黄光工艺流程

黄光工艺流程是指在半导体制造过程中，使用光照将光刻胶曝光到硅片或其他材料表面，然后通过化学处理和蚀刻来形成图形的一种工艺流程。下面将详细介绍黄光工艺流程的步骤。

第一步是准备硅片。将硅片清洗干净，并使用酸洗去除硅片表面的污染物。然后，在硅片上涂覆一层光刻胶，通常是聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）。

第二步是光刻胶的曝光。将硅片放入光刻机中，然后使用遮罩或掩膜来控制光照的位置和形状。光刻机会使用紫外线或其他光源照射光刻胶，使其在受到光的作用下发生化学反应。在曝光后，光刻胶的部分区域会发生化学变化，变得溶解性或不溶解性。

第三步是光刻胶的显影。将曝光后的硅片放入显影剂中，显影剂会溶解或去除未曝光的光刻胶，而曝光后的光刻胶会保留下来。根据需要，可以使用不同的显影剂，如碱性显影剂或酸性显影剂。

第四步是光刻胶的固化。为了保护曝光后的光刻胶不受到污染或损害，可以使用紫外线照射或热处理来固化光刻胶。固化后的光刻胶会变得更加耐久和稳定。

第五步是蚀刻。将固化后的光刻胶保护住的部分区域暴露在蚀刻剂中，蚀刻剂会溶解或去除这些区域下的材料。根据需要，可以使用不同的蚀刻剂，如湿法蚀刻剂或干法蚀刻剂。蚀刻剂

的选择取决于要制作的图形和所使用的材料。

第六步是去除光刻胶。在完成蚀刻后，需要将剩余的光刻胶从硅片上去除。这可以通过使用溶剂或清洗剂来实现，将硅片浸泡在其中，以溶解光刻胶并清洗硅片表面。

通过以上步骤，黄光工艺流程可以在硅片或其他材料上形成期望的图形。这些图形可以用于制造微芯片、光学元件、显微镜、传感器等。黄光工艺流程的精度和重复性较高，成本较低，因此在电子、光电子学和半导体工业中得到广泛应用。

总之，黄光工艺流程是一种通过曝光、显影、固化和蚀刻等步骤来制造精密图形的工艺流程。这种工艺流程在半导体制造和其他领域具有重要的应用价值，可以实现微米级甚至纳米级的结构制造。

黄光制程工艺流程

1、PR前清洗ITOGLASS清洗指用物理的方法（磨刷喷洗）和化学的方法（去离子水DI 水和KOH）将玻璃表面的脏污和油污、杂质除去并干燥的过程 2、PR涂佈指在玻璃的导电层表面均匀涂上一层光刻胶 3. 前烘指在一定温度下将涂有光刻胶的玻璃烘一段时间、使光刻胶的溶剂挥发，形行成固体的PR层 4. 曝光指用紫外线通过预先设置好的菲林垂直照射光刻胶表面，使被照射部分的光刻胶发生反应 5、显影指用弱KOH溶液去离玻璃表面将径光照射部分的光刻胶除去，保留未照射部分的光刻胶 6、坚膜指将玻璃在径一次高温处理，使光刻胶膜更加坚固。 7、蚀刻指用适当的酸液将无光刻胶覆盖的ITO层除去，这样就得到了我们所需要的ITO 电极图形。 8、脱膜指用较强的KOH剥膜液将残留光刻胶除去，将玻璃表面清洗干燥 1. PR前清洗 A.清洗：指清除吸附在玻璃表面的各种有害杂质或油污。清洗方法是利用各种化学浓剂（KOH）和有机浓剂与吸附在玻璃表面上的杂质及油污发生化学反应和浓解作用，或以磨刷喷洗等物理措施，使杂质从玻璃表面脱落，然后用大量的去离子水（DI水）冲洗，从而获得洁净的玻璃表面。（风切是关键） B.干燥：因经过清洗后的玻璃，表面沾有水或有机浓剂等清洗液。这样会对后续工序造成不良影响，特别是对后续光刻工艺会产生浮胶、钻蚀、图形不清晰等不良现象。因此，清洗后的玻璃必须经过干燥处理。目前常采用的方法是烘干法，而是利用高温烘烤，使玻璃表面的水分气化变为水蒸气而除去的过程，此方法省时又省力。但是如果水的纯度不变，空气净化等不多或干燥机温度不够，玻璃表面残存的水分虽经气化为蒸气，但在玻璃表面还会留下水珠，这种水珠将直接影响后续工序的产品质量 C. 十槽清洗机PR清洗机制程参数设定 1---3槽KOH溶液为0.4~0.7N，温度为60±5℃，浸泡时间为2~3min／槽纯水溢流量为0.5±0.2㎡／n. KOH溶度为1.0N~1.6N,温度为40±5℃,喷洗压为0.2~1.0kgf/c㎡,传动速度为3.0~4.5m/min,磨刷转速为85~95rpm,压力为0.2~1.0kg/c㎡，纯水温度为40±5℃，干燥机1.2.3段温度为110℃±10℃。注：玻璃清洗洁净度不够之改改善对策，适当加入少许KOH溶液，改变KOH，溶液，经常擦拭风切口，喷洗等处，亦可调态清洗机传动速度，将传速度减慢 2.PR涂佈光刻是一种图像复印和化学腐蚀相结合的，综合性的精密表面加工技术。光刻的目的就是按照产品的设计要求，在导电玻璃上覆盖感光胶。 A.光刻胶的配制光刻胶的性能与光刻胶的配比有关。配比的选择原则是即要光刻胶是有良好的抗蚀能力，又要有较高的分辨率。但两者往往是相互矛盾的，不能同时达到。因此，必须根据不同的光刻对象和要求，选取不同的配比。光刻胶的配制应在暗室（洁净度较高的房间）中进行。用量筒按配方比例将原胶及溶剂分别量好，再将溶剂倒入原胶，用玻璃棒充分搅拌使之均匀混合，通常刚配制好的光刻胶中必然还存在少量因态物质微粒未能完全溶解，为把这部分未能

