全面教你认识内存参数
全面教你认识内存参数
向您全面介绍了内存参数
内存热点
jany 2010-4-28
内存这种小硬件是电脑系统中最重要的组件之一然而，对于入门级用户来说，简单的参数(如内存类型、工作频率和接口类型)印象可能非常模糊，对于更小的内存计时参数来说甚至更加混乱。对于高级玩家来说，一些特定的内存小参数设置足以影响超频效果和整个系统的最终性能。如果你不想成为一个新手，你不必记住所有的参数和规格，但至少你有一个基本的理解，当你真的需要使用它们时，你不会不知道什么时候你去查阅它们。内存类型
目前，桌面平台上使用的内存主要有三种:DDR1、DDR2和DDR3，其中DDR 1内存已经基本淘汰，DDR 2和DDR 3是当前主流。DDR1存储器
第一代DDR存储器
DDR特别提款权是双倍数据速率特别提款权的缩写，意思是双倍速率同步动态随机存取存储器DDR存储器是在SDRAM存储器的基础上发展起来的，仍然使用SDRAM生产系统。因此，对于存储器制造商来说，只需对制造普通软件无线电存储器的设备稍加改进，就可以实现DDR存储器的生产，从而有效降低成本。DDR2存储器
第二代内存
DDR2是第二代内存产品它是在DDR存储器技术的基础上改进的，因此它具有更快的传输速度(高达800兆赫兹)、更低的功耗和更好的散热性能。DDR3存储器
第三代DDR存储器
DDR3相的工作电压比DDR2低，从DDR2的1.8V降至1.5V，具有更好的性能和省电性能。DDR2的4位预读升级为8位预读目前，DDR3可以达到1600兆赫的速度。由于目前最快的DDR2内存速度已提高到800兆赫/1066兆赫，第一批DDR3内存模块将从1333兆赫。三种类型的内存从内存控制器到内存插槽不兼容即使在同时支持两种内存的组合主板上，两种内存也不能同时工作，只能使用一种内存。存储器SPD芯片
存储器SPD芯片
SPD(串行存在检测):SPD是一个8引脚的电可擦可编程只读存储器，容量为256字节，主要存储存储器的相关数据，如容量、芯片制造商、存储器模块制造商、工作速度等。存储模块的内容通常由存储模块制造商编写支持单刀双掷的主板在启动时自动检测单刀双掷中的数据，并相应设置存储器的工作参数
启动计算机后，主板BIOS将读取SPD中的信息，主板北桥芯片组将根据这些参数信息自动配置相应的内存工作顺序和控制寄存器，从而充分发挥内存芯片的性能实现上述情况的前提是在基本输入输出系统设置界面中将内存设置选项设置为“按单刀双掷”。当主板无法从内存模块中检测到SPD信息时，它只能提供更保守的配置
在某种意义上，SPD芯片是识别记忆品牌的重要标志如果SPD中的参数值设置不正确，将不会优化内存，但会导致系统工作不稳定甚至崩溃。因此，为了避免兼容性问题，许多普通内存或兼容内存制造商一般将内存操作参数设置在相对保守的SPD，从而限制了内存性能的充分发挥更有甚者，一些非法制造商使用特殊的读写设备来改变SPD 信息，以欺骗计算机的检测和获取不一致的数据，从而欺骗消费者。XMP技术
支持XMP的内存产品
XMP设置在基本输入输出系统
英特尔至尊内存配置文件(XMP)中，这是一项提高内存性能的技术，
类似于英伟达的SLI内存技术英特尔制定了英特尔至尊内存配置文件(英特尔XMP规范)，该文件将认证DDR3内存。芯片组将自动识别已通过认证的内存模块产品的指定品牌和指定型号，并通过提高数据吞吐量和带宽等来提高其性能。
英特尔公司表示，由于它主要用于未来的高端平台，这项技术不会出现在DDR2内存模块上，使用“极限内存”技术的第一个条件是使用DDR3内存。内存控制器
内存控制器是计算机系统内存内部控制和内存与中央处理器通过内存控制器进行数据交换的重要组成部分内存控制器决定了计算机系统可以使用的最大内存容量、内存库数量、内存类型和速度、内存粒度数据的深度和宽度以及其他重要参数，也就是说，决定了计算机系统的内存性能，因此极大地影响了计算机系统的整体性能。
