LATCH UP 测试分析
LATCH UP 测试
LATCH UP 测试。但是，以前我没做过类似的工作，因为以前的公司的芯片LATCH UP测试都是找宜硕这样的公司进行测试。LATCH UP测试主要分为VSUPPLY OVER VOLTAGE TEST ，I TEST。I test又分为PIT（POSITIVE I TEST)和NIT(NEGATIVE I TEST)。不过我们公司还增加了PVT(positive voltage test）和NVT（negative voltage test）。在JESD78D规范（这个可以从JEDEC 网站上下到）上提到latch up 的测试流程。首先待测试的IC 需要经过ATE测试，保证功能是正常的。然后首先进行I-TEST，如果I-TEST FAIL，那这颗芯片就没PASS，如果通过了I-TEST，然后再进行OVER VOLTAGE TEST; 如果此时IC FAIL，那么这颗芯片就没有通过LATCH UP TEST, 这些通过I-TEST 和OVER VOLTAGE TEST的芯片还要再进行ATE测试来确认芯片的功能是否正常。但是好多公司最后的ATE测试都省了。
VSUPPLY OVER VOLTAGE TEST，主要是对芯片的电源引脚进行过压测试，如果芯片有多个电源引脚，每个电源引脚都要进行测试。测试条件：一般是对电压引脚进行一个1.5X MAX VSUPPLY 的TRIGGER 测试，1）其他引脚接LOGIC HIGH, 2）其他引脚接LOGIC LOW。这两种情况都要进行测试。
PIT 测试是对除电源和地外的其他I/O引脚进行测试。电源接VCC，1）所有引脚接LOGIC HIGH, 然后给待测试引脚来一个POSITIVE TRIGGER CURRENT PULSE。2）所有引脚接LOGIC LOW,然后给待测试引脚来一个POSITIVE TRIGGER CURRENT PULSE。
NIT 测试是对除电源和地外的其他I/O引脚进行测试。电源接VCC，1）所有引脚接LOGIC HIGH, 然后给待测试引脚来一个Negative TRIGGER CURRENT PULSE。2）所有引脚接LOGIC LOW,然后给待测试引脚来一个Negative TRIGGER CURRENT PULSE。
LATCH UP 失效判定标准：
如果INOM<=25mA, 经过LATCH UP 测试之后，发现电流>INOM+10,则该芯片没有PASS LATCH UP 测试。
如果INOM>25mA, 经过LATCH UP 测试之后，发现电流>1.4X INOM,则该芯片没有PASS LATCH UP 测试。
LATCH UP 测试前后的电流对比差异，看有没有发生拴锁？
通常芯片经过LATCH UP 测试前后的电流变化很小。
latch-up描述
Latch up：即闩锁效应，又称自锁效应、闸流效应，它是由寄生晶体管引起的，属于CMOS电路的缺点。通常在电路设计和工艺制作中加以防止和限制。该效应会在低电压下导致大电流，这不仅能造成电路功能的混乱，而且还会使电源和地线间短路，引起芯片的永久性损坏。防止：在集成电路工艺中采用足够多的衬底接触。 Latch up 的定义 Latch up 最易产生在易受外部干扰的I/O电路处, 也偶尔 发生在内部电路 Latch up 是指cmos晶片中, 在电源power VDD和地线 GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互 影响而产生的一低阻抗通路, 它的存在会使VDD和 GND之间产生大电流 随着IC制造工艺的发展, 封装密度和集成度越来越高, 产生Latch up的可能性会越来越大 Latch up 产生的过度电流量可能会使芯片产生永久性的 破坏, Latch up 的防范是IC Layout 的最重要措施之一 Latch up 的原理图分析 Latch up 的原理分析Q1为一垂直式PNP BJT, 基极(base)是nwell, 基极到集电极(collector)的增益可达数百倍；Q2是一侧面式的 NPN BJT，基极为P substrate，到集电极的增益可达数 十倍；Rwell是nwell的寄生电阻；Rsub是substrate电 阻。 以上四元件构成可控硅（SCR）电路，当无外界干 扰未引起触发时，两个BJT处于截止状态，集电极电流 是C-B的反向漏电流构成，电流增益非常小，此时 Latch up不会产生。当其中一个BJT的集电极电流受外 部干扰突然增加到一定值时，会反馈至另一个BJT，从 而使两个BJT因触发而导通，VDD至GND（VSS）间 形成低抗通路，Latch up由此而产生。 CMOS电路中的寄生双极型晶体管部分出现闩锁，必须满足以下几个条件：(1) 电路要能进行开关转换,其相关的PNPN结构的回路增益必须大于1 即βnpn*βpnp >1，在最近的研究中,把闩锁产生的条件用寄生双极晶体管的有效注入效率和小信号电流增益来表达。即 (2) 必须存在一种偏置条件，使两只双极型晶体管导通的时间足够长，以使通过阻塞结的电流能达到定义的开关转换电流的水平。一般来说，双极管的导通都是由流过一个或两个发射极/基极旁路电阻的外部激发电流所引起的。(3) 偏置电源和有关的电路，必须能够提供至少等于PNPN结构脱离阻塞态所需开关转换电流和必须能提供至少等于使其达到闩锁态的保持电流。 闩锁的触发方式： (1) 输入或输出节点的上冲或下冲的触发，使第一个双极型晶体管导通，然后再使第二个双极型晶体管导通。当流入寄生PNPN结构的总电流达到开关转换电流时，闩锁就发生。 (2) 当流过阱-衬底结的雪崩电流，光电流及位移电流，，同时通过两个旁路
软件测试基本知识