工艺流程图

工艺流程图一．黄光工艺流程 1.单层激光 ITO分切- 测量尺寸测量方阻（抽检）做标记印刷大正保老化测量老化后方阻剥离大正保压干膜检验压膜情况曝光贴靶标蚀刻出料检外观检查电性能（抽检）送印刷站 2.双层激光 ITO分切- 测量尺寸测量方阻（抽检）做标记印刷大正保老化测量老化后方阻剥离大正保压干膜检验压膜情况曝光贴靶标蚀刻出料检外观检查电性能（抽检）送印刷站 3.印刷走线 ITO分切- 测量尺寸测量方阻（抽检）做标记印刷大正保老化测量老化后方阻剥离大正保压干膜检验压膜情况曝光贴靶标蚀刻出料检外观检查电性能（抽检）送印刷站 4.印刷+镭射走线 ITO分切- 测量尺寸测量方阻（抽检）做标记印刷大正保老化测量老化后方阻剥离大正保压干膜检验压膜情况曝光贴靶标蚀刻出料检外观检查电性能（抽检）送印刷站二．印刷工艺流程 1.单层激光印刷大正保烘烤印刷银浆前剥离大正保印刷银浆检验烘烤激光镭射检验镭射情况覆膜检查修补OK后转入大片贴合 2. 双层激光印刷大正保烘烤印刷银浆前剥离大正保印刷银浆检验烘烤激光镭射检验镭射情况覆膜检查修补OK后转入大片贴合 3. 印刷走线印刷大正保烘烤印刷绝缘前剥离大正保印刷绝缘检验UV固化印刷银线银线检验银线烘烤覆膜检查修补OK后转入大片贴合 4. 印刷+镭射走线印刷大正保烘烤印刷绝缘前剥离大正保印刷绝缘检验UV固化印刷银线银线检验银线烘烤激光镭射检验镭射情况覆膜检查修补OK后转入大片贴合备注：

以上“检查修补”中涉及补新银浆的流程如下：补银浆烘烤覆膜转入大片贴以上“检查修补”中涉及修银浆连线的流程如下：修银浆覆膜转入大片贴合三．大片贴合工艺流程 1.单层激光 OCA分切检查尺寸及外观OCA开口OCA检查大张sensor撕保护膜检查外观大张sensor与OCA贴合检查贴合情况转入冲切站 2. 双层激光 OCA分切检查尺寸及外观OCA开口OCA检查大张sensor上线撕保护膜检查外观大张sensor上线与OCA贴合（ITO面）检查贴合情况剥离高温PET 高温PET面与OCA贴合检查贴合情况开避让口大张sensor下线撕保护膜检验外观上下线贴合检查贴合情况转入冲切站 3. 印刷走线 OCA分切检查尺寸及外观OCA开口OCA检查大张sensor撕保护膜检查外观大张sensor与OCA贴合检查贴合情况转入冲切站 4. 印刷+镭射走线 OCA分切检查尺寸及外观OCA开口OCA检查大张sensor撕保护膜检查外观大张sensor与OCA贴合检查贴合情况转入冲切站四. 冲切以及电测工艺流程 1.单层激光冲定位孔冲切检查冲切情况sensor外观检sensor电测包装入库 2. 双层激光冲定位孔冲切检查冲切情况脱泡sensor外观检sensor 电测包装入库 3. 印刷走线冲定位孔冲切检查冲切情况sensor外观检sensor电测包装入库 4. 印刷+镭射走线冲定位孔冲切检查冲切情况sensor外观检sensor电测包装入库五．后段工艺流程 1. 单层激光