的早期内存控制器集成在主板的北桥芯片中。传统计算机系统
的内存控制器位于主板芯片组的北桥芯片中。为了与内存交换数据，中央处理器需要经历“中央处理器-北桥-内存-北桥-中央处理器”的五个步骤。在这种模式下，数据通过多级传输，数据延迟明显较大，从而影响计算机系统的整体性能。AMD的K8系列CPU(包括各种带有插槽754/939/940和其他接口的处理器)内部集成了一个内存控制器。中央处理器和内存之间的数据交换过程简化为“中央处理器-内存-中央处理器”三个步骤，省略了两个步骤。与传统的内存控制器方案相比，它明显具有更低的数据延迟，这有助于提高计算机系统的整体性
能
AMD率先将内存控制器集成到台式机平台上的CPU
英特尔新核心系列处理器中。它还将内存控制器集成到
中央处理器中。集成内存控制器的优点是可以有效地控制内存控制器工作在与中央处理器内核相同的频率上，并且由于内存和中央处理器之间的数据交换不需要通过北桥，因此可以有效地减少传输延迟例如，这就像将货物仓库直接移动到加工车间，这大大减少了原材料和成品在货物仓库和加工车间之间来回运输所需的时间，并大大提高了生产效率。因此，系统的整体性能也得到了提高。内存规格参数
内存性能规格标签
内存频率
像中央处理器一样，内存也有自己的工作频率。从某种程度上来说，内存的主频越高，表示内存能够达到的速度越快。存储器的主频率决定了存储器能够正常工作的最大频率。目前，最流行的记忆频率是DDR2-800和DDR3-1333。作为DDR2的替代品，DDR3存储器的频率已经达到3000兆赫。内存容量
内存容量不仅是影响内存价格的因素，也是影响整体系统性能的因素过去，512兆内存仍然是视窗XP平台的主流，1GB已经是一个大
容量了。到目前为止，64位系统已经变得流行起来。越来越多的人使用带有
的视窗Vista和视窗7。如果没有大约2GB的内存，可能无法保证操作的平稳性。目前，单块内存的容量主要包括1GB和2GB。在高端，也有一块罕见的4GB超大容量内存，工作电压为
。不同类型的存储器正常工作所需的电压不同。但是，每种类型的内存都有自己的规格，这些规格超出了内存的规格，很容易造成内存损坏。DDR2存储器的工作电压通常约为1.8V，而DDR3存储器的工作电压约为1.6v一些高频存储器需要在高于标准的电压值下工作。对于每种品牌和类型的内存，这取决于制造商。只要它在允许的范围内浮动，稍微增加内存电压有利于内存超频，但同时，发热量大大增加，因此存在硬件损坏的风险。存储器定时参数
基本输入输出系统存储器定时设置
TCL: CAS延迟控制(TCL)
通常，当我们查找存储器定时参数，如“8-8-8-24”和其他数字序列时，上述数字序列的相应参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”第一个“8”是第一个参数，即CL参数
CAS延迟控制(也称为tc1、CL、CAS延迟时间、CAS延迟)，CAS 延迟是“地址控制器在内存读写操作前的延迟”CAS控制接收指令和执行指令之间的时间因为CAS主要控制十六进制地址，或内存矩阵
中的列地址，所以它是最重要的参数，应该在稳定的前提下设置得尽可能低。
内存根据行和列寻址。当请求被触发时，它最初是tRAS(激活预充电延迟)。预充电后，内存真正开始初始化RAS一旦激活了tRAS，RAS(行地址选通)就开始寻址所需的数据首先是行地址，然后是tRCD 初始化，循环结束，然后通过CAS访问所需数据的确切十六进制地址从CAS开始到CAS结束的时间段是CAS延迟。因此，CAS是找到数据的最后一步，也是最重要的内存参数。该参数
