黄光制程_??????
黄光制程
黄光制程（also known as黄色光刻技术）是一种微电子制程中常用的制造技术，它广泛应用于芯片制造和半导体工业。黄光制程利用光刻和影像传输来定义微电子设备中的图案和结构。黄光制程包括以下几个步骤：
1. 制备底片：将待制造的芯片涂覆在一个平坦的基片（通常是硅片）上。
2. 涂覆光刻胶：将光刻胶均匀涂覆在芯片上。光刻胶可以在曝光后形成所需的图案。
3. 曝光：使用光刻机将芯片暴露在特定的光源下，光刻胶将在所暴露的区域发生化学反应。
4. 显影：用显影剂将未暴露的部分光刻胶去除，形成所需的图案。
5. 蚀刻：使用化学或物理的腐蚀方法去除裸露的芯片表面材料，形成所需的结构。
6. 清洗和检验：将芯片清洗干净并进行质量检验，以确保芯片制造的质量与要求相符。
黄光制程是制造集成电路和其他微电子器件的核心技术之一，它可以实现高精度和高分辨率的图案定义。随着微电子技术的不断发展，黄光制程也在不断改进和演进，以满足日益复杂和精细的设备制造需求。
pcb工厂黄光室波段
PCB工厂黄光室波段 1. 什么是PCB工厂黄光室波段？ PCB（Printed Circuit Board）工厂黄光室波段是指在PCB制造过程中的一个重要环节，用于在电路板上形成电路图案。黄光室是一种特殊的实验室，用于进行光刻和曝光的工艺步骤。 在PCB制造过程中，首先需要将设计好的电路图案通过化学方法转移到感光胶上。这个步骤被称为“黄光制程”。而黄光室则是用来进行这个制程的地方。 2. 黄光室波段的作用 黄光室波段在PCB制造过程中起着至关重要的作用。其主要功能包括： - 先进工艺：黄光室波段使用了先进的技术和设备，能够实现高精度、高效率的电路图案转移。 - 光刻：通过使用特殊的紫外线曝光设备和感光胶，在电路板上形成所需的电路图案。 - 曝光：将设计好的电路图案通过曝光设备投射到感光胶上，使得感光胶在光照下发生化学反应。 - 图案转移：经过曝光后，感光胶上将形成与设计图案相对应的图案，然后通过化学蚀刻等工艺步骤，将图案转移到电路板上。 3. 黄光室波段的工艺流程 黄光室波段的工艺流程一般包括以下步骤： 1. 准备工作：包括清洁黄光室、检查和校准设备等。 2. 材料准备：准备好感光胶、掩膜、电路板等材料，并确保其质量符合要求。 3. 曝光设备设置：根据所需的曝光参数，设置曝光设备，如曝光时间、曝光强度等。 4. 掩膜对位：将掩膜与电路板进行对位，确保掩膜上的图案与电路板上的位置一致。 5. 曝光：将已对位的电路板放置在曝光设备中，在设定的曝光条件下进行曝光。 6. 确认曝光效果：通过检查曝光后的感光胶表面，确认曝光效果是否符合要求。 7. 清洗：使用特定的化学溶液对感光胶进行清洗，去除未曝光的部分。 8. 检查和修复：检查电路板上的图案是否完整，如有缺陷，则进行修复。 9. 蚀刻：将电路板放置在化学蚀刻液中，去除掉未被感光胶保护的部分金属。 10. 清洗和检查：清洗蚀刻后的电路板，并进行最终的质量检查。 4. 黄光室波段的关键技术 黄光室波段使用了一系列关键技术来实现高精度、高效率的电路图案转移。其中一些关键技术包括： - 光刻胶选择：选择合适的感光胶，以满足所需图案分辨率、精度和耐久性等要求。 - 曝光设备优化：通过优化曝光设备的参数和设计，提高曝光效果和稳定性。 - 掩膜制备：制备高质量、高精度的掩膜，确保与电路板上图案对位准确。 - 曝光参数控制：准确控制曝光时间、曝光强度等参数，以实现所需图案的精确转移。 - 清洗工艺优化：优化清洗工艺，确保清洗干净并避免对
黄光制程工艺流程
1、PR前清洗ITOGLASS清洗指用物理的方法（磨刷喷洗）和化学的方法（去离子水DI 水和KOH）将玻璃表面的脏污和油污、杂质除去并干燥的过程 2、PR涂佈指在玻璃的导电层表面均匀涂上一层光刻胶 3. 前烘指在一定温度下将涂有光刻胶的玻璃烘一段时间、使光刻胶的溶剂挥发，形行成固体的PR层 4. 曝光指用紫外线通过预先设置好的菲林垂直照射光刻胶表面，使被照射部分的光刻胶发生反应 5、显影指用弱KOH溶液去离玻璃表面将径光照射部分的光刻胶除去，保留未照射部分的光刻胶 6、坚膜指将玻璃在径一次高温处理，使光刻胶膜更加坚固。 7、蚀刻指用适当的酸液将无光刻胶覆盖的ITO层除去，这样就得到了我们所需要的ITO 电极图形。 