Led灯生产工艺

Led灯生产工艺一、生产工艺 a) 清洗：采用超声波清洗PCB或LED支架，并烘干。 b) 装架：在LED管芯（大圆片）底部电极备上银胶后进行扩张，将扩张后的管芯（大圆片）安置在刺晶台上，在显微镜下用刺晶笔将管芯一个一个安装在PCB或LED支架相应的焊盘上，随后进行烧结使银胶固化。 c)压焊：用铝丝或金丝焊机将电极连接到LED管芯上，以作电流注入的引线。LED直接安装在PCB上的，一般采用铝丝焊机。（制作白光TOP-LED需要金线焊机） d)封装：通过点胶，用环氧将LED管芯和焊线保护起来。在PCB板上点胶，对固化后胶体形状有严格要求，这直接关系到背光源成品的出光亮度。这道工序还将承担点荧光粉（白光LED）的任务。 e)焊接：如果背光源是采用SMD-LED或其它已封装的LED，则在装配工艺之前，需要将LED焊接到PCB板上。 f)切膜：用冲床模切背光源所需的各种扩散膜、反光膜等。 g)装配：根据图纸要求，将背光源的各种材料手工安装正确的位置。 h)测试：检查背光源光电参数及出光均匀性是否良好。 i）包装：将成品按要求包装、入库。

二、封装工艺 1. LED的封装的任务是将外引线连接到LED芯片的电极上，同时保护好LED芯片，并且起到提高光取出效率的作用。关键工序有装架、压焊、封装。 2. LED封装形式 LED封装形式可以说是五花八门，主要根据不同的应用场合采用相应的外形尺寸，散热对策和出光效果。LED按封装形式分类有Lamp-LED、TOP-LED、Side-LED、SMD-LED、High-Power-LED 等。 3. LED封装工艺流程三．封装工艺说明 1.芯片检验镜检：材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑（lockhill）芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求，电极图案是否完整。 2.扩片由于LED芯片在划片后依然排列紧密间距很小（约0.1mm），不利于后工序的操作。我们采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张，是LED芯片的间距拉伸到约0.6mm。也可以采用手工扩张，但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。 3.点胶在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。（对于GaAs、

黄光PHOTO制程问答

黄光PHOT（制程问答 PHOTO流程? 答：上光阻f曝光f顯影f顯影後檢查f CD量測f Overlay量測何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？答：Photoresist（光阻）. 是一种感光的物质，其作用是将Pattern 从光罩（Reticle）上传递到Wafer 上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。何为正光阻? 答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。何为负光阻? 答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。什幺是曝光？什幺是显影？答：曝光就是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将曝光完成后的图形处理，以将图形清晰的显现出来的过程。何谓Photo? 答：Photo=Photolithgraphy, 光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。 Photo主要流程为何？答：Photo的流程分为前处理，上光阻，Soft Bake,曝光，PEB显影，Hard Bake 等。何谓PHOT区之前处理？答：在Wafer 上涂布光阻之前，需要先对Wafer 表面进行一系列的处理工作，以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。前处理主要包括Bake，HDMS 等过程。其中通过Bake将Wafer表面吸收的水分去除，然后进行HDM工作，以使Wafer 表面更容易与光阻结合。何谓上光阻? 答：上光阻是为了在Wafer 表面得到厚度均匀的光阻薄膜。光阻通过喷嘴（Nozzle）被喷涂在高速旋转的Wafer表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer 的表面。何谓Soft Bake? 答：上完光阻之后，要进行Soft Bake ，其主要目的是通过Soft Bake 将光阻中的溶剂蒸发，并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。何谓曝光? 答：曝光是将涂布在Wafer 表面的光阻感光的过程，同时将光罩上的图形传递到Wafer 上的过程。何谓PEB（Post Exposure Bake）? 答：PEB是在曝光结束后对光阻进行控制精密的Bake的过程。其目的在于使被曝光的光阻进行充分的化学反应，以使被曝光的图形均匀化。何谓显影? 答：显影类似于洗照片，是将曝光完成的Wafer 进行成象的过程，通过这个过程，成象在光阻上的图形被显现出来。何谓Hard Bake? 答：Hard Bake是通过烘烤使显影完成后残留在Wafer上的显影液蒸发，并且固化显影完成之后的光阻的图形的过程。

黄光工艺流程

黄光工艺流程黄光工艺流程是指在半导体制造过程中，使用光照将光刻胶曝光到硅片或其他材料表面，然后通过化学处理和蚀刻来形成图形的一种工艺流程。下面将详细介绍黄光工艺流程的步骤。第一步是准备硅片。将硅片清洗干净，并使用酸洗去除硅片表面的污染物。然后，在硅片上涂覆一层光刻胶，通常是聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）。第二步是光刻胶的曝光。将硅片放入光刻机中，然后使用遮罩或掩膜来控制光照的位置和形状。光刻机会使用紫外线或其他光源照射光刻胶，使其在受到光的作用下发生化学反应。在曝光后，光刻胶的部分区域会发生化学变化，变得溶解性或不溶解性。第三步是光刻胶的显影。将曝光后的硅片放入显影剂中，显影剂会溶解或去除未曝光的光刻胶，而曝光后的光刻胶会保留下来。根据需要，可以使用不同的显影剂，如碱性显影剂或酸性显影剂。第四步是光刻胶的固化。为了保护曝光后的光刻胶不受到污染或损害，可以使用紫外线照射或热处理来固化光刻胶。固化后的光刻胶会变得更加耐久和稳定。第五步是蚀刻。将固化后的光刻胶保护住的部分区域暴露在蚀刻剂中，蚀刻剂会溶解或去除这些区域下的材料。根据需要，可以使用不同的蚀刻剂，如湿法蚀刻剂或干法蚀刻剂。蚀刻剂