控制存储器在实际执行数据读取指令之前必须等待多少个时钟周期。同时，该参数还决定了在存储器突发传输过程中完成第一部分传输所需的时钟周期数该参数越小，内存越快必须注意的是，有些内存不能在低延迟下运行，可能会丢失数据。此外，增加延迟会使内存以更高的频率运行，因此当内存需要超频时，应该尝试增加CAS延迟。该参数对内存性能影响最大。在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，内存读写操作越快。
存储器标记
tcd: ras到CAS延迟
该值是“8-8-8-24”存储器定时参数中的第二个参数，即第二个“8”RAS 到CAS延迟(也称为:tRCD，RAS到CAS延迟，活动到CMD)，表示\行到列寻址延迟时间\，值越小，性能越好。当读取、写入或刷新存储器时，有必要在这两个脉冲信号之间插入延迟时钟周期在JEDEC
规范中，它是第二个参数。减少这种延迟可以提高系统性能。如果您的内存超频性能不好，您可以将此值设置为内存的默认值，或者尝试增加tRCD值。
trp:行预充电(TRP)
该值是“8-8-8-24”存储器定时参数中的第三个参数，即第三个“8”行预充电定时(也称为tRP、RAS预充电、预充电到活动)意味着\存储行地址控制器的延迟。预充电参数越小，存储器读写速度越快。在激活另一行之前，TRP用于设置RAS所需的充电时间。
tras: min ras活动时序
该值是“8-8-8-24”存储器时序参数中的最后一个参数，即“24”最小RAS激活时间(也称为:tRAS、激活到预充电延迟、行激活时间、预充电等待状态、行激活延迟、行预充电延迟、RAS激活时间)表示“从存储器行有效到预充电的最短时间”。调整这个参数需要根据具体情况来决定，一般来说我们最好把它设置在24到30之间这个参数取决于实际情况，并不是说越大或越小越好。
如果传输时间过长，系统会因不必要的等待而降低性能。减少tRAS 周期将导致激活的行地址更早进入非活动状态。如果tRAS的周期太短，数据的突发传输可能由于缺少足够的时间而无法完成，这可能导致数据丢失或数据损坏。该值通常设置为CAS延迟+tRCD+2个时钟周期
ddr2-ddr3基本上已经完成了
的更换和移交。对于大多数人来说，内存是一个小硬件，它可以选择容量和频率，然后将其插入主板使用，而不管它的许多小参数因此，行业制造商也将提供更多的内存SPD芯片参数信息的白痴读取，并自动设置各种参数，简单易用。还有一种更简单的超频设置——XMP 技术，它能让普通用户简单地享受超频带来的增值。当然，真正的玩家更喜欢手动设置各种参数，以便在超频时达到最理想的效果。我希望通过这篇文章，每个人都能对记忆的各种参数有更深入的了解，并在使用中有所帮助。
磁性材料基本参数详解
磁性材料基本参数详解 磁性是物质的基本属性之一，磁性现象与各种形式的电荷的运动相关联，物质内部电子的运动和自旋会产生一定大小的磁矩，因而产生磁性。 自然界物质按其磁性的不同可分为：顺磁性物质、抗磁性物质、铁磁性物、反铁磁性物质以及亚铁磁性物质，其中铁磁性物质和亚铁磁性物质属于强磁性物质，通常将这两类物质统称为“ 磁性材料” 。 铁氧体颗粒料: 是已经过配料、混合、预烧、粉碎和造粒等工序，可以直接用于成形加工的铁氧体料粒。顾客使用该料可直接压制成毛坯，经烧结、磨削后即可制成所需磁芯。本公司生产并销售高品质的铁氧体颗粒料，品种包括功率铁氧体JK 系列和高磁导率铁氧体JL 系列。 锰锌铁氧体: 主要分为高稳定性、高功率、高导铁氧体材料。它是以氧化铁、氧化锌为主要成分的复合氧化物。其工作频率在1kHz 至10MHz 之间。主要用着开关电源的主变压器用磁芯. 。 随着射频通讯的迅猛发展，高电阻率、高居里温度、低温度系数、低损耗、高频特性好（高电阻率ρ、低损耗角正切tg δ）的镍锌铁氧体得到重用，我司生产的Ni-Zn 系列磁芯，其初始磁导率可由10 到2500 ，使用频率由1KHz 到100MHz 。