黄光PHOTO制程问答
黄光PHOTO制程问答
PHOTO 流程?
答：上光阻→曝光→顯影→顯影後檢查→CD量測→Overlay量測
何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？
答：Photoresist(光阻).是一种感光的物质，其作用是将Pattern从光罩(Reticle)上传递到Wafer上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。
何为正光阻?
答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。
何为负光阻?
答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。
什幺是曝光？什幺是显影？
答：曝光就是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将曝光完成后的图形处理，以将图形清晰的显现出来的过程。
何谓 Photo?
答：Photo=Photolithgraphy,光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。Photo主要流程为何?
答：Photo的流程分为前处理，上光阻，Soft Bake, 曝光，PEB，显影，Hard Bake 等。
何谓PHOTO区之前处理?
答：在Wafer上涂布光阻之前，需要先对Wafer表面进行一系列的处理工作，以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。前处理主要包括Bake，HDMS 等过程。其中通过Bake将Wafer表面吸收的水分去除，然后进行HDMS工作，以使Wafer表面更容易与光阻结合。
何谓上光阻?
答：上光阻是为了在Wafer表面得到厚度均匀的光阻薄膜。光阻通过喷嘴（Nozzle）被喷涂在高速旋转的Wafer表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer的表面。
何谓Soft Bake?
答：上完光阻之后，要进行Soft Bake，其主要目的是通过Soft Bake将光阻中的溶剂蒸发，并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。
何谓曝光?
答：曝光是将涂布在Wafer表面的光阻感光的过程，同时将光罩上的图形传递到Wafer上的过程。
何谓PEB(Post Exposure Bake)?
答：PEB是在曝光结束后对光阻进行控制精密的Bake的过程。其目的在于使被曝光的光阻进行充分的化学反应，以使被曝光的图形均匀化。
何谓显影?
答：显影类似于洗照片，是将曝光完成的Wafer进行成象的过程，通过这个过程，
成象在光阻上的图形被显现出来。
何谓Hard Bake?
答：Hard Bake是通过烘烤使显影完成后残留在Wafer上的显影液蒸发，并且固化显影完成之后的光阻的图形的过程。
何为BARC?何为TARC?它们分别的作用是什幺？
答：BARC=Bottom Anti Reflective Coating, TARC=Top Anti Reflective Coating. BARC是被涂布在光阻下面的一层减少光的反射的物质，TARC则是被涂布在光阻上表面的一层减少光的反射的物质。他们的作用分别是减少曝光过程中光在光阻的上下表面的反射，以使曝光的大部分能量都被光阻吸收。
何谓 Iline？
答：曝光过程中用到的光，由Mercury Lamp(汞灯)产生，其波长为365nm，其波长较长，因此曝光完成后图形的分辨率较差，可应用在次重要的层次。
何谓 DUV？
答：曝光过程中用到的光，其波长为248nm，其波长较短，因此曝光完成后的图形分辨率较好，用于较为重要的制程中。
I-line与DUV主要不同处为何?
答：光源不同，波长不同，因此应用的场合也不同。I-Line主要用在较落后的
制程（0.35微米以上）或者较先进制程（0.35微米以下）的Non-Critical layer。DUV则用在先进制程的Critical layer上。
何为Exposure Field?
答：曝光区域，一次曝光所能覆盖的区域
何谓 Stepper? 其功能为何?
答：一种曝光机，其曝光动作为Step by step形式,一次曝整個exposure field,一個一個曝過去
何谓 Scanner? 其功能为何?
答：一种曝光机，其曝光动作为Scanning and step形式, 在一個exposure field 曝光時, 先Scan完整個field, Scan完後再移到下一個field.
何为象差？
答：代表透镜成象的能力,越小越好.
Scanner比Stepper优点为何？
答：Exposure Field大，象差较小
曝光最重要的两个参数是什幺？
答：Energy(曝光量), Focus(焦距)。如果能量和焦距调整的不好，就不能得到要求的分辨率和要求大小的图形，主要表现在图形的CD值超出要求的范围。因此要求在生产时要时刻维持最佳的能量和焦距，这两个参数对于不同的产品会有不同。
何为Reticle?
答：Reticle也称为Mask，翻译做光掩模板或者光罩，曝光过程中的原始图形的载体，通过曝光过程，这些图形的信息将被传递到芯片上。
何为Pellicle?
答：Pellicle是Reticle上为了防止灰塵(dust)或者微塵粒子(Particle)落在
光罩的图形面上的一层保护膜。
何为OPC光罩？
答：OPC (Optical Proximity Correction)为了增加曝光图案的真实性，做了一
些修正的光罩，例如，0.18微米以下的Poly, Metal layer就是OPC光罩。
何为PSM光罩？
答：PSM (Phase Shift Mask)不同于Cr mask, 利用相位干涉原理成象，目前大都应用在contact layer以及较小CD的Critical layer（如AA，POLY，METAL1）以增加图形的分辨率。
何為CR Mask？
答：傳統的鉻膜光罩,只是利用光訊0與1干涉成像,主要應用在較不Critical 的layer
光罩编号各位代码都代表什幺？
答：例如003700-156AA-1DA, 0037代表产品号，00代表Special code,156代表layer,A代表客户版本，后一个A代表SMIC版本，1代表FAB1，D代表DUV(如果是J,则代表I-line),A代表ASML机台（如果是C，则代表Canon机台）
光罩室同时不能超过多少人在其中？
答：2人，为了避免产生更多的Particle和静电而损坏光罩。
存取光罩的基本原则是什幺？
答：(1) 光罩盒打开的情况下，不准进出Mask Room,最多只准保持2个人(2) 戴上手套(3) 轻拿轻放
如何避免静电破坏Mask？
答：光罩夹子上连一导线到金属桌面，可以将产生的静电导出。
光罩POD和FOUP能放在一起吗？它们之间至少应该保持多远距离？
答：不能放在一起，之间至少要有30公分的距离，防止搬动FOUP时碰撞光罩Pod而损坏光罩。
何谓 Track?
答：Photo制程中一系列步骤的组合，其包括：Wafer的前、后处理，Coating(上光阻)，和Develop(显影)等过程。
In-line Track机台有几个Coater槽，几个Developer槽？
答：均为4个
机台上亮红灯的处理流程？
答：机台上红灯亮起的时候表明机台处于异常状态，此时已经不能RUN货，因此应该及时Call E.E进行处理。若EE现在无法立即解决，则将机台挂DOWN。
何谓 WEE? 其功能为何?
答：Wafer Edge Exposure。由于Wafer边缘的光阻通常会涂布的不均匀，因此一般不能得到较好的图形，而且有时还会因此造成光阻peeling而影响其它部分的图形，因此将Wafer Edge的光阻曝光，进而在显影的时候将其去除，这样便可以消除影响。
何为PEB？其功能为何？
答：Post Exposure Bake，其功能在于可以得到质量较好的图形。（消除standing waves）
PHOTO POLYIMIDE所用的光阻是正光阻还是负光阻
答：目前正负光阻都有，SMIC FAB内用的为负光阻。
RUN货结束后如何判断是否有wafer被reject？
答：查看RUN之前lot里有多少Wafer,再看Run之后lot里的WAFER是否有少掉，如果有少，则进一步查看机台是否有Reject记录。
何谓 Overlay? 其功能为何?
答：迭对测量仪。由于集成电路是由很多层电路重迭组成的，因此必须保证每一层与前面或者后面的层的对准精度，如果对准精度超出要求范围内，则可能造成整个电路不能完成设计的工作。因此在每一层的制作的过程中，要对其与前层的对准精度进行测量，如果测量值超出要求，则必须采取相应措施调整process condition.
何谓 ADI CD?
答：Critical Dimension，光罩图案中最小的线宽。曝光过后，它的图形也被复制在Wafer上，通常如果这些最小的线宽能够成功的成象，同时曝光的其它的图形也能够成功的成象。因此通常测量CD的值来确定process的条件是否合适。何谓 CD-SEM? 其功能为何?