的选择取决于要制作的图形和所使用的材料。第六步是去除光刻胶。在完成蚀刻后，需要将剩余的光刻胶从硅片上去除。这可以通过使用溶剂或清洗剂来实现，将硅片浸泡在其中，以溶解光刻胶并清洗硅片表面。通过以上步骤，黄光工艺流程可以在硅片或其他材料上形成期望的图形。这些图形可以用于制造微芯片、光学元件、显微镜、传感器等。黄光工艺流程的精度和重复性较高，成本较低，因此在电子、光电子学和半导体工业中得到广泛应用。总之，黄光工艺流程是一种通过曝光、显影、固化和蚀刻等步骤来制造精密图形的工艺流程。这种工艺流程在半导体制造和其他领域具有重要的应用价值，可以实现微米级甚至纳米级的结构制造。

触摸屏黄光制程介绍

触摸屏黄光制程介绍触摸屏黄光制程介绍高精度网印制版及印刷技术是触摸屏制程中的核心技术，随着触摸屏市场的迅猛发展，对触摸屏生产成本和技术的要求也越来越高，谁的成本低、技术精，谁就能抢先占领市场，这同时也给触摸屏厂家就选择什么制程更能符合公司长远发展提出了疑问，那么触摸屏厂家到底是选择黄光制程还是印刷制程呢？ 11. 51Touch：利满洋行主要从事滚筒印刷制程，是这方面的专家，请您就目前黄光制程和滚筒印刷制程的区别做一个详细的介绍吧。利满洋行：黄光制程和滚筒印刷制程就印刷制程而言，在成本和工艺上还是有很大区别的，我这里有一个比较详细的描述与大家分享一下：一、TP厂 : 黄光制程 vs 印刷制程黄光制程 vs 印刷制程二、黄光制程与滚筒网印的投资评估比较. 1.) 黄光制程设备投资成本昂贵. - 黄光制程投资额由RMB 20M-70M不等，如卷对卷制式更不止此数， - 上下游工序、材料均须另作配合， - 樱井滚筒机的投资额相对是小巫见大巫了。 2.) 黄光制程设备占地面积较大, 影响生产厂使用的灵活性. 任何工厂需要生产安排的灵活性，纵使黄光制程有其优点，而优点往往从接“大单“中才能反映出来，因其制程必须使用一定的蚀刻用化学剂，TP工厂接单的“单头量”直接影响每件成本，而现今电子产品讲求多花样，推陈出新是生存之道，所以TP厂的灵活性不是任何

先进生产方式可以代替的。樱井滚筒机设备摆放也不需要特定的楼层/位置, 而生产时只需要换网板就能马上生产不同尺寸的型号机种了。 3.) 制程设备投资与长远使用性风险评估. 黄光制程是30多年前由MEMS 开始在半导体业界采用，20多年前TFT LCD厂家也开始使用，后来应用面扩展到PV 和TP，相对于PV 和TFT , TP结构比较有多变的空间，尤其各品牌都追求薄和轻，这趋势都直接引伸出不同的工艺模式，高昂的黄光制程投资额使投资风险一直成为决策的最大障碍。在国内TFT 用黄光也不到10年，TP就更不用说了，但网印在国内累积了大量经验和人材，而TP厂的网印技术与人才皆是公司的重要资产，企业投资在现成和累积的资产上，使它延伸及增值，对长线企业发展最为有利。简单而言, 黄先制程只能用于单一特定制品制程, 过程中也可能需网印机配合, 樱井网印机则可印刷银线路、背保胶、绝缘油墨、面板装饰用胶片…..等是台“长远发展” 的所需设备. 4.) 投资设备后, 产生需使用附加物料/配套设备的成本评估, 黄光制程中化学剂和的使用是不可避免的，而随之而来的是满足日渐严格的环保条例，花钱投资废水处理设备；增加人手、付出时间与官员周旋是少不了的。引入樱井网印机则基本没有任何影响。三、黄光制程 vs 印刷制程 (简单总结) - 樱井丝纲印刷机的独特“零纲距” 对比“沿用平枱机” 一般纲版的使用寿命以倍计延长, (长远计可节省大量金额的纲版经费.), - 一台“樱井丝纲印刷机” 可印制不同线路. 也可扩大每片ITO的印刷银线路排版面积, - 提高产能有极大帮助. (或印刷不同的印刷品, 使用长远性高.) - 贵司可沿用“丝纲印刷制程”, 而不用改变现有生产流程 / 物料, - 便可去作日后量产工序. - 贵司也不用担心“花费太多人力 / 物力” 从新学习或聘请专业人员去操作.. - 使用新(黄光)制程设备, 或更改 / 新增其它设备去配合新(黄光)制

