微电子专业实验报告
专业实验报告
1.使用S-Edit 设计基本组件符号
本实验主要以CMOS 的电路类型来学习Tanner Pro 软件的使用。CMOS 电路的基本组件为NMOS，PMOS 等。在S-Edit 中可建立如PMOS、NMOS、电阻、电容等组件符号，并可设置组件的各种性质，如NMOS 组件的信道宽度、信道长度等。在本章中将以详细的步骤引导读者建立NMOS 组件及Vdd组件，并学习S-Edit 的基本功能。
主要的操作流程为: 建立新文件---环境设置---切换模式---绘制NMOS 符号---加入组
件接脚---建立组件特性---更改模块名称---新增Vdd模块---切换模式---绘制Vdd符号---加入全域接脚。
2．使用S-Edit 设计简单逻辑电路
在本实例中利用s-Edit将PMOS 与NMOS 组合成简单的逻辑电路，包括反相器(NOT)与与非门(NAND)，并以详细的步骤来引导读者学习s-Edit 的基本功能。
操作流程:进入S-Edit---建立新文件---环境设置---引用模块---建立反相器电路与
符号---新增模块---建立与非门电路与符号。编辑反相器电路会利用到NMOS, PMOS, Vdd与Gnd这4 个模块，所以要从组件库中复制NMOS, PMOS, Vdd与Gnd这4 个模块到Exl文件，并在Module0 中编辑画面引用。其方法为:选择Module---Symbol Browser 命令，打开Symbol Browser 对话框，在Library 列表框中选取spice 组件库，其内含模块出现在Modules 列表框中，在Modules 列表框中选取MOSFET_N 选项(NMOS)，单击Place 按钮及Close按钮，则在Module0编辑窗口内将出现MOSFET_N 的符号。以同样操作选出MOSFET_P 选项(PMOS)后单击Place 按钮，先不要单击Close 按钮，再选出Vdd与Gnd符号并在每次选择后
分别单击Place 按钮，最后单击Close 按钮则出现如图3.6 所示的界面。
建立反相器符号：在此步骤之前是电路设计模式，S-Edit 中的模块，除了可以建立设计电路的窗口外，还可以建立该电路符号的窗口，选择View---Symbol Mode 命令，加入输入端口与输出端口：利用
S-Edit 提供的输入端口按钮与输出端口按钮，标明此反相器符号的输入输出信号的位置与名称，
3．使用L-Edit 画PMOS 布局图
操作流程：进入L-Edit---建立新文件---环境设定---编辑组件---绘制多种图层形状---设计规则检查---修改对象---设计规则检查。
1．使用L-Edit 画PMOS 布局图的详细步骤
(1) 打开L-Edit 程序(2) 另存新文件(3) 取代设定(4) 编辑组件(5) 设计环境设定(6) 选取图层(7) 绘制N Well 图层(8) 截面观察(9)绘制Active 图层(10) 截面观察(11)设计规则检查(12)绘制P Select 图层(13) 绘制Poly 图层(14) 设计规则检查(15) 检查错误(16) 修改对象(17)截面观察(18)绘制Active Contact 图层(19) 截面观察(20) 绘制Metal1 图层(21) 设计规则检查(22) 检查错误(23) 截面观察(24)重新命名(25)设计成果(26) 新增NMOS 组件(27) 编辑NMOS 组件(28) 截面观察(29)设计导览
绘制Active 图层设计了N Well 的布局区域之后，接着设计主动区(Active)图层图样，Active 图层在流程上的意义是定义PMOS 或NMOS 的范围，Active 以外的地方是厚氧化层
区(或称为场氧化层)，故需要设计光罩以限定Active 的区域，但要注意PMOS 的Active 图层要绘制在N Well 图层之内。
使用
4.L-Edit 画反相器布局图
L-Edit 是一个画布局图的工具，即以各种不同颜色或图样的图层组合光罩的图样，本书
前面的范例绘制了pmos组件与nmos组件的布局图，本章的范例将介绍运用前面绘制好的
nmos组件与pmos组件来绘制出反相器布局图，并以详细的步骤引导读者学习L-Edit 的基
本功能。
操作流程：进入L-Edit---建立新文件---环境设定---编辑组件---绘制多种图层形状---设计规则检查---修改对象---设计规则检查---电路转化。
通过本学期实验的我们大致了解Tanner Pro 软件的基本功能用S-Edit 来设计电路以及利用T-Spice来检验电路，包括使用S-Edit 设计基本组件符号、使用S-Edit 设计简单逻辑电路、反相器瞬时分析、反相器直流分析用L-Edit 布局电路以及用LVS 对比电路的操作，包括使用L-Edit 画布局图、使用L-Edit 画PMOS 布局图、使用L-Edit 画反相器布局图、使用LVS 对比反相器、使用L-Edit 编辑标准逻辑组件。
微电子实验报告一
实验一MOS管的基本特性 班级姓名学号指导老师袁文澹 一、实验目的 1、熟练掌握仿真工具Hspice相关语法； 2、熟练掌握MOS管基本特性； 3、掌握使用HSPICE对MOS电路进行SPICE仿真，以得到MOS电路的I-V曲线。 二、实验内容及要求 1、熟悉Hspice仿真工具； 2、使用Hspice仿真MOS的输出特性，当VGs从0~5V变化，Vds分别从1V、2V、3V、4V 和5V时的输出特性曲线； 三、实验原理 1、N沟道增强型MOS管电路图 a)当Vds=0时，Vgs=0的话不会有电流，即输出电流Id=0。 b)当Vgs是小于开启电压的一个确定值，不管Vds如何变化，输出电流Id都不会改变。 c)当Vgs是大于开启电压的一个确定值，在一定范围内增大Vds时,输出电流Id增大。但当 出现预夹断之后，再增大Vds，输出电流Id不会再变化。 2、NMOS管的输出特性曲线