答：扫描电子显微镜。是一种测量用的仪器，通常可以用于测量CD以及观察图案。
PRS的制程目的为何？
答：PRS (Process Release Standard)通过选择不同的条件（能量和焦距）对Wafer曝光，以选择最佳的process condition。
何为ADI？ADI需检查的项目有哪些？
答：After Develop Inspection，曝光和显影完成之后，通过ADI机台对所产生的图形的定性检查，看其是否正常，其检查项目包括：Layer ID,Locking Corner,Vernier,Photo Macro Defect
何为OOC, OOS，OCAP？
答：OOC=out of control,OOS=Out of Spec,OCAP=out of control action plan 当需要追货的时候，是否需要将ETCH没有下机台的货追回来？
答：需要。因为通常是process出现了异常，而且影响到了一些货，因此为了减少损失，必须把还没有ETCH的货追回来，否则ETCH之后就无法挽回损失。PHOTO ADI检查的SITE是每片几个点？
答：5点，Wafer中间一点，周围四点。
PHOTO OVERLAY检查的SITE是每片几个点？
答：20
PHOTO ADI检查的片数一般是哪几片？
答：#1，#6，#15，#24; 统计随机的考量
何谓RTMS，其主要功能是什幺？
答：RTMS (Reticle Management System) 光罩管理系统用于trace光罩的History,Status,Location,and Information以便于光罩管理
PHOTO区的主机台进行PM的周期？
答：一周一次
PHOTO区的控片主要有几种类型
答：(1) Particle :作為Particle monitor用的芯片,使用前測前需小於10顆(2) Chuck Particle :作為Scanner測試Chuck平坦度的專用芯片,其平坦度要求非常高(3) Focus :作為Scanner Daily monitor best 的wafer(4) CD :做為photo區daily monitor CD穩定度的wafer(5) PR thickness :做為光阻厚度測量的wafer(6) PDM :做為photo defect monitor的wafer
当TRACK刚显示光阻用完时，其实机台中还有光阻吗？
答：有少量光阻
当TRACK刚显示光阻用完时，其实机台中还有光阻吗？
答：有少量光阻
WAFER SORTER有读WAFER刻号的功能吗？
答：有
光刻部的主要机台是什幺? 它们的作用是什幺?
答：光刻部的主要机台是: TRACK(涂胶显影机), Sanner(扫描曝光机)
为什幺说光刻技术最象日常生活中的照相技术
答：Track 把光刻胶涂附到芯片上就等同于底片,而曝光机就是一台最高级的照相机. 光罩上的电路图形就是"人物". 通过对准,对焦,打开快门, 让一定量的光照过光罩, 其图像呈现在芯片的光刻胶上, 曝光后的芯片被送回Track 的显影槽, 被显影液浸泡, 曝光的光刻胶被洗掉, 图形就显现出来了.
光刻技术的英文是什幺
答：Photo Lithography
常听说的.18 或点13 技术是指什幺?
答：它是指某个产品,它的最小"CD" 的大小为0.18um or 0.13um. 越小集成度可以越高, 每个芯片上可做的芯片数量越多, 难度也越大.它是代表工艺水平的重要参数.
从点18工艺到点13 工艺到点零9. 难度在哪里?
答：难度在光刻部, 因为图形越来越小, 曝光机分辨率有限.
曝光机的NA 是什幺?
答：NA是曝光机的透镜的数值孔径;是光罩对透镜张开的角度的正玹值. 最大是1; 先进的曝光机的NA 在0.5 ---0.85之间.
曝光机分辨率是由哪些参数决定的?
答：分辨率=k1*Lamda/NA. Lamda是用于曝光的光波长;NA是曝光机的透镜的数值孔径; k1是标志工艺水准的参数, 通常在0.4--0.7之间.
如何提高曝光机的分辨率呢?
答：减短曝光的光波长, 选择新的光源; 把透镜做大,提高NA.
现在的生产线上, 曝光机的光源有几种, 波长多少?
答：有三种: 高压汞灯光谱中的365nm 谱线, 我们也称其为I-line; KrF 激光器, 产生248 nm 的光; ArF 激光器, 产生193 nm 的光;
下一代曝光机光源是什幺?
答：F2 激光器. 波长157nm
我们可否一直把波长缩短,以提高分辨率? 困难在哪里?
答：不可以. 困难在透镜材料. 能透过157nm 的材料是CaF2, 其晶体很难生长. 还未发现能透过更短波长的材料.
为什幺光刻区采用黄光照明？
答：因为白光中包含365nm成份会使光阻曝光,所以采用黄光; 就象洗像的暗房采用暗红光照明.
什幺是SEM
答：扫描电子显微镜(Scan Electronic Microscope)光刻部常用的也称道CD SEM. 用它来测量CD
如何做Overlay 测量呢?
答：芯片(Wafer)被送进Overlay 机台中. 先确定Wafer的位置从而找到Overlay MARK. 这个MARK 是一个方块 IN 方块的结构.大方块是前层, 小方块是当层;
通过小方块是否在大方块中心来确定Overlay的好坏.
生产线上最贵的机器是什幺
答：曝光机;5-15 百万美金/台
曝光机贵在哪里?
答：曝光机贵在它的光学成像系统 (它的成像系统由15 到20 个直径在200 300MM 的透镜组成.波面相位差只有最好象机的5%. 它有精密的定位系统(使用
激光工作台)
激光工作台的定位精度有多高?
答：现用的曝光机的激光工作台定位的重复精度小于10nm
曝光机是如何保证Overlay<50nm
答：曝光机要保证每层的图形之间对准精度<50nm. 它首先要有一个精准的激光工作台, 它把wafer移动到准确的位置. 再就是成像系统,它带来的图像变形
<35nm.
在WAFER 上, 什幺叫一个Field?
答：光罩上图形成象在WAFER上, 最大只有26X33mm一块(这一块就叫一个Field),激光工作台把WAFER 移动一个Field的位置，再曝一次光，再移动再曝光。直到覆盖整片WAFER。所以，一片WAFER 上有约100左右Field.
什幺叫一个Die?
答：一个Die也叫一个Chip;它是一个功能完整的芯片。一个Field可包含多
个Die;
为什幺曝光机的绰号是“印钞机”
答：曝光机很贵；一天的折旧有3万-9万人民币之多;所以必须充份利用它的
产能,它一天可产出1600片WAFER。
Track和Scanner内主要使用什幺手段传递Wafer：
答：机器人手臂(robot), Scanner 的ROBOT 有真空(VACCUM)来吸住WAFER. TRACK的ROBOT 设计独特, 用边缘HOLD WAFER.
可否用肉眼直接观察测量Scanner曝光光源输出的光
答：绝对禁止;强光对眼睛会有伤害
为什幺黄光区内只有Scanner应用Foundation(底座)
答：Scanner曝光对稳定性有极高要求(减震)
近代光刻技术分哪几个阶段?
答：从80’S 至今可分4阶段:它是由曝光光源波长划分的;高压水银灯的
G-line(438nm), I-line(365nm); excimer laser KrF(248nm), ArF laser(193nm) I-line scanner 的工作范围是多少?
答：CD >0.35um 以上的图层(LAYER)
KrF scanner 的工作范围是多少?
答：CD >0.13um 以上的图层(LAYER)
ArF scanner 的工作范围是多少?
答：CD >0.08um 以上的图层(LAYER)
什幺是DUV SCANNER
答：DUV SCANNER 是指所用光源为Ｄeep Ultra Voliet, 超紫外线．即现用的248nm,193nm Scanner
Scanner在曝光中可以达到精确度宏观理解：
答：Scanner 是一个集机，光，电为一体的高精密机器；为控制iverlay<40nm,
在曝光过程中，光罩和Wafer的运动要保持很高的同步性．在250nm/秒的扫描曝光时，两者同步位置<10nm．相当于两架时速1000公里／小时的波音747飞机前后飞行，相距小于10微米
光罩的结构如何？
答：光罩是一块石英玻璃，它的一面镀有一层铬膜（不透光）．在制造光罩时，用电子束或激光在铬膜上写上电路图形（把部分铬膜刻掉，透光）．在距铬膜
5mm 的地方覆盖一极薄的透明膜（叫pellicle），保护铬膜不受外界污染.
在超净室（cleanroom）为什幺不能携带普通纸
答：普通纸张是由大量短纤维压制而成，磨擦或撕割都会产生大量微小尘埃（particle）．进cleanroom 要带专用的Cleanroom Paper.
如何做CD 测量呢?
答：芯片(Wafer)被送进CD SEM 中. 电子束扫过光阻图形(Pattern).有光阻的地方和无光阻的地方产生的二次电子数量不同; 处理此信号可的图像.对图像进行测量得CD.
