三极管贴片封装
贴片三极管封装
2007-09-20 16:02
1A SOT323 BC846AW NPN
1A SOT416 BC846AT N BC546A
1A SOT89 PXT3904 NPN
1A SOT89 SXT3904 NPN
-1A SOT323 PMST3904 N 2N3904
1A- SOT323 BC846AW N BC546A
1AM SOT23 MMBT3904L N 2N3904
1Ap SOT23 BC846A N BC546A
1At SOT23 BC846A N BC546A
1At SOT323 BC846AW N BC546A
1B SOT23 BC846B NPN
1B SOT23 BC846B N BC546B
1B SOT23 FMMT2222 NPN
1B SOT23 FMMT2222 N 2N2222
1B SOT23 IRLML2803 F n-ch mosfet 30V 0.9A 1B SOT23 MMBT2222 NPN
1B SOT23 MMBT2222 N 2N2222
1B SOT23 PMBT2222 NPN
1B SOT23 SMBT2222 NPN
1B SOT23 YTS2222 NPN
1B SOT323 BC846BW NPN
1B SOT416 BC846BT N BC546B
1B SOT89 PXT2222 NPN
-1B SOT323 PMST2222 N 2N2222
1Bp SOT23 BC846B N BC546B
1Bs SC74 BC817UPN N
1Bt SOT23 BC846B N BC546B
1Bt SOT323 BC846BW N BC546B
1C SOT23 FMMT-A20 NPN
1C SOT23 FMMT-A20 N MPSA20
1C SOT23 IRLML6302 F p-ch mosfet 20V 0.6A
1C SOT23 MMBTA20 NPN
1C SOT23 MMBTA20L N MPS3904
1C SOT23 SMBTA20 NPN
1Cp SOT23 BAP50-05 B dual cc GP RF pin diode 1Cs SOT363 BC847S BC457
1D SOT23 BC846 NPN
1D SOT23 IRLML5103 F p-ch mosfet 30V 0.6A
1D SOT23 MMBTA42 NPN
1D SOT23 MMBTA42 N MPSA42 300V npn
1D SOT23 SMBTA42 NPN
1D SOT323 BC846W NPN
1D SOT89 SXTA42 NPN
1D- SOT323 BC846W N BC456
1DN 2SC4083 N npn 11V 3.2GHz TV tuners
1Dp SOT23 BC846 N BC456
1DR SC59 MSD1328-RT1 NPN
1DR SOT346 MSD1328R N npn gp 25V 500mA
1Ds SC74 BC846U N BC456
1Ds SOT363 BC846U BC456
1Dt SOT23 BC846 N BC456
1Dt SOT323 BC846W N BC456
1E FMMT-A43 N MPSA43
1E SOT23 BC847A NPN
1E SOT23 BC847A N BC547A
1E SOT23 FMMT-A43 NPN
1E SOT23 MMBTA43 NPN
1E SOT23 MMBTA43 N MPSA43 200V npn
1E SOT23 SMBTA43 NPN
1E SOT323 BC847AW NPN
1E SOT416 BC847AT N BC547A
1E SOT89 SXTA43 NPN
1E- SOT323 BC847A N BC547A
1EN 2SC4084 N npn 20V 2.0GHz TV tuners
1Ep SOT23 BC847A N BC547A
1ER SOT23R BC847AR R BC547A
1Es SOT23 BC847A N BC457
1Et SOT23 BC847A N BC547A
1Et SOT323 BC847A N BC547A
1F SOT23 BC847B NPN
1F SOT23 BC847B N BC547B
1F SOT23 FMMT5550 NPN
1F SOT23 MMBT5550 NPN
1F SOT23 MMBT5550 N 2N5550 140V npn 1F SOT23 PMBT5550 NPN
1F SOT323 BC847BW NPN
1F SOT416 BC847BT N BC547B
1F- SOT323 BC847BW N BC547B
1Fp SOT23 BC847B N BC547B
1FR SOT23R BC847BR R BC547B
1Fs SC75 BC847BT N BC547B
1Fs SOT23 BC847B N BC547B
1Fs SOT323 BC847BW N BC547B
1Ft SOT23 BC847B N BC547B
1Ft SOT323 BC847BW N BC547B
1G FMMT-A06 N MPSA06
1G SOT23 BC847C NPN
1G SOT23 BC847C N BC547C
1G SOT23 FMMT-A06 NPN
1G SOT23 MMBTA06 NPN
1G SOT23 MMBTA06 N MPSA06
1G SOT23 SMBTA06 NPN
1G SOT323 BC847CW NPN
1G SOT416 BC847CT N BC547C
1G- SOT323 BC847CW N BC547C
1GM SOT23 MMBTA06 N MPSA06
1Gp SOT23 BC847C N BC547C
1GR SOT23R BC847CR R BC547C
1Gs SOT23 BC847C N BC547C
1Gs SOT323 BC847CW N BC547C
1GT SOA06 N MPSA06
1GT SOT23 SOA06 NPN
1Gt SOT323 BC847CW N BC547C
1H FMMT-A05 N MPSA05
1H SOT23 BC847 NPN
1H SOT23 FMMT-A05 NPN
1H SOT23 MMBTA05 NPN
1H SOT23 MMBTA05 N MPSA05
1H SOT23 SMBTA05 NPN
1H SOT323 BC847W NPN
1Hp SOT23 BC847 N BC547
1Ht SOT23 BC847 N BC547
1HT SOT23 SOA05 NPN
1HT SOT23 SOA05 N MPSA05
1Ht SOT323 BC847W N BC547
1J FMMT2369 N 2N2369
1J SOT23 BC848A N BC548A
1J SOT23 MMBT2369 N MPS2369
1JA SOT23 MMBT2369A N MPS2369A
1JR SOT23R BC848AR R BC548A
1Js SOT143 BCV61A VQ npn current mirror hFe 180 1Js SOT23 BC848A N BC548A
1Js SOT323 BC848AW N BC548A
1K FMMT4400 N 2N4400
1K SOT143 BCV61B NPN
1K SOT23 BC848B NPN
1K SOT23 BC848B N BC548B
1K SOT23 FMMT4400 NPN
1K SOT23 MMBT6428 NPN
1K SOT23 MMBT6428 N MPSA18 50V
1K SOT23 PMBT6428 NPN
1K SOT23 SMBT6428 NPN
1K SOT323 BC848BW NPN
1KM SOT23 MMBT6428L N MPSA18 50V
1Kp SOT23 BC848B N BC548B