但主要应用于1MHz 以上的频段、磁导率范围在7-1300 之间的EMC 领域、谐振电路以及超高频功率电路中。磁粉芯: 磁环按材料分为五大类：即铁粉芯、铁镍钼、铁镍50 、铁硅铝、羰基铁。使用频率可达100KHZ ，甚至更高。但最适合于10KHZ 以下使用。 磁场强度H ： 磁场“ 是传递运动电荷或者电流之间相互作用的物理物” 。 它可以由运动电荷或者电流产生，同时场中其它运动或者电流发生力的作用。 均匀磁场中，作用在单位长磁路的磁势叫磁场强度，用H 表示； 使一个物体产生磁力线的原动力叫磁势，用F 表示：H=NI/L, F = N I H 单位为安培/ 米（A/m ），即: 奥斯特Oe ；N 为匝数；I 为电流，单位安培（A ），磁路长度L 单位为米（m ）。 在磁芯中，加正弦波电流，可用有效磁路长度Le 来计算磁场强度： 1 奥斯特= 80 安/ 米 磁通密度，磁极化强度，磁化强度 在磁性材料中，加强磁场H 时，引起磁通密度变化，其表现为： B= ц o H+J= ц o (H+M) B 为磁通密度( 磁感应强度) ，J 称磁极化强度，M 称磁化强度，ц o 为真空磁导率，其值为4 π× 10 ˉ 7 亨利/ 米（H/m ） B 、J 单位为特斯拉，H 、M 单位为A/m, 1 特斯拉=10000 高斯（Gs ） 在磁芯中可用有效面积Ae 来计算磁通密度：
教你如何调整DDR内存参数
教你如何调整DDR内存参数 日期：2006-07-08 上传者：赵磊来源：https://www.360docs.net/doc/402637297.html, 同样的CPU，同样的频率设置，为什么别人的运行效率就比我的高呢？为什么高手能以较低CPU频率跑出更好的测试成绩呢？问题的关键就是内存参数的调校。在一般的超频中，只会调整一些基本参数，比如某超频报告中会说到内存运行状态为“520MHz、3-4-4-8 1T”，那么除频率外后5个数字就是基本参数。还有一系列参数被称之为“小参”，能起到辅助调节作用，当调节基参后仍无法提高频率，或者性能提升不明显后，调整“小参”往往会得到令人意外的惊喜。以下我们根据基本参数与小参分别介绍调校方法。 基本参数介绍 目前的内存还是使用类电容原理来存储数据，需要有充放电的过程，这个过程所带来的延迟是不可避免的。在BIOS中，所有关于内存调节的参数其实都是在调整这个充放电的时序。受颗粒品质影响，每种内存的参数几乎都不完全一样。面对这些参数，我们必须先了解其原理才能在以后的调节中做到信手拈来。以下我们讲解一些重点参数的含义。 CL CL全称CAS Latency，是数据从存储设备中输出内存颗粒的接口之间所使用的时间。一般而言是越短越好，但受于制造技术和内存控制器所限，目前的最佳值是2。
从图中，我们能够直观的看到CL值变化，对数据处理的影响。虽说在单周期内的等待的时间并不长；但在实际使用时，内存每秒要400M次以上的周期循环，此时的性能影响就相当明显了。 RAS与CAS 内存内部的存储单元是按照行（RAS）和列（CAS）排成矩阵模式，一个地址访问指令会被解码成行和列两个信号，先是行地址信号，然后是列地址信号，只有行和列地址都准备好之后才可以确定要访问的内存单元。因此内存读写第一个延迟是RAS到CAS的延迟，从行地址访问允许到读、写数据还有一个准备时间，被称为RAS转换准备时间。这也就是为什么RAS to CAS参数对性能影响要大于RAS Precharge的原因。 Tras
LTE常用参数详解