什幺是DOF
答：DOF 也叫Depth Of Focus, 与照相中所说的景深相似. 光罩上图形会在透镜的另一侧的某个平面成像, 我们称之为像平面(Image Plan), 只有将像平面与光阻平面重合(In Focus)才能印出清晰图形. 当离开一段距离后, 图像模糊. 这一可清晰成像的距离叫DOF
曝光显影后产生的光阻图形（Pattern）的作用是什幺？
答：曝光显影后产生的光阻图形有两个作用：一是作刻蚀的模板，未盖有光阻的地方与刻蚀气体反应，被吃掉．去除光阻后，就会有电路图形留在芯片上．另一作用是充当例子注入的模板．
光阻种类有多少？
答：光阻种类有很多．可根据它所适用的曝光波长分为I-line光阻,KrF光阻和ArF光阻
光阻层的厚度大约为多少？
答：光阻层的厚度与光阻种类有关．I-line光阻最厚，0.7um to 3um. KrF光阻0.4-0.9um. ArF光阻0.2-0.5um.
哪些因素影响光阻厚度？
答：光阻厚度与芯片（ＷＡＦＥＲ）的旋转速度有关，越快越薄，与光阻粘稠度有关．
哪些因素影响光阻厚度的均匀度？
答：光阻厚度均匀度与芯片（ＷＡＦＥＲ）的旋转加速度有关，越快越均匀，与旋转加减速的时间点有关．
当显影液或光阻不慎溅入眼睛中如何处理
答：大量清水冲洗眼睛，并查阅显影液的ＣＳＤＳ（Chemical Safety Data Sheet）,把它提供给医生，以协助治疗
FAC
根据工艺需求排气分几个系统?
答：分为一般排气（General）、酸性排气（Scrubbers）、碱性排气（Ammonia）和有机排气（Solvent）四个系统。
高架地板分有孔和无孔作用?
答：使循环空气能流通，不起尘，保证洁净房内的洁净度; 防静电；便于HOOK-UP。
离子发射系统作用
答：离子发射系统，防止静电
SMIC洁净等级区域划分
答：Mask Shop class 1 & 100Fab1 & Fab2 Photo and process area: Class 100Cu-line Al-Line OS1 L3 OS1 L4 testing Class 1000
什幺是制程工艺真空系统(PV)
答：是提供厂区无尘室生产及测试机台在制造过程中所需的工艺真空;如真空吸笔、光阻液涂布、吸芯片用真空源等。该系统提供一定的真空压力(真空度大于 80 kpa)和流量，每天24小时运行
什幺是MAU(Make Up Air Unit),新风空调机组作用
答：提供洁净室所需之新风，对新风湿度，温度，及洁净度进行控制，维持洁净室正压和湿度要求。
House Vacuum System 作用
答：HV(House Vacuum)系统提供洁净室制程区及回风区清洁吸取微尘粒子之真空源，其真空度较低。使用方法为利用软管连接事先已安装在高架地板下或柱子内的真空吸孔，打开运转电源。此系统之运用可减低清洁时的污染。
Filter Fan Unit System(FFU)作用
答：FFU系统保证洁净室内一定的风速和洁净度，由Fan和Filter(ULPA)组成。什幺是Clean Room 洁净室系统
答：洁净室系统供应给制程及机台设备所需之洁净度、温度、湿度、正压、气流条件等环境要求。
Clean room spec:标准
答：Temperature 23 °C ± 1°C(Photo:23 °C ± 0.5°C)Humidity 45%± 5%(Photo:45%± 3% )Class 100Overpressure +15paAir velocity 0.4m/s ± 0.08m/s
Fab 内的safety shower的日常维护及使用监督由谁来负责
答：Fab 内的 Area Owner（若出现无水或大量漏水等可请厂务水课（19105）协助）
工程师在正常跑货用纯水做rinse或做机台维护时，要注意不能有酸或有机溶剂（如IPA等）进入纯水回收系统中，这是因为：
答：酸会导致conductivity(导电率)升高，有机溶剂会导致TOC升高。两者均会影响并降低纯水回收率。
若在Fab 内发现地面有水滴或残留水等，应如何处理或通报
答：先检查是否为机台漏水或做PM所致，若为厂务系统则通知厂务中控室（12222）
机台若因做PM或其它异常，而要大量排放废溶剂或废酸等应首先如何通报
答：通知厂务主系统水课的值班（19105）
废水排放管路中酸碱废水/浓硫酸/废溶剂等使用何种材质的管路?
答：酸碱废水/高密度聚乙烯(HDPE)浓硫酸/钢管内衬铁福龙(CS-PTFE)废溶剂/不琇钢管(SUS)
若机台内的drain管有接错或排放成分分类有误，将会导致后端的主系统出现什幺问题?
答：将会导致后端处理的主系统相关指标处理不合格，从而可能导致公司排放口超标排放的事故。
公司做水回收的意义如何?
答：(1) 节约用水，降低成本。重在环保。 (2) 符合ISO可持续发展的精神和公司环境保护暨安全卫生政策。
何种气体归类为特气(Specialty Gas)?
答：SiH2Cl2
何种气体由VMB Stick点供到机台?
答：H2
何种气体有自燃性?
答：SiH4
何种气体具有腐蚀性?
答：ClF3
当机台用到何种气体时，须安装气体侦测器?
答：PH3
名词解释 GC, VMB, VMP
答：GC- Gas Cabinet 气瓶柜VMB- Valve Manifold Box 阀箱，适用于危险性
气体。VMP- Valve Manifold Panel 阀件盘面，适用于惰性气体。
标准大气环境中氧气浓度为多少？工作环静氧气浓度低于多少时人体会感觉不适？
答：21%19%
什幺是气体的 LEL? H2的LEL 为多少？
答：LEL- Low Explosive Level 气体爆炸下限H2 LEL- 4%.
当FAB内气体发生泄漏二级警报（既Leak HiHi），气体警报灯（LAU）会如何
动作？FAB内工作人员应如何应变？
答：LAU红、黄灯闪烁、蜂鸣器叫听从ERC广播命令，立刻疏散。
化学供应系统中的化学物质特性为何?
答：(1) Acid/Caustic 酸性/腐蚀性(2) Solvent有机溶剂(3) Slurry研磨液
有机溶剂柜的安用保护装置为何?
答：(1) Gas/Temp. detector;气体/温度侦测器(2) CO2 extinguisher;二氧化碳灭火器
中芯有那几类研磨液(slurry)系统?
答：(1) Oxide (SiO2) (2) Tungsten (W)鵭
设备机台总电源是几伏特?
答：208V OR 380V
欲从事生产/测试/维护时,如无法就近取得电源供给,可以无限制使用延长线吗? 答：不可以
如何选用电器器材?
答：使用电器器材需采用通过认证之正规品牌
机台开关可以任意分/合吗?
答：未经确认不可随意分/合任何机台开关,以免造成生产损失及人员伤害.
欲从事生产/测试/维护时,如无法就近取得电源供给,也不能无限制使用延长线,对吗?
答：对
假设断路器启断容量为16安培导线线径2.5mm2,电源供应电压单相220伏特,若使用单相5000W电器设备会产生何种情况?
答：断路器跳闸
当供电局供电中断时,人员仍可安心待在FAB中吗?
答：当供电局供电中断时,本厂因有紧急发电机设备,配合各相关监视系统,仍然能保持FAB之Safety,所以人员仍可安心待在FAB中.
ETCH
何谓蚀刻(Etch)?
答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。
蚀刻种类:
答：(1) 干蚀刻(2) 湿蚀刻
蚀刻对象依薄膜种类可分为:
答：poly,oxide, metal
半导体中一般金属导线材质为何?
答：鵭线(W)/铝线(Al)/铜线(Cu)
何谓 dielectric 蚀刻(介电质蚀刻)?
答：Oxide etch and nitride etch
半导体中一般介电质材质为何?
答：氧化硅/氮化硅
何谓湿式蚀刻
答：利用液相的酸液或溶剂;将不要的薄膜去除
何谓电浆 Plasma?
答：电浆是物质的第四状态.带有正,负电荷及中性粒子之总和;其中包含电子,正离子,负离子,中性分子,活性基及发散光子等,产生电浆的方法可使用高温或高电压.
何谓干式蚀刻?
答：利用plasma将不要的薄膜去除
何谓Under-etching(蚀刻不足)?
答：系指被蚀刻材料，在被蚀刻途中停止造成应被去除的薄膜仍有残留
何谓Over-etching(过蚀刻 )
答：蚀刻过多造成底层被破坏
何谓Etch rate(蚀刻速率)
答：单位时间内可去除的蚀刻材料厚度或深度
何谓Seasoning(陈化处理)
答：是在蚀刻室的清净或更换零件后，为要稳定制程条件，使用仿真（dummy）晶圆进行数次的蚀刻循环。
Asher的主要用途:
答：光阻去除
Wet bench dryer 功用为何?