1KR SOT23R BC848BR R BC548B
1Ks SOT143B BCV61B VQ npn current mirror hFe 290 1Ks SOT23 BC848B N BC548B
1Ks SOT323 BC848BW N BC548B
1L FMMT4401 N 2N4401
1L MMBT6429 N MPSA18 45V
1L SOT143 BCV61C NPN
1L SOT143B BCV61C VQ npn current mirror hFe 520 1L SOT23 BC848C NPN
1L SOT23 BC848C N BC548C
1L SOT23 FMMT4401 NPN
1L SOT23 FMMT5400 PNP
1L SOT23 MMBT6429 NPN
1L SOT23 PMBT6429 NPN
1L SOT23 SMBT6429 NPN
1L SOT323 BC848CW NPN
1Lp SOT143B BCV61C VQ npn current mirror hFe 520 1Lp SOT23 BC848C N BC548C
1Ls SOT23 BC848C N BC548C
1Ls SOT323 BC848CW N BC548C
1M SOT143 BCV61 NPN
1M SOT23 BC848 NPN
1M SOT23 FMMT-A13 NPN
1M SOT23 FMMT-A13 N MPSA13
1M SOT23 MMBTA13 NPN
1M SOT23 MMBTA13 N MPSA13 darlington
1M SOT23 PMBTA13 NPN
1M SOT23 SMBTA13 NPN
1M SOT323 BC848W NPN
1Mp SOT143B BCV61 VQ npn current mirror
1Mp SOT23 BC848 N BC548
1N SOT23 FMMT-A14 NPN
1N SOT23 FMMT-A14 N MPSA14
1N SOT23 MMBTA14 NPN
1N SOT23 MMBTA14 N MPSA14 darlington
1N SOT23 PMBTA14 NPN
1N SOT23 SMBTA14 NPN
1N SOT89 PXTA14 NPN
1N10 SOT223 MMFT1N10ET1 MOSFET
1P BC847PN DI pnp/npn separate pair gpAF
1P FMMT2222A N 2N2222A
1P SOT23 FMMT2222A NPN
1P SOT23 MMBT2222A NPN
1P SOT23 MMBT2222A N 2N2222A
1P SOT23 PMBT2222A NPN
1P SOT23 SMBT2222A NPN
1P SOT23 YTS2222A NPN
1P SOT89 PKT2222A NPN
1Q SOT23 FMMT5088 NPN
1Q SOT23 MMBT5088 NPN
1Q SOT23 MMBT5088 N MPSA18 Vce 30V
1Q SOT23 PMBT5088 NPN
半导体三极管参数符号及其意义
三极管基础知识及检测方法：
一、晶体管基础
双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管 PN 结。正向偏置的 EB 结有空穴从发射极注入基区，其中大部分空穴能够到达集电结的边界，并在反向偏置的CB 结势垒电场的作用下到达集电区，形成集电极电流 IC 。在共发射极晶体管电路中 , 发射结在基极电路中正向偏置 , 其电压降很小。绝大部分的集电极
和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由于 VBE 很小，所以基极电流约为 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。
如果晶体管的共发射极电流放大系数β = IC / IB =100, 集电极电流 IC=
β*IB=10mA。在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V，如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib，在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic，有c/ib=β，实现了双极晶体管的电流放大作用。
金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。当栅 G 电压 VG 增大时， p 型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽，而电子逐渐积累到反型。当表面达到反型时，电子积累层将在 n+ 源区 S 和 n+ 漏区 D 之间形成导电沟道。当 V DS ≠ 0 时，源漏电极之间有较大的电流 IDS 流过。使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压 VT 。当 VGS>VT 并取不同数值时，反型层的导电能力将改变，在相同的 VDS 下也将产生不同的 IDS , 实现栅源电压VGS 对源漏电流 IDS 的控制。
二、晶体管的命名方法
晶体管：最常用的有三极管和二极管两种。三极管以符号BG（旧）或（T）表示，二极管以D表示。按制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。
按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。多数国产管用xxx表示，其中每一位都有特定含义：如 3 A X 31，第一位3代表三极管，2代表二极管。第二位代表材料和极性。A代表PNP型锗材料；B代表NPN型锗材料；C为PNP型硅材料；D为NPN型硅材料。第三位表示用途，其中X代表低频小功率管；D代表低频大功率管；G代表高频小功率管；A代表高频大功率管。最后面的数字是产品的序号，序号不同，各种指标略有差异。注意，二极管同三极管第二位意义基本相同，而第三位则含义不同。对于二极管来说，第三位的P 代表检波管；W代表稳压管；Z代表整流管。上面举的例子，具体来说就是PNP 型锗材料低频小功率管。对于进口的三极管来说，就各有不同，要在实际使用过程中注意积累资料。
常用的进口管有韩国的90xx、80xx系列，欧洲的2Sx系列，在该系列中，第三位含义同国产管的第三位基本相同。
三、常用中小功率三极管参数表
型号
材料与极性
Pcm(W)
Icm(mA) BVcbo(V) ft(MHz)
3DG6C
SI-NPN 0.1
20
45
>100
3DG7C
SI-NPN 0.5
100
>60
>100
3DG12C
SI-NPN 0.7
300
40
>300
3DG111
SI-NPN 0.4
100
>20
>100
3DG112
SI-NPN 0.4
100
60
>100
3DG130C
SI-NPN 0.8
300
60
150
3DG201C SI-NPN 0.15 25
45
150
C9011
SI-NPN 0.4
30
50
150
C9012
SI-PNP 0.625 -500 -40
C9013
SI-NPN 0.625 500
40
C9014
SI-NPN 0.45 100
50
150
C9015
SI-PNP 0.45 -100 -50
100
C9016
SI-NPN 0.4
25
30
620
C9018
SI-NPN 0.4
50
30
1.1G
C8050
SI-NPN 1
1.5A 40
190
C8580
SI-PNP 1
-1.5A -40
200
2N5551
SI-NPN 0.625 600
180
2N5401
SI-PNP 0.625 -600 160
100
2N4124
SI-NPN
0.625
200
30