四、实验方法与步骤 实验方法： 计算机平台：（在戴尔计算机平台、Windows XP操作系统。） 软件仿真平台：（在VMware和Hspice软件仿真平台上。） 实验步骤： 1、编写源代码。按照实验要求，在记事本上编写MOS管输出特性曲线的描述代码。并以aaa.sp 文件扩展名存储文件。 2、打开Hspice软件平台，点击File中的aaa.sp一个文件。 3、编译与调试。确定源代码文件为当前工程文件，点击Complier进行文件编译。编译结果有错误或警告，则将要调试修改直至文件编译成功。 4、软件仿真运行及验证。在编译成功后，点击simulate开始仿真运行。点击Edit LL单步运行查看结果,无错误后点击Avanwaves按照程序所述对比仿真结果。 5、断点设置与仿真。… 6、仿真平台各结果信息说明. 五、实验仿真结果及其分析 1、仿真过程 1）源代码 *Sample netlist for GSMC $对接下来的网表进行分析 .TEMP 25.0000 $温度仿真设定 .option abstol=1e-6 reltol=1e-6 post ingold $设定abstol,reltol的参数值 .lib 'gd018.l' TT $使用库文件 * --- Voltage Sources --- vdd VDD 0 dc=1.8 $分析电压源 vgs g 0 0 $分析栅源电压 vds d 0 dc=5 $分析漏源电压 vbs b 0 dc=0 $分析衬源电压 * --- Inverter Subcircuit --- Mnmos d g 0 b NCH W=30U L=6U $Nmos管的一些参数 * --- Transient Analysis --- .dc vds 0 5 0.1 SWEEP vgs 1 5 1 $双参数直流扫描分析 $vds从0V~5V,仿真有效点间隔取0.1 $vgs取1V、2V、3V、4V、5V
电子工艺实验报告
电子工艺实验报告 一、实验目的： （1）熟悉手工焊锡的常用工具的使用及其维护与修理。 （2）基本掌握手工电烙铁的焊接技术，能够独立的完成简单电子产品的安装与焊接。熟悉电子产品的安装工艺的生产流程，印制电路板设计的步骤和方法，手工制作印制电板的工艺流程，能够根据电路原理图，元器件实物。 （3）了解常用电子器件的类别、型号、规格、性能及其使用范围，能查阅有关的电子器件图书。 （4）能够选用常用的电子器件。了解电子产品的焊接、调试与维修方法。了解一般电子产品的生产调试过程，初步学习调试电子产品的方法。 抢答器焊接部分 二、实验步骤： （1）学习识别简单的电子元件与电子电路。 （2）学习并掌握抢答器的工作原理。 （3）学习焊接各种电子元器件的操作方法。 （4）按照图纸焊接元件。 实验原理图
焊接技巧及烙铁使用 （一）焊接机巧 1.焊前处理: 焊接前，应对元件引脚或电路板的焊接部位进行焊前处理。 ①、清除焊接部位的氧化层 可用断锯条制成小刀。刮去金属引线表面的氧化层，使引脚露出金属光泽。印刷电路板可用细纱纸将铜箔打光后，涂上一层松香酒精溶液。 ②、元件镀锡
在刮净的引线上镀锡。可将引线蘸一下松香酒精溶液后，将带锡的热烙铁头压在引线上，并转动引线。即可使引线均匀地镀上一层很薄的锡层。导线焊接前，应将绝缘外皮剥去，再经过上面两项处理，才能正式焊接。若是多股金属丝的导线，打光后应先拧在一起，然后再镀锡。 2.做好焊前处理之后，就可正式进行焊接。 ①、右手持电烙铁。左手用尖嘴钳或镊子夹持元件或导线。焊接前，电烙铁要充分预热。烙铁头刃面上要吃锡，即带上一定量焊锡。 ②、将烙铁头刃面紧贴在焊点处。电烙铁与水平面大约成60℃角。以便于熔化的锡从烙铁头上流到焊点上。烙铁头在焊点处停留的时间控制在2～3秒钟。 ③、抬开烙铁头。左手仍持元件不动。待焊点处的锡冷却凝固后，才可松开左手。 ④、用镊子转动引线，确认不松动，然后可用偏口钳剪去多余的引线。 3.焊接质量 焊接时，要保证每个焊点焊接牢固、接触良好。要保证焊接质量。 所示应是锡点光亮，圆滑而无毛刺，锡量适中。锡和被焊物融合牢固。不应有虚焊和假焊。 虚焊是焊点处只有少量锡焊住，造成接触不良，时通时断。假焊是指表面上好像焊住了，但实际上并没有焊上，有时用手一拔，引线就可以从焊点中拔出。
微电子器件实验5模版 联合仿真 nmos
南京邮电大学 课内实验报告 课程名：微电子器件设计 任课教师： 专业：微电子学 学号： 姓名： 2014/2015学年第2学期 南京邮电大学电子科学与工程学院
《微电子器件设计》课程实验第 5 次实验报告 实验内容及基本要求： 实验项目名称：MOS晶体管的工艺器件联合仿真 实验类型：验证 每组人数：1 实验内容及要求： 内容：采用Tsuprem4仿真软件对MOS晶体管进行工艺仿真，并采用MEDICI仿真软件对该MOS晶体管进行器件仿真。 要求：能够将工艺仿真软件得到的器件数据输出到某个文件中，并能在器件仿真中调用该文件。会画出并分析器件仿真结果。 实验考核办法： 实验结束要求写出实验报告。内容如下： 1、问题的分析与解答； 2、结果分析，比较不同器件结构参数对仿真结果的影响； 3、器件设计的进一步思考。 实验结果：（附后） 实验代码如下： COMMENT Example 9B - TSUPREM-4/MEDICI Interface COMMENT TSUPREM-4 Input File OPTION DEVICE=PS COMMENT Specify the mesh LINE X LOCATION=0 SPACING=0.20 LINE X LOCATION=0.9 SPACING=0.06 LINE X LOCATION=1.8 SPACING=0.2 LINE Y LOCATION=0 SPACING=0.01 LINE Y LOCATION=0.1 SPACING=0.01 LINE Y LOCATION=0.5 SPACING=0.10