8、脱膜指用较强的KOH剥膜液将残留光刻胶除去，将玻璃表面清洗干燥 1. PR前清洗 A.清洗： 指清除吸附在玻璃表面的各种有害杂质或油污。清洗方法是利用各种化学浓剂（KOH）和有机浓剂与吸附在玻璃表面上的杂质及油污发生化学反应和浓解作用，或以磨刷喷洗等物理措施，使杂质从玻璃表面脱落，然后用大量的去离子水（DI水）冲洗，从而获得洁净的玻璃表面。（风切是关键） B.干燥： 因经过清洗后的玻璃，表面沾有水或有机浓剂等清洗液。这样会对后续工序造成不良影响，特别是对后续光刻工艺会产生浮胶、钻蚀、图形不清晰等不良现象。因此，清洗后的玻璃必须经过干燥处理。目前常采用的方法是烘干法，而是利用高温烘烤，使玻璃表面的水分气化变为水蒸气而除去的过程，此方法省时又省力。但是如果水的纯度不变，空气净化等不多或干燥机温度不够，玻璃表面残存的水分虽经气化为蒸气，但在玻璃表面还会留下水珠，这种水珠将直接影响后续工序的产品质量 C. 十槽清洗机PR清洗机制程参数设定 1---3槽KOH溶液为0.4~0.7N，温度为60±5℃，浸泡时间为2~3min／槽纯水溢流量为0.5±0.2㎡／n. KOH溶度为1.0N~1.6N,温度为40±5℃,喷洗压为0.2~1.0kgf/c㎡,传动速度为3.0~4.5m/min,磨刷转速为85~95rpm,压力为0.2~1.0kg/c㎡，纯水温度为40±5℃，干燥机1.2.3段温度为110℃±10℃。注：玻璃清洗洁净度不够之改改善对策，适当加入少许KOH溶液，改变KOH，溶液，经常擦拭风切口，喷洗等处，亦可调态清洗机传动速度，将传速度减慢 2.PR涂佈 光刻是一种图像复印和化学腐蚀相结合的，综合性的精密表面加工技术。 光刻的目的就是按照产品的设计要求，在导电玻璃上覆盖感光胶。 A.光刻胶的配制 光刻胶的性能与光刻胶的配比有关。配比的选择原则是即要光刻胶是有良好的抗蚀能力，又要有较高的分辨率。但两者往往是相互矛盾的，不能同时达到。因此，必须根据不同的光刻对象和要求，选取不同的配比。光刻胶的配制应在暗室（洁净度较高的房间）中进行。用量筒按配方比例将原胶及溶剂分别量好，再将溶剂倒入原胶，用玻璃棒充分搅拌使之均匀混合，通常刚配制好的光刻胶中必然还存在少量因态物质微粒未能完全溶解，为把这部分未能
黄光制程银浆
黄光制程银浆 摘要： 一、黄光制程银浆概述 二、黄光制程银浆的制备方法 三、黄光制程银浆的应用领域 四、黄光制程银浆的优势与未来发展前景 正文： 一、黄光制程银浆概述 黄光制程银浆，又称黄光蚀刻银浆，是一种在微电子制造领域中应用广泛的材料。它是一种以银为主要成分的浆料，通过黄光制程技术，能够在特定波长的黄光照射下，实现对银膜的高精度蚀刻。这种技术在现代微电子制造中起着举足轻重的作用，尤其在平板显示器、触摸屏、太阳能电池等领域具有广泛的应用。 二、黄光制程银浆的制备方法 黄光制程银浆的制备方法通常分为以下几个步骤： 1.配料：将银粉、有机溶剂、添加剂等原材料按照一定的比例混合在一起。 2.研磨：将混合好的材料进行充分研磨，使得银粉粒子达到所需的尺寸分布。 3.分散：将研磨好的浆料进行分散处理，使得银粉能够在有机溶剂中形成稳定的悬浮液。 4.过滤：对浆料进行过滤，去除可能影响蚀刻效果的杂质。
5.调光：通过调整黄光源的波长和强度，使得银浆在特定波长的黄光照射下能够实现高精度蚀刻。 三、黄光制程银浆的应用领域 黄光制程银浆在微电子制造领域具有广泛的应用，主要包括以下几个方面： 1.平板显示器：在生产平板显示器时，黄光制程银浆可用于制作薄膜电极、导线等部件。 2.触摸屏：在触摸屏制造过程中，黄光制程银浆可用于制作触摸感应器、电极等关键部件。 3.太阳能电池：在太阳能电池生产中，黄光制程银浆可用于制作电极、反射层等组件。 4.电子标签：在电子标签制造领域，黄光制程银浆可用于制作天线和导电图案等部分。 四、黄光制程银浆的优势与未来发展前景 黄光制程银浆具有以下优势： 1.高精度蚀刻：黄光制程银浆在特定波长的黄光照射下，能够实现对银膜的高精度蚀刻，满足微电子制造领域对精细度的要求。 2.良好的稳定性：黄光制程银浆具有良好的稳定性，能够在一定程度上降低生产过程中出现的不良品率。 3.环保性能：相较于传统化学蚀刻方法，黄光制程银浆具有较好的环保性能，有利于实现绿色生产。 随着科技的不断发展，微电子制造领域对黄光制程银浆的需求将持续增