LTE现阶段常用参数详解 1、功率相关参数 1.1、Pb（天线端口信号功率比） 功能含义：Element）和TypeA PDSCH EPRE的比值。该参数提供PDSCH EPRE（TypeA）和PDSCH EPRE（TypeB）的功率偏置信息（线性值）。用于确定PDSCH（TypeB） 的发射功率。若进行RS功率boosting时，为了保持Type A 和Type B PDSCH 中的OFDM符号的功率平衡，需要根据天线配置情况和RS功率boosting值根 据下表确定该参数。1，2，4天线端口下的小区级参数ρB/ρA取值： PB 1个天线端口2个和4个天线端口 0 1 5/4 1 4/5 1 2 3/5 3/4 3 2/5 1/2 对网络质量的影响：PB取值越大，RS功率在原来的基础上抬升得越高，能获得更好的 信道估计性能，增强PDSCH的解调性能，但同时减少了PDSCH （Type B）的发射功率，合适的PB取值可以改善边缘用户速率， 提高小区覆盖性能。 取值建议：1
1.2、Pa（不含CRS的符号上PDSCH的RE功率与CRS 的RE功率比） 功能含义：不含CRS的符号上PDSCH的RE功率与CRS的RE功率比 对网络质量的影响：在CRS功率一定的情况下，增大该参数会增大数据RE功率 取值建议：-3 1.3、PreambleInitialReceivedTargetPower（初始接收目标功率(dBm)） 功能含义：表示当PRACH前导格式为格式0时，eNB期望的目标信号功率水平，由广播消息下发。 对网络质量的影响：该参数的设置和调整需要结合实际系统中的测量来进行。该参数设 置的偏高，会增加本小区的吞吐量，但是会降低整网的吞吐量；设 置偏低，降低对邻区的干扰，导致本小区的吞吐量的降低，提高整 网吞吐量。 取值建议：-100dBm~-104dBm 1.4、PreambleTransMax（前导码最大传输次数） 功能含义：该参数表示前导传送最大次数。 对网络质量的影响：最大传输次数设置的越大，随机接入的成功率越高，但是会增加对 邻区的干扰；最大传输次数设置的越小，存在上行干扰的场景随机 接入的成功率会降低，但是会减小对邻区的干扰 取值建议：n8，n10
内存型号说明
Samsung 具体含义解释 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM 、T代表DDR2 DRAM、D表示GDDR1（显存颗粒）。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A 代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit 的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第8位——为一个数字，表示内存的物理Bank，即颗粒的数据位宽，有3和4两个数字，分别表示4Banks和8Banks。对于内存而言，数据宽度×芯片数量＝数据位宽。这个值可以是64或128，对应着这条内存就是1个或2个bank。例如256M内存32×4格式16颗芯片：4×16=64，双面内存单bank；256M内存 16M×16格式 8颗芯片：16×8=128，单面内存双bank。所以说单或双bank和内存条的单双面没有关系。另外，要强调的是主板所能支持的内存仅由主板芯片组决定。内存芯片常见的数据宽度有4、8、16这三种，芯片组对于不同的数据宽度支持的最大数据深度不同。所以当数据深度超过以上最大值时，多出的部分主板就会认不出了，比如把256M认成128M就是这个原因，但是一般还是可以正常使用。 第9位——由一个字符表示采用的电压标准，Q：SSTL-1.8V （1.8V，1.8V）。与DDR的2.5V电压相比，DDR2的1.8V是内存功耗更低，同时为超频留下更大的空间。 第10位——由一个字符代表校订版本，表示所采用的颗粒所属第几代产品，M 表示1st，A-F表示2nd-7th。