LINE Y LOCATION=1.5 SPACING=0.2 LINE Y LOCATION=3.0 SPACING=1.0 ELIMIN ROWS X.MIN=0.0 X.MAX=0.7 Y.MIN=0.0 Y.MAX=0.15 ELIMIN ROWS X.MIN=0.0 X.MAX=0.7 Y.MIN=0.06 Y.MAX=0.20 ELIMIN COL X.MIN=0.8 Y.MIN=1.0 COMMENT Initialize and plot mesh structure INITIALIZ <100> BORON=1E15 SELECT TITLE=”TSUPREM-4: Initial Mesh” PLOT.2D GRID COMMENT Initial oxide DEPOSIT OXIDE THICKNESS=0.03 COMMENT Models selection. For this simple example, the OED COMMENT model is not turned on (to reduce CPU time) METHOD VERTICAL COMMENT P-well implant IMPLANT BORON DOSE=3E13 ENERGY=45 COMMENT P-well drive DIFFUSE TEMP=1100 TIME=500 DRYO2 PRESS=0.02 ETCH OXIDE ALL COMMENT Pad oxidation DIFFUSE TEMP=900 TIME=20 DRYO2 COMMENT Pad nitride DEPOSIT NITRIDE THICKNESS=0.1 COMMENT Field oxidation DIFFUSE TEMP=1000 TIME=360 WETO2 ETCH NITRIDE ALL COMMENT Vt adjust implant IMPLANT BORON ENERGY=40 DOSE=1E12 ETCH OXIDE ALL COMMENT Gate oxidation DIFFUSE TEMP=900 TIME=35 DRYO2 DEPOSIT POLYSILICON THICKNESS=0.3 DIVISIONS=4 COMMENT Poly and oxide etch ETCH POLY LEFT P1.X=0.8 P1.Y=-0.5 P2.X=0.8 P2.Y=0.5 ETCH OXIDE LEFT P1.X=0.8 P1.Y=-0.5 P2.X=0.8 P2.Y=0.5 DEPOSIT OXIDE THICKNESS=0.02 COMMENT LDD implant IMPLANT PHOS ENERGY=50 DOSE=5E13 COMMENT LTO DEPOSIT OXIDE THICK=0.2 DIVISIONS=10 COMMENT Spacer etch ETCH OXIDE DRY THICK=0.22 COMMENT S/D implant IMPLANT ARSENIC ENERGY=100
电工电子工艺基础实验报告完整版
电工电子工艺基础实验报告完整版 电工电子工艺基础实验报告专业年级: 学号: 姓名: 指导教师: 2013 年 10 月 7 日
目录 一．手工焊点焊接方法与工艺,贴片、通孔元器件焊接工艺。 二．简述磁控声光报警器的工作原理,画出电路组成框图,实物图片。 三．简述ZX—2005型稳压源/充电器的工作原理,画出电路组成框图,实物图片;附上实习报告。四．简述流水灯工作原理,画出电路组成框图,实物图。 五．简述ZX2031FM微型贴片收音机的工作原理,画出电路组成框图,实物图。 六．简述HTDZ1208型—复合管OTL音频功率放大器的工作原理,画出电路组成框图,实物图。七．总的实训体会,收获,意见。 一．手工焊点焊接方法与工艺,贴片、通孔元器件焊接工艺。 （1）电烙铁的拿法 反握法:动作稳定,不易疲劳,适于大功率焊接。 正握法:适于中等功率电烙铁的操作。
握笔法:一般多采用握笔法,适于轻巧型的电烙铁,其 烙铁头就是直的,头端锉成一个斜面或圆锥状,适于焊 接面积较小的焊盘。 （2）焊锡的拿法 （3）焊接操作五步法 左手拿焊条,右手拿焊铁,处于随时可焊状态。 加热焊件、送入焊条、移开焊条、移开电烙铁。（4）采用正确的加热方法 让焊件上需要锡侵润的各部分均匀受热 （5）撤离电烙铁的方法 撤离电烙铁应及时,撤离时应垂直向上撤离 （6）焊点的质量要求 有可靠的机械强度、有可靠的电气连接。 （7）合格焊点的外观 焊点形状近似圆锥体,椎体表面呈直线型、表面光泽 且平滑、焊点匀称,呈拉开裙状、无裂纹针孔夹 渣。 （8）常见焊点缺陷分析 二．简述磁控声光报警器的工作原理,画出
微电子综合实验报告
微电子综合实验报告实验题目：⒚同或门电路仿真 班级：电子科学与技术1201 姓名：XXX 学号：XXX 时间：2015.5—2015.6
一、电路图。 OUT A B (IN1) （IN2） 分别给上图中的每个管子和结点标注，如下所述： P管分别标记为：MP1、MP2、MP3;N管分别标记为：MN1、MN2、MP3;A、B端分别标记为：IN1、IN2;输出端标记为：OUT；N 管之间连接点标记为：1；连接反相器的点标记为：2；如上图所示。 其真值表如下所示：
二、电路仿真表。 *dounand MN1 1 IN1 0 0 NMOS L=0.6U W=2.4U MN2 2 IN2 1 0 NMOS L=0.6U W=2.4U MN3 OUT 2 0 0 NMOS L=0.6U W=2.4U MP1 IN2 IN1 2 VDD PMOS L=0.6U W=4.4U MP2 IN1 IN2 2 VDD PMOS L=0.6U W=4.4U MP3 OUT 2 VDD VDD PMOS L=0.6U W=4.4U VDD VDD 0 DC 5V VIN1 IN1 0 PULSE(0 5 0 0.1N 0.1N 5N 10N) VIN2 IN2 0 PULSE(0 5 0 0.1N 0.1N 10N 20N) .TRAN 1N 100N UIC .LIB './HJ.L' TT .END 下图为无负载电容，IN1=10ns，IN2=20ns时的波形图。 从图中可以发现，本来输出应该是5v，实际输出只有4.8v，可见输出有阈值损失。 原因是N管传高电平、P管传低电平时，输出半幅，所以存在阈值损失。 三、输出加负载电容。 1、C=0.2p ；IN1=10ns ；IN2=20ns 时波形如下：