液晶板制作流程之前段Array
前段Array制程:薄膜/黄光/蚀刻/剥膜(一) 液晶面板制造的前段Array制程主要是“薄膜、黄光、蚀刻、剥膜”四大部分，如果仅仅是这样看，很多网友根本不解这四步的具体含义，以及为什么会这样做。 首先，液晶分子的运动与排列都需要电子来驱动，因此在液晶的载体——TFT玻璃上，必须有能够导电的部分，来控制液晶的运动，这里将会用ITO（Indium Tin Oxide，透明导电金属）来做这件事情。ITO是透明的，也成薄膜导电晶体，这样才不会阻挡背光。 液晶分子排列的不同以及快速的运动变化，才能保证每个像素精准显示相应的颜色，并且图像的变化精确快速，这就要求对
液晶分子控制的精密。ITO薄膜需要做特殊的处理，就犹如在PCB板上印刷电路一般，在整个液晶板上画出导电线路。 首先，需要在TFT玻璃上沉积ITO薄膜层，这样整块TFT 玻璃上就有了一层平滑均匀的ITO薄膜。然后用离子水，将ITO 玻璃洗净，准备进入下一步骤。
接下来，要在沉积了ITO薄膜的玻璃上涂上光刻胶，在ITO 玻璃上形成一层均匀的光阻层。然后烘烤一段时间，将光刻胶的溶剂部分挥发，增加光阻材料与ITO玻璃的粘合度。 用紫外光（UV）通过预先制作好的电极图形掩模版照射光刻胶表面，使被照光刻胶层发生反应，在涂有光刻胶的玻璃上覆盖光刻掩模版在紫外灯下对光刻胶进行选择性曝光。 ●前段Array制程:薄膜/黄光/蚀刻/剥膜(二)
我们以一个像素单位为例，如上图，这个像素中，浅色部分未曝光，而深色的是曝光部分。
接着，用显影剂将曝光部分的光刻胶清洗掉，这样就只剩下未曝光的光刻胶部分，然后用离子水将溶解的光刻胶冲走。 显影之后需要加热烘烤，让未曝光的光刻胶更加坚固的依附在ITO玻璃上
触摸屏黄光制程介绍
触摸屏黄光制程介绍 触摸屏黄光制程介绍 高精度网印制版及印刷技术是触摸屏制程中的核心技术，随着触摸屏市场的迅猛发展，对触摸屏生产成本和技术的要求也越来越高，谁的成本低、技术精，谁就能抢先占领市场，这同时也给触摸屏厂家就选择什么制程更能符合公司长远发展提出了疑问，那么触摸屏厂家到底是选择黄光制程还是印刷制程呢？ 11. 51Touch：利满洋行主要从事滚筒印刷制程，是这方面的专家，请您就目前黄光制程和滚筒印刷制程的区别做一个详细的介绍吧。 利满洋行：黄光制程和滚筒印刷制程就印刷制程而言，在成本和工艺上还是有很大区别的，我这里有一个比较详细的描述与大家分享一下： 一、TP厂 : 黄光制程 vs 印刷制程 黄光制程 vs 印刷制程 二、黄光制程与滚筒网印的投资评估比较. 1.) 黄光制程设备投资成本昂贵. - 黄光制程投资额由RMB 20M-70M不等，如卷对卷制式更不止此数， - 上下游工序、材料均须另作配合， - 樱井滚筒机的投资额相对是小巫见大巫了。 2.) 黄光制程设备占地面积较大, 影响生产厂使用的灵活性. 任何工厂需要生产安排的灵活性，纵使黄光制程有其优点，而优点往往从接“大单“中才能反映出来，因其制程必须使用一定的蚀刻用化学剂，TP工厂接单的“单头量”直接影响每件成本，而现今电子产品讲求多花样，推陈出新是生存之道，所以TP厂的灵活性不是任何
先进生产方式可以代替的。樱井滚筒机设备摆放也不需要特定的楼层/位置, 而生产时只需要换网板就能马上生产不同尺寸的型号机种了。 3.) 制程设备投资与长远使用性风险评估. 黄光制程是30多年前由MEMS 开始在半导体业界采用，20多年前TFT LCD厂家也开始使用，后来应用面扩展到PV 和TP，相对于PV 和TFT , TP结构比较有多变的空间，尤其各品牌都追求薄和轻，这趋势都直接引伸出不同的工艺模式，高昂的黄光制程投资额使投资风险一直成为决策的最大障碍。在国内TFT 用黄光也不到10年，TP就更不用说了，但网印在国内累积了大量经验和人材，而TP厂的网印技术与人才皆是公司的重要资产，企业投资在现成和累积的资产上，使它延伸及增值，对长线企业发展最为有利。简单而言, 黄先制程只能用于单一特定制品制程, 过程中也可能需网印机配合, 樱井网印机则可印刷银线路、背保胶、绝缘油墨、面板装饰用胶片…..等是台“长远发展” 的所需设备. 4.) 投资设备后, 产生需使用附加物料/配套设备的成本评估, 黄光制程中化学剂和的使用是不可避免的，而随之而来的是满足日渐严格的 环保条例，花钱投资废水处理设备；增加人手、付出时间与官员周旋是少不了的。