目前，长方形的内存颗粒多为A、B、C三代颗粒，而现在主流的FBGA颗粒就采用E、F居多。靠前的编号并不完全代表采用的颗粒比较老，有些是由于容量、封装技术要求而不得不这样做的。 第11位——连线“-”。 第12位——由一个字符表示颗粒的封装类型，有G，S：FBGA（Leaded）、Z，Y：FBGA（Leaded-Free）。目前看到最多的是TSOP和FBGA两种封装，而FBGA是主流（之前称为mBGA）。其实进入DDR2时代，颗粒的封装基本采用FBGA了，因为TSOP封装的颗粒最高频率只支持到550MHz，DDR最高频率就只到400MHz，像DDR2 667、800根本就无法实现了。 第13位——由一个字符表示温控和电压标准，“C”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Normal Power，就是常规的1.8V电压标准；“L”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Low Power，是低电压版，适合超频，
IGBT基本参数详解
第一部分IGBT模块静态参数 1，：集射极阻断电压 在可使用的结温范围内，栅极和发射极短路状况下，集射极最高电压。手册里一般为25℃下的数据，随着结温的降低，会逐渐降低。由于模块内外部的杂散电感，IGBT在关断时最容易超过限值。 2，：最大允许功耗 在25℃时，IGBT开关的最大允许功率损耗，即通过结到壳的热阻所允许的最大耗散功率。 其中，为结温，为环境温度。二极管的最大功耗可以用同样的公式获得。 在这里，顺便解释下这几个热阻， 结到壳的热阻抗，乘以发热量获得结与壳的温差； 芯片热源到周围空气的总热阻抗，乘以发热量获得器件温升； 芯片结与PCB间的热阻抗，乘以单板散热量获得与单板的温差。 3，集电极直流电流 在可以使用的结温范围流集射极的最大直流电流。根据最大耗散功率的定义，可以由最大耗散功率算出该值。所以给出一个额定电流，必须给出对应的结和外壳的温度。 ) 4，可重复的集电极峰值电流 规定的脉冲条件下，可重复的集电极峰值电流。 5，RBSOA，反偏安全工作区 IGBT关断时的安全工作条件。如果工作期间的最大结温不被超过，IGBT在规定的阻断电压下可以驱使两倍的额定电流。 6，短路电流
短路时间不超过10us。请注意，在双脉冲测试中，上管GE之间如果没有短路或负偏压，就很容易引起下管开通时，上管误导通，从而导致短路。 7，集射极导通饱和电压 在额定电流条件下给出，Infineon的IGBT都具有正温度效应，适宜于并联。 随集电极电流增加而增加，随着增加而减小。 可用于计算导通损耗。根据IGBT的传输特性， 计算时，切线的点尽量靠近工作点。对于SPWM方式，导通损耗由下式获得， M为调制因数；为输出峰值电流；为功率因数。 第二部分IGBT模块动态参数 1，模块内部栅极电阻 为了实现模块内部芯片的均流，模块内部集成了栅极电阻，该电阻值常被当成总的驱动电阻的一部分计算IGBT驱动器的峰值电流能力。 2，外部栅极电阻 数据手册中往往给出的是最小推荐值，可以通过以下电路实现不同的和。
液晶电视常见参数详解
不懂千万别装懂液晶电视常见参数详解 年月日来源：中国经济网 [推荐朋友] [打印本稿] [字号大中小] 春节黄金周这几天正是卖场销售最为火爆地几天，好多消费者都趁着放假去卖场里采购一番.春节各种促销活动多，但是陷阱也不少，一方面是店员地“忽悠”，另一方面就是消费者对于产品地不了解，所以才让那些有机可乘.在此，笔者提醒那些想要购买家电地消费者，在购买之前一定要做好充分地准备，事前调查一些相关资料，这样就算那些店员再怎么能忽悠，您地火眼金睛一眼就能看穿. 下面笔者就来为向要购买液晶电视地朋友解释一些专业参数术语，希望那些完全不懂或者一知半解地朋友们赶紧来充充电. 