电子工艺实习实验报告--AM收音机的调试及组装
电子工艺实习报告 ——AM收音机组装与调试 一：目的意义 本次电子工艺实习是对一台六管中波段袖珍式半导体收音机做为调幅收音机，进行安装焊接及调试。在实习过程中，了解简单电子产品的制作过程；掌握电子元器件的识别及质量检验的方法；熟练掌握电子元件的焊接；学会对收音机进行检测、故障判断及调试。本次电子工艺实习意在锻炼学生的动手能力，同时，也培养学生一丝不苟的科学作风和严谨的工作态度，使同学能够敢于实践，勇于实践。 二：原理 1、AM收音机的基本工作原理 AM收音机主要由输入电路、混频电路、中放电路、检波电路、前置低频放大器、功率放大电路和喇叭或耳机组成。 输入电路，即选择电路，或称调谐电路把空中许多无线电广播电台发
出的信号选择其中一个，送给混频电路。混频将输入信号的频率变为中频，但其幅值变化规律不改变。不管输入的高频信号的频率如何，混频后的频率是固定的，我国规定为465KHZ。中频放大器将中频调幅信号放大到检波器所要求的大小。由检波器将中频调幅信号所携带的音频信号取下来，送给前置放低频放大器。前置低频放大器将检波出来的音频信号进行电压放大。再由功率放大器将音频信号放大，放大到其功率能够推动扬声器或耳机的水平。由扬声器或耳机将音频电信号转变为声音。 当调幅信号感应到B1 及C1 组成的天线调谐回路，选出我们所需的电信号f 进V1( 9018H)三极管基极；本振信号调谐在高出f1 频率一个中频的f2(f1+465KHz) 例：f1=700KHz 则f2=700+465KHz=1165KHz进入V1 发射极，由V1 三极管进行变频，通过B3选取出465KHz中频信号经V2和V3二级中频放大,进入V4检波管, 检出音频信号经V5(9014)低频放大和由V6、V7组成功率放大器进行功率放大，推动扬声器发声。图中 D1、D2 (IN4148) 组成±稳压，固定变频，一中放、二中放、低放的基极电压，稳定各级工作电流，以保持灵敏度。由V4(9018)三极管PN结用作检波。R1、R4、R6、R10 分别为V1、V2、V3、V5 的工作点 调整电阻R11为V6、V7 功放级的工作点调整电阻，R8 为中放的 AGC电阻，B3、B4、B5为中周(内置谐振电容) ，既是放大器的交流负载又是中频选频器，该机的灵敏度，选择性等指标靠中频放大器保证。 B6、B7为音频变压器，起交流负载及阻抗匹配的作用。
电路综合设计实验-设计实验2-实验报告
设计实验2:多功能函数信号发生器 一、摘要 任意波形发生器是不断发展的数字信号处理技术和大规模集成电路工艺孕育出来的一种新型测量仪器，能够满足人们对各种复杂信号或特殊信号的需求，代表了信号源的发展方向。可编程门阵列（FPGA）具有高集成度、高速度、可重构等特性。使用FPGA来开发数字电路，可以大大缩短设计时间，减小印制电路板的面积，提高系统的可靠性和灵活性。 此次实验我们采用DE0-CV开发板，实现函数信号发生器，根据按键选择生产正弦波信号、方波信号、三角信号。频率范围为10KHz~300KHz，频率稳定度≤10-4，频率最小不进10kHz。提供DAC0832，LM358。 二、正文 1.方案论证 基于实验要求，我们选择了老师提供的数模转换芯片DAC0832，运算放大器LM358以及DE0-CV开发板来实现函数信号发生器。 DAC0832是基于先进CMOS/Si-Cr技术的八位乘法数模转换器，它被设计用来与8080，8048,8085，Z80和其他的主流的微处理器进行直接交互。一个沉积硅铬R-2R 电阻梯形网络将参考电流进行分流同时为这个电路提供一个非常完美的温度期望的跟踪特性（0.05%的全温度范围过温最大线性误差）。该电路使用互补金属氧化物半导体电
流开关和控制逻辑来实现低功率消耗和较低的输出泄露电流误差。在一些特殊的电路系统中，一般会使用晶体管晶体管逻辑电路（TTL）提高逻辑输入电压电平的兼容性。 另外，双缓冲区的存在允许这些DAC数模转换器在保持一下个数字词的同时输出一个与当时的数字词对应的电压。DAC0830系列数模转换器是八位可兼容微处理器为核心的DAC数模转换器大家族的一员。 LM358是双运算放大器。内部包括有两个独立的、高增益、内部频率补偿的双运算放大器，适合于电源电压范围很宽的单电源使用，也适用于双电源工作模式，在推荐的工作条件下，电源电流与电源电压无关。它的使用范围包括传感放大器、直流增益模块和其他所有可用单电源供电的使用运算放大器的场合。LM358的封装形式有塑封8引线双列直插式和贴片式。 本次实验选用的FPGA是Altera公司Cyclone系列FPGA芯片。Cyclone V系列器件延续了前几代Cyclone系列器件的成功，提供针对低成本应用的用户定制FPGA特性，支持常见的各种外部存储器接口和I/O协议，并且含有丰富的存储器和嵌入式乘法器，这些内嵌的存储器使我们在设计硬件电路时省去了外部存储器，节省了资源，而
电子工艺实习实验报告
1.1.1.1.1北京邮电大学实习报告
