体管和场效应管。 第二章是第一课的重点，也是整个模电的重点。理解第二章是理解模电的关键。 补充：１、第四章中关于集成运放概念的部分。 ２、课堂ｐｐｔ补充和课后题目。 ３、数电的基础知识：布尔代数 ４、２０１１年考研真题。 ５、学生提出学习中的问题，留待下次答疑解决。 第二课： 模电部分：２、集成运算放大器的线性应用电路（课本的第４章和第７章前半部分） (1)虚短、虚断和虚地的概念； (2)比例运算电路； (3)求和运算电路； (4)积分和微分运算电路； (5)集成运放其他几种线性应用电路，包括电流-电压变换器、电压-电流变换器、数据放大器、绝对值电路和二极管限幅电路； (6)集成运放的频率响应和补偿。 ＃第四章和第七章应该放到一起讲，因为这两章都是对集成运放的讲解，第四章为原理，第七章为应用实例。这一部分的内容比较多，所以这一课需要较多的时间来消化。 补充：１、继续补充数电的布尔代数部分。 ２、课后题目已经绿皮书的题目。 ３、答疑并提出问题。 第三课： 模电部分：