黄光制程工艺流程

黄光制程工艺流程黄光制程工艺是一种在半导体加工中常用的工艺流程，它主要用于芯片制造中的光刻步骤。光刻是一种将芯片设计的图案转移到硅片表面的关键工序。在黄光制程中，光刻胶和光罩的使用对于芯片的质量和性能起着至关重要的作用。下面是关于详细的描述，以帮助读者更好地理解这个过程。第一步：准备光罩首先，我们需要准备好用于光刻的光罩。光罩是一种具有所需图案的透明薄片，其材料通常是玻璃或石英。光罩上的图案由芯片设计师根据芯片功能需求制作。光罩的制作通常使用电子束曝光或激光曝光等方法。第二步：准备硅片

准备好待加工的硅片。这些硅片通常经过前期的清洗和抛光等处理。在准备硅片时，必须确保其表面平整且干净，以便后续的光刻步骤可以获得最佳效果。第三步：涂覆光刻胶将硅片放置在旋涂机上，然后将光刻胶均匀地涂覆在硅片表面。光刻胶可以保护硅片表面不受氧化和污染物的侵蚀，并提供一个平坦的表面用于将图案转移到硅片上。涂覆光刻胶后，通常使用烘烤等方法进行固化，以确保光刻胶的性能和稳定性。第四步：对齐和曝光将准备好的光罩放置在光刻机上，并将其与涂覆了光刻胶的硅片对准。通过微调光罩和硅片的位置，确保图案的精确对齐。然后，使用紫外线或深紫外线等光源对光罩进行照射，以

将图案转移到光刻胶上。照射时间和强度的控制非常重要，可影响芯片的精度和分辨率。第五步：显影曝光后，将硅片放入显影机中进行显影。显影是使用显影液将未曝光的光刻胶部分溶解掉，从而暴露出硅片上的图案。显影液的选择和浸泡时间需要根据光刻胶和芯片制造的要求进行优化。第六步：清洗将经过显影的硅片进行清洗，去除残余的光刻胶和显影液。清洗过程通常使用化学溶剂和超声波技术，以确保芯片表面的干净和平整。第七步：检验和测量

LED灯工艺流程

LED生产工艺,led的制作流程全过程! 1.LED芯片检验镜检：材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑（lockhill芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求电极图案是否完整 2.LED扩片由于LED芯片在划片后依然排列紧密间距很小（约0.1mm），不利于后工序的操作。我们采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张，是LED芯片的间距拉伸到约0.6mm。也可以采用手工扩张，但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。 3.LED点胶在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。（对于GaAs、SiC导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片，采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光LED芯片，采用绝缘胶来固定芯片。）工艺难点在于点胶量的控制，在胶体高度、点胶位置均有详细的工艺要求。由于银胶和绝缘胶在贮存和使用均有严格的要求，银胶的醒料、搅拌、使用时间都是工艺上必须注意的事项。 4.LED备胶和点胶相反，备胶是用备胶机先把银胶涂在LED背面电极上，然后把背部带银胶的LED安装在LED支架上。备胶的效率远高于点胶，但不是所有产品均适用备胶工艺。 5.LED手工刺片将扩张后LED芯片（备胶或未备胶）安置在刺片台的夹具上，LED支架放在夹具底下，在显微镜下用针将LED芯片一个一个刺到相应的位置上。手工刺片和自动装架相比有一个好处，便于随时更换不同的芯片，适用于需要安装多种芯片的产品。 6.LED自动装架自动装架其实是结合了沾胶（点胶）和安装芯片两大步骤，先在LED支架上点上银胶（绝缘胶），然后用真空吸嘴将LED芯片吸起移动位置，再安置在相应的支架位置上。自动装架在工艺上主要要熟悉设备操作编程，同时对设备的沾胶及安装精度进行调整。在吸嘴的选用上尽量选用胶木吸嘴，防止对LED芯片表面的损伤，特别是蓝、绿色芯片必须用胶木的。因为钢嘴会划伤芯片表面的电流扩散层。 7.LED烧结烧结的目的是使银胶固化，烧结要求对温度进行监控，防止批次性不良。银胶烧结的温度一

lcd 黄光工艺流程

液晶显示器（LCD）的黄光工艺流程是液晶显示器制造过程中的一个重要环节，它主要涉及到液晶显示器的背光源部分。以下是LCD黄光工艺流程的详细介绍： 1. 材料准备：首先，需要准备液晶显示器背光源所需的所有材料，包括LED灯珠、导光板、反射膜、扩散膜、增亮膜等。 2. 导光板制作：导光板是背光源的核心部件，其主要作用是将LED灯珠发出的光线均匀地分布在整个液晶显示器上。导光板的制作过程主要包括注塑成型、切割、抛光等步骤。 3. LED灯珠贴装：将LED灯珠贴装在导光板的一侧，通常选择在导光板的底部或侧面。贴装时需要确保LED灯珠的位置准确，以便能够有效地将光线导入导光板。 4. 反射膜贴装：反射膜的主要作用是将LED灯珠发出的光线反射回导光板，以提高光线的利用率。反射膜通常贴装在LED灯珠和导光板之间。 5. 扩散膜贴装：扩散膜的主要作用是将导光板出射的光线进行散射，以消除光线的聚焦现象，提高液晶显示器的显示效果。扩散膜通常贴装在导光板的出光面。 6. 增亮膜贴装：增亮膜的主要作用是进一步提高液晶显示器的亮度，使显示效果更加清晰。增亮膜通常贴装在扩散膜的外侧。 7. 组装：将导光板、LED灯珠、反射膜、扩散膜、增亮膜等部件组装在一起，形成一个完整的背光源。 8. 测试：对组装好的背光源进行测试，包括亮度测试、色温测试、均匀性测试等，以确保背光源的性能达到设计要求。 9. 安装：将测试合格的背光源安装到液晶显示器的壳体中，与液晶面板、驱动电路等部件一起组成完整的液晶显示器。 10. 包装：将组装好的液晶显示器进行包装，准备出厂销售。以上就是LCD黄光工艺流程的详细介绍，通过这个流程，可以生产出性能优良、显示效果出色的液晶显示器。