1.焊接工艺 1.1 焊接工艺的基本知识 焊接是使金属连接的一种方法。它利用加热手段，在两种金属的接触面，通过高温条件下焊接材料的原子或分子的相互扩散作用，使两种金属间形成永结牢固的结合面而结合成整体。 焊接的过程有浸润、扩散、冷却凝固三个阶段的变化。利用焊接的方法进行连接而形成的接点叫焊点。 焊接工艺是指焊接过程中的一整套技术规定。包括焊接方法、焊前准备、焊接材料、焊接设备、焊接顺序、焊接操作、工艺参数以及焊后热处理等。 我们实验中主要是PCB板的焊接。 1.2 焊接工具、焊料、焊剂的类别与作用 焊接工具有烙铁、镊子、螺丝刀、钳子等。 电烙铁的作用是加热焊料和被焊接金属，最终形成焊点。按加热方式可分为内热式、外热式等，按功能分为防静电式、吸锡式、恒温式等。本实验使用外热式电烙铁。 焊料是焊接时用于填加到焊缝、堆焊层和钎缝中的金属合金材料的总称。包括焊丝、焊条、钎料等。焊料分软焊料和硬焊料两种，软焊料熔点较低，质软，也叫焊镴，如焊锡；硬焊料熔 点较高，质硬，如铜锌合金。本次实习使用的焊料为焊锡（铅锡合金）。 焊剂是指焊接时，能够熔化形成熔渣和（或）气体，对熔化金属起保护和冶金物理化学作用的一种物质，又称助焊剂或阻焊剂，一般由活化剂、树脂、扩散剂、溶剂四部分组成。一般 可划分为酸性焊剂和碱性焊剂两种。作用：清除焊件表面的氧化膜，保证焊锡浸润。本实验的焊料是松香。 下面分列各工具及材料的作用。 电烙铁：熔化焊锡； 电烙铁架：放置电烙铁； 镊子：夹持焊锡或去除导线皮； 螺丝刀：拆组机器狗； 钳子：裁剪导线或焊锡； 焊锡（锡铅合金）：固定焊脚，电路板和器件电气连接； 助焊剂（松香）：加速焊锡融化，去除氧化膜，防止氧化等； 阻焊剂（光固树脂）：板上和板层间的绝缘材料。 1.3焊接方法 手工焊接主要为五步焊接法： 1.准备施焊，检查焊件、焊锡丝、烙铁，保持焊件和烙铁头的干净； 2.加热焊件，用烙铁头加热焊件各部分，加热时不要施压； 3.熔化焊料，焊锡丝从烙铁对面接触焊件，将焊丝至于焊点，是焊料融化并润湿焊点； 4.移开焊锡，当融化的焊料在焊点上堆积一定量后，移开锡丝； 5.移开烙铁，当焊锡完全润湿后，迅速移开烙铁，在焊锡凝固前保持焊件为静止状态。
集成电路综合实验报告
集成电路设计综合实验 题目：集成电路设计综合实验 班级：微电子学1201 姓名： 学号：
集成电路设计综合实验报告 一、实验目的 1、培养从版图提取电路的能力 2、学习版图设计的方法和技巧 3、复习和巩固基本的数字单元电路设计 4、学习并掌握集成电路设计流程 二、实验内容 1. 反向提取给定电路模块（如下图1所示），要求画出电路原理图，分析出其所完成的逻辑功能，并进行仿真验证；再画出该电路的版图，完成DRC验证。 图1 1.1 查阅相关资料，反向提取给定电路模块，并且将其整理、合理布局。 1.2 建立自己的library和Schematic View（电路图如下图2所示）。 图2 1.3 进行仿真验证，并分析其所完成的逻辑功能（仿真波形如下图3所示）。
图3 由仿真波形分析其功能为D锁存器。 锁存器:对脉冲电平敏感，在时钟脉冲的电平作用下改变状态。锁存器是电平触发的存储单元，数据存储的动作取决于输入时钟（或者使能）信号的电平值，当锁存器处于使能状态时，输出才会随着数据输入发生变化。简单地说，它有两个输入，分别是一个有效信号EN,一个输入数据信号DATA_IN，它有一个输出Q，它的功能就是在EN有效的时候把DATA_IN的值传给Q，也就是锁存的过程。 只有在有锁存信号时输入的状态被保存到输出，直到下一个锁存信号。其中使能端A 加入CP信号，C为数据信号。输出控制信号为0时，锁存器的数据通过三态门进行输出。所谓锁存器，就是输出端的状态不会随输入端的状态变化而变化，仅在有锁存信号时输入的状态被保存到输出，直到下一个锁存信号到来时才改变。锁存，就是把信号暂存以维持某种电平状态。 1.4 生成Symbol测试电路如下(图4所示) 图4
电子工艺实验报告
电子工艺实验报告
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实验一Multisim10界面设置及原理图绘制（2学时，验证型） 实验目的： 1.熟悉Multisim10软件基本界面。 2.学习原理图绘制的基本操作。 3.学习Multisim10元件库的操作方法。 实验内容： 1.绘制单管放大电路： 电管放大功能，可通过示波器观察波形变化，还可通过multisim分析出其静态工作点等数据。 2.绘制发光二极管驱动电路，并验证电路功能： 当有时间脉冲时，两个与非门会交替产生高电平，从而使得两个小灯泡交替点亮。 3.绘制光柱显示电路，并验证电路功能：
如果通过电压大于一个灯的截止频率，第一个灯亮起，如果大于两倍的截止频率第二个灯亮起，以此类推。 4. 绘制四位加法器电路，并验证电路功能： 当J1接高电平时，加法器有效。J2的开关相当于一个时间脉冲，同时传递到4个元件上。当所有灯都亮起时，J1接低电平，J2由J2由低电平接到高电平，灯X1、X2、X3、X4，依次每次熄灭一个。实现清零。 5．总线绘制练习，并用字信号发生器对74LS138进行输入，观察数码管的变化：
通过字信号发生器产生一个由111到001循环的二进制数。 通过3 线－8 线译码器译码之后传到数码管上，每产生一个二进制数，数码管相对应的一段就亮起。 思考题： 1.Multisim仿真软件的优点是什么？ Multisim 侧重于模拟数字电路原理特性级仿真分析，不用真正的去连接电路就能实现电路仿真，节省了很多不必要的麻烦 2.简述绘制一张电路原理图的操作步骤。
华桥大学微电子器件与电路实验实验报告IC2019实验2