引入樱井网印机则基本没有任何影响。 三、黄光制程 vs 印刷制程 (简单总结) - 樱井丝纲印刷机的独特“零纲距” 对比“沿用平枱机” 一般纲版的使用寿命以倍计延长, (长远计可节省大量金额的纲版经费.), - 一台“樱井丝纲印刷机” 可印制不同线路. 也可扩大每片ITO的印刷银线路排版面积, - 提高产能有极大帮助. (或印刷不同的印刷品, 使用长远性高.) - 贵司可沿用“丝纲印刷制程”, 而不用改变现有生产流程 / 物料, - 便可去作日后量产工序. - 贵司也不用担心“花费太多人力 / 物力” 从新学习或聘请专业人员去操作.. - 使用新(黄光)制程设备, 或更改 / 新增其它设备去配合新(黄光)制
黄光制程工艺流程
黄光制程工艺流程 黄光制程工艺是一种在半导体加工中常用的工艺流程，它主要用于芯片制造中的光刻步骤。光刻是一种将芯片设计的图案转移到硅片表面的关键工序。在黄光制程中，光刻胶和光罩的使用对于芯片的质量和性能起着至关重要的作用。下面是关于详细的描述，以帮助读者更好地理解这个过程。 第一步：准备光罩 首先，我们需要准备好用于光刻的光罩。光罩是一种具有所需图案的透明薄片，其材料通常是玻璃或石英。光罩上的图案由芯片设计师根据芯片功能需求制作。光罩的制作通常使用电子束曝光或激光曝光等方法。 第二步：准备硅片
准备好待加工的硅片。这些硅片通常经过前期的清洗和抛光等处理。在准备硅片时，必须确保其表面平整且干净，以便后续的光刻步骤可以获得最佳效果。 第三步：涂覆光刻胶 将硅片放置在旋涂机上，然后将光刻胶均匀地涂覆在硅片表面。光刻胶可以保护硅片表面不受氧化和污染物的侵蚀，并提供一个平坦的表面用于将图案转移到硅片上。涂覆光刻胶后，通常使用烘烤等方法进行固化，以确保光刻胶的性能和稳定性。 第四步：对齐和曝光 将准备好的光罩放置在光刻机上，并将其与涂覆了光刻胶的硅片对准。通过微调光罩和硅片的位置，确保图案的精确对齐。然后，使用紫外线或深紫外线等光源对光罩进行照射，以
将图案转移到光刻胶上。照射时间和强度的控制非常重要，可影响芯片的精度和分辨率。 第五步：显影 曝光后，将硅片放入显影机中进行显影。显影是使用显影液将未曝光的光刻胶部分溶解掉，从而暴露出硅片上的图案。显影液的选择和浸泡时间需要根据光刻胶和芯片制造的要求进行优化。 第六步：清洗 将经过显影的硅片进行清洗，去除残余的光刻胶和显影液。清洗过程通常使用化学溶剂和超声波技术，以确保芯片表面的干净和平整。 第七步：检验和测量
润湿液在IC先进微影制程所扮演的角色
润湿液在IC先进微影制程所扮演的角色 作者：张尚文、张雍政/台湾安智电子材料股份有限公司日期：2010/6/18 来源：半导体科技 I C 线路的设计规格，随着时代的演进持续快速地缩小，随着集成电路日益发展，曝光的波长也由g-line，I-line，KrF，ArF 和浸润式的ArF，渐渐的缩短，但半导体演进到90奈米以下(sub-90nm)的组件尺寸，微影制程也面临越来越多的挑战，其中制程参数k1将向0.3以下的光分辨能力极限挑战。同时在90奈米以下时，黄光制程面临到如何避免光阻线宽倒塌、减少显影后缺陷(defect)及改善光阻表面的LER (Line Edge Roughness)的挑战。 在传统显影制程中，会以旋干(Spin dry)的方式来去除离子水(DI water)和显影液。旋干过程中产生的剪应力(stress)会因线宽缩小及深宽比(Aspect ratio) 的增加造成光阻倒线(pattern collapse)。要避免倒线缺陷，ＡＺ（安智）与ＴＥＬ（东京电子有限公司）发展出在显影的过程中特别加入润湿液(Rinse solution)的FIRM(Finishing-up by Improved Rinse Materials) 制程(2)，来有效的降低倒线(Pattern collapse)的缺陷。倒线不是一个新的问题，但是在线宽（Critical Dimension）200nm以下倒线缺陷的特征，与传统的倒线并不相同。以前防止倒线的方法是透过改善在光阻和基材(Substrate)之间的黏附力(adhesion)来防止。而200nm线宽以下的光阻倒塌是因为光阻硬度(Rigidity)不够，而不是因为光阻与基材的黏附力不足而引起。 