答：将晶圆表面的水份去除
列举目前Wet bench dry方法:
答：(1) Spin Dryer (2) Marangoni dry (3) IPA Vapor Dry
何谓 Spin Dryer
答：利用离心力将晶圆表面的水份去除
何谓 Maragoni Dryer
答：利用表面张力将晶圆表面的水份去除
何谓 IPA Vapor Dryer
答：利用IPA(异丙醇)和水共溶原理将晶圆表面的水份去除
测Particle时,使用何种测量仪器?
答：Tencor Surfscan
测蚀刻速率时,使用何者量测仪器?
答：膜厚计,测量膜厚差值
何谓 AEI
答：After Etching Inspection 蚀刻后的检查
AEI目检Wafer须检查哪些项目:
答：(1) 正面颜色是否异常及刮伤 (2) 有无缺角及Particle (3)刻号是否正确金属蚀刻机台转非金属蚀刻机台时应如何处理?
答：清机防止金属污染问题
金属蚀刻机台asher的功用为何?
答：去光阻及防止腐蚀
金属蚀刻后为何不可使用一般硫酸槽进行清洗?
答：因为金属线会溶于硫酸中
"Hot Plate"机台是什幺用途?
答：烘烤
Hot Plate 烘烤温度为何?
答：90~120 度C
何种气体为Poly ETCH主要使用气体?
答：Cl2, HBr, HCl
用于Al 金属蚀刻的主要气体为
答：Cl2, BCl3
用于W金属蚀刻的主要气体为
答：SF6
何种气体为oxide vai/contact ETCH主要使用气体?
答：C4F8, C5F8, C4F6
硫酸槽的化学成份为:
答：H2SO4/H2O2
AMP槽的化学成份为:
答：NH4OH/H2O2/H2O
UV curing 是什幺用途?
答：利用UV光对光阻进行预处理以加强光阻的强度
"UV curing"用于何种层次?
答：金属层
何谓EMO?
答：机台紧急开关
EMO作用为何?
答：当机台有危险发生之顾虑或已不可控制,可紧急按下
湿式蚀刻门上贴有那些警示标示?
答：(1) 警告.内部有严重危险.严禁打开此门 (2) 机械手臂危险. 严禁打开此
门 (3) 化学药剂危险. 严禁打开此门
遇化学溶液泄漏时应如何处置?
答：严禁以手去测试漏出之液体. 应以酸碱试纸测试. 并寻找泄漏管路. 遇 IPA 槽着火时应如何处置??
答：立即关闭IPA 输送管路并以机台之灭火器灭火及通知紧急应变小组BOE槽之主成份为何?
答：HF(氢氟酸)与NH4F(氟化铵).
BOE为那三个英文字缩写 ?
答：Buffered Oxide Etcher 。
有毒气体之阀柜(VMB)功用为何?
答：当有毒气体外泄时可利用抽气装置抽走,并防止有毒气体漏出
电浆的频率一般13.56 MHz,为何不用其它频率?
答：为避免影响通讯品质,目前只开放特定频率,作为产生电浆之用,如
380~420KHz ,13.56MHz,2.54GHz等
何谓ESC(electrical static chuck)
答：利用静电吸附的原理, 将 Wafer 固定在极板 (Substrate) 上
Asher主要气体为
答：O2
Asher机台进行蚀刻最关键之参数为何?
答：温度
简述TURBO PUMP 原理
答：利用涡轮原理,可将压力抽至10-6TORR
热交换器(HEAT EXCHANGER)之功用为何？
答：将热能经由介媒传输,以达到温度控制之目地
简述BACKSIDE HELIUM COOLING之原理？
答：藉由氦气之良好之热传导特性,能将芯片上之温度均匀化
ORIENTER 之用途为何？
答：搜寻notch边,使芯片进反应腔的位置都固定,可追踪问题
简述EPD之功用
答：侦测蚀刻终点;End point detector利用波长侦测蚀刻终点
何谓MFC？
答：mass flow controler气体流量控制器;用于控制反应气体的流量GDP 为何?
答：气体分配盘(gas distribution plate)
GDP 有何作用？
答：均匀地将气体分布于芯片上方
何谓 isotropic etch?
答：等向性蚀刻;侧壁侧向蚀刻的机率均等
何谓 anisotropic etch?
答：非等向性蚀刻;侧壁侧向蚀刻的机率少
何谓 etch 选择比?
答：不同材质之蚀刻率比值
何谓AEI CD?
答：蚀刻后特定图形尺寸之大小,特征尺寸(Critical Dimension)
何谓CD bias?
答：蚀刻CD减蚀刻前黄光CD
简述何谓田口式实验计划法?
答：利用混合变因安排辅以统计归纳分析
何谓反射功率?
答：蚀刻过程中,所施予之功率并不会完全地被反应腔内接收端所接受,会有部份值反射掉,此反射之量,称为反射功率
Load Lock 之功能为何?
答：Wafers经由loadlock后再进出反应腔,确保反应腔维持在真空下不受粉尘及湿度的影响.
pcb工厂黄光室波段
PCB工厂黄光室波段 1. 什么是PCB工厂黄光室波段？ PCB（Printed Circuit Board）工厂黄光室波段是指在PCB制造过程中的一个重要环节，用于在电路板上形成电路图案。黄光室是一种特殊的实验室，用于进行光刻和曝光的工艺步骤。 在PCB制造过程中，首先需要将设计好的电路图案通过化学方法转移到感光胶上。这个步骤被称为“黄光制程”。而黄光室则是用来进行这个制程的地方。 2. 黄光室波段的作用 黄光室波段在PCB制造过程中起着至关重要的作用。其主要功能包括： - 先进工艺：黄光室波段使用了先进的技术和设备，能够实现高精度、高效率的电路图案转移。 - 光刻：通过使用特殊的紫外线曝光设备和感光胶，在电路板上形成所需的电路图案。 - 曝光：将设计好的电路图案通过曝光设备投射到感光胶上，使得感光胶在光照下发生化学反应。 - 图案转移：经过曝光后，感光胶上将形成与设计图案相对应的图案，然后通过化学蚀刻等工艺步骤，将图案转移到电路板上。 3. 黄光室波段的工艺流程 黄光室波段的工艺流程一般包括以下步骤： 1. 准备工作：包括清洁黄光室、检查和校准设备等。 2. 材料准备：准备好感光胶、掩膜、电路板等材料，并确保其质量符合要求。 3. 曝光设备设置：根据所需的曝光参数，设置曝光设备，如曝光时间、曝光强度等。 4. 掩膜对位：将掩膜与电路板进行对位，确保掩膜上的图案与电路板上的位置一致。 5. 曝光：将已对位的电路板放置在曝光设备中，在设定的曝光条件下进行曝光。 6. 确认曝光效果：通过检查曝光后的感光胶表面，确认曝光效果是否符合要求。 7. 清洗：使用特定的化学溶液对感光胶进行清洗，去除未曝光的部分。 8. 检查和修复：检查电路板上的图案是否完整，如有缺陷，则进行修复。 9. 蚀刻：将电路板放置在化学蚀刻液中，去除掉未被感光胶保护的部分金属。 10. 清洗和检查：清洗蚀刻后的电路板，并进行最终的质量检查。 4. 黄光室波段的关键技术 黄光室波段使用了一系列关键技术来实现高精度、高效率的电路图案转移。其中一些关键技术包括： - 光刻胶选择：选择合适的感光胶，以满足所需图案分辨率、精度和耐久性等要求。 - 曝光设备优化：通过优化曝光设备的参数和设计，提高曝光效果和稳定性。 - 掩膜制备：制备高质量、高精度的掩膜，确保与电路板上图案对位准确。 - 曝光参数控制：准确控制曝光时间、曝光强度等参数，以实现所需图案的精确转移。 - 清洗工艺优化：优化清洗工艺，确保清洗干净并避免对
晶圆厂工艺说明
PHOTO PHOTO 流程? 答：上光阻→曝光→顯影→顯影後檢查→CD量測→Overlay量測 何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？ 答：Photoresist(光阻).是一种感光的物质，其作用是将Pattern从光罩(Reticle)上传递到Wafer上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。 何为正光阻? 答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。 何为负光阻? 答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。 什幺是曝光？什幺是显影？ 答：曝光就是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将曝光完成后的图形处理，以将图形清晰的显现出来的过程。 何谓Photo? 答：Photo=Photolithgraphy,光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。 Photo主要流程为何? 答：Photo的流程分为前处理，上光阻，Soft Bake, 曝光，PEB，显影，Hard Bake 等。 何谓PHOTO区之前处理? 答：在Wafer上涂布光阻之前，需要先对Wafer表面进行一系列的处理工作，以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。前处理主要包括Bake，HDMS等过程。其中通过Bake将Wafer表面吸收的水分去除，然后进行HDMS工作，以使Wafer表面更容易与光阻结合。 何谓上光阻? 答：上光阻是为了在Wafer表面得到厚度均匀的光阻薄膜。光阻通过喷嘴（Nozzle）被喷涂在高速旋转的Wafer表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer的表面。 何谓Soft Bake? 答：上完光阻之后，要进行Soft Bake，其主要目的是通过Soft Bake将光阻中的溶剂蒸发，并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。 何谓曝光? 答：曝光是将涂布在Wafer表面的光阻感光的过程，同时将光罩上的图形传递到Wafer 上的过程。 何谓PEB(Post Exposure Bake)? 答：PEB是在曝光结束后对光阻进行控制精密的Bake的过程。其目的在于使被曝光的光阻进行充分的化学反应，以使被曝光的图形均匀化。 何谓显影? 答：显影类似于洗照片，是将曝光完成的Wafer进行成象的过程，通过这个过程，成象在光阻上的图形被显现出来。 何谓Hard Bake?