实验报告)微电子器件与电路实验(集成 学号实验时间姓名 2019.04 实验成绩实验操作教师签字 实验二集成二极管电学特性分析实验名称(1)计算机 (2)操作系统：Centos 实验设备TSMC RF0.18um工艺模型软件平台：Cadence Virtuoso (4)(3)1.掌握变量扫描分析、OP分析、DC Sweep下分析器件电学模型参数 2.掌握二极管电流和结面积和结周长关系，加深对集成二极管电学特性的理解实验目的特性的测试方法 3.掌握二极管CV 掌握单边突变结二极管掺杂浓度测量方法 4.实验 要求 1. 实验前按要求阅读器件说明文档，阅读实验操作文档，熟悉实验过程及操作步骤 2. 实验过程中按实验报告要求操作、仿真、记录数据(波形) 3. 实验结果经指导老师检查、验收，经允许后方可关机，离开实验室 ，、实验后按要求处理数据和波形，回答问题。实验报告打印后，于下次实验时间缴交。3实验内容： 【20%】 2.1 集成二极管电流随结面积变化特性(变量分析)实验对给定的二极管固定二极管的L，然后对二极管结W进行变量分析，测得二极管电流和结面积之间的关系曲线，通过曲线斜率估计二极管电流和结面积是否满足线性关系，回答思考题1 【20%】分析)2.2 实验集成二极管电流随结周长变化特性(OP使用不同结周长的二极管单元并联成结面积相同的二极管器件，测得相同偏置条件下的二极管电流，通过对比不同二极管电流之间的差异，确定二极管电流和结周长的关系，回答思考题2 【30%】 CV特性测试(DC分析下器件电学模型参数分析)集成二极管实验2.3 对给定结面积的二极管进行DC分析，分析二极管结电容和反偏电压之间的关系，测得CV特性曲线。并根据《微电子器件与电路》所学知识，回答思考题3、4、5。 【30%】实验2.4 集成二极管内建电势差及掺杂浓度测量2测试不同结电压下单边突变结二极管的单位结面积电容，根据单边突变结1/C关系曲线特点计算得到二极管的掺杂浓度和内建电势差。
电子工艺实习实验报告
电子工艺实习实验报告 （迷宫车实验） 院系：xxxxxxxxxxxxx 姓名：xxxx 班级：xxxxxxxxxx 学号：xxxxxxxxxx
一、任务要求 此次实验共有三个部分焊接练习，基本交替闪烁电路焊接和小车的制作与调试。 学生要按照老师要求完成相关任务，并进行实验的验收。 二、目的 此次实验旨在通过焊接小车与调试小车，锻炼学生的综合能力。其中包括：焊接能力练习，代码编写，和综合调试等。通过此次实验，学生应该掌握基本 的焊接技术，电路调试技术和单片机开发的基本能力 三、实验内容 1.焊接 焊接用工具：电烙铁、吸锡器、其它常用工具（烙铁架、尖嘴钳、剪刀、斜嘴钳、剥线钳、镊子、切刀等） 焊接用材料：焊料（铅锡焊料有熔点低、机械强度高、表面张力小、抗氧化性好的特点）、助焊剂（树脂、有机、无机） 2.简单的发光二极管交替闪烁电路 电路原理 材料清单
交替闪烁电路的焊接与实验心得 焊接要求 先将电路布局规划好后，将电路分块安装，但还是要按照元件由低到高的顺序。采用搭焊法将导线焊接在各元件之间。 实验心得 虽然在上学期的模电实验中已经接触过焊接，但很久没有用过而且以前对焊接的要求也没有那么严格，所以一开始还是非常紧张的，都不太敢下手。一开始的规划安装蓝图这部分真的非常重要，自己事先在白纸上按照原件的实际大小规划了一下安装图，使得在焊接导线的时候不至于过分拥挤导致可能出现焊接短路的情况发生。焊接的时候心里默念老师教的焊接步骤，一步一步进行。不过由于是第一次焊接实际电路，还是出现了一些可以再改进的状况，比如我们的每一条连接线都使用导线焊接相连，但是由于焊接技术含不成熟，有些短导线绝缘皮会被烫化，易短路，而且焊接位置的高低也不好控制，后来观察了其他组的焊接成果，可以将距离比较近的元件金属线直接焊在一起，省时且效果更好。不过幸好，此次试验一次成功，没有经过再调试，为后来小车实验的焊接增加了信心。经过本次试验，进一步熟悉和掌握了焊接的技巧，了解了焊接实际电路时的必要步骤，同时学习了很多导线的焊接方法（绕焊、搭焊、勾焊等），提高了个人对于电路实验的兴趣，为今后的实际科研中电路实验奠定了基础。 2.迷宫小车的安装与调试 分部原理图
EDA实验报告
电子科技大学成都学院 实验报告册 课程名称：EDA实验与实践 姓名：魏亮 学号：2940710618 院系：微电子技术系 专业：集成电路设计与集成系统（嵌入式） 教师：李海 2011 年12 月12 日
实验一：计数器 一、实验目的： 学习计数器的设计，仿真和硬件测试； 进一步熟悉Verilog HDL的编程方法。 二、实验原理和内容： 本实验的原理是利用复位信号rst，时钟信号clk，输出cout ，实现由0自加到学号（即18）。 本实验的内容是利用Quartus Ⅱ建立一个自加至18的计数器，并进行仿真测试。 三、实验步骤： 1. 启动Quartus Ⅱ建立一个空白工程，然后命名为count . qpf 。 2. 新建Verilog HDL源程序文件count.v，输入程序代码并保存， 然后进行综合编译，若在编译过程中发现错误，则找出并更正错误， 直到编译成功为止。 3. 建立波形仿真文件并进行仿真验证。 四、实验数据和结果： module count (clk,rst,cout); input clk,rst; output[5:0] cout; reg[5:0] cout; always @ (posedge clk) begin if(rst) begin cout=cout+1; if(cout==5'b10011) cout=0; end end endmodule
五、实验总结： 进一步熟悉仿真测试和Verilog HDL 编程方法。
实验二：流水灯 一、实验目的： 通过次试验进一步了解、熟悉和掌握CPLD/FPGA开发软件的使用方法及Verilog HDL的编程方法；学习简单的时序电路的设计和硬件 测试。 二、实验原理和内容： 本实验的内容是建立可用于控制LED流水灯的简单硬件电路，要求在实验箱上时间LED1~LED8发光二极管流水灯显示。 原理：在LED1~LED8引脚上周期性的输出流水数据，如原来输出的数据是11111100则表示点亮LED1、LED2。流水一次后，输出数据应 该为11111000，而此时则应点亮LED1~LED3三个LED发光二极管，这 样就可以实现LED流水灯，为了方便观察，在源程序中加入了一个分频 程序来控制流水速率。 三、实验步骤： （1）启动QuartusII建立空白工程，然后命名为led.qpf。 （2）新建Verilog HDL源程序文件led.v，输入程序代码并保存（源程序参考实验内容），进行综合编译，若在编译过程中发现错误，则找出并更正错误，直至编译成功为止。 （3）FPGA引脚分配，在Quartus II主界面下，选择Assignments→Pins，按照实验课本附录进行相应的引脚分配，引脚分配好以后保存。 （4）对该工程文件进行最后的编译，若在编译过程中发现错误，则找出并更正错误，直至编译成功为止。 （5）打开试验箱的电源开关，执行下载命令，把程序下载到FPGA试验箱中，观察流水灯的变化。 四、实验数据和结果： module led(led,clk); input clk; output[7:0] led; reg[7:0] led_r; reg[31:0] count; assign led=led_r[7:0]; always @ (posedge clk) begin count<=count+1';