300
四、用万用表测试三极管
（1）判别基极和管子的类型
选用欧姆档的R*100（或R*1K）档，先用红表笔接一个管脚，黑表笔接另一个管脚，可测出两个电阻值，然后再用红表笔接另一个管脚，重复上述步骤，又测得一组电阻值，这样测3次，其中有一组两个阻值都很小的，对应测得这组值的红表笔接的为基极，且管子是PNP型的；反之，若用黑表笔接一个管脚，重复上述做法，若测得两个阻值都小，对应黑表笔为基极，且管子是NPN型的。（2）判别集电极
因为三极管发射极和集电极正确连接时β大（表针摆动幅度大），反接时β就小得多。因此，先假设一个集电极，用欧姆档连接，（对NPN型管，发射极接黑表笔，集电极接红表笔）。测量时，用手捏住基极和假设的集电极，两极不能接触，若指针摆动幅度大，而把两极对调后指针摆动小，则说明假设是正确的，从而确定集电极和发射极。
（2）电流放大系数β的估算
选用欧姆档的R*100（或R*1K）档，对NPN型管，红表笔接发射极，黑表笔接集电极，测量时，只要比较用手捏住基极和集电极（两极不能接触），和把手放开两种情况小指针摆动的大小，摆动越大，β值越高。
晶体三极管由两个PN结组成，PN结的正向电阻很小，反向电阻很大，根据三个电极之间的电阻关系，可以确定三极管的基极。
由于三极管的发射结与集电结的结构上的差别，当把集电极当发射极使用时，其电流放大系数β较小，反之β值较大。在确定基极后，比较三极管的β值大小，可以确定集电极和发射极。
使三极管基极开路，在发射极和集电极之间加一小电压，使发射结承受正向电压，集电结承受反向电压，这时集电极之间加一偏流电流（如用欧姆表，反映出来是电阻很大）。在基极和集电极之间加一偏流电阻，集电极电流显著增大（因有了一定的基极电流），这时集电极和发射极之间电阻仅为偏流电阻的十几分之一。从集电极电流墙的幅度可判断β值的大小（用欧姆表时，如果表针偏角较基极开路时增加的幅度大，则β值就大）。
常见的三极管的封状
2009-04-27 12:17
三极管9015管脚图参数资料、引脚实物图片三极管9015管脚图
9015是一种常用的普通三极管。
它是一种小电压,小电流,小信号的PNP型硅三极管
特性：
?集电极电流Ic：Max -100mA
?集电极-基极电压Vcbo：-50V
?工作温度：-55℃ to +150℃
?和9014（NPN）相对
?主要用途：
?开关应用
?射频放大
引脚图
其它三极管资料：
点击查看9013PDF资料：sot-23封装TO-92封装
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点击查看BC817资料 :贴片封装
点击查看8550PDF资料：sot-23封装TO-92封装
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摘自http://www.elecfans.c om/article/88/196/2007/200712056242.html ]贴片9013三极管
9013是一种最常用的普通三极管。
它是一种低电压,大电流,小信号的NPN型硅三极管
特性
?集电极电流Ic：Max 500mA
?集电极-基极电压Vcbo：40V
?工作温度：-55℃ to +150℃
?和9012（PNP）相对
?主要用途：
?开关应用
?射频放大
?其它三极管资料：
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贴片三极管型号查询
直插封装的型号贴片的型号
9011 1T
9012 2T
9014 J6 9015 M6 9016 Y6 9018 J8 S8050 J3Y S8550 2TY 8050 Y1 8550 Y2 2SA1015 BA
2SC1815 HF
2SC945 CR MMBT3904 1AM
MMBT3906 2A
MMBT2222 1P
MMBT5401 2L
MMBT5551 G1 MMBTA42 1D
MMBTA92 2D
BC807-16 5A
BC807-25 5B
BC807-40 5C
BC817-16 6A
BC817-25 6B
BC817-40 6C
BC846A 1A
BC846B 1B
BC847A 1E
BC847B 1F
BC847C 1G
BC848A 1J
BC848B 1K
BC848C 1L
BC856A 3A
BC856B 3B
BC857A 3E
BC857B 3F
BC858A 3J
BC858B 3K
BC858C 3L
2SA733 CS UN2111 V1
UN2112 V2
UN2211 V4 UN2212 V5 UN2213 V6
2SC3356 R23 2SC3838 AD
2N7002 702 轉載文章，來自(中国单片机网）
三极管的封装及引脚识别
三极管的封装及引脚识别 三极管的封装形式是指三极管的外形参数，也就是安装半导体三极管用的外壳。材料方面，三极管的封装形式主要有金属、陶瓷和塑料形式；结构方面，三极管的封装为TO×××，×××表示三极管的外形；装配方式有通孔插装（通孔式）、表面安装（贴片式）和直接安装；引脚形状有长引线直插、短引线或无引线贴装等。常用三极管的封装形式有TO－92、TO－126、TO－3、TO－220TO等。 国产晶体管按原部标规定有近30种外形和几十种规格，其外形结构和规格分别用字母和数字表示，如TO－162、TO－92等。晶体管的外形及尺寸如图1所示。
图1 晶体管的外形及尺寸 1 封装 1.金属封装 （1）B型：B型分为B－1、B－2、…、B－6共6种规格，主要用于1W及1W以下的高频小功率晶体管，其中B－1、B－3型最为常用。引脚排列：管底面对自己，由管键起，按顺时针方向依次为E、B、C、D（接地极）。其封装外形如图2（a）所示。 （2）C型：引脚排列与B型相同，主要用于小功率。其封装外形如图2（b）所示。 （3）D型：外形结构与B型相同。引脚排列：管底面对自己，等腰三角形的底面朝下，按顺时针方向依次为E、B、C。其封装外形如图2（c）所示。 （4）E型：引脚排列与D型相同，封装外形如图3（d）所示。 （5）F型：该型分为F－0、F－1～F－4共5种规格，各规格外形相同而尺寸不同，主要用于低频大功率管封装，使用最多的是F－2型封装。引脚排列：管底面对自己，小等腰三角形的庵面朝下，左为E，右为B，两固定孔为C。其封装外形如图2（e）所示。¨ （6）G型：分为G－1～G－6共6种规格，主要用于低频大功率晶体管封装，使用最多的是G－3、G－4型。其中G－1、G－2为圆形引出线，G－3～G－6为扁形引出线。引脚排列：管底面对自己，等腰三角形的底面朝下，按顺时针方向依次为E、B、C。其封装外形如图2（f）所示。 2.塑料封装 （1）S－1型、S－2型、S－4型：用于封装小功率三极管，其中以S－1型应用最为普遍。S－1、S－2、S－3型管的封装外形如图2（g）、（h）、（i）所示。引脚排列：平面朝外，半圆形朝内，引脚朝上时从左到右为E、B、C。 （2）S－5型：主要用于大功率三极管。引脚排列：平面朝外，半圆形朝内，引脚朝上时从左到右为E、B、C。S－5型的封装外形如图2（j）所示。 （3）S－6lA、S－6B、S－7、S－8型：主要用于大功率三极管，其中以S－7型最为常用。S－6A 引脚排列：切角面面对自己，引脚朝下，从左到右依次为B、C、E。它们的引脚排列与外形分别如图5.12（k）、（l）、（m）、（n）所示。 （4）常见进口管的外形封装结构：TO－92与部标S－1相似，TO－92L与部标S－4相似，TO126与S－5相似，TO-202与部标S－7相似。
2SC4617贴片三极管 SOT-523三极管封装2SC4617参数