黄光制程银浆
黄光制程银浆 摘要： 一、黄光制程银浆概述 二、黄光制程银浆的制备方法 三、黄光制程银浆的应用领域 四、黄光制程银浆的优势与未来发展前景 正文： 一、黄光制程银浆概述 黄光制程银浆，又称黄光蚀刻银浆，是一种在微电子制造领域中应用广泛的材料。它是一种以银为主要成分的浆料，通过黄光制程技术，能够在特定波长的黄光照射下，实现对银膜的高精度蚀刻。这种技术在现代微电子制造中起着举足轻重的作用，尤其在平板显示器、触摸屏、太阳能电池等领域具有广泛的应用。 二、黄光制程银浆的制备方法 黄光制程银浆的制备方法通常分为以下几个步骤： 1.配料：将银粉、有机溶剂、添加剂等原材料按照一定的比例混合在一起。 2.研磨：将混合好的材料进行充分研磨，使得银粉粒子达到所需的尺寸分布。 3.分散：将研磨好的浆料进行分散处理，使得银粉能够在有机溶剂中形成稳定的悬浮液。 4.过滤：对浆料进行过滤，去除可能影响蚀刻效果的杂质。
5.调光：通过调整黄光源的波长和强度，使得银浆在特定波长的黄光照射下能够实现高精度蚀刻。 三、黄光制程银浆的应用领域 黄光制程银浆在微电子制造领域具有广泛的应用，主要包括以下几个方面： 1.平板显示器：在生产平板显示器时，黄光制程银浆可用于制作薄膜电极、导线等部件。 2.触摸屏：在触摸屏制造过程中，黄光制程银浆可用于制作触摸感应器、电极等关键部件。 3.太阳能电池：在太阳能电池生产中，黄光制程银浆可用于制作电极、反射层等组件。 4.电子标签：在电子标签制造领域，黄光制程银浆可用于制作天线和导电图案等部分。 四、黄光制程银浆的优势与未来发展前景 黄光制程银浆具有以下优势： 1.高精度蚀刻：黄光制程银浆在特定波长的黄光照射下，能够实现对银膜的高精度蚀刻，满足微电子制造领域对精细度的要求。 2.良好的稳定性：黄光制程银浆具有良好的稳定性，能够在一定程度上降低生产过程中出现的不良品率。 3.环保性能：相较于传统化学蚀刻方法，黄光制程银浆具有较好的环保性能，有利于实现绿色生产。 随着科技的不断发展，微电子制造领域对黄光制程银浆的需求将持续增
Fab Key Indices(Fab关键指标)
1、WAFER OUT（Wafer start —QC Inspection —W/H） 中文 : 晶片产出量 定义 : 经由OQA 检验合格由FAB出货之晶片数量 计算方式 : 以P&IE成品库所公布的数字为准。 计算时间 : 每日/每月计算 说明 : 在OQA中其检验之項目大致为晶片颜色（光阻是否去除），护层， CD BAR（Critical Dimension Bar），是否刮伤。 指标意义 : 由晶片产量可得知FAB之出货状況。 范例 : 假设07年10月成品出库收到OQA检验合格可出货之晶片数量为3000片，则当月晶片产量（WAFER OUT）为3000片。 2、MOVE （Stage, Step(EQ), Location） 中文 : 晶片移动量 定义 : 一片晶片完成一个Stage称为一个Stage Move 一片晶片完成一个Step称为一个Step Move 一片晶片移出一个Location称为一个Location Move 计算方式 : 由FAB中实际操作的晶片数加总而得。 计算时间 : 每日计算或每月计算 说明 : 由以下之移动量可得整厂之移动量 （1）Stage Move:晶片完成一个站（Stage）內之加工程序. （2）Location Move:晶片完成一个区域（Location）內之加工程序而进入下一个区域时，称为一个区域移动量。
指标意义 : 1、由各个移动量可以了解目前晶片之处理速度是否正常。 2、由移动量预估晶片是否赶上进度，例如某批晶片24片，每片須经20个站始可完成,故当得知该批晶片今移动量为120时，便知其已完成120/480=25%之进度。 3、藉此以衡量各区域之生产绩效。 范例 : 假设某批晶片25片于07年8月5日完成了5个站之加工程序，而在当月中该批晶片25片共完成了50个站之加工程序，则 1、8月5日之晶片移动量=25*5=125 2、8月之晶片移动量=25*50=1250 3、YIELD（Fab Yield） 中文 : 整厂良率 定义 : 工厂的产出晶片良品数量与投入生产之晶片数量的比率 计算方式 : 晶片产出量/(晶片产出量+晶片报废量) 计算时间 : 每月计算 说明 : 晶片产出量由OQA检验合格入库之晶片数量而得，而晶片报废量则由实际记录而得。 指标意义 : 由整厂良率可显示所生产晶片之制造环境,制程,规格方面之综合表现，故其为最重要之品质指标。 范例 : 假设07年8月OQA检验合格之晶片数量为3000片,而晶片报废数量为300片，则FAB Yield 为:3000/(3000+300)=91%。 4、YIELD（WAT Yield） 英文 : Wafer Acceptance Test Yield
触摸屏黄光制程介绍
触摸屏黄光制程介绍 触摸屏黄光制程介绍 高精度网印制版及印刷技术是触摸屏制程中的核心技术，随着触摸屏市场的迅猛发展，对触摸屏生产成本和技术的要求也越来越高，谁的成本低、技术精，谁就能抢先占领市场，这同时也给触摸屏厂家就选择什么制程更能符合公司长远发展提出了疑问，那么触摸屏厂家到底是选择黄光制程还是印刷制程呢？ 11. 51Touch：利满洋行主要从事滚筒印刷制程，是这方面的专家，请您就目前黄光制程和滚筒印刷制程的区别做一个详细的介绍吧。 利满洋行：黄光制程和滚筒印刷制程就印刷制程而言，在成本和工艺上还是有很大区别的，我这里有一个比较详细的描述与大家分享一下： 一、TP厂 : 黄光制程 vs 印刷制程 黄光制程 vs 印刷制程 二、黄光制程与滚筒网印的投资评估比较. 1.) 黄光制程设备投资成本昂贵. - 黄光制程投资额由RMB 20M-70M不等，如卷对卷制式更不止此数， - 上下游工序、材料均须另作配合， - 樱井滚筒机的投资额相对是小巫见大巫了。 2.) 黄光制程设备占地面积较大, 影响生产厂使用的灵活性. 任何工厂需要生产安排的灵活性，纵使黄光制程有其优点，而优点往往从接“大单“中才能反映出来，因其制程必须使用一定的蚀刻用化学剂，TP工厂接单的“单头量”直接影响每件成本，而现今电子产品讲求多花样，推陈出新是生存之道，所以TP厂的灵活性不是任何