电子工艺实习报告总结
( 实习报告 ) 单位：_________________________姓名：_________________________日期：_________________________ 精品文档 / Word文档 / 文字可改 电子工艺实习报告总结Summary of electronic process practice report
电子工艺实习报告总结 一、实习目的: 1、熟悉手工焊锡的常用工具的使用及其维护与修理，基本掌握手工电烙铁的焊接技术，能够独立的完成简单电子产品的安装与焊接，熟悉电子产品制作过程及主要工艺; 2、掌握电子组装的基本技能; 3、掌握电子元器件的识别及选择; 4、学习焊接电路板的有关知识; 5、看懂收音机的安装图，学会动手组装和焊接收音机。 6看懂充电器的安装图，学会动手组装和焊接充电器。 7、了解电子产品的焊接、- 二实习要求 1.要求学员熟悉常用电子元器件的识别,选用原则和测试方法。
2.要求学员练习和掌握正确与焊接的方法,熟悉焊接工具以及焊接材料的选择.并了解工业生产中的电子焊接技术的发展,焊接的流程以及装配整机的生产流程。 3.要求学员掌握收音机，充电器的装配,焊接,调试.的基本操作技能，并对实际产品的制作，安装，调试和检测。 4.要求学员掌握了解电路板的基本知识,基本设计方法。 三实习内容 （1）焊接训练： 元器件：电路板、导线； 工具：电烙铁、锡线； 焊接训练时，首先加热电烙铁，然后根据老师的要求焊接导线。在焊接时特别要注意锡不能太多，否则易发生短路。焊接完后再利用万用表进行检测。 2组装收音机（略） 3组装充电器（略） 四注意事项
微电子工艺课程设计
微电子工艺课程设计 一、摘要 仿真（simulation）这一术语已不仅广泛出现在各种科技书书刊上，甚至已频繁出现于各种新闻媒体上。不同的书刊和字典对仿真这一术语的定义性简释大同小异，以下3种最有代表性，仿真是一个系统或过程的功能用另一系统或过程的功能的仿真表示；用能适用于计算机的数学模型表示实际物理过程或系统；不同实验对问题的检验。仿真（也即模拟）的可信度和精度很大程度上基于建模（modeling）的可信度和精度。建模和仿真（modeling and simulation）是研究自然科学、工程科学、人文科学和社会科学的重要方法，是开发产品、制定决策的重要手段。据不完全统计，目前，有关建模和仿真方面的研究论文已占各类国际、国内专业学术会议总数的10%以上，占了很可观的份额。 集成电路仿真通过集成电路仿真器（simulator）执行。集成电路仿真器由计算机主机及输入、输出等外围设备（硬件）和有关仿真程序（软件）组成。按仿真内容不同，集成电路仿真一般可分为：系统功能仿真、逻辑仿真、电路仿真、器件仿真及工艺仿真等不同层次（level）的仿真。其中工艺和器件的仿真，国际上也常称作“集成电路工艺和器件的计算机辅助设计”（Technology CAD of IC），简称“IC TCAD”。
二、 综述 这次课程设计要求是：设计一个均匀掺杂的pnp 型双极晶体管，使T=346K 时，β=173。V CEO =18V ，V CBO =90V ，晶体管工作于小注入条件下，最大集电极电流为IC=15mA 。设计时应尽量减小基区宽度调制效应的影响。要求我们先进行相关的计算，为工艺过程中的量进行计算。然后通过Silvaco-TCAD 进行模拟。 TCAD 就是Technology Computer Aided Design ，指半导体工艺模拟以及器件模拟工具，世界上商用的TCAD 工具有Silvaco 公司的Athena 和Atlas ，Synopsys 公司的TSupprem 和Medici 以及ISE 公司（已经被Synopsys 公司收购）的Dios 和Dessis 以及Crosslight Software 公司的Csuprem 和APSYS 。这次课程设计运用Silvaco-TCAD 软件进行工艺模拟。通过具体的工艺设计，最后使工艺产出的PNP 双极型晶体管满足所需要的条件。 三、 方案设计与分析 各区掺杂浓度及相关参数的计算 对于击穿电压较高的器件，在接近雪崩击穿时，集电结空间电荷区已扩展至均匀掺杂的外延层。因此，当集电结上的偏置电压接近击穿电压V 时， 集电结可用突变 结近似，对于Si 器件击穿电压为 4 3 13 106- ?=）（BC B N V ， 集电区杂质浓度为： 3 4 13 34 13)1106106CEO n CBO C BV BV N β+?=?=（）（ 由于BV CBO =90所以Nc=*1015 cm -3 一般的晶体管各区的浓度要满足NE>>NB>NC 设N B =10N C ;N E =100N B 则： Nc=*1015 cm -3 ；N B =*1016 cm -3 ；N E =*1018 cm -3 根据室温下载流子迁移率与掺杂浓度的函数关系，得到少子迁移率： s V cm ?==/13002n C μμ；s V cm P B ?==/3302μμ；s V cm N E ?==/1502μμ 根据公式可得少子的扩散系数：