近年来由于集成电路密度迅速增加，黄光制程中产生的缺陷的多寡和良率有很强的相关性。更由于先进光阻的设计朝着高分辨率(High resolution) 及高对比度(High contrast)性研制，意味着光阻的疏水性增加将导致显影后的缺陷量及种类增加，藉由显影过程中加入润湿液可以有效的降低光阻的疏水性，进而有效地减少缺陷产生的可能性。 除了光阻线宽倒塌、显影后缺陷(defect)的议题外，当半导体演进到一百奈米以下(sub-100nm)的组件尺寸，微影制程也面临更多其他的挑战与困难。其中对于LER (Line Edge Roughness) 或LWR (Line Width Roughness) 的控制，重要性尤其日渐显著。许多研究指出，在逐渐缩小的线宽，LER所造成的问题将大大影响到制程中原本的关键尺寸(critical dimension)所具备的容许误差，进而恶化组件并造成良率问题。在润湿制程(Rinse Process)中，以含界面活性剂的润湿液，接触光阻表面后会有类似硬烤引起的热流动(thermal flow)所造成的表面变形，从而改进LER。由于此种润湿洗净的作用只发生在表面，并无硬烤后造成角度变化的问题。本文主要探讨润湿液将在黄光先进制程中应用，可分为 1. 防止显影过程中光阻的倒线 2. 减少显影过程中所产生的缺陷 3. 改善光阻的ＬＥＲ 传统显影制程，会在TMAH (Tetra-Methyl Ammonium)显影液完全覆盖在曝光后光阻上，施以DIW (DI water) 清洗，最后以旋干(Spin Dry)的方式除去DIW和TMAH溶液。FIRM的制程，如图一，主要是在DIW清洗后额外加入润湿液，然后才旋干晶圆表面液体，接下来作第二次的DIW清洗旋干。
半导体里基本的常识简介
CVD 晶圆制造厂非常昂贵的原因之一，是需要一个无尘室，为何需要无尘室 答：由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷 何谓半导体 答：半导体材料的电传特性介于良导体如金属(铜、铝，以及钨等)和绝缘和橡胶、塑料与干木头之间。最常用的半导体材料是硅及锗。半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种叫做掺杂的步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。 常用的半导体材料为何 答：硅(Si)、锗(Ge)和砷化家(AsGa) 何谓VLSI 答：VLSI(Very Large Scale Integration)超大规模集成电路 在半导体工业中，作为绝缘层材料通常称什幺 答：介电质(Dielectric) 薄膜区机台主要的功能为何 答：沉积介电质层及金属层 何谓CVD(Chemical Vapor Dep.) 答：CVD是一种利用气态的化学源材料在晶圆表面产生化学沉积的制程 CVD分那几种 答：PE-CVD(电浆增强型)及Thermal-CVD(热耦式) 为什幺要用铝铜(AlCu)合金作导线 答：良好的导体仅次于铜 介电材料的作用为何 答：做为金属层之间的隔离 何谓PMD(Pre-Metal Dielectric) 答：称为金属沉积前的介电质层，其界于多晶硅与第一个金属层的介电质 何谓IMD(Inter-Metal Dielectric) 答：金属层间介电质层。 何谓USG 答：未掺杂的硅玻璃(Undoped Silicate Glass) 何谓FSG 答：掺杂氟的硅玻璃(Fluorinated Silicate Glass) 何谓BPSG 答：掺杂硼磷的硅玻璃(Borophosphosilicate glass) 何谓TEOS 答：Tetraethoxysilane用途为沉积二氧化硅 TEOS在常温时是以何种形态存在 答：液体 二氧化硅其K值为3.9表示何义 答：表示二氧化硅的介电质常数为真空的3.9倍 氟在CVD的工艺上，有何应用 答：作为清洁反应室(Chamber)用之化学气体 简述Endpoint detector之作用原理. 答：clean制程时,利用生成物或反应物浓度的变化,因其特定波长光线被detector 侦测到强度变强或变弱,当超过某一设定强度时,即定义制程结束而该点为endpoint.