先进生产方式可以代替的。樱井滚筒机设备摆放也不需要特定的楼层/位置, 而生产时只需要换网板就能马上生产不同尺寸的型号机种了。 3.) 制程设备投资与长远使用性风险评估. 黄光制程是30多年前由MEMS 开始在半导体业界采用，20多年前TFT LCD厂家也开始使用，后来应用面扩展到PV 和TP，相对于PV 和TFT , TP结构比较有多变的空间，尤其各品牌都追求薄和轻，这趋势都直接引伸出不同的工艺模式，高昂的黄光制程投资额使投资风险一直成为决策的最大障碍。在国内TFT 用黄光也不到10年，TP就更不用说了，但网印在国内累积了大量经验和人材，而TP厂的网印技术与人才皆是公司的重要资产，企业投资在现成和累积的资产上，使它延伸及增值，对长线企业发展最为有利。简单而言, 黄先制程只能用于单一特定制品制程, 过程中也可能需网印机配合, 樱井网印机则可印刷银线路、背保胶、绝缘油墨、面板装饰用胶片…..等是台“长远发展” 的所需设备. 4.) 投资设备后, 产生需使用附加物料/配套设备的成本评估, 黄光制程中化学剂和的使用是不可避免的，而随之而来的是满足日渐严格的 环保条例，花钱投资废水处理设备；增加人手、付出时间与官员周旋是少不了的。引入樱井网印机则基本没有任何影响。 三、黄光制程 vs 印刷制程 (简单总结) - 樱井丝纲印刷机的独特“零纲距” 对比“沿用平枱机” 一般纲版的使用寿命以倍计延长, (长远计可节省大量金额的纲版经费.), - 一台“樱井丝纲印刷机” 可印制不同线路. 也可扩大每片ITO的印刷银线路排版面积, - 提高产能有极大帮助. (或印刷不同的印刷品, 使用长远性高.) - 贵司可沿用“丝纲印刷制程”, 而不用改变现有生产流程 / 物料, - 便可去作日后量产工序. - 贵司也不用担心“花费太多人力 / 物力” 从新学习或聘请专业人员去操作.. - 使用新(黄光)制程设备, 或更改 / 新增其它设备去配合新(黄光)制
黄光制程工艺流程
黄光制程工艺流程 黄光制程工艺是一种在半导体加工中常用的工艺流程，它主要用于芯片制造中的光刻步骤。光刻是一种将芯片设计的图案转移到硅片表面的关键工序。在黄光制程中，光刻胶和光罩的使用对于芯片的质量和性能起着至关重要的作用。下面是关于详细的描述，以帮助读者更好地理解这个过程。 第一步：准备光罩 首先，我们需要准备好用于光刻的光罩。光罩是一种具有所需图案的透明薄片，其材料通常是玻璃或石英。光罩上的图案由芯片设计师根据芯片功能需求制作。光罩的制作通常使用电子束曝光或激光曝光等方法。 第二步：准备硅片
准备好待加工的硅片。这些硅片通常经过前期的清洗和抛光等处理。在准备硅片时，必须确保其表面平整且干净，以便后续的光刻步骤可以获得最佳效果。 第三步：涂覆光刻胶 将硅片放置在旋涂机上，然后将光刻胶均匀地涂覆在硅片表面。光刻胶可以保护硅片表面不受氧化和污染物的侵蚀，并提供一个平坦的表面用于将图案转移到硅片上。涂覆光刻胶后，通常使用烘烤等方法进行固化，以确保光刻胶的性能和稳定性。 第四步：对齐和曝光 将准备好的光罩放置在光刻机上，并将其与涂覆了光刻胶的硅片对准。通过微调光罩和硅片的位置，确保图案的精确对齐。然后，使用紫外线或深紫外线等光源对光罩进行照射，以
将图案转移到光刻胶上。照射时间和强度的控制非常重要，可影响芯片的精度和分辨率。 第五步：显影 曝光后，将硅片放入显影机中进行显影。显影是使用显影液将未曝光的光刻胶部分溶解掉，从而暴露出硅片上的图案。显影液的选择和浸泡时间需要根据光刻胶和芯片制造的要求进行优化。 第六步：清洗 将经过显影的硅片进行清洗，去除残余的光刻胶和显影液。清洗过程通常使用化学溶剂和超声波技术，以确保芯片表面的干净和平整。 第七步：检验和测量
黄光制程银浆
黄光制程银浆 1. 引言 黄光制程银浆是一种在半导体制造过程中广泛使用的材料，用于制作电子器件中的导电线路。本文将详细介绍黄光制程银浆的定义、制备方法和应用领域，以及该材料的特性和优势。 2. 黄光制程银浆的定义 黄光制程银浆是一种含有银颗粒的浆料，通过黄光制程技术在半导体器件制造过程中进行图案化。黄光制程是一种光刻技术，通过光刻胶和光罩的配合，将银浆在半导体表面形成所需的导电线路图案。 3. 黄光制程银浆的制备方法 黄光制程银浆的制备方法主要包括以下几个步骤： 3.1 原料准备 制备黄光制程银浆的原料主要包括银颗粒、有机溶剂、分散剂和胶凝剂等。银颗粒是黄光制程银浆的主要成分，其粒径和分布对黄光制程的性能有重要影响。 3.2 混合和分散 将银颗粒与有机溶剂、分散剂和胶凝剂等原料混合，并在适当的条件下进行搅拌和分散，以保证银颗粒均匀分散在溶剂中。 3.3 过滤和脱泡 将混合的浆料通过过滤器进行过滤，去除其中的杂质和颗粒团聚物，以得到纯净的银浆。同时，通过脱泡处理去除浆料中的气泡，以提高黄光制程的质量。 3.4 调整黏度和粘度 根据具体应用的要求，调整银浆的黏度和粘度，以便在黄光制程过程中得到理想的涂布性和刻蚀性能。 3.5 包装和贮存 将制备好的黄光制程银浆进行包装，并在适当的条件下进行贮存，以保证其稳定性和使用寿命。
4. 黄光制程银浆的应用领域 黄光制程银浆广泛应用于各种电子器件的制造过程中，包括集成电路、平板显示器、太阳能电池等领域。其主要应用包括以下几个方面： 4.1 导电线路 黄光制程银浆可用于制作导电线路，将其涂布在半导体表面，经过黄光制程后形成所需的导电线路图案。 4.2 电极 黄光制程银浆可用于制作电极，如太阳能电池中的电极。银浆具有高导电性和良好的光电特性，能够提高器件的性能和效率。 4.3 封装材料 黄光制程银浆可用于制作封装材料，如集成电路中的封装材料。其具有良好的粘附性和耐高温性能，能够有效保护器件并提高其可靠性。 5. 黄光制程银浆的特性和优势 黄光制程银浆具有以下特性和优势： 5.1 高导电性 银颗粒是黄光制程银浆的主要成分，具有极高的导电性，能够满足各种电子器件对导电性能的要求。 5.2 良好的光学特性 黄光制程银浆中的银颗粒具有良好的光学特性，能够提高器件的光电转换效率和显示效果。 5.3 良好的粘附性 黄光制程银浆具有良好的粘附性，能够牢固附着在半导体表面，不易剥离和脱落。 5.4 耐高温性 黄光制程银浆具有良好的耐高温性能，能够在高温环境下保持稳定的导电性能和机械性能。 5.5 环保可持续 黄光制程银浆采用的是无铅无镉的制备工艺，具有较低的环境污染和较高的可持续性。
电容屏ITO黄光制程工艺
电容屏ITO黄光制程工艺 流程 第一步：ITO GLASS 参数规格： 长宽：14*16 厚度：0.55，0.7，1.1 规格：普通，钢化等， 特性：AR(抗反射)，AG（防眩光），AS（防水防污），AF（防指纹）等 电容玻璃：安可，冠华，正达，正太等。 第二步：素玻璃 参数规格： 素玻璃：康宁，旭硝子等。500*500规格 第三步：清洗 参数规格： 1.将GLASS 表面的脏污，油污，杂质等去除并干燥。 2.将素玻璃表面的脏污，油污，杂质等去除并干燥，然后过镀膜线镀ITO 层形成GLASS。第四步：背保丝印 参数规格： 膜厚：10-20μM，250-420 目聚酯网，此背保要求高，不能有一点脏污， 油污，杂质等，要不回影响到在这面处理ITO 图案和银浆走线的附着 力等。日本朝日，丰阳等，热固型。 第五步：光刻胶整版丝印 参数规格： 膜厚：5-10μM，300-420 目聚酯网.需在温度20 度-25 度的范围和黄灯 的环境下进行。 光刻胶：田菱THC-29（耐酸曝光显影型光刻胶）等。 第六步：前烘 参数规格： 让印有光刻胶的材料在一定的温度，时间下固化。温度：80-90 度。时 间15-20 分钟。 第七步：曝光 参数规格： 通过紫外线和菲林的垂直照射，让光刻胶形成反应。光能量： 60-120MJ/C ㎡，时间：6-9s 第八步：显影 参数规格： 用弱KOH 溶解液去除材料上被曝光过的光刻胶，留下没有曝光的光刻胶。 弱碱：0.05-0.2 MOL. 温度：20±3 度，压力：0.02-0.05KG，速度：5.5±2.5M/MIN。 第九步：坚膜 参数规格： 让显影留下的光刻胶经高温处理，让光刻胶完全固化。 温度：120-150度，时间：20-30.