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-523 Plastic-Encapsulate Transistors 2SC4617 TRANSISTOR (NPN) FEATURES z Low Cob:Cob=2.0pF(Typ) z Complement to 2SA1774 MAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted) ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions M in T yp M ax U nit Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C =50uA, I E = 0 60 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C =1mA, I B =0 50 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =50uA, I C =0 7 V Collector cut-off current I CBO V CB =60V, I E =0 0.1 μA Emitter cut-off current I EBO V EB =7V, I C =0 0.1 μA DC current gain h FE V CE =6V, I C = 1mA 120 560 Collector-emitter saturation voltage V CE(sat) I C =50mA, I B = 5mA 0.4 V Transition frequency f T V CE =12V, I C =2mA, f=100MHz 180 MHz Collector output capacitance C ob V CB =12V, I E =0, f=1MHz 3.5 pF CLASSIFICATION OF h FE Rank Q R S Range 120-270 180-390 270-560 Marking BQ BR BS A,May,2011
三极管的封装形式
三极管的封装形式 是指三极管的外形参数，也就是安装半导体三极管用的外壳。材料方面，三极管的封装形式主要有金属、陶瓷和塑料形式；结构方面，三极管的封装为TO×××，×××表示三极管的外形；装配方式有通孔插装（通孔式）、表面安装（贴片式）和直接安装；引脚形状有长引线直插、短引线或无引线贴装等。常用三极管的封装形式有TO－92、TO－126、TO－3、TO－220TO等。 国产晶体管按原部标规定有近30种外形和几十种规格，其外形结构和规格分别用字母和数字表示，如TO－162、TO－92等。晶体管的外形及尺寸如图1所示。
图1 晶体管的外形及尺寸 1 封装 1.金属封装 （1）B型：B型分为B－1、B－2、…、B－6共6种规格，主要用于1W及1W以下的高频小功率晶体管，其中B－1、B－3型最为常用。引脚排列：管底面对自己，由管键起，按顺时针方向依次为E、B、C、D（接地极）。其封装外形如图2（a）所示。 （2）C型：引脚排列与B型相同，主要用于小功率。其封装外形如图2（b）所示。 （3）D型：外形结构与B型相同。引脚排列：管底面对自己，等腰三角形的底面朝下，按顺时针方向依次为E、B、C。其封装外形如图2（c）所示。 （4）E型：引脚排列与D型相同，封装外形如图3（d）所示。 （5）F型：该型分为F－0、F－1～F－4共5种规格，各规格外形相同而尺寸不同，主要用于低频大功率管封装，使用最多的是F－2型封装。引脚排列：管底面对自己，小等腰三角形的庵面朝下，左为E，右为B，两固定孔为C。其封装外形如图2（e）所示。¨ （6）G型：分为G－1～G－6共6种规格，主要用于低频大功率晶体管封装，使用最多的是G－3、G－4型。其中G－1、G－2为圆形引出线，G－3～G－6为扁形引出线。引脚排列：管底面对自己，等腰三角形的底面朝下，按顺时针方向依次为E、B、C。其封装外形如图2（f）所示。 2.塑料封装
贴片三极管上的印字与真实型号对照手册
贴片三极管上的印字与真实名称的对照表 印字器件厂商类型封装器件用途及参数 -28 PDTA114WU Phi N SOT323 pnp dtr -24 PDTC114TU Phi N SOT323 npn dtr R1 10k -23 PDTA114TU Phi N SOT323 pnp dtr R1 10k -20 PDTC114WU Phi N SOT323 npn dtr -6 PMSS3906 Phi N SOT323 2N3906 -4 PMSS3904 Phi N SOT323 2N3904 0 2SC3603 Nec CX SOT173 Npn RF fT 7GHz 1 Gali-1 MC AZ SOT89 DC-8GHz MMIC amp 12dB gain 1 2SC3587 Nec CX - npn RF fT10GHz 1 BA277 Phi I SOD523 VHF Tuner band switch diode 2 BST82 Phi M - n-ch mosfet 80V 175mA 2 MRF5711L Mot X SOT14 3 npn RF MRF571 2 DTCC114T Roh N - 50V 100mA npn sw + 10k base res 2 Gali-2 MC AZ SOT89 DC-8GHz MMIC amp 16dB gain 2 BAT62-02W Sie I SCD80 BAT16 schottky diode 2 2SC3604 Nec CX - npn RF fT8GHz 12dB@2GHz 3 Gali-3 MC AZ SOT89 DC-3GHz MMIC amp 22dB gain 3 DTC143TE Roh N EMT3 npn dtr R1 4k7 50V 100mA 3 DTC143TUA Roh N SC70 npn dtr R1 4k7 50V 100mA 3 DTC143TKA Roh N SC59 npn dtr R1 4k7 50V 100mA 3 BAT60A Sie I SOD323 10V 3A sw schottky 3 BAT62-02W Sie I SCD80 - 4 DTC114TCA Roh N SOT23 npn dtr R1 10k 50V 100mA 4 DTC114TE Roh N EMT3 npn dtr R1 10k 50V 100mA 4 DTC114TUA Roh N SC70 npn dtr R1 10k 50V 100mA 4 DTC114TKA Roh N SC59 npn dtr R1 10k 50V 100mA 4 MRF5211L Mot X SOT143 pnp RF MRF521 4 Gali-4 MC AZ SOT89 DC-4GHz MMIC amp 17. 5 dBm 4 BB664 Sie I SCD80 Varicap 42-2.5pF 5 SSTPAD5 Sil J - PAD-5 5pA leakage diode 5 Gali-4 MC AZ SOT89 DC-4GHz MMIC amp 18 dBm o/p 5 DTC124TE Roh N EMT3 npn dtr R1 22k 50V 100mA 5 DTC124TUA Roh N SC70 npn dtr R1 22k 50V 100mA 5 DTC124TKA Roh N SC59 npn dtr R1 22k 50V 100mA 6 Gali-6 MC AZ SOT89 DC-4GHz MMIC amp 115 dBm o/p 6 DTC144TE Roh N EMT3 npn dtr R1 47k 50V 100mA 6 DTC144TUA Roh N SC70 npn dtr R1 47k 50V 100mA 6 DTC144TKA Roh N SC59 npn dtr R1 47k 50V 100mA 9 DTC115TUA Roh N SC70 npn dtr R2 100k 50V 100mA 9 DTC115TKA Roh N SC59 npn dtr R2 100k 50V 100mA
常见贴片二、三极管的封装