黄光制程银浆
黄光制程银浆 1. 引言 黄光制程银浆是一种在半导体制造过程中广泛使用的材料，用于制作电子器件中的导电线路。本文将详细介绍黄光制程银浆的定义、制备方法和应用领域，以及该材料的特性和优势。 2. 黄光制程银浆的定义 黄光制程银浆是一种含有银颗粒的浆料，通过黄光制程技术在半导体器件制造过程中进行图案化。黄光制程是一种光刻技术，通过光刻胶和光罩的配合，将银浆在半导体表面形成所需的导电线路图案。 3. 黄光制程银浆的制备方法 黄光制程银浆的制备方法主要包括以下几个步骤： 3.1 原料准备 制备黄光制程银浆的原料主要包括银颗粒、有机溶剂、分散剂和胶凝剂等。银颗粒是黄光制程银浆的主要成分，其粒径和分布对黄光制程的性能有重要影响。 3.2 混合和分散 将银颗粒与有机溶剂、分散剂和胶凝剂等原料混合，并在适当的条件下进行搅拌和分散，以保证银颗粒均匀分散在溶剂中。 3.3 过滤和脱泡 将混合的浆料通过过滤器进行过滤，去除其中的杂质和颗粒团聚物，以得到纯净的银浆。同时，通过脱泡处理去除浆料中的气泡，以提高黄光制程的质量。 3.4 调整黏度和粘度 根据具体应用的要求，调整银浆的黏度和粘度，以便在黄光制程过程中得到理想的涂布性和刻蚀性能。 3.5 包装和贮存 将制备好的黄光制程银浆进行包装，并在适当的条件下进行贮存，以保证其稳定性和使用寿命。
4. 黄光制程银浆的应用领域 黄光制程银浆广泛应用于各种电子器件的制造过程中，包括集成电路、平板显示器、太阳能电池等领域。其主要应用包括以下几个方面： 4.1 导电线路 黄光制程银浆可用于制作导电线路，将其涂布在半导体表面，经过黄光制程后形成所需的导电线路图案。 4.2 电极 黄光制程银浆可用于制作电极，如太阳能电池中的电极。银浆具有高导电性和良好的光电特性，能够提高器件的性能和效率。 4.3 封装材料 黄光制程银浆可用于制作封装材料，如集成电路中的封装材料。其具有良好的粘附性和耐高温性能，能够有效保护器件并提高其可靠性。 5. 黄光制程银浆的特性和优势 黄光制程银浆具有以下特性和优势： 5.1 高导电性 银颗粒是黄光制程银浆的主要成分，具有极高的导电性，能够满足各种电子器件对导电性能的要求。 5.2 良好的光学特性 黄光制程银浆中的银颗粒具有良好的光学特性，能够提高器件的光电转换效率和显示效果。 5.3 良好的粘附性 黄光制程银浆具有良好的粘附性，能够牢固附着在半导体表面，不易剥离和脱落。 5.4 耐高温性 黄光制程银浆具有良好的耐高温性能，能够在高温环境下保持稳定的导电性能和机械性能。 5.5 环保可持续 黄光制程银浆采用的是无铅无镉的制备工艺，具有较低的环境污染和较高的可持续性。
半导体制程
半导体制程概要 PIE 03 DIFF 10 IMP 15 VACUUM 17 WET 19 CVD 21 PVD 24 CMP 27 PHOTO 30 ETCH 41 MFG 49 FAC 69 Accounting 73 FA 75
PIE 1, 300mm wafer代表何意义？ 答：12寸芯片直径为300mm即12寸wafer. 2, 为何需要300mm? 答：wafer size变大，单一wafer上的芯片数变多，单位成本降低。200->300面积增加2.25倍，芯片数目约增加2.5倍。 3, 300mm wafer所用的原材料type? 答：P-type。 4, 何谓p-type的wafer? 答：P-type的wafer是指掺杂positive dopant（3价电荷元素）的芯片。 5, 何谓N-type的wafer? 答：N-type的wafer是指掺杂negative dopant（5价电荷元素）的芯片。 6, 目前常用的芯片阻值? 答：P-type的芯片，阻值为8~12Ω。 7, 为何需要长start oxide? 答：不希望有机成分的光阻直接碰触Si表面。 8, 何谓Laser mark? 答：Laser mark是用来刻wafer ID。 9, 何谓wafer ID? 答：wafer ID就如同晶片上的身份证一样，一个ID代表一片晶片的身份。 10, 为何需要zero layer? 答：作为将来曝光机对准的标识，芯片的制程需要许多不同道题，非导体层，层与层相迭对就有了对准的为题，一般来说ASML曝光机需要有zero mark用来对准，而canon曝光机是把对准做在芯片曝光区内的，是不需要另外的zero mark的。 11, 为何需要把元件(device)越做越小呢？ 答：1，增加单位面积组件的密度。2，增加组件的电流速度。 12, 芯片制程里为何需要用SiO2? 答：1，SiO2是一种稳定的非导体，用来当介质(dielectric)。 2，SiO2可用于当绝缘层(isolation)。 3，SiO2可由高温的制程产生。
黄光PHOTO制程问答