基本光刻工艺流程

第八章基本光刻工艺流程-表面准备到曝光概述最重要的光刻工艺是在晶圆表面建立图形。这一章是从解释基本光刻工艺十步法和讨论光刻胶的化学性质开始的。我们会按照顺序来介绍前四步（表面准备到对准和曝光）的目的和执行方法。目的完成本章后您将能够： 1．勾画出基本的光刻工艺十步法制程的晶圆截面。 2．解释正胶和负胶对光的反应。 3．解释在晶圆表面建立空穴和凸起所需要的正确的光刻胶和掩膜版的极性。4．列出基本光刻十步法每一步的主要工艺选项。 5．从目的4的列表中选出恰当的工艺来建立微米和亚微米的图形。 6．解释双重光刻，多层光刻胶工艺和平整化技术的工艺需求。 7．描述在小尺寸图形光刻过程中，防反射涂胶工艺和对比增强工艺的应用。8．列出用于对准和曝光的光学方法和非光学方法。 9．比较每一种对准和曝光设备的优点。介绍光刻工艺是一种用来去掉晶圆表面层上的所规定的特定区域的基本操作（图8.1）。Photolithography是用来定义这个基本操作的术语。还有其它术语为Photomasking, Masking, Oxide或者Metal Removal （OR,MR）和Microlithography。光刻工艺是半导体工艺过程中非常重要的一道工序，它是用来在不同的器件和电路表面上建立图形（水平的）工艺过程。这个工艺过程的目标有两个。首先是在晶圆表面建立尽可能接近设计规则中所要求尺寸的图形。这个目标被称为晶圆的分辨率（resolution）。图形尺寸被称为电路的特征图形尺寸（feature size）或是图像尺寸（image size）。第二个目标是在晶圆表面正确定位图形（称为Alignment或者Registration）。整个电路图形必须被正确地定位于晶圆表面，电路图形上单独的每一部分之间的相对位置也必须是正确的（图8.2）。请记住，最终的图形是用多个掩膜版按照特定的顺序在晶圆表面一层一层叠加建立起来的。图形定位的的要求就好像是一幢建筑物每一层之间所要求的正确的对准。很容易想象，如果建筑物每一层和每一层不能很好地对准，那么它会对电梯以及楼梯带来什么样的

LED生产流程非常详细

LED生产流程 LED芯片的制造工艺流程外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和、SiC、Si）上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。 MOCVD介绍: 金属有机物化学气相淀积（Metal—Organic Chemical Vapor Deposition,简称MOCVD)， 1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术。该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科为一体，是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子专用设备,主要用于GaN（氮化镓）系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造，也是光电子行业最有发展前途的专用设备之一。 LED芯片的制造工艺流程: 外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。其实外延片的生产制作过程是非常复杂的，在展完外延片后,下一步就开始对LED外延片做电极（P极,N极），接着就开始用激光机切割LED外延片(以前切割LED外延片主要用钻石刀），制造成芯片后，在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试,如图所示：

1、主要对电压、波长、亮度进行测试，能符合正常出货标准参数的晶圆片再继续做下一步的操作,如果这九点测试不符合相关要求的晶圆片，就放在一边另外处理. 2、晶圆切割成芯片后，100%的目检(VI/VC),操作者要使用放大30倍数的显微镜下进行目测。 3、接着使用全自动分类机根据不同的电压，波长，亮度的预测参数对芯片进行全自动化挑选、测试和分类。 4、最后对LED芯片进行检查(VC)和贴标签.芯片区域要在蓝膜的中心，蓝膜上最多有5000粒芯片，但必须保证每张蓝膜上芯片的数量不得少于1000粒，芯片类型、批号、数量和光电测量统计数据记录在标签上，附在蜡光纸的背面.蓝膜上的芯片将做最后的目检测试与第一次目检标准相同，确保芯片排列整齐和质量合格。这样就制成LED芯片（目前市场上统称方片）。在LED芯片制作过程中，把一些有缺陷的或者电极有磨损的芯片，分捡出来，这些就是后面的散晶,此时在蓝膜上有一些不符合正常出货要求的晶片，也就自然成了边片或毛片等。刚才谈到在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试，对于不符合相关要求的晶圆片作另外处理，这些晶圆片是不能直接用来做LED方片，也就不做任何分检了，直接卖给客户了，也就是目前市场上的LED大圆片（但是大圆片里也有好东西，如方片）。Sputter在辞典中意思为:（植物）溅散.此之所谓溅镀乃指物体以离子撞击时，被溅射飞散出.因被溅射飞散的物体附著于目标基板上而制成薄膜.在日光灯的插座附近常见的变黑现象，即为身边最赏见之例，此乃因日光灯的电极被