www.mccsemi .com PACKAGE OUTLINES Note: Drawings Are Not To Scale C DIMENSIONS INCHES MM DIM MIN MAX MIN MAX NOTE A ----- .166 ----- 4.20 B ----- .079 ----- 2.00 ? C ----- .020 ----- 0.52 ? D 1.000 --- 25.40 --- DO-35 DIMENSIONS INCHES MM DIM MIN MAX MIN MAX NOTE A .166 .205 4.10 5.20 B .080 .107 2.00 2.70 ? C .028 .034 .70 .90 ? D 1.000 --- 25.40 --- DO-41 DIMENSIONS INCHES MM DIM MIN MAX MIN MAX NOTE A .166 .205 4.10 5.20 B .080 .107 2.00 2.70 ? C .021 .025 .53 .64 ? D 1.000 --- 25.40 --- A-405 DIMENSIONS INCHES MM DIM MIN MAX MIN MAX NOTE A .230 .300 5.80 7.60 B .104 .140 2.60 3.60 ? C .026 .034 .70 .90 ? D 1.000 --- 25.40 --- DO-15 DIMENSIONS INCHES MM DIM MIN MAX MIN MAX NOTE A ----- .300 ----- 7.62 B ----- .107 ----- 2.72 ? C .018 .022 0.46 0.56 ? D 1.000 --- 25.40 --- DO-7 DIMENSIONS INCHES MM DIM MIN MAX MIN MAX NOTE A ----- .370 ----- 9.50 B ----- .250 ----- 6.40 ? C .048 .052 1.20 1.30 ? D 1.000 --- 25.40 --- DO-201AD
贴片三极管引脚_三极管的识别分类及测量
贴片三极管引脚三极管的识别分类及测量 符号：“Q、VT” 三极管有三个电极，即b、c、e，其中c为集电极（输入极）、b为基极（控制极）、e为发射极（输 出极） 三极管实物图： 贴片三极管功率三极管普通三极管金属壳三极管 二、三级管的分类： 按极性划分为两种：一种是NPN型三极管，是目前最常用的一种，另一种是PNP型三极管。按材料分为两种：一种是硅三极管，目前是最常用的一种，另一种是锗三极管，以前这种三极管用的多。三极按工作频率划分为两种：一种是低频三极管，主要用于工作频率比较低的地方；另一种是高频三极管，主要用于工作频率比较高的地方。按功率分为三种：一种是小功率三极管，它的输出功率小些；一种是中功率三极管，它的输出功率大些；另一种是大功率三极管，它的输出功率可以很大，主要用于大功率输出场合。 按用途分为：放大管和开关管。 三、三极管的组成： 三极管由三块半导体构成，对于ＮＰＮ型三极管由两块Ｎ型和一块Ｐ型半导体构成，如图Ａ所示，Ｐ型半导体在中间，两块Ｎ型半导体在两侧，各半导体所引出的电极见图中所示。在Ｐ型和Ｎ型半导体的交界面形成两个ＰＮ结，在基极与集电极之间的ＰＮ结称为集电结，在基极与发射极之间的ＰＮ结称为发射结。图Ｂ是ＰＮＰ型三极管结构示意图，它用两块Ｐ型半导体和一块Ｎ型半导体构成。 ＡＢ 四、三极管在电路中的工作状态：
三极管有三种工作状态：截止状态、放大状态、饱和状态。当三极管用于不同目的时，它的工作状 态是不同的。 1、截止状态：当三极管的工作电流为零或很小时，即IB=0时，IC和IE也为零或很小，三极管处于 截止状态。 2、放大状态：在放大状态下，IC=βIB，其中β(放大倍数)的大小是基本不变的（放大区的特征）。 有一个基极电流就有一个与之相对应的集电极电流。 3、饮和状态：在饮和状态下，当基极电流增大时，集电极电流不再增大许多，当基极电流进一步增 大时，集电极电流几乎不再增大。 工作状态 定义 电流特征 解流 截止状态 集电极与发射极之间电阻很大IB=0或很小，IC或IE为零或很 小因为IC＝βIB 利用电流为零或很小特征，可以判断三极管已处于截止状态 放大状态 集电极与发射极之间内阻受基极电流大小控制，基极电流大，其内阻小IC＝βIB IE=(1+β)IB 有一个基极电流就有一个对应的集电极电流和发射极电流，基极电流能有效地控制集电极电流和发射极电 流 饱和状态
MMBT2907AT贴片三极管 SOT-523三极管封装MMBT2907AT参数
A,Jan,2013 JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-523 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT2907AT TRANSISTOR (PNP) FEATURES z Complementary to NPN Type (MMBT2222AT) z Small Package MARKING:2F MAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted) ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C =-10μA, I E =0 -60 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C =-10mA, I B =0 -60 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =-10μA, I C =0 -5 V Collector cut-off current I CBO V CB =-50V, I E =0 -10 nA Emitter cut-off current I EBO V EB =-5V, I C =0 -10 nA h FE(1) V CE =-10V, I C =-0.1mA 75 h FE(2) V CE =-10V, I C =-1mA 100 h FE(3) V CE =-10V, I C =-10mA 100 h FE(4) V CE =-10V, I C =-150mA 100 300 DC current gain h FE(5) V CE =-10V, I C =-500mA 50 I C =-150mA, I B =-15mA -0.4 V Collector-emitter saturation voltage V CE(sat) I C =-500mA, I B =-50mA -1.6 V I C =-150mA, I B =-15mA -1.3 V Base-emitter saturation voltage V BE(sat) I C =-500mA, I B =-50mA -2.6 V Transition frequency f T V CE =-20V,I C =-50mA, f=100MHz 200 MHz Collector output capacitance C ob V CB =-10V, I E =0, f=1MHz 8 pF Emitter input capacitance C ib V EB =-2V, I C =0, f=1MHz 30 pF Delay time t d 10 ns Rise time t r V CC =-30V, I C =-150mA, I B1=-15mA 40 ns Storage time t s 225 ns Fall time t f V CC =-6V, I C =-150mA, I B1=I B2=-15mA 30 ns Symbol Parameter Value Unit V CBO Collector-Base Voltage -60 V V CEO Collector-Emitter Voltage -60 V V EBO Emitter-Base Voltage -5 V I C Collector Current -600 mA P C Collector Power Dissipation 150 mW R ΘJA Thermal Resistance From Junction To Ambient 833 ℃/W T j Junction Temperature 150 ℃ T stg Storage Temperature -55～+150 ℃ 3. COLLECTOR