黄光PHOTO制程问答 PHOTO 流程? 答：上光阻→曝光→顯影→顯影後檢查→CD量測→Overlay量測 何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？ 答：Photoresist(光阻).是一种感光的物质，其作用是将Pattern从光罩(Reticle)上传递到Wafer上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。 何为正光阻? 答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。 何为负光阻? 答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。 什幺是曝光？什幺是显影？ 答：曝光就是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将曝光完成后的图形处理，以将图形清晰的显现出来的过程。 何谓 Photo? 答：Photo=Photolithgraphy,光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。Photo主要流程为何? 答：Photo的流程分为前处理，上光阻，Soft Bake, 曝光，PEB，显影，Hard Bake 等。 何谓PHOTO区之前处理? 答：在Wafer上涂布光阻之前，需要先对Wafer表面进行一系列的处理工作，以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。前处理主要包括Bake，HDMS 等过程。其中通过Bake将Wafer表面吸收的水分去除，然后进行HDMS工作，以使Wafer表面更容易与光阻结合。 何谓上光阻? 答：上光阻是为了在Wafer表面得到厚度均匀的光阻薄膜。光阻通过喷嘴（Nozzle）被喷涂在高速旋转的Wafer表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer的表面。 何谓Soft Bake? 答：上完光阻之后，要进行Soft Bake，其主要目的是通过Soft Bake将光阻中的溶剂蒸发，并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。 何谓曝光? 答：曝光是将涂布在Wafer表面的光阻感光的过程，同时将光罩上的图形传递到Wafer上的过程。 何谓PEB(Post Exposure Bake)? 答：PEB是在曝光结束后对光阻进行控制精密的Bake的过程。其目的在于使被曝光的光阻进行充分的化学反应，以使被曝光的图形均匀化。 何谓显影? 答：显影类似于洗照片，是将曝光完成的Wafer进行成象的过程，通过这个过程，
电容屏ITO黄光制程工艺
电容屏ITO黄光制程工艺 流程 第一步：ITO GLASS 参数规格： 长宽：14*16 厚度：0.55，0.7，1.1 规格：普通，钢化等， 特性：AR(抗反射)，AG（防眩光），AS（防水防污），AF（防指纹）等 电容玻璃：安可，冠华，正达，正太等。 第二步：素玻璃 参数规格： 素玻璃：康宁，旭硝子等。500*500规格 第三步：清洗 参数规格： 1.将GLASS 表面的脏污，油污，杂质等去除并干燥。 2.将素玻璃表面的脏污，油污，杂质等去除并干燥，然后过镀膜线镀ITO 层形成GLASS。第四步：背保丝印 参数规格： 膜厚：10-20μM，250-420 目聚酯网，此背保要求高，不能有一点脏污， 油污，杂质等，要不回影响到在这面处理ITO 图案和银浆走线的附着 力等。日本朝日，丰阳等，热固型。 第五步：光刻胶整版丝印 参数规格： 膜厚：5-10μM，300-420 目聚酯网.需在温度20 度-25 度的范围和黄灯 的环境下进行。 光刻胶：田菱THC-29（耐酸曝光显影型光刻胶）等。 第六步：前烘 参数规格： 让印有光刻胶的材料在一定的温度，时间下固化。温度：80-90 度。时 间15-20 分钟。 第七步：曝光 参数规格： 通过紫外线和菲林的垂直照射，让光刻胶形成反应。光能量： 60-120MJ/C ㎡，时间：6-9s 第八步：显影 参数规格： 用弱KOH 溶解液去除材料上被曝光过的光刻胶，留下没有曝光的光刻胶。 弱碱：0.05-0.2 MOL. 温度：20±3 度，压力：0.02-0.05KG，速度：5.5±2.5M/MIN。 第九步：坚膜 参数规格： 让显影留下的光刻胶经高温处理，让光刻胶完全固化。 温度：120-150度，时间：20-30.
整线设备稼动率与节拍分析
整线设备稼动率与节拍分析 【摘要】稼动率和节拍是设备管理中的重要参数，稼动率越高，节拍越小，单位时间产能越大。一般谈论稼动率和节拍都是针对特定设备，能不能整线考虑呢？本文着重介绍了稼动率与节拍定义、稼动率与节拍局限性、稼动率与节拍引申，讨论及具体的实施方法。 【关键词】稼动率;节拍;CIM;抗挠动;INTER-FACE;CF 引言 一般谈论稼动率和节拍都是针对特定设备，能不能整线考虑呢？由此引发怎样对整条生产线快速方便进行设备稼动率与生产节拍统计的思考。 一、稼动率与节拍定义 稼动率是指相对于生产时间，实际生产产品的时间所占的比率。是以机器设备的稼动时间除以最大负荷时间而得。另外，如果设备实际产出单位产量所需的时间（以下简称实际节拍）>设备设计产出单位产量所需的时间（以下简称设计节拍），即使稼动率提高，规定时间内并不一定能生产出足够产品，反之亦然。提升稼动率与降低实际节拍必不可少。 二、稼动率与节拍局限性 如果整线考虑稼动率与节拍，就会发现存在着以下问题： （1）以前我们讨论稼动率与生产节拍缺少整线设备的考虑，即使考虑也是各单台机台稼动统计汇总数据，这些数据体现不出自动化生产线的抗挠动能力，对整线产能提升缺乏指导意义。 （2）整线设备并不一定由同一厂家生产，设备重要程度不同，发生问题频度与解决问题的耗时不同也即不同设备稼动率与节拍要求不一定相同。 （3）同一时间段有一台以上设备出故障，按单台基准统计整线稼动率不能准确反映实际状况。实际生产特别是产能提升阶段这种情况很普遍。 （4）如果以单台设备稼动率与节拍分析整线数据，就要统计各单台设备数据，还要监控整线机台是否在相同时间重叠停机（泛指宕机，待机，停机等不运转状态，下同），还要考虑到整线的抗挠动能力。以上要耗费较多人力。 三、稼动率与节拍引申，讨论 自动化生产线生产中产品一件接一件向下游流动，我们可以将整线看作一台