什么是分辨率？ 对于液晶电视来说分辨率是非常重要地参数，是指屏幕上究竟有多少个像素点.液晶电视地物理分辨率具有固定不变地特点，让液晶电视工作在非标准分辨率下，便会造成显示图象失真.液晶电视地最佳分辨率，也叫最大分辨率，在该分辨率下，液晶电视才能显现最佳影像.液晶电视呈现分辨率较低地显示模式时，有两种方式进行显示. 第一种为居中显示：例如在×地屏幕上显示×地画面时，只有屏幕居中地×个像素被呈现出来，其它没有被呈现出来地像素则维持黑暗.目前该方法较少采用.另一种称为扩展显示：在显示低于最佳分辨率地画面时，各像素点通过差动算法扩充到相邻像素点显示，从而使整个画面被充满.这样也使画面失去原来地清晰度和真实地色彩.这就是为什么在商场中显示画面非常好地电视一到家中就大打折扣，要知道商场中放地都是高清碟，而家中还是传统地模拟信号. 什么是响应速度？ 响应速度也称反应时间是液晶电视各像素点对输入信号反应地速度，即像素由暗
转亮或由亮转暗所需要地时间.一般将反应时间分为两个部分：上升时间( )和下降时间( )，而表示时以两者之和为准. 如果响应时间不够快，像素点对输入信号地反应速度跟不上，观看高速移动地画面时就会出现类似残影或者拖沓地痕迹，无法保证画面地流畅.目前市面上地液晶电视多在，与电视低于地响应时间相比，还有一点差距.不过代线已经将液晶电视响应速度提高到毫秒，甚至毫秒，这样就超过了电视. 什么是屏幕亮度？ 屏幕亮度是指电视机在白色画面之下明亮地程度，单位是堪德拉每平米()或称. 堪德拉每平米()或地含义是每平方米地烛光亮度，即单位面积地光强度.液晶是一种介于液体和晶体之间地物质，它可以通过电流来控制光线地穿透度，从而显示出图像.但是，液晶本身并不会发光，因此所有地液晶电视都需要背光照明，背光地亮度也就决定了显示器地亮度.目前提高亮度地方法有两种，一种是提高面板地光通过率；另一种就是增加背景灯光地亮度，或增加灯管数量.提高面板地光通过率也被称为“擦亮技术”，显示屏表面好比装了一层玻璃，增强了光线地反射，而且还提高了屏幕地色彩对比度及饱和度. 理论上，亮度高，画面显示地层次也就更丰富，从而提高画面地显示质量，但也不是亮度越高就越好地，这主要是从健康地角度来考虑，电视画面过亮常常会令人感觉不适.研究人员指出，当显示器地亮度达到＆时，就会引起视疲劳.而“擦亮技术”地使用使显示屏很容易使眼睛被光线“刺伤”，还容易引发眼睛疲劳，甚至导致视力下降和头痛等健康问题.同时也使纯黑与纯白地对比降低，影响色阶和灰阶地表现.目前市场上主流地液晶亮度一般都在到，而实践证明这样地亮度在英寸大小地屏幕上已经足够满足视觉欣赏地要求.选择合适地亮度与观看电视地距离有很大关系，大屏幕地电视观看距离一般比较大，适合选择亮度较高地款型，而小屏幕地电视则宜选择亮度不要太高地产品.一般理想地亮度选择可以粗略地参考这个标准，即不高于*屏幕高度地平方，同时不低于*屏幕高度地平方(首先屏幕高度化成国际标准单位：米). 另外，亮度地均匀性也非常重要，但在液晶电视产品规格说明书里通常不做标注.亮度均匀与否，和背光源与反光镜地数量与配置方式息息相关，品质较佳地电视，
全面教你认识内存参数
全面教你认识内存参数 内存热点 Jany 2010-4-28
内存这样小小的一个硬件，却是PC系统中最必不可少的重要部件之一。而对于入门用户来说，可能从内存的类型、工作频率、接口类型这些简单的参数的印象都可能很模糊的，而对更深入的各项内存时序小参数就更摸不着头脑了。而对于进阶玩家来说，内存的一些具体的细小参数设置则足以影响到整套系统的超频效果和最终性能表现。如果不想当菜鸟的话，虽然不一定要把各种参数规格一一背熟，但起码有一个基本的认识，等真正需要用到的时候，查起来也不会毫无概念。 内存种类 目前，桌面平台所采用的内存主要为DDR 1、DDR 2和DDR 3三种，其中DDR1内存已经基本上被淘汰，而DDR2和DDR3是目前的主流。 DDR1内存 第一代DDR内存 DDR SDRAM 是 Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM 的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。 DDR2内存 第二代DDR内存
DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达800MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良。 DDR3内存 第三代DDR内存 DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit 预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。 三种类型DDR内存之间，从内存控制器到内存插槽都互不兼容。即使是一些在同时支持两种类型内存的Combo主板上，两种规格的内存也不能同时工作，只能使用其中一种内存。 内存SPD芯片 内存SPD芯片
常用参数一览表
三菱常用参数一览表 轴参数： #2011 G0back G0间隙补偿 #2012 G1back G1 间隙补偿 G00和G01 状态丝杆反相间隙补偿，单位时0.001/2 。 #2013 OT- 软件极限I- #2043 OT+ 软件极限I＋ 设定以基本机械坐标0点的软件极限领域。＃2013和＃2014设定相同数值 时软极限无效。 #2019 revnum 复归次序 设定每个伺服轴回归参考点的次序。 “0”：无次序 “1～NC最大轴数”：各轴归零次序。 压到行程开关时，轴移动的速度。 #2037 G53ops 参考点＃1 #2038 #2_rfp 参考点＃2 #2039 #3_rfp 参考点＃3 #2040 #4_rfp 参考点＃4 设定第二第三第四参考点对于机械原点的坐标值。 伺服参数： 2238 SV038 FHz) 伺服共振频率扼制 2205 VGN(1/sec)伺服马达增益 根据马达型号及马达惯量设定。 主轴参数： 3001 slimt 1 第一档主轴最高转速 3002 slimt 2 第二档主轴最高转速 3003 slimt 3 第三档主轴最高转速 3004 slimt 4 第四档主轴最高转速 3005 smax 1 第一档S指令最高转速 3006 smax 2 第二档S指令最高转速 3007 smax 3 第三档S指令最高转速 3008 smax 4 第四档S指令最高转速 Slimt和smax 设定相同，为主轴最高转速。 3207 OPST 0 主轴M19定位偏转角度，单位为4096/360.. 刀库乱刀调整在IF诊断#(R1954) (刀库刀号)（1） #(R1984) (刀库刀号) (1) #(R2970)(主轴刀号)（1） 在刀具登录页面将刀具重新输入。
DDR 内存参数
一、CAS、RCD、RP是内存芯片的重要参数，它们表示内存工作的延迟时间，当延迟时间越短，其内存的工作效率就越高，其性能也就越好。 CAS：CAS Latency，列地址脉冲选通潜伏期（又可简称为CL） RCD：RAS-to-CAS Delay，行寻址至列寻址延迟时间 RP：RAS Precharge Time，“行预充电时间” 二、 DDR400是JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council：联合电子设备工程协会）承认最高的DDR内存标准，而针对它以其工作时序参数划分了三个等级： DDR400A级的CAS-RCD-RP工作参数规定为：2