贴片三极管封装形式
贴片三极管封装 1A SOT323 BC846AW NPN 1A SOT416 BC846AT N BC546A 1A SOT89 PXT3904 NPN 1A SOT89 SXT3904 NPN -1A SOT323 PMST3904 N 2N3904 1A- SOT323 BC846AW N BC546A 1AM SOT23 MMBT3904L N 2N3904 1Ap SOT23 BC846A N BC546A 1At SOT23 BC846A N BC546A 1At SOT323 BC846AW N BC546A 1B SOT23 BC846B NPN 1B SOT23 BC846B N BC546B 1B SOT23 FMMT2222 NPN 1B SOT23 FMMT2222 N 2N2222 1B SOT23 IRLML2803 F n-ch mosfet 30V 0.9A 1B SOT23 MMBT2222 NPN 1B SOT23 MMBT2222 N 2N2222 1B SOT23 PMBT2222 NPN 1B SOT23 SMBT2222 NPN 1B SOT23 YTS2222 NPN 1B SOT323 BC846BW NPN 1B SOT416 BC846BT N BC546B 1B SOT89 PXT2222 NPN -1B SOT323 PMST2222 N 2N2222 1B- SOT323 >BC846BW N BC546B
1Bs SC74 BC817UPN N 1Bt SOT23 BC846B N BC546B 1Bt SOT323 BC846BW N BC546B 1C SOT23 FMMT-A20 NPN 1C SOT23 FMMT-A20 N MPSA20 1C SOT23 IRLML6302 F p-ch mosfet 20V 0.6A 1C SOT23 MMBTA20 NPN 1C SOT23 MMBTA20L N MPS3904 1C SOT23 SMBTA20 NPN 1Cp SOT23 BAP50-05 B dual cc GP RF pin diode 1Cs SOT363 BC847S BC457 1D SOT23 BC846 NPN 1D SOT23 IRLML5103 F p-ch mosfet 30V 0.6A 1D SOT23 MMBTA42 NPN 1D SOT23 MMBTA42 N MPSA42 300V npn 1D SOT23 SMBTA42 NPN 1D SOT323 BC846W NPN 1D SOT89 SXTA42 NPN 1D- SOT323 BC846W N BC456 1DN 2SC4083 N npn 11V 3.2GHz TV tuners 1Dp SOT23 BC846 N BC456 1DR SC59 MSD1328-RT1 NPN 1DR SOT346 MSD1328R N npn gp 25V 500mA 1Ds SC74 BC846U N BC456 1Ds SOT363 BC846U BC456 1Dt SOT23 BC846 N BC456 1Dt SOT323 BC846W N BC456 1E FMMT-A43 N MPSA43 1E SOT23 BC847A NPN 1E SOT23 BC847A N BC547A 1E SOT23 FMMT-A43 NPN 1E SOT23 MMBTA43 NPN 1E SOT23 MMBTA43 N MPSA43 200V npn 1E SOT23 SMBTA43 NPN 1E SOT323 BC847AW NPN 1E SOT416 BC847AT N BC547A 1E SOT89 SXTA43 NPN 1E- SOT323 BC847A N BC547A 1EN 2SC4084 N npn 20V 2.0GHz TV tuners 1Ep SOT23 BC847A N BC547A 1ER SOT23R BC847AR R BC547A 1Es SOT23 BC847A N BC457 1Es SOT323 BC847AW N BC457
MMST4403贴片三极管 SOT-323三极管封装MMST4403规格参数
A,Oct,2010 JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors MMST4403 TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Complementary To MMST4401 ● Small Surface Mount Package MARKING:K3T MAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit V CBO Collector-Base Voltage -40 V V CEO Collector-Emitter Voltage -40 V V EBO Emitter-Base Voltage -5 V I C Collector Current -600 mA P C Collector Power Dissipation 200 mW R ΘJA Thermal Resistance From Junction To Ambient 625 ℃/W T j Junction Temperature 150 ℃ T stg Storage Temperature -55～+150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C =-100μA, I E =0 -40 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C =-1mA, I B =0 -40 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =-100μA, I C =0 -5 V Collector cut-off current I CBO V CB =-35V, I E =0 -100 nA Collector cut-off current I CEO V CE =-35V, I B =0 -500 nA V CE =-1V, I C =-100μA 30 V CE =-1V, I C =-1mA 60 V CE =-1V, I C =-10mA 100 V CE =-2V, I C =-150mA 100 300 DC current gain h FE V CE =-2V, I C =-500mA 20 I C =-150mA, I B =-15mA -0.4 V Collector-emitter saturation voltage V CE(sat) I C =-500mA, I B =-50mA -0.75 V I C =-150mA, I B =-15mA -0.75 -0.95 V Base-emitter saturation voltage V BE(sat) I C =-500mA, I B =-50mA -1.3 V Transition frequency f T V CE =-10V,I C =-20mA , f=100MHz 200 MHz Collector output capacitance C ob V CB =-10V, I E =0, f=1MHz 8.5 pF https://www.360docs.net/doc/cd2820263.html, 【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】