软件测试基本知识 1、测试的定义 软件测试是软件工程过程的一个重要阶段，是在软件发布前对软件开发各阶段产品的最终检查，是为了保证软件开发产品的正确性、完全性和一致性而检测软件错误、修正软件错误的过程。 软件测试是： ①程序测试是为了发现错误而执行程序的过程； ②测试是为了证明程序有错，而不是证明程序无错误； ③一个好的测试用例是在于它能发现至今未发现的错误； ④一个成功的测试是发现了至今未发现的错误的测试。 软件开发的目的是开发出实现用户需求的高质量、高性能的软件产品，而软件测试是以检查软件功能和其他非功能特性为核心，是软件质量保证的关键，也是成功实现软件开发目标的重要保障。 2、测试的种类 从测试方法角度，测试分为： 1．黑盒测试：是功能测试、数据驱动测试或基于规格说明的测试。在不考虑程序内部结构和内部特性的情况下，测试者依据该程序功能上的输入输出关系，或是程序的外部特性来设计和选择测试用例，推断程序编码的正确性。 2．白盒测试：是结构测试、逻辑驱动测试或基于程序的测试。测试者熟悉程序的内部结构，依据程序模块的内部结构来设计测试用例，检测程序代码的正确性 从测试发生的时间顺序，测试分为： 1．单元测试：是对软件基本单元的测试 2．集成测试：对由个模块组装而成的系统进行测试，检查各模块间的接口和通信 3．验收测试：验证软件的功能和性能及其它特性是否与用户的要求一致。 4．系统测试：是将通过验收测试的软件，作为整个基于计算机系统的一个元素，与计算机硬件、外设、某些支持软件、数据等其它系统元素结合在一起，在实际运行环境下，对计算机系统进行一系列确认测试。系统测试的目的在于通过与系统的需求定义作比较,发现软件与系统的定义不符合或与之矛盾的地方。 在MSF中，测试分为2大类：
机械测试技术实验报告
《机械测试技术》 实验报告 学院：机械工程与自动化学院专业：机械设计制造及其自动化 学号：姓名 中北大学机械工程系 2012年5月15
实验一：用应变仪测量电阻应变片的灵敏度 一、实验目的 1．掌握电阻应变片的粘贴工艺技术； 2．掌握选择应变片的原则及粘贴质量的检查； 3. 掌握在静载荷下使用电阻应变仪测量方法； 1.掌握桥路连接和电阻应变仪工作原理； 5. 了解影响测量误差产生的因素； 6．为后续电阻应变测量的实验做好在试件上粘贴应变片、接线、防潮、检查等准备工作。 二、实验仪器及设备 常温用电阻应变片；等强度梁试件； 天平秤；砝码；INV1861应变调理器； 千分尺（0～25㎜）；INV3018C信号采集分析仪； 防潮用硅胶；游标卡尺； 电烙铁、镊子、砂纸等工具；小台钳、钢尺、划针； 502粘结剂（氰基丙烯酸酯粘结剂）；丙酮、乙醇、药棉等清洗器材等。 三、实验原理 电测法的基本原理是：将电阻应变片粘贴在被测构件的表面，当构件发生变形时，应变片随着构件一起变形（ΔL/L），应变片的电阻值将发生相应的变化，通过电阻应变仪，可测量出应变片中电阻值的变化（ΔR/R），并换算成应变值，或输出与应变成正比的模拟电信号（电压或电流），用记录仪记录下来，也可用计算机按预定的要求进行数据处理，得到所需要的应变或应力值。电阻应变片的灵敏度是构件单位应变所引起应变片电阻值的变化量，用S来表示。 本实验中用到的是单臂电桥，即四分之一桥，工作中只有一个桥臂电阻随着被测量的变化而变化，设改电阻为R1，产生的电阻变化量为ΔR，原理如下图所示：
个 则输出电压0U 的值为： 01 4 e u u S =ε 式中, 0u 为输出电压，ε为应变值，e u 为供桥电压，0u 和ε可从分析仪中直接读出， e u 在应变仪中读出，S 为实验所求。 四、实验方法与实验步骤 1.选片。目测电阻应变片有无折痕、断丝、霉点、锈点等缺陷，缺陷应变片不能粘贴，必须更换。 2.测片。用数字万用表或电桥精确测量应变片电阻值的大小。注意：不要用手或不干净的物品直接接触应变片基底。测量时应放在干净的书面上，不能使其受力，应保持平直。记录各个应变片的阻值，要求应变片阻值精确到小数点后一位数字。对于标称电阻为120Ω的应变片，测量时数字万用表必须打到200Ω档位上，所测电阻值为原始电阻。要求同一电桥中各应变片之间阻值相差均不得大于0.5Ω，否则需要更换。 3.试件表面处理。实验所用试件为等强度梁，为使粘贴牢固，必须对试件表面进行处理，处理过程如下： （1）用细砂纸在等强度梁表面需贴片处打磨，打磨方向与贴片轴线位置成45度交叉。如等强度梁上有以前贴好的应变片，先用小刀铲掉。应变片为一次性消耗材料，粘贴后再起下来不能再用。 （2）用棉花球蘸丙酮、乙醇擦洗表面的油污和锈斑，直到干净再自行晾干。 （3）然后用划针在贴片处划出十字线，作为贴片坐标，再用棉球擦一下。 （4）打磨好的表面，如暂时不贴片，可涂以凡士林等防止氧化。 4.贴片。贴片过程如下： R1+δR R2 R4 R3 U e B D R2 A B C D R1 R4 R3 C 0
机械工程测试技术基础实验报告
《机械工程测试技术基础》实验报告 专业 班级学号 姓名 成绩 沈阳理工大学机械工程学院 机械工程实验教学中心 2015年4月
目录 实验一金属箔式应变片——电桥性能实验1 1.1实验内容1 1.2实验目的1 1.3实验仪器、设备1 1.4简单原理1 1.5实验步骤2 1.6实验结果2 1.7思考题4 实验二状态滤波器动态特性实验4 2.1实验内容4 2.2实验目的4 2.3实验仪器、设备5 2.4简单原理5 2.5实验步骤5 2.6实验结果6 2.7思考题11 实验三电机动平衡综合测试实验11 3.1实验内容11 3.2实验目的11 3.3实验仪器、设备11 3.4简单原理12
3.5实验步骤12 3.6实验结果13 3.7思考题15 实验四光栅传感器测距实验15 4.1实验内容15 4.2实验目的16 4.3实验仪器、设备16 4.4简单原理16 4.5实验步骤16 4.6实验结果17 4.5思考题19 实验五 PSD位置传感器位置测量实验19 5.1实验内容19 5.2实验目的19 5.3实验仪器、设备19 5.4简单原理19 5.5实验步骤20 5.6实验结果20 5.7思考题23 -
实验一金属箔式应变片——电桥性能实验指导教师日期 1.1实验内容 1.2实验目的 1.3实验仪器、设备 1.4简单原理
1.5实验步骤 1.6实验结果 表1.1 应变片单臂电桥实验数据表