大学生电子工艺实习实验报告
大学生电子工艺实习实验报告 电子工艺实习是理工科电类专业学生在校期间必须进行的一项基础工程训练，目的是通过工艺训练使学生获得电子制造工艺的基础知识，初步接触电子产品的生产实际，了解并掌握电子工艺的一般知识，掌握最基本的焊接操作技能，培养一定的动手能力和创新意识，为后续课程，特别是课程设计、毕业设计等积累必要的知识和技能，为今后从事有关电子技术工作奠定实践基础。一、找准办学定位，明确课程教学目标钦州学院是北部湾沿海地区一所公立本科院校，担负着培养和输送地方经济建设需要的高素质人才的重任，即培养的是面向生产、建设、管理、服务第一线或实际岗位群并适应其需要，具有可持续发展潜力的应用型人才;担负着积极为地方工业化、城镇化建设输送各类应用性本地化人才的重任。因此，要求培养的专业人才具有扎实的基础理论和专业基础知识、较强的工程实践能力和创新意识，这样才能尽快地胜任工作。电子工艺实习是工艺性、实践性的技术基础课;课程目标是培养学生创新实践能力;它既是基本技能和工艺知识的入门向导，又是创新精神的启蒙，创新实践能力的基础;既是理工科各相关专业工程训练的重要内容，也是所有学生素质教育的基本环节之一。电子工艺实习课程通过课堂教学和实践，让学生了解一般电子工艺知识;并以典型电子产品为对象，通过印制电路板的设计和制作、元器件的检测和焊接以及整机的安装和调试等步骤，使学生初步掌握电子产品的设计和制造方法，得到基本工程训练;同时进行工程意识和科学作风培养;为学习后续课程和其他实践教学环节，以及从事实际工
作奠定基础。二、切实加强教学实践环节，确保课程教学目标的实现(一)优化教学实践内容。电子工艺实习教学的基本内容主要包括：学生在实习过程中了解安全用电知识，学会安全操作规程，了解常用元器件的类别、型号、规格参数、符号、测量方法、主要性能和一般选用原则，熟悉电子产品装接工艺的基本知识和要求，掌握手工焊接电子产品的焊接、装配、调试技术，同时在实习中培养学生严谨的科学态度和良好的工作态度。因此，钦州学院根据地方需求、学校实际，优化教学实践内容，整合为三个模块：第一模块是仪器仪表的使用，主要包括电流表、电压表、稳压电源、万用表、数字电桥、毫伏表、信号发生器、示波器等常用仪表的使用;第二模块是电子元器件的识别与检测，主要包括电阻器、电容器、电感器、变压器、半导体元件、开关与接插件、保险元件、继电器、集成电路、晶振和陶瓷元件、敏感元件、片状元件等元器件的识别与检测，以及这些元器件的`简单应用;第三模块是电子产品的设计与制作，主要包括人工焊接技能训练和pcb板的制作。(二)改革教学方法和手段。随着高等院校不断的扩招，大学生精英教育转为大众化教育，学生的素质有所下降，动手能力不强、创新意识不高是大学生普遍存在的问题。地方高校生源面较广，学生的素质不高，知识水平参差不平，这给教学实践提出了难题，更需要依照教学规律，探求新的教学模式，改革教学方法和手段，提高教学质量。1.合理安排时间。按照人才培养方案，电子工艺实习在第二学期开设，为集中2周的实践训练。但由于一个学期往往同时开设多门课程，有许多课程又无法集中安排，故安排2周集中训练是不实
微电子工艺习题总结
1. What is a wafer? What is a substrate? What is a die? 什么是硅片，什么是衬底，什么是芯片 答：硅片是指由单晶硅切成的薄片；芯片也称为管芯（单数和复数芯片或集成电路）；硅圆片通常称为衬底。 2. List the three major trends associated with improvement in microchip fabrication technology, and give a short description of each trend. 列出提高微芯片制造技术相关的三个重要趋势，简要描述每个趋势 答:提高芯片性能:器件做得越小，在芯片上放置得越紧密，芯片的速度就会提高。 提高芯片可靠性：芯片可靠性致力于趋于芯片寿命的功能的能力。为提高器件的可靠性，不间断地分析制造工艺。 降低芯片成本：半导体微芯片的价格一直持续下降。 3. What is the chip critical dimension (CD)? Why is this dimension important? 什么是芯片的关键尺寸，这种尺寸为何重要 答：芯片的关键尺寸（CD）是指硅片上的最小特征尺寸； 因为我们将CD作为定义制造复杂性水平的标准，也就是如果你拥有在硅片某种CD 的能力，那你就能加工其他所有特征尺寸，由于这些尺寸更大，因此更容易产生。 4. Describe scaling and its importance in chip design. 描述按比例缩小以及在芯片设计中的重要性 答：按比例缩小：芯片上的器件尺寸相应缩小是按比例进行的 重要性：为了优电学性能，多有尺寸必须同时减小或按比例缩小。 5. What is Moore's law and what does it predict? 什么是摩尔定律，它预测了什么 答：摩尔定律：当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数，月每隔18个月便会增加1倍，性能也将提升1倍。 预言在一块芯片上的晶体管数大约每隔一年翻一番。 第二章 6. What is the advantage of gallium arsenide over silicon? 砷化镓相对于硅的优点是什么 答：优点：具有比硅更高的电子迁移率；减小寄生电容和信号损耗的特性；集成电路的速度比硅电路更快；材料的电阻率更大。 7. What is the primary disadvantage of gallium arsenide over silicon? 砷化镓相对于硅的主要缺点是什么 答：主要缺点：缺乏天然氧化物；材料的脆性；成本比硅高10倍；有剧毒性在设备，工艺和废物清除设施中特别控制。