A44贴片三极管 SOT-89三极管封装A44参数
C ,Jun ,2013 JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors A44 TRANSISTOR (NPN) FEATURES z Low Collector-Emitter Saturation Voltage z High Breakdown Voltage MARKING: A44 MAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted) ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol T est conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C =100μA,I E =0 400 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO *I C =1mA,I B = 0 400 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =10μA,I C =0 6 V Collector cut-off current I CBO V CB =400V,I E = 0 0.1 μA Emitter cut-off current I EBO V EB =4V,I C =0 0.1 μA h FE(1)* V CE =10V, I C = 1mA 40 h FE(2)* V CE =10V, I C =10mA 50 200 h FE(3)* V CE =10V, I C =50mA 45 DC current gain h FE(4)* V CE =10V, I C =100mA 40 I C =1mA,I B =0.1mA 0.4 V I C =10mA,I B =1mA 0.5 V Collector-emitter saturation voltage V CE(sat)* I C =50mA,I B =5mA 0.75 V Base-emitter saturation voltage V BE(sat)* I C =10mA,I B =1mA 0.75 V Collector output capacitance C ob V CB =20V, I E =0, f=1MHz 7 pF Emitter input capacitance C ib V BE =0.5V, I C =0, f=1MHz 130 pF *Pulse test: pulse width ≤300μs, duty cycle ≤ 2.0%. I C Collector Current -Continuous 200mA P C Collector Power Dissipation 500 mW R θJA Thermal Resistance f rom Junction t o Ambient 250℃/W T j Junction Temperature 150 ℃ T stg Storage Temperature -55~+150 ℃ I CM Collector Current -Pulsed 300 mA https://www.360docs.net/doc/cd2820263.html, 【南京南山半导体有限公司 — 长电贴片三极管选型资料】
贴片三极管代码查找贴片,三极管资料及其封装
JX SOT23 BAV170 B dual cc Si diode low Ir JY SOT23 BAV199 dioda-2x JY SOT23 BAV199 D dual series Si diode lowIr JZ SOT23 BAW 156 JZ SOT23 BAW156 A dual ca Si diode low Ir K SCD80 BBY52-02W I UHF varicap 1.75-1.25pF K SOD323 BAT68-03W I BAT68 Schottky K SOT23 2SK211 JFET K SOT323 MRF917 N npn RF fT 6GHz K0 SOT23 HSMP-3830 C gp pin diode HP3830 K1 SOT23 BCW71 NPN K1 SOT23 BCW71 N BC107A K1 SOT23 HSMP-3831 K gp pin diode HP3830 K14 DTA114G N pnp sw 50V 100mA w. b-eres K15 DTA124G N pnp sw 50V 50mA w. b-e res K1p SOT23 BCW71 N BC107A K1t SOT23 BCW71 N BC107A K1X SOT23 KSC3265 NPN K2 SOT23 BCW72 NPN K2 SOT23 BCW72 N BC107B ZXT300 K2 SOT23 HSMP-3832 D dual HP3830 pin diode K24 DTC114G N npn sw 50V 100mA w. b-eres K25 DTA124G N pnp sw 50V 50mA w. b-e res K2p SOT23 BCW72 N BC107B ZXT300
2SC2881贴片三极管 SOT-89封装三极管2SC2881参数
A,Nov,2010 JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors 2SC2881 TRANSISTOR (NPN) FEATURES z Small Flat Package z High Transition Frequency z High Voltage z Complementary to 2SA1201 APPLICATIONS z Power Amplifier and Voltage Amplifier MAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted) ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C =1mA,I E = 0 120 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C =10mA,I B =0 120 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =1mA,I C =0 5 V Collector cut-off current I CBO V CB =120V,I E =0 0.1 μA Emitter cut-off current I EBO V EB =5V,I C =0 0.1 μA DC current gain h FE V CE =5V, I C =100mA 80 240 Collector-emitter saturation voltage V CE(sat) I C =500mA,I B =50mA 1 V Base-emitter voltage V BE V CE =5V, I C =0.5A 1 V Transition frequency f T V CE =5V,I C =100mA 120 MHz Collector output capacitance C ob V CB =10V, I E =0, f=1MHz 30 pF CLASSIFICATION OF h FE RANK O Y RANGE 80–160 120–240 MARKING CO1 CY1 Symbol Parameter Value Unit V CBO Collector-Base Voltage 120 V V CEO Collector-Emitter Voltage 120 V V EBO Emitter-Base Voltage 5 V I C Collector Current 800 mA P C Collector Power Dissipation 500 mW R θJA Thermal Resistance From Junction To Ambient 250 ℃/W T j Junction Temperature 150 ℃ T stg Storage Temperature -55~+150 ℃ https://www.360docs.net/doc/cd2820263.html, 【南京南山半导体有限公司 — 长电贴片三极管选型资料】