半导体安全与环保管理
半导体安全与环保管理 要做好半导体业的环保安全卫生管理工作，首先必需要了解半导 体整体产业的特性，基本上半导体产业具备三大产业特性，第第一个 是资本密集、第第二个是技术密90 集，第三则是产业的变动性特别大，故因应此产业的三大特性，相对衍生出以下几点产业的现况对工安环 保人员来说相当重要并且必需密切注意，第一个部份是关于设备机台 方面，因为产业资本密集所以厂房内的设备机台不只种类及数量繁多 而且区域集中，第二个部份由于半导体技术密集复杂，所以运用于机 台的原物料化学品的种类多样且相对特性相当的复杂且变动性大，会 对整体的环保与安全管理上产生影响、第三则是因为产业的变动性大，所以制程技术的变动频率就相对性的增高，而也造成很多现场不管是 环保或安全管控上面的复杂度，另外同样因应产业性变动大，半导体 厂里面的人员，包括员工以及设备与工程承揽商的人数就相当众多， 造成整个人员及工程管理的接口变得十分的复杂。 大体而言半导体业依制程的先后顺序，整体产业结构可分成以下 几个阶段，包括第一个阶段为「晶圆材料制造」，第二个阶段为「集 成电路制造」，及第三个阶段则是「封装测试的制程」，在这三个制 程里面，以集成电路制造最复杂且涵盖面最广，所以以下的课程内容，基本上是针对集成电路制造这样一个比较复杂的制程结构做相关课程 的介绍. 针对集成电路制造，一般而言可以将制程概分成四大部份， 第一个部份是扩散制程，第二个部份是黄光制程，第三个部份是薄膜 制程，第四个部份是蚀刻制程，各制程的细部功能，请各位同学参考
半导体制造的相关数据，以下我们则会针对于这四大制程它所有带来的安全与环保相关的议题来做介绍探讨。 要妥善进行半导体业的安全与环保管理，要先对在制程区域的潜在安全危害有所了解，我们首先谈到的是扩散制程，在扩散制程中因为制程需要会使用到许多的酸碱、有机、以及具备刺激性或是具备毒性的气/液态化学品，这些化学物质在制程使用的过程当中会对作业环境及作业相关人员带来可能的危害，包括酸碱溶液及有机溶剂所产生的腐蚀、不兼容反应、易燃、引火爆炸及吸入性伤害等，另外制程的需要使用的刺激性及具毒性的气体亦会对人员造成伤害，当然前面所提到使用的化学品是具易燃易爆的特性，所带来的火灾燃烧危害亦是必需相当注意的重点，此外机台设施运转可能带来的高温?伤，或是机台设备运作所产生的噪音、机台设备维修及搬运相关的设施所带来的人因工程上的危害，以及部份机台产生游离辐射所带来的危害，都是必需了解界定的；至于黄光制程的部份则主要是使用光阻液、去光阻剂等有机溶剂所衍生的可能危害，另外对于机台本身，一样的因为机台过于密集，机台所产生的噪音以及维修及运作过程可能造成的人因工程的危害也是必需加以考虑。 至于在薄膜制程的部份，也因为这个制程的特性，会有以下几点危害需特别注意，包括刺激性及有毒性的气体、制程作用产生的金属熏烟及氧化物逸散，造成人员的吸入性危害，另外如酸碱溶液，游离辐射、噪音、人因工程以及火灾爆炸都是在薄膜制程可能会对人员及环境产生危害；另外还有蚀刻制程，刺激性及具备毒性的气体酸碱溶液及人因工程是这个制程常见的危害。
PHOTO工艺
第九章PHOTO工序 PHOTO工序的目的 HOTO的基本概念 什么是PHOTO?若是从一个液晶厂内部部门来说，PHOTO指的是黄光部。但是从工艺来说，在半导体和液晶产业，PHOTO指光刻技术。当然，这两个概念是有实质联系的，因为在液晶厂内负责光刻方面工作的就是黄光部。 HOTO工序的目的 PHOTO工序的目的是把膜层电路结构复制到以后要蚀刻的玻璃基板上。主要过程依次如下面图（一），图（二）和图（三）所示。 图（一）图（二） 图（三） PHOTO工序主要包含三大步骤，即上图所示的光阻涂布（PR coating）; 曝光（Exposure）;和显影（Develop）. 光阻涂布（如图一），就是在plate（玻璃基板）上涂布光阻。光阻是一种对特定波长的UV光敏感的有机材质，遇到一定强度的UV光就会发生化学反应，所以PHOTO工序要在黄光下进行。因为黄光波长大，光子能量低，强度比较弱（不会引起光阻化学反应）并且照明效果不错的光。 光阻涂布制程主要控制光阻的膜厚及其均一性。 曝光（Exposure）是PHOTO的关键，也是ARRAY的关键。之前说了PHOTO是把膜层电路结构复制到以后要蚀刻的玻璃基板上。临时电路结构就设计在MASK（光罩）上，光罩上有电路结构区域不透光，没有电路结构区域可以透光。这样就使上一步骤涂布的光阻经过曝光工序之后，电路结构就从光罩转移到光阻上。 曝光（Exposure）制程的主要参数是CD（线宽）,Total pitch, Overlay。 Develop即显影。经过Exposure之后在玻璃基板上喷洒显影液，因为显影液为碱性，对正性光阻而言，被紫外光照射过的光阻可以溶解在碱性显影液中，而未紫外光照射到的部分不溶于显影液。因此，显影之后，在玻璃基板上，只剩下电路部分有光阻，而其它区域无光阻（注：本节所指光阻为正光阻，一般TFT段都使用正光阻）。 显影液浓度的控制是显影工艺的关键，浓度的高低会影响到线宽。