半导体工厂的毒性
半导体工厂的毒性 作者：xxsavage 发表时间：2007-3-21 14:56:29 在半导体厂设备单位一般包括Diff、Thin-film、CMP、Etch、Photo，各单位的主要性质介绍如下： （一）Diff 扩散设备单位（包括Kaijo、TEL、DNS、Applied 等） 主要用到有毒、无毒的Process Gas、water、高电压、高电流、废气，Clean机台则使用强酸碱化学品、而有废酸液的生成。 （二）Thin-film 薄膜设备单位（包括Applied、Novellus 等） 主要用到有毒、无毒的Process Gas、water、高电压、高电流、高频、废气。 （三）CMP 研磨设备单位（包括Applied、EBARA等） 主要用到强碱slurry 化学液、water、而有废碱液的生成。 （四）Etch 蚀刻设备单位（包括Lam、TEL、Applied、Kaijo、Mattson、Axcelis 机台） 蚀刻机台的制程主要用到有毒特殊气体(Cl2,HBr,氟化物等)、无毒的气体(N2,Ar….)、water(冷却循环水,去离子水….)、高电压、高频、高电流在真空中反应，且在生产过程会有废气、辐射、废水的生成物。 （五）Photo 黄光设备单位（包括Nikon stepper\Scanner、TEL track及其它相关量 测或检视机台） 主要用到紫外线光源HMDS、thinner、光阻等有机溶剂，且有高电流、高电压、紫外线的应用，生产过程会有废气、废液的生成。 综合一般无尘室内常见的工业安全伤害，可分为化学性、物理性的伤害，而伤害也分布身体的各部位。以下就将各单位较易发生及机台维修的安全事项说明如下： (一)Diff 扩散设备单位 1、Furnace tools and CVD tools （1）机械方面：robot 的夹伤、撞伤、chamber 毒气外泄、plasma 辐射伤害、gate door 的夹伤，高温烫伤。 （2）电力方面：高压电流接触。 （3）维修方面：身体的撞伤、擦伤、夹伤、烫伤、wafer 的割伤。 （4）保养方面：高温炉管的烫伤、parts 的割伤、化学溶剂吸入性及喷溅的伤害。 2、Wet bench 安全注意事项 （1）机械方面：robot 的夹伤、撞伤、挫伤。 （2）化学药剂方面：强酸／强碱的灼烫伤、化学品的接触、吸入性伤害。 （3）电力方面：漏电接触。 （4）维修方面：撞伤、wafer 割伤、强酸／强碱的接触。 3、AMHS系统 （1）机械方面：夹伤、撞伤、挫伤。 （2）维修方面：高架作业的安全。 (二)Thin-film 薄膜设备单位 （1）机械方面：避免撞伤、高温烫伤、robot 夹伤、slit valve 夹伤、肌肉拉伤。 （2）电力方面：避免高压电流接触身体。 （3）维修保养方面：高温烫伤、粉尘吸入、重物压伤、强酸／强碱的灼伤、身体的擦伤、撞伤、夹伤、挫伤、parts 割伤、powder 避免吸入体内。 （4）化学溶剂方面：强酸／强碱的接触和吸入。 （5）特殊气体方面：防止毒气外泄的吸入。 (三)CMP 研磨设备单位 （1）机械方面：motor gear 转动时夹伤、gate door 夹伤。 （2）电力方面：高压电流接触。 （3）维修方面： a. Mirra Mesa Cross 转动时须先确定无人。 b. robot 移动时，须把door 关起来，避免撞人员。 c. Wafer 破片的割伤。 （4）保养方面：换Pad 时须使用适当工具，避免拔Pad 时工具撞到脸部。 （5）化学药剂方面：
半导体制程
半导体制程概要 PIE 03 DIFF 10 IMP 15 VACUUM 17 WET 19 CVD 21 PVD 24 CMP 27 PHOTO 30 ETCH 41 MFG 49 FAC 69 Accounting 73 FA 75
PIE 1, 300mm wafer代表何意义？ 答：12寸芯片直径为300mm即12寸wafer. 2, 为何需要300mm? 答：wafer size变大，单一wafer上的芯片数变多，单位成本降低。200->300面积增加2.25倍，芯片数目约增加2.5倍。 3, 300mm wafer所用的原材料type? 答：P-type。 4, 何谓p-type的wafer? 答：P-type的wafer是指掺杂positive dopant（3价电荷元素）的芯片。 5, 何谓N-type的wafer? 答：N-type的wafer是指掺杂negative dopant（5价电荷元素）的芯片。 6, 目前常用的芯片阻值? 答：P-type的芯片，阻值为8~12Ω。 7, 为何需要长start oxide? 答：不希望有机成分的光阻直接碰触Si表面。 8, 何谓Laser mark? 答：Laser mark是用来刻wafer ID。 9, 何谓wafer ID? 答：wafer ID就如同晶片上的身份证一样，一个ID代表一片晶片的身份。 10, 为何需要zero layer? 答：作为将来曝光机对准的标识，芯片的制程需要许多不同道题，非导体层，层与层相迭对就有了对准的为题，一般来说ASML曝光机需要有zero mark用来对准，而canon曝光机是把对准做在芯片曝光区内的，是不需要另外的zero mark的。 11, 为何需要把元件(device)越做越小呢？ 答：1，增加单位面积组件的密度。2，增加组件的电流速度。 12, 芯片制程里为何需要用SiO2? 答：1，SiO2是一种稳定的非导体，用来当介质(dielectric)。 2，SiO2可用于当绝缘层(isolation)。 3，SiO2可由高温的制程产生。
lift-off湿制程台操作标准作业书 A2
初版发行日期2011-5-10 WOC LIFT-OFF湿制 程台操作标准作业书页次2/7 新版发行日期2014-10-31 制作部门WOC事业部 按照此操作指导书进行工艺要求使用的程序进行产品LIFT-OFF清洗，提升产品品质为目的. 2.范围 2.1适用于事业部黄光区LIFT-OFF湿制程台。 2.2 适用于事业部黄光区作业人员。 3.名词解释 无 4.职责 4.1WOC事业部（生产） 4.1.1负责按本操作规程之相关流程进行作业. 4.2WOC事业部（工程） 4.2.1负责本操作规程的制定,会签发行. 4.2.2负责对本机操作人员的培训. 5.作业流程图 无 6.作业程序 6.1 开机步骤 6.1.1 检查机台的水、电、气。将通入机台的氮气、压缩空气的阀门打开。然后将排水阀门和DI WATER 进水DI WATER排水阀门打开。再确认机台内的各电源开关是否打开。没有打开的全部打开。 再确认超声波发生器电源。打开电源后控制面板的电源指示灯变亮。如图一，图二，图三， 图四，图五 图一：气体阀门图二：各水管阀门
初版发行日期2011-5-10 WOC LIFT-OFF湿制 程台操作标准作业书页次3/7 新版发行日期2014-10-31 制作部门WOC事业部图三：机台各部件电源开关图四：电源指示灯 图五：超声波发生器和电源 6.1.2电源指示灯变亮后，使设备操作面板的急停开关处于弹起状态，然后按动启动电源开关，将机 台开机。根据《WOC黃光区湿制程台点检表》对机台进行检查，确认正常后作业。如图六，图 七。 图六：EMO急停按钮图七：设备启动电源开关 6.1.3开机时机台控制面板的显示器开始进入初始化，等待初始化结束显示器自动进入控制界面主界
PHOTO工艺
第九章PHOTO工序 PHOTO工序的目的 HOTO的基本概念 什么是PHOTO?若是从一个液晶厂内部部门来说，PHOTO指的是黄光部。但是从工艺来说，在半导体和液晶产业，PHOTO指光刻技术。当然，这两个概念是有实质联系的，因为在液晶厂内负责光刻方面工作的就是黄光部。 HOTO工序的目的 PHOTO工序的目的是把膜层电路结构复制到以后要蚀刻的玻璃基板上。主要过程依次如下面图（一），图（二）和图（三）所示。 图（一）图（二） 图（三） PHOTO工序主要包含三大步骤，即上图所示的光阻涂布（PR coating）; 曝光（Exposure）;和显影（Develop）. 光阻涂布（如图一），就是在plate（玻璃基板）上涂布光阻。光阻是一种对特定波长的UV光敏感的有机材质，遇到一定强度的UV光就会发生化学反应，所以PHOTO工序要在黄光下进行。因为黄光波长大，光子能量低，强度比较弱（不会引起光阻化学反应）并且照明效果不错的光。 光阻涂布制程主要控制光阻的膜厚及其均一性。 曝光（Exposure）是PHOTO的关键，也是ARRAY的关键。之前说了PHOTO是把膜层电路结构复制到以后要蚀刻的玻璃基板上。临时电路结构就设计在MASK（光罩）上，光罩上有电路结构区域不透光，没有电路结构区域可以透光。这样就使上一步骤涂布的光阻经过曝光工序之后，电路结构就从光罩转移到光阻上。 曝光（Exposure）制程的主要参数是CD（线宽）,Total pitch, Overlay。 Develop即显影。经过Exposure之后在玻璃基板上喷洒显影液，因为显影液为碱性，对正性光阻而言，被紫外光照射过的光阻可以溶解在碱性显影液中，而未紫外光照射到的部分不溶于显影液。因此，显影之后，在玻璃基板上，只剩下电路部分有光阻，而其它区域无光阻（注：本节所指光阻为正光阻，一般TFT段都使用正光阻）。 显影液浓度的控制是显影工艺的关键，浓度的高低会影响到线宽。