LED灯生产工艺流程

§1 LED制造流程概述 LED的制作流程包括上游的单晶片衬底制作、外延晶片生长；中游的芯片、电极制作、切割和测试分选；下游的产品封装。图2.1 LED制造流程图上游晶片：单晶棒（碑化稼 ' 磷化稼）单晶片衬底在衬底上生长外延层外延片成品：单晶片'外延片中游制程：金属蒸镀光罩腐蚀热处理（正负电极制作）切割测试分选成品：芯片下游

§2 LED 芯片生产工艺 LED 照明能够应用到高亮度领域归功于LED 芯片生产技术的不断提高，包括单颗晶片的功率和亮度的提高。LED±游生产技术是LED 行业的核心技术，目前在该技术领先的国家主要日本、美国、韩国，还有我国台湾，而我国大陆在 LED 上游生产技术的发展比较靠后。下图为上游外延片的微结构示意图。生产出高亮度LED 芯片，一直是世界各国全力投入硏制的目标，也是LED 发的方向。目前，利用大功率芯片生产出来的白光1WLED 流明值已经达能到1501m 之高。 LED 上游技术的发展将使LED 灯具的生产成本越来越低，更显LED 照明的优势。以下以蓝光LED 为例介绍其外延片生产工艺如下：首先在衬低上制作氮化錄(GaN)基的外延片，这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延片炉(MOCVD 中)完成的。准备好制作GaN 基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后，按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底，以及GaAs 、AIN 、 ZnO 等材料。 MOCVD 是利用气相反应物(前驱物)及UI 族的有机金属和V 族的NH3在衬底表面进行 P 型 GaN 负极 P 型 AIGaN InGaN 量子阱(well ) N 型 InGaN N 型 AIGaN N 型 GaN P 型 GaN GaN 缓冲层(buffer ) 蓝宝石衬底(subatrate ) 图2.2蓝光外延片微结构图正极

LED工艺流程

LED生产工艺及封装技术一、生产工艺 1.工艺： a) 清洗：采用超声波清洗PCB或LED支架，并烘干。 b) 装架：在LED管芯（大圆片）底部电极备上银胶后进行扩张，将扩张后的管芯（大圆片）安置在刺晶台上，在显微镜下用刺晶笔将管芯一个一个安装在PCB或LED支架相应的焊盘上，随后进行烧结使银胶固化。 c) 压焊：用铝丝或金丝焊机将电极连接到LED管芯上，以作电流注入的引线。LED直接安装在PCB上的，一般采用铝丝焊机。（制作白光TOP-LED需要金线焊机） d) 封装：通过点胶，用环氧将LED管芯和焊线保护起来。在PCB 板上点胶，对固化后胶体形状有严格要求，这直接关系到背光源成品的出光亮度。这道工序还将承担点荧光粉（白光LED）的任务。e) 焊接：如果背光源是采用SMD-LED或其它已封装的LED，则在装配工艺之前，需要将LED焊接到PCB板上。 f) 切膜：用冲床模切背光源所需的各种扩散膜、反光膜等。 g) 装配：根据图纸要求，将背光源的各种材料手工安装正确的位置。 h) 测试：检查背光源光电参数及出光均匀性是否良好。包装：将成品按要求包装、入库。二、封装工艺 1. LED的封装的任务

是将外引线连接到LED芯片的电极上，同时保护好LED芯片，并且起到提高光取出效率的作用。关键工序有装架、压焊、封装。2. LED封装形式 LED封装形式可以说是五花八门，主要根据不同的应用场合采用相应的外形尺寸，散热对策和出光效果。LED按封装形式分类有Lamp-LED、TOP-LED、Side-LED、SMD-LED、High-Power-LED 等。 3. LED封装工艺流程 4．封装工艺说明 1.芯片检验镜检：材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑（lockhill）芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求电极图案是否完整 2.扩片由于LED芯片在划片后依然排列紧密间距很小（约0.1mm），不利于后工序的操作。我们采用扩片机对黏结晶片的膜进行扩张，是LED芯片的间距拉伸到约0.6mm。也可以采用手工扩张，但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。 3.点胶在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。（对于GaAs、SiC导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片，采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光LED芯片，采用绝缘胶来固定芯片。）