常用贴片三极管与直插三极管型号对应
1．直插贴片型号对应 直插封装的型号贴片的型号9011 1t 9012 2t 9013 j3 9014 j6 9015 m6 9016 y6 9018 j8 s8050 j3y s8550 2ty 8050 y1 8550 y2 2sa1015 ba 2sc1815 hf 2sc945 cr mmbt3904 1am mmbt3906 2a mmbt2222 1p mmbt5401 2l mmbt5551 g1 mmbta42 1d mmbta92 2d bc807-16 5a bc807-25 5b bc807-40 5c bc817-16 6a bc817-25 6b bc817-40 6c bc846a 1a bc846b 1b bc847a 1e bc847b 1f bc847c 1g bc848a 1j bc848b 1k bc848c 1l bc856a 3a bc856b 3b bc857a 3e bc857b 3f bc858a 3j
bc858b 3k bc858c 3l 2sa733 cs un2111 v1 un2112 v2 un2113 v3 un2211 v4 un2212 v5 un2213 v6 2sc3356 r23 2sc3838 ad 2n7002 702 2．直插贴片及极性、频率 直插封装的型号贴片的型号极性Ft VCEO Ic hfe 配对型号9011 1T NPN 150MHz 18V 100mA 28~132 9012 2T PNP 150MHz 25V 500mA 64~144 9013 9013 J3 NPN 9014 J6 NPN 150MHz 18V 100mA 60~400 9015 9015 M6 PNP 9016 Y6 NPN 500MHz 20V 25mA 28~97 9018 J8 NPN 700MHZ 12V 100mA 28~72 S8050 J3Y NPN 100MHz 25V 1.5A 45~300 S8550 S8550 2TY PNP 8050 Y1 NPN 100MHz 25V 1A 85~300 8550 8550 Y2 PNP 2SA1015 BA PNP 2SC1815 HF NPN 80MHz 50V 150mA 70~700 1015 2SC945 CR NPN 250MHz 50V 100mA 200~600 2SA733 CS MMBT3904 1AM NPN 300MHz 60V 100mA 300@10mA 3906 MMBT3906 2A PNP MMBT2222 1P NPN 250MHz 60V 600mA 100@150mA MMBT5401 2L PNP 100MHz 150V 500mA 40~200 5551 MMBT5551 G1 NPN MMBTA42 1D NPN 50MHz 300V 100mA 40@10mA MMBTA92 2D PNP BC807-16 5A PNP BC807-25 5B PNP 80MHz 45V 500mA 250@100mA BC817-25 BC807-40 5C PNP 80MHz 45V 500mA 250@100mA BC817-40 BC817-16 6A NPN BC817-25 6B NPN
贴片三极管封装上的印字,与真实名称的对照表
贴片三极管封装上的印字，与真实名称的对照表 印字器件名厂家类型封装器件用途及参数 T2 HSMS-286C HP D SOT323 dual series HSMS-286B T2 HSMS-2862 HP D SOT23 dual series HSMS-286B t23 PDTA114TU Phi N SOT323 pnp dtr R1 10k t24 PDTC114TU Phi N SOT323 npn dtr R1 10k t2A PMBT3906 Phi N SOT23 2N3906 t2A PMST3906 Phi N SOT323 2N3906 t2B PMBT2907 Phi N SOT23 2N2907 t2D PMBTA92 Phi N SOT23 MPSA92 pnp Vce 300V t2D PMSTA92 Phi N SOT323 MPSA92 pnp Vce 300V t2E PMBTA93 Phi N SOT23 MPSA93 pnp Vce 200V t2E PMSTA93 Phi N SOT323 MPSA93 pnp Vce 200V t2F PMBT2907A Phi N SOT23 2N2907A t2F PMBT2907A Phi N SOT323 2N2907A t2G PMBTA56 Phi N SOT23 MPSA56 t2G PMSTA56 Phi N SOT323 MPSA56 t2H PMBTA55 Phi N SOT23 MPSA55 t2H PMSTA55 Phi N SOT323 MPSA55 t2L PMBT5401 Phi N SOT23 2N5401 pnp 150V t2L PMST5401 Phi N SOT323 2N5401 pnp 150V T2p BCX18 Phi N SOT23 BC328 t2T PMBT4403 Phi N SOT23 2N4403 t2T PMST4403 Phi N SOT323 2N4403 T2t BCX18 Phi N SOT23 BC328 t2U PMBTA63 Phi N SOT23 MPSA63 darlington t2V PMBTA* Phi H SOT23 MPSA* darlington t2X PMBT4401 Phi N SOT23 2N4401 t2X PMST4401 Phi N SOT323 2N4401 T3 BSS63 Phi N SOT23 BSS68 T3 HSMS-286E HP A SOT323 ca dual HSMS-286B T3 HSMS-2863 HP A SOT23 ca dual HSMS-286B t31 PDTA143XT Phi N SOT23 pnp dtr4k7+10k t32 PDTC143XT Phi N SOT23 pnp dtr 4k7+10ks T32 2SC4182 Nec N SOT23 npn RF fT 1.1GHz @3V hfe 60-105 T33 2SC4182 Nec N SOT23 npn RF fT 1.1GHz @3V hfe 85-150 T34 2SC4182 Nec N SOT23 npn RF fT 1.1GHz @3V hfe 120-220 T4 BCX17R Phi R SOT23R BC327 T4 HSMS-286F HP B SOT323 cc dual HSMS-286B T4 HSMS-28* HP B SOT23 cc dual HSMS-286B T4 MBD330DW Mot DL SOT363 dual UHF schottky diode T42 2SC3545P Nec N - npn RF fT 2GHz hfe 50-100