触控面板黄光制程工艺全解
触控面板制造工艺之黄光工艺流程全解 发布时间:2014-8-22 作为目前电容式触摸屏最为主流的制造工艺，黄光制程一直备受关注。技术发展到今天，已经拥有非常完善的工艺。本文将从黄光制程的步骤入手，全面介绍制程中每个步骤及所需注意的事项。 1. PR前清洗 A.清洗： 指清除吸附在玻璃表面的各种有害杂质或油污。清洗方法是利用各种化学浓剂（KOH）和有机浓剂与吸附在玻璃表面上的杂质及油污发生化学反应和浓解作用，或以磨刷喷洗等物理措施,使杂质从玻璃表面脱落,然后用大量的去离子水（DI水）冲洗，从而获得洁净的玻璃表面。（风切是关键) B。干燥： 因经过清洗后的玻璃，表面沾有水或有机浓剂等清洗液。这样会对后续工序造成不良影响,特别是对后续光刻工艺会产生浮胶、钻蚀、图形不清晰等不良现象。因此，清洗后的玻璃必须经过干燥处理。目前常采用的方法是烘干法，而是利用高温烘烤，使玻璃表面的水分气化变为水蒸气而除去的过程，此方法省时又省力。但是如果水的纯度不变，空气净化等不多或干燥机温度不够，玻璃表面残存的水分虽经气化为蒸气，但在玻璃表面还会留下水珠,这种水珠将直接影响后续工序的产品质量。 C. 十槽清洗机 PR清洗机制程参数设定
1———3槽KOH溶液为0。4~0。7N,温度为60±5℃，浸泡时间为2~3min／槽纯水溢流量为0。5±0。2㎡／n. KOH溶度为1。0N～1。6N,温度为40±5℃，喷洗压为0.2~1。0kgf/c㎡，传动速度为3.0～4。5m/min，磨刷转速为85~95rpm,压力为0.2~1.0kg/c㎡，纯水温度为40±5℃，干燥机1.2。3段温度为110℃±10℃。 注:玻璃清洗洁净度不够之改改善对策，适当加入少许KOH溶液，改变KOH,溶液，经常擦拭风切口，喷洗等处，亦可调态清洗机传动速度，将传速度减慢. 2.PR涂佈 光刻是一种图像复印和化学腐蚀相结合的，综合性的精密表面加工技术。 光刻的目的就是按照产品的设计要求,在导电玻璃上覆盖感光胶。 A.光刻胶的配制 光刻胶的性能与光刻胶的配比有关。配比的选择原则是即要光刻胶是有良好的抗蚀能力，又要有较高的分辨率.但两者往往是相互矛盾的，不能同时达到。因此，必须根据不同的光刻对象和要求，选取不同的配比. 光刻胶的配制应在暗室(洁净度较高的房间）中进行。用量筒按配方比例将原胶及溶剂分别量好，再将溶剂倒入原胶，用玻璃棒充分搅拌使之均匀混合,通常刚配制好的光刻胶中必然还存在少量因态物质微粒未能完全溶解，为把这部分未能溶解的固态物质微粒滤除,我们一般采用自然沉淀法进行过滤。
cmos工艺名词解释
cmos工艺名词解释
CMOS工艺名词解 saliside——当金属和硅化物接触时会产生一层融合物，叫难融金属硅化物，此及saliside。siliside——一种工艺，在源漏区淀积（或是叫覆盖？）硅化物，这样一种 工艺就叫siliside。poliside——也为一种工艺，乃在栅极poly上淀积硅化物。 A.M.U 原子质量数 ADI After develop inspection显影后检视 AEI 蚀科后检查 Alignment 排成一直线，对平 Alloy 融合：电压与电流成线性关系，降低接触的阻值 ARC： anti-reflect coating 防反射层ASHER: 一种干法刻蚀方式 ASI 光阻去除后检查 Backside 晶片背面 Backside Etch 背面蚀刻 Beam-Current 电子束电流 BPSG: 含有硼磷的硅玻璃
FSG: 含有氟的硅玻璃 Furnace 炉管 GOI: gate oxide integrity 门氧化层完整性H.M.D.S Hexamethyldisilazane,经去水烘烤的晶片，将涂上一层增加光阻与晶片表面附着力的化合物，称H.M.D.S HCI: hot carrier injection 热载流子注入HDP：high density plasma 高密度等离子体High-Voltage 高压 Hot bake 烘烤 ID 辨认，鉴定 Implant 植入 Layer 层次 LDD: lightly doped drain 轻掺杂漏 Local defocus 局部失焦因机台或晶片造成之脏污 LOCOS: local oxidation of silicon 局部氧化Loop 巡路 Lot 批 Mask (reticle) 光罩 Merge 合并 Metal Via 金属接触窗
黄光PHOTO制程问答
黄光PHOT（制程问答 PHOTO流程? 答：上光阻f曝光f顯影f顯影後檢查f CD量測f Overlay量測何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？ 答：Photoresist（光阻）. 是一种感光的物质，其作用是将Pattern 从光罩（Reticle）上传递到Wafer 上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。 何为正光阻? 答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。 何为负光阻? 答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。 什幺是曝光？什幺是显影？答：曝光就是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将曝光完成后的图形处理，以将图形清晰的显现出来的过程。 何谓Photo? 答：Photo=Photolithgraphy, 光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。 Photo主要流程为何？ 答：Photo的流程分为前处理，上光阻，Soft Bake,曝光，PEB显影，Hard Bake 等。何谓PHOT区之前处理？ 答：在Wafer 上涂布光阻之前，需要先对Wafer 表面进行一系列的处理工作，以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。前处理主要包括Bake，HDMS 等过程。其中通过Bake将Wafer表面吸收的水分去除，然后进行HDM工作，以使Wafer 表面更容易与光阻结合。 何谓上光阻? 答：上光阻是为了在Wafer 表面得到厚度均匀的光阻薄膜。光阻通过喷嘴 （Nozzle）被喷涂在高速旋转的Wafer表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer 的表面。 何谓Soft Bake? 答：上完光阻之后，要进行Soft Bake ，其主要目的是通过Soft Bake 将光阻中的溶剂蒸发，并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。何谓曝光? 答：曝光是将涂布在Wafer 表面的光阻感光的过程，同时将光罩上的图形传递到Wafer 上的过程。 何谓PEB（Post Exposure Bake）? 答：PEB是在曝光结束后对光阻进行控制精密的Bake的过程。其目的在于使被 曝光的光阻进行充分的化学反应，以使被曝光的图形均匀化。 何谓显影? 答：显影类似于洗照片，是将曝光完成的Wafer 进行成象的过程，通过这个过程， 成象在光阻上的图形被显现出来。 何谓Hard Bake? 答：Hard Bake是通过烘烤使显影完成后残留在Wafer上的显影液蒸发，并且固化显影完成之后的光阻的图形的过程。