LED封装工艺流程

阐述LED 产品封装工艺流程 03、点胶在LED 支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。（对于GaAs 、SiC 导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片，采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光LED 芯片，采用绝缘胶来固定芯片。） 06、自动装架自动装架其实是结合了沾胶（点胶）和安装芯片两大步骤，先在LED 支架上点上银胶（绝缘胶），然后用真空吸嘴将LED 芯片吸起移动位置，再安置在相应的支架位置上。自动装架在工艺上主要要熟悉设备操作编程，同时对设备的沾胶及安装精度进行调整。在吸嘴的选用上尽量选用胶木吸嘴，防止对LED 芯片表面的损伤，特别是兰、绿色芯片必须用胶木的。因为钢嘴会划伤芯片表面的电流扩散层。07、烧结烧结的目的是使银胶固化，烧结要求对温度进行监控，防止批次性不良。银胶烧结的温度一般控制在150℃，烧结时间 2 小时。根据实际情况可以调整到170℃，1小时。绝缘胶一般150℃，1 小时。银胶烧结烘箱的必须按工艺要求隔 2 小时（或 1 小时）打开更换烧结的产品，中间不得随意打开。烧结烘箱不得再其它用途，防止污染。 08、压焊压焊的目的将电极引到LED 芯片上，完成产品内外引线的连接工作。LED 的压焊工艺有金丝球焊和铝丝压焊两种。右图是铝丝压焊的过程，先在LED 芯片电

极上压上第一点，再将铝丝拉到相应的支架上方，压上第二点后扯断铝丝。金丝球焊过程则在压第一点前先烧个球，其余过程类似。压焊是LED 封装技术中的关键环节，工艺上主要需要监控的是压焊金丝（铝丝）拱丝形状，焊点形状，拉力。对压焊工艺的深入研究涉及到多方面的问题，如金（铝）丝材料、超声功率、压焊压力、劈刀（钢嘴）选用、劈刀（钢嘴）运动轨迹等等。（下图是同等条件下，两种不同的劈刀压出的焊点微观照片，两者在微观结构上存在差别，从而影响着产品质量。）我们在这里不再累述。 09、点胶封装 LED 的封装主要有点胶、灌封、模压三种。基本上工艺控制的难点是气泡、多缺料、黑点。设计上主要是对材料的选型，选用结合良好的环氧和支架。（一般的LED 无法通过气密性试验）如右图所示的TOP-LED 和Side-LED 适用点胶封装。手动点胶封装对操作水平要求很高（特别是白光 LED ），主要难点是对点胶量的控制，因为环氧在使用过程中会变稠。白光LED 的点胶还存在荧光粉沉淀导致出光色差的问题。 10、灌胶封装 Lamp-LED 的封装采用灌封的形式。灌封的过程是先在LED 成型模腔内注入液态环氧，然后插入压焊好的LED 支架，放入烘箱让环氧固化后，将LED 从模腔中脱出即成型。 11、模压封装将压焊好的LED 支架放入模具中，将上下两副模具用液压机合模并抽真空，将固态环氧放入注胶道的入口加热用液压顶杆压入模具胶道中，环氧顺着胶道进入各个LED 成型槽中并固化。

黄光制造部工艺流程培训

黄光制造部工艺流程应知应会手册

一、黄光各结构产品工艺流程 1.1 MITO结构 1.1.1单层 1.1.2双层 1.2 ITO+AG结构 1.2.1单层 1.2.2双层 1.3 跳线结构

二、各工序技术解析 2.1老化工序 2.1.1原理 ITO 膜通过高温烘烤排除ITO 膜中所含水份、气体，进一步调整基材内部的原子位置和分子结构，消除各种材料内部的和各种材料相互之间的物理应力，降低材料方阻，和后续的生产加工过程中及产品使用过程中，得到更稳定的物理尺寸、化学性能。 2.1.2 ITO导电膜 1）常见ITO有高阻值膜（老化后表面方阻400±100欧姆）和低阻值膜（老化后表面方阻150±50欧姆），厚度50um、125um、175um。现我司使用方阻为150±50欧姆，厚度为50um和125um。 2）ITO膜主要由PET（背面保护）、Back coating层（硬化）、Polyethyleneterephthalate 层（基材）、Under coating层（消影）、ITO层组成。图2.1 ITO导电膜结构示意图 3）材料基本性能表2.1 材料基本性能 2.1.3管控重点 1）参数管控 ①老化温度：ITO膜通过高温烘烤，若温度高时，材料变形；温度偏低或老化时间短，材料不能充分调质，表面阻值达不到规格内；老化温度不均匀时，老化后材料表面阻值不均匀。

②老化时间：老化过程时间短，ITO表面不能充分调质，导致阻值不均匀。 2）生产管控 ①清洁：老化车间每天上班做好整个车间卫生清洁。老化过程中，若有异物落到材料上，烘烤后会形成异物点或大的异物在材料表面卷绕后形成凹凸点(清洁频率1天/一次)。 2.1.4主要不良、缺陷表2.2 工艺不良及原因分析表 2.2压膜工序 2.2.1原理利用温度、压力将感光材料（光阻/干膜）与导电膜（ITO膜或铜膜）压合在一起。 2.2.2材料特性 1）金属铜膜：主要由PET（背面保护）、Back coating层（硬化）、PET层（即Polyethyleneterephthalate层基材）、Under coating层（消影）、ITO层、Cu层、Cu-Ni-Ti 层（防氧化层）组成（图1），基本性能要求以现有日东材料TC150-O2FLC5为例，具体见表。