表1.2 应变片半桥实验数据表 根据实验结果计算单臂和半桥的灵敏度、线性误差、回程误差，在座标纸上分别画出单臂、板桥的输入及输出关系曲线，并在曲线上标出线性误差、回城误差位置：
软件测试技术实验报告——图书管理系统测试报告
图书管理系统测试报告
1简介 1.1编写目的 本测试报告描述了对图书管理系统的压力测试和对登录和注册功能的黑盒 测试，根据测试结果指导开发人员对软件产品进行完善和优化，给用户提供一份 客观的软件质量报告。本方案的主要读者为软件开发项目管理者、软件工程师、系统维护工程师、测试工程师、客户代表等。 测试流程： 制定测试计划开发测试脚本创建测试场景分析测试结果监视性能指标运行场景测试1.2系统简介 项目名称：图书管理系统 项目简介：本项目探讨了一个基于J2的图书管理系统的设计和实现。基于 J2下的图书管理系统用语言开发处理程序，选择强大的作为开发工具，用交互式 网站界面设计技术( )开发前台界面，后台数据库选择。本系统实现了基本的对书 籍信息、读者信息、借阅信息、归还信息、查询信息进行管理和操作等功能，可 以满足普通用户、管理员的需求。
1.3术语和缩略词参考资料 1）响应时间：客户端从给服务器发送一个请求开始直到完全接受了服务器反馈信息为止，这期间所用的时间称为响应时间。 2）吞吐率：即应用系统在单位时间内完成的交易量，也就是在单位时间内，应用系统针对不同的负载压力，所能完成的交易数量。 3）点击率：每秒钟用户向服务器提交的请求数。 4）图书管理系统项目开发计划，需求规格说明书，概要设计说明书，详细设计说明书。 5）黑盒测试：英文是。又称功能测试或者数据驱动测试。 6）等价划分测试：等价划分测试是根据等价类设计测试用例的一种技术。
2测试概要 2.1测试用例设计 2.1.1黑盒测试： 1)边界值法 用边界值法设计用户注册测试用例： a)先等价划分 b)边界值分析
LATCHUP测试分析
LATCH UP 测试 LATCH UP 测试。但是，以前我没做过类似的工作，因为以前的公司的芯片LATCH UP测试都是找宜硕这样的公司进行测试。LATCH UP测试主要分为VSUPPLY OVER VOLTAGE TEST ，I TEST。I test又分为PIT（POSITIVE I TEST)和NIT(NEGATIVE I TEST)。不过我们公司还增加了PVT(positive voltage test）和NVT（negative voltage test）。在JESD78D 规范（这个可以从JEDEC 网站上下到）上提到latch up 的测试流程。首先待测试的IC 需要经过ATE测试，保证功能是正常的。然后首先进行I-TEST，如果I-TEST FAIL，那这颗芯片就没PASS，如果通过了I-TEST，然后再进行OVER VOLTAGE TEST; 如果此时IC FAIL，那么这颗芯片就没有通过LATCH UP TEST, 这些通过I-TEST 和OVER VOLTAGE TEST的芯片还要再进行ATE测试来确认芯片的功能是否正常。但是好多公司最后的ATE测试都省了。VSUPPLY OVER VOLTAGE TEST，主要是对芯片的电源引脚进行过压测试，如果芯片有多个电源引脚，每个电源引脚都要进行测试。测试条件：一般是对电压引脚进行一个 1.5X MAX VSUPPLY的TRIGGER 测试，1）其他引脚接LOGIC HIGH, 2）其他引脚接LOGIC LOW。这两种情况都要进行测试。 PIT 测试是对除电源和地外的其他I/O引脚进行测试。电源接VCC，1）所有引脚接LOGIC HIGH, 然后给待测试引脚来一个POSITIVE TRIGGER CURRENT PULSE。2）所有引脚接LOGIC LOW,然后给待测试引脚来一个POSITIVE TRIGGER CURRENT PULSE。 NIT 测试是对除电源和地外的其他I/O引脚进行测试。电源接VCC，1）所有引脚接LOGIC HIGH, 然后给待测试引脚来一个Negative TRIGGER CURRENT PULSE。2）所有引脚接LOGIC LOW,然后给待测试引脚来一个Negative TRIGGER CURRENT PULSE。 LATCH UP 失效判定标准： 如果INOM<=25mA, 经过LATCH UP 测试之后，发现电流>INOM+10,则该芯片没有PASS LATCH
实验报告实验心得
实验心得体会 在做测试技术的实验前,我以为不会难做,就像以前做物理实验一样,做完实验,然后两下 子就将实验报告做完.直到做完测试实验时,我才知道其实并不容易做,但学到的知识与难度 成正比,使我受益匪浅. 在做实验前,一定要将课本上的知识吃透,因为这是做实验的基础,否则,在老师讲解时就 会听不懂,这将使你在做实验时的难度加大,浪费做实验的宝贵时间.比如做光伏的实验,你要 清楚光伏的各种接法,如果你不清楚,在做实验时才去摸索,这将使你极大地浪费时间,使你事 倍功半.做实验时,一定要亲力亲为,务必要将每个步骤,每个细节弄清楚,弄明白,实验后,还 要复习,思考,这样,你的印象才深刻,记得才牢固,否则,过后不久你就会忘得一干二净,这还 不如不做.做实验时,老师还会根据自己的亲身体会,将一些课本上没有的知识教给我们,拓宽 我们的眼界,使我们认识到这门课程在生活中的应用是那么的广泛. 通过这次测试技术的实验,使我学到了不少实用的知识,更重要的是,做实验的过程,思考 问题的方法,这与做其他的实验是通用的,真正使我们受益匪浅. 实验心得体会 这个学期我们学习了测试技术这门课程，它是一门综合应用相关课程的知识和内容来解 决科研、生产、国防建设乃至人类生活所面临的测试问题的课程。测试技术是测量和实验的 技术，涉及到测试方法的分类和选择，传感器的选择、标定、安装及信号获取，信号调理、 变换、信号分析和特征识别、诊断等，涉及到测试系统静动态性能、测试动力学方面的考虑 和自动化程度的提高，涉及到计算机技术基础和基于labview的虚拟测试技术的运用等。 课程知识的实用性很强，因此实验就显得非常重要，我们做了金属箔式应变片：单臂、 半桥、全桥比较, 回转机构振动测量及谱分析, 悬臂梁一阶固有频率及阻尼系数测试三个实 验。刚开始做实验的时候，由于自己的理论知识基础不好，在实验过程遇到了许多的难题， 也使我感到理论知识的重要性。但是我并没有气垒，在实验中发现问题，自己看书，独立思 考，最终解决问题，从而也就加深我对课本理论知识的理解，达到了“双赢”的效果。 实验中我学会了单臂单桥、半桥、全桥的性能的验证；用振动测试的方法，识别一小阻 尼结构的（悬臂梁）一阶固有频率和阻尼系数；掌握压电加速度传感器的性能与使用方法； 了解并掌握机械振动信号测量的基本方法；掌握测试信号的频率域分析方法；还有了解虚拟 仪器的使用方法等等。实验过程中培养了我在实践中研究问题，分析问题和解决问 题的能力以及培养了良好的工程素质和科学道德，例如团队精神、交流能力、独立思考、 测试前沿信息的捕获能力等；提高了自己动手能力，培养理论联系实际的作风，增强创新意 识。 实验体会 这次的实验一共做了三个，包括：金属箔式应变片：单臂、半桥、全桥比较；回转机构 振动测量及谱分析；悬臂梁一阶固有频率及阻尼系数测试。各有特点。 通过这次实验，我大开眼界，因为这次实验特别是回转机构振动测量及谱分析和悬臂梁 一阶固有频率及阻尼系数测试，需要用软件编程，并且用电脑显示输出。可以说是半自动化。 因此在实验过程中我受易非浅：它让我深刻体会到实验前的理论知识准备，也就是要事前了 解将要做的实验的有关质料，如：实验要求，实验内容，实验步骤，最重要的是要记录什么 数据和怎样做数据处理，等等。虽然做实验时，指导老师会讲解一下实验步骤和怎样记录数 据，但是如果自己没有一些基础知识，那时是很难作得下去的，惟有胡乱按老师指使做，其 实自己也不知道做什么。 在这次实验中，我学到很多东西，加强了我的动手能力，并且培养了我的独立思考能力。 特别是在做实验报告时，因为在做数据处理时出现很多问题，如果不解决的话，将会很难的 继续下去。例如：数据处理时，遇到要进行数据获取，这就要求懂得labview软件一些基本
测试基础知识面试题
软件测试基础知识面试题 1、介绍一下整体项目流程 答案： 1. 搭建缺陷管理的环境和测试环境以及配置管理的环境搭建； 2. 编写测试计划； 3. 设计测试用例； 4. 编写测试用例； 5. 测试用例的评审； 6. 执行测试； 7. 缺陷管理； 8. 测试报告的输出 2、在实际项目中你是如何做测试计划 答案： 1.对客户提供的或需求分析人员编写的用户需求文档或需求规格说明书进行分析，提炼出测试要点； 2.根据测试要点编写测试用例。 3.由评审组对测试用例进行评审--修改--再次评审--初步定稿 4.执行测试 4.1 按照测试用例对系统进行功能验证及客户的需求验证 4.2 将测试过程中产生的Bug录入缺陷管理系统 4.3 新版本发布后，对本次版本新增加的功能以及开发人员修正的Bug进行回归测试 4.4 根据项目需要提交测试报告。 3、你是如何制定测试过程中的时间进度表的 答案: 根据项目的需求、开发周期、开发人员的开发进度等时间安排来制定一个测试时间进度初稿，并将测试时间进度表交与整个项目团队成员大家一起讨论和分析，最终和所有人达成共识制定出一个大家都可以执行的测试时间进度表。 时间表中包括了开发人员提交功能或功能模块的时间，以及为了更好的执行测试，配合测试人员进行功能培训的时间，以及测试执行时间等，都详细的写到WBS（工作分解结构（Work Breakdown Structure）以可交付成果为导向对项目要素进行的分组，它归纳和定义了项目的整个工作范围每下降一层代表对项目工作的更详细定义）中，并按照这个时间进度表来执行项目的测试任务。 4、测试计划都包括那些项 答案： 1. 测试计划目标 2. 测试参考文档 3.测试术语与定义 4. 测试内容 5. 测试人员的分工 6. 测试进度 7. 测试流程 8. 测试工具 9.测试缺陷管理10. 测试的风险分析 5、测试用例如何设计的 答案： 在测试用例设计之前首先要熟悉客户的需求文档或需求规格说明书，以做到对被测系统的熟
测试技术实验报告3-2017
测试技术实验报告3-2017
实验题目：《测试装置动态特性的测量》 实验报告 第 3 组姓名+学号： 胡孝义 2111701272 付青云 2111701146 黄飞 2111701306 黄光灿 2111701322 柯桂浩 2111701321 李婿 2111701346 邝祎程 2111701312 实验时间：2017年12月29日 实验班级： 实验教师：邹大鹏教授 成绩评定：_____ __ 教师签名：_____ __ 机电学院工程测试技术实验室 广东工业大学 广东工业大学实验报告
一、预习报告：（进入实验室之前完成） 1.实验目的与要求: 目的： 1）．了解差动变压器式位移传感器的工作原理 2）．掌握测试装置动态特性的测试 3）．掌握m-k-c 二阶系统动态特性参数的影响因素 要求： 1).差动变压器式位移传感器的标定 2）．弹簧振子二阶系统的阻尼比和固有频率的测量 2.初定设计方案: 根据测量出的弹簧振子欠阻尼二阶系统的阶跃响应曲线来求系统的动态特性：固有频率ωn 和阻尼比ξ。 实验时确定的设计方案: 先将质量振子偏离平衡，具有一定的初始位移，然后松开。该二阶系统在初始位移的作用下，产生一定的输出，位移传感器采集到系统的输出并传输给计算机，生成阶跃响应曲线。该输出是由初始状态引起的，可称之为零输入响应，也可看作是由初始位置到零的阶跃响应。 (1)求有阻尼固有频率ωd ωd =2π/T d （2）求阻尼比ξ 利用任意两个超调量M 和M 可求出其阻尼比，n 是该两个峰值相隔的某一整周期数。计算公式为 ξ=2222n 4n n πδδ+ (3)求无阻尼固有频率ωn 计算出有阻尼固有频率ωd ，阻尼比ξ之后，根据公式可求出系统的固有频率ωn ωd = 2 1ξ ω-d (4)求弹簧的刚度和振子组件的质量 振子组件主要由振子、滑杆、振子位置调节器、阻尼片、传感器连接杆等组成。
JGB测试技术基础实验报告
测试技术基础实验报告 2017年06月8日
实验一光栅传感器测位移实验 1、四倍频辨向电路的工作原理 四倍频电路是一种位置细分法，就是使正弦信号在0度、90度、180度、270度都有脉冲输出，可使测量精度提高四倍。 光栅传感器输出两路相位相差为90的方波信号A和B.如图l所示，用A，B 两相信号的脉冲数表示光栅走过的位移量，标志光栅分正向与反向移动．四倍频后的信号，经计数器计数后转化为相对位置.计数过程一般有两种实现方法：一是由微处理器内部定时计数器实现计数；二是由可逆计数器实现对正反向脉冲的计数． ①当光栅正向移动时，光栅输出的A相信号的相位超前B相90，则在一个周期内，两相信号共有4次相对变化：00→10→11→01→00．这样,如果每发生一次变化，可逆计数器便实现一次加计数,一个周期内共可实现4次加计数，从而实现正转状态的四倍频计数． ②当光栅反向移动时，光栅输出的A相信号的相位滞后于B相信号90，则一个周期内两相信号也有4次相对变化：00→01→11→10→00．同理，如果每发生一次变化，可逆计数器便实现一次减计数，在一个周期内，共可实现4次减计数，就实现了反转。 2、四倍频辨向电路波形图
实验二：电容式、涡流式传感器的特性及应用实验 一变面积传感器实验原理及电路 实验电路框图如图2所示。电容的变化通过电容转换电路转换成电压信号，经过差动放大器后，用数字电压表显示出来。 图2 电容式传感器实验电路框图 图3 电容转换电路原理图
图4 二极管环形电桥原理图 1、根据表1实测数据，画出输入/输出特性曲线Uo=f（X)，并且计算灵敏度和 非线性误差。 表1-1变面积电容传感器实测数据记录表 输入/输出特性曲线
功率放大器测试基本常识
功率放大器测试基本常识 一、功率放大器常用测量的仪器： 1.音频信号发生器， 2.毫伏表， 3.示波器， 4.失真仪， 5.负载， 6.信号扫 频仪， 7.万能表, 8.高压测试仪， 9.电阻测试仪。 二、测量仪器连接方式： 三、测试项目： 1.AC 电压测试：单位：V （交流电压） 根据出货地点不同而设定的电压：117±5 V 、220±5 V 。 老化实验时必须提升原电压的10％作为测试电压。 2.DC 电压测试：单位：V （直流电压） 根据各机器要求不同而设定的电压，如±10V 。 3.ID 测试：单位：mv ID 为功率放大器的静态电流之简称。 测试时用万用表200MV 挡，测水泥电阻的两端（发射极对地），标准值为 5MV 或按工程要求。 4.灵敏度测试：(信号强度) 单位：mv 输出额定电压时所须的信号强度：(专业机型)卡侬座700—800 mv ，莲花 音频信号发生器 信号扫频仪 被测产品（功率放大 器） 负载箱 失真仪 毫伏表 示波器 转换器 IN OUT 并联 并联 ＋ － ＋ ＋ － － ＋ ＋ ＋ － － － ＋ － － ＋ ＋ － ～ ～ ～ ～ － －
座400—500 mv或按工程要求。 5.分离度、串音测试：单位：dB 输出额定电压时，两通道间的分离幅度，从一通道满功率输出测另一通道的dB数。标准值60dB。或按工程要求。 6.频响测试：(频率响应) 单位：dB 输出额定电压时，调小本通道VR，使输出衰减10dB,（或20 dB按要求）的电压为“0” dB，调节信号频率至低频和高频（20Hz----20KHz测试），并使信号源幅度不变（输入信号和原来一样），此时的输出与“0” dB相比较，变化在一定范围内±3 dB。 7.信噪比(S\N) 测试：单位：dB或mv 输出额定电压时，去掉信号后的电压，噪音和满功率信号的比值，90dB 以上、3mv以下或按工程要求。 8.额定功率测试：单位：W 2 信号强度和阻抗一定时的电压。功率（P）＝电压（U）/阻抗（R）最大不失真的条件下。 9.失真度测试：单位：％ 1KHz信号，输出额定电压时的失真度。0.5％以下或按工程要求。 10.动态失真测试：单位：％ 输出额定电压时，先关本通道VR至最小，信号源按要求提升25或30dB, 再调大本通道VR，输出10V（例），或按工程要求的电压值，波形不切波，看失真。 11.容性电容测试： 输出额定电压时，把负载调至容性负载，看输出与额定输出相比较的值 应在一定范围内，并且波形无毛刺（振荡）现象。输出额定电压时所加
闩锁效应latch up
闩锁效应（latch up） 闩锁效应（latch up）是CMOS必须注意的现象，latch我认为解释为回路更合适，大家以后看到latch up就联想到在NMOS与PMOS里面的回路，其实你就懂了一半了. 为什么它这么重要？因为它会导致整个芯片的失效，所以latch up是QUAL测试的一种，并且与ESD（静电防护）紧密相关。 第一部分 latch up的原理 我用一句最简单的话来概括，大家只要记住这句话就行了：latch－up是PNPN的连接，本质是两个寄生双载子transisitor的连接，每一个transistor的基极（base）与集极（collector）相连，也可以反过来说，每一个transistor的集极（collector）与另一个transistor的基极（base）相连，形成positive feedback loop（正回馈回路）, 下面我分别解释。 我们先复习什么是npn，如图1，在n端加正偏压，np之间的势垒就会降低，n端电子为主要载流子，于是电子就很开心地跑到p,其中有一部分电子跑得太开心了，中间的p又不够厚，于是就到pn的交界处，这时右边的n端是逆偏压，于是就很容易就过去了。所以，左边的n为射极（emmiter，发射电子），中间P为基极（base），右边n为集极(collector,收集电子嘛）
理解了npn，那么pnp就好办，如图2。 图2清楚的表示了latch up的回路。左边是npn，右边是pnp， 图3是电路示意图。 大家可以看出，P－sub既是npn的基极，又是pnp的集极；n－well既是既是pnp的基极，又是npn的集极，所以说，每一个transistor的集极（collector）与另一个transistor的基极（base）相连。 那么电流怎么走呢？
Latch Up的起因,经过,结果 (转载 && 节选)
Latch Up的起因，经过，结果（转载&& 节选） 在CMOS制程里，这种情况就是由于npn或pnp结构形成的放大电路造成的。所以要了解latch up现象，就必然首先了解放大电路是如何构成的，而最根本的就归结到npn或pnp 晶体管是如何工作的。了解晶体管的工作原理是研究latch up的重点。而解决这一问题的关键又在于了解放大电路是如何构成的，这是两个方面，以下着重讨论。 一、晶体管的工作原理 半导体工艺中，由高纯度的本征半导体进行掺杂，从而形成不同的形态。如果掺杂5价原子因电子数大于空穴数即称为n型半导体，若掺杂3价原子因电子数小于空穴数即称为p型半导体。空穴和电子都能搬运电荷，因而称载流子。 将两种形态的半导体相邻结合到一起，由于彼此所含电子和空穴数浓度不同，因而相互扩散，由浓度高的向浓度低的地方移动，电子和空穴会在一定时间内相互结合而消失，以保持中性，这样形成一段没有载流子的空间，称为耗尽层。耗尽层存在电位差，有电场的存在，称之为内电场。在电场的作用下载流子发生定向移动，称之为漂移。扩散使电场增加，空间电荷范围加大，而漂移则在减弱空间电荷范围。这种将pn相邻结合到一起制成的晶体结构，称之为pn结。pn结在没有外力的情况下，处于热平衡状态，这种平衡状态是处于动态之中的，即扩散运动与漂移运行达成的平衡状态。 pn结的外加电压，如果p端的电位高于n端的电位，这样的外电电场削弱了内电场，有利于多数载流子的扩散，形成从p流向n的电流，称为正向偏置，反之，载流子则几乎不发生移动，称为反向偏置。反向电压大于某一值时，会有导致pn结击穿，称为齐纳击穿或隧道击穿。另一种情况，是pn结两侧的杂质浓度过小，在高的反向电压作用下，引起价键的断裂，从而使电流成倍增加，称为电子雪崩现象或雪崩击穿。pn结制作成元器件使用就是二极管。pn结，p区空穴向n区扩散，n区电子向p区扩散，在相遇处复合。p区空穴扩散后留下负离子，而n区电子扩散后留下正离子，形成由n指向p的内电场。正向偏置时，p 区不断提供复合留下的负离子，n区则复合留下的正离子，使得内电场范围缩小，扩散运动大于漂移运动，平衡状态发生破坏，因而有电流的产生。反向偏置，少数载流子的漂移处于优势，但因少数载流子浓度太低，引起的反向电流远小于正向电流。所以问题关键在于扩散与漂移运动是否平衡。 半导体三极管，存在两个pn结，了解半导体三极管的工作原理就是要了解这两个pn结的平衡状态，在发生什么变化。这是三极管的符号，B(base)代表基电极，C(collector)代表集电极，E(emitter)代表发射极。 晶体管的制作要求，从浓度大小来看，发射区最大，集电区最小。从尺寸看，集电区最大，基区最小。如果条件不能满足，晶体管将无法工作。 以下以基极接地(共基极)为例进行分析： 如上图所示，在E-B之间加正向偏置，在B-C之间加反向偏置。
软件测试基础知识整理
软件测试基础教程 测试是软件生存周期中十分重要的一个过程，是产品发布、提交给最终用户前的稳定化阶段。 一、测试的分类： 从测试方法的角度分为： （1）手工测试：不使用任何测试工具，根据事先设计好的测试用例来运行系统，测试各功能模块。 （2）自动化测试：利用测试工具，通过编写测试脚本和输入测试数据，自动运行测试程序。目前最常用的自动化测试工具是基于GUI的自动化测试工具，基本原理都是录制、回放技术。 > 从整体的角度分为： （1）单元测试：是针对软件设计的最小单位—程序模块，进行正确性检验的测试工作。一般包括逻辑检查、结构检查、接口检查、出错处理、代码注释、输入校验、边界值检查。单元测试的依据是系统的详细设计；一般由项目组开发人员自己 完成。 （2）集成测试：在单元测试的基础上，将所有模块按照设计要求组装进行测试。一般包括逻辑关系检查、数据关系检查、业务关系检查、模块间接口检查、外部接口检查。 （3）系统测试：系统测试是在所有单元、集成测试后，对系统的功能及性能的总体测试。 （4）确认测试：模拟用户运行的业务环境，运用黑盒测试方法，验证软件系统是否满足用户需求或软件需求说明书中指明的软件特性（功能、非功能）上的。 从测试原理上分为： . （1）白盒测试：是通过程序的源代码进行测试而不使用用户界面。这种类型的测试需要从代码句法发现内部代码在算法，溢出，路径，条件等等中的缺点或者错误，进而加以修正。 （2）黑盒测试：是通过使用整个软件或某种软件功能来严格地测试，而并没有通过检查程序的源代码或者很清楚地了解该软件的源代码程序具体是怎样设计的。测试人员通过输入他们的数据然后看输出的结果从而了解软件怎样工作。在测试时， 把程序看作一个不能打开的黑盆子，在完全不考虑程序内部结构和内部特性的情况下，测试者在程序接口进行测试，它 只检查程序功能是否按照需求规格说明书的规定正常使用，程序是否能适当地接收和正确的输出。 黑盒测试方法主要有等价类划分、边界值分析、因—果图、错误推测法。 A、等价类划分：是把所有可能的输入数据，即程序的输入域划分成若干部分（子集），然后从每一个子 集中选取少数具有代表性的数据作为测试用例。该方法是一种重要的，常用的黑盒测试 用例设计方法。 B、边界值分析：长期的测试工作经验告诉我们，大量的错误是发生在输入或输出范围的边界上，而不是 发生在输入输出范围的内部。因此针对各种边界情况设计测试用例，可以查出更多的错 误。 C、错误推测法：基于经验和直觉推测程序中所有可能存在的各种错误，从而有针对性的设计测试用例的 方法。错误推测方法的基本思想：列举出程序中所有可能有的错误和容易发生错误的特 殊情况，根据他们选择测试用例。例如，在单元测试时曾列出的许多在模块中常见的 错误。以前产品测试中曾经发现的错误等，这些就是经验的总结。还有，输入数据 和输出数据为0的情况。输入表格为空格或输入表格只有一行。这些都是容易发生错 误的情况。可选择这些情况下的例子作为测试用例。
LATCHUP测试分析
LATCH UP测试 LATCH UP测试。但是，以前我没做过类似的工作，因为以前的公司的芯片LATCH UF W试 都是找宜硕这样的公司进行测试。LATCH UR M试主要分为VSUPPLY OVER VOLTAGE TEST I TEST o I test 又分为PIT( POSITIVE I TEST) 和NIT(NEGATIVE I TEST)。不过我们公司还增加了PVT(positive voltage test )和NVT( negative voltage test )。在JESD78D 规范(这个可以从JEDEC网站上下到)上提到latch up的测试流程。首先待测试的IC需要经过ATE测试，保证功能是正常的。然后首先进行I-TEST，如果I-TEST FAIL,那这颗芯片就没PASS如果通过了I-TEST，然后再进行OVER VOLTAGE TES如果此时IC FAIL，那么这颗芯片就没有通过LATCH UP TEST这些通过I-TEST和OVER VOLTAGE TES芯片还要再进行ATE测试来确认芯片的功能是否正常。但是好多公司最后的ATE测试都省了。VSUPPLY OVER VOLTAGE TE主要是对芯片的电源引脚进行过压测试，如果芯片有多个电源引脚，每个电源引脚都要进行测试。测试条件：一般是对电压引脚进行一个 1.5X MAX VSUPPLY勺TRIGGER S试，1)其他引脚接LOGIC HIGH, 2)其他引脚接LOGIC LO W这两种情况都要进行测试。 PIT测试是对除电源和地外的其他I/O引脚进行测试。电源接VCC 1)所有引脚接LOGIC HIGH,然后给待测试弓I脚来一个POSITIVE TRIGGER CURRENT PULS)所有弓I脚接LOGIC LOW然后给待测试弓I脚来一个POSITIVE TRIGGER CURRENT PULSE NIT 测试是对除电源和地外的其他I/O 引脚进行测试。电源接VCC，1)所有引脚接LOGIC HIGH,然后给待测试弓I脚来一个Negative TRIGGER CURRENT PULSE)所有弓I脚接LOGIC LOW然后给待测试弓I脚来一个Negative TRIGGER CURRENT PULSE LATCH UP失效判定标准： 如果INOM<=25mA经过LATCHJP测试之后，发现电流>INOM+1O则该芯片没有PASS.ATCH
机械工程测试技术基础实验报告
武汉理工大学《机械工程测试技术》课程实验报告 专业：机械电子工程 姓名：大傻逼 年级：2019级 班级：测控1班 学号：201903704567
实验三等强度梁弯矩、拉力测试和标定实验 实验目的 学会制定梁的弯矩和拉力传感器制作方法；学会金属电阻应变片的标定方法；学会通过弯矩信号推导等强度梁的垂向结构参数（固有频率和阻尼比系数） 2实验原理 实验原理图： 应变片R1 R2 R3 R4接线图 （3）电桥的灵敏度 电桥的灵敏度Su是单位电阻变化率所对应的输出电压的大小
Su=U/(ΔR/R)=0.25UO(ΔR1/R1+ΔR2/R2+ ΔR3 / R3- ΔR4 / R4)/(ΔR/ R) n=(R1/R1- R2 / R2+ R3/R3- R4/R4)/(ΔR/ R) 则Su=0.25n U1 式中，n 为电桥的工作臂系数 利用最小二乘法计算单臂全桥的电压输出灵敏度S，S = ΔV/Δm，并做出V～m 关系 在载物平台上加标准砝码，每加一个记录一个放大器输出电压值，并列表： 灵敏度为直线的斜率为 =（1.35+0.81+0.28）-（1.09+0.54+0）/3*2=0.135 V/k 实验图片贴片
贴片一 贴片二 固有频率和阻尼比的计算 在这个实验中，我们使用的是自由衰减法，以下是实验应该得到的曲线样本及物理模型。 做震动减弱原理图
实验步骤及内容 1，按要求，把各实验仪器连接好接入电脑中，然后在悬臂梁上粘紧压电式加速度传感器打开计算机，。。 2，打开计算机，启动计算机上的“振动测试及谱分析.vi ”。 3，选择适当的采样频率和采样点数以及硬件增益。点击LabVIEW 上的运行按钮（Run ）观察由 脉冲信号引起梁自由衰减的曲线的波形和频谱。 4，尝试输入不同的滤波截止频率，观察振动信号的波形和频谱的变化。 5，尝试输入不同的采样频率和采样点数以及硬件增益，观察振动信号的波形变化。 6，根椐最合适的参数选择，显示最佳的结果。然后按下“结束按钮，完成信号采集。最后我选择的参数是：采样频率sf 为512HZ,采样点数N为512点。 7，记录数据，copy读到数据的程序，关闭计算机。
测试基本知识培训试题
基本知识培训试题、版本管理 1 ?版本管理的好处是什么？ 答： 统一版本，历史回溯，变更比较，文件存放安全。 4 ?版本管理最常用的操作是哪些？ 答： 增加、Checkin、Checkout 、Delete 。
、测试 7 .用ftp工具，以用户名rulej登录服务器，如果将本地文件上传到mm21s目录下，将会有什么情况发生？ 答：
无法将本地文件上传到mm21s的目录下，由于使用rulej用户登录服务器，不具有对rulej的同级目
录和父级目录的操作权限。 8 ?如何在测试服务器上压缩或解压 tar 文件？ a ） 如何将当前目录下的 test 目录，压缩成test.tar b ） 如何将当前目录下的test.tar 压缩文件解压 答： a ） $tar cvf test.tar test b ） $tar xvf test.tar test 9 .请写出unix 下操作的常用命令。 答： ls,more,cd,mkdir,rm,pwd,cat,... 10 .如何设置环境变量。 答： a) $ NAME=TOM export NAME b) $ NAME=TOM $ export NAME 11 .如何编译程序？ 答： 调用make ［参数］ 12 .如何使用vi 编辑器？ 答： $ vi ［文件名］ i 命令、a 命令、o 命令 <-进入编辑状态 按ESC 键退出编辑状态 w-保存q-退出wq 保存退出q!不保存退出 13 .分别说出下列命令行的作用: a)$find . —n ame “ so.txt ” -pri nt b)$find . —n ame “so.txt ” -exec rm {} ; b)$find . —n ame “so.txt ” -ok rm {} “; 答： a ） 在当前目录以及子目录下查找文件 b ） 在当前目录以及子目录下查找文件 c ） 在当前目录以及子目录下查找文件 在使用find 命令删除文件或目录时，如果无法确认是否删除所有匹配的文件或目录，最好使用 c ），删 除之前出确认信息，键入 y 将删除，键入n 将忽略。 14 .什么命令可以查看 cpu 的占有率 答： top 命令 so.txt ,将查找结果输出到标准输出。 so.txt ，将找到的文件删除，无提示信息。 so.txt ,在删除找到的文件前出是否删除文件的确认信息。
迪卡龙测试设备介绍
Electric Vehicle Tester EVT Series Simulates Load Pro ? les Typical for Electric and Hybrid Electric Vehicles EVT Series either with SCR or IGBT Technology Current Range: up to 600 A Voltage Range: up to 800 V Power Range: up to 240 kW Energy Feedback while Discharging Full Sine Wave Energy Feedback with IGBT High Dynamic Regulation with IGBT Data Logger Systems via CAN Bus Optionally: External Control via CAN-Bus or Analog Input Controlled by BTS-600 PC Software
High Speed Data Acquisition and Control Additional Voltage, Temperature, Analog Inputs I/O for Auxiliary Devices, RS-232, CAN Interface Cabinets Options General Data Control Interface:BTS or MBT PC Software: BTS-600 Accuracy I/U for EVT THY: ±1% (20-100%) Set Value ± 0.2 % (1-20% ) Full Scale Accuracy I/U for EVT IGBT: I/U (10-100%) ± 0.25% Full Scale Resolution:± 15 Bit Input Power Supply:3-phase, 50/60 Hz Rise Time (10-90% Load): < 10 ms (IGBT) Model Designation Current [A]Voltage [V]DC Power [kW]Cabinet Size EVT 300-180 THY 0.3 - 30020 -18054 E 1 EVT 300-360 THY 0.3 -30040 - 360108 E 2 EVT 600-180 THY 0.6 - 60020 180108 E 2EVT 600-360 THY 0.6 - 60040 - 360216 E 2EVT 300-500 IGBT 0.3 - 3000 - 50080I 2EVT 400-500 IGBT 0.4 - 4000 - 500160I 4EVT 400-500 IGBT 0.4 - 4000 - 500240I 5EVT 600-500 IGBT 0.6 - 6000 - 500160I 4EVT 600-800 IGBT 0.6 - 600 0 - 800 240 I 5 Series Size Dimensions (H x W x D) [mm]EVT THY E 12200 x 1000 x 1000 (86.7’’ x 39.4” x 39.4”)EVT THY E 22200 x 1600 x 1000 (86.7’’ x 63” x 39.4”) EVT IGBT I 22200 x 1000 x 1000 (86.7’’ x 39.4” x 39.4”) EVT IGBT I 42200 x 2000 x 1000 (86.7” x 78.8” x 39.4”)EVT IGBT I 5 2200 x 3000 x 1000 (86.7” x 118.2” x 39.4”) Individual Technical Data Aachen, Germany +49 241 168 090 +49 241 166 465 info@digatron.de www.digatron.de Qingdao, China +86 532 8870 5292 +86 532 8870 5259 info@https://www.360docs.net/doc/d83204463.html, https://www.360docs.net/doc/d83204463.html,/cn Shelton, (CT), USA +1 203 446 8000 +1 203 446 8015 info@? https://www.360docs.net/doc/d83204463.html, www.? https://www.360docs.net/doc/d83204463.html, Other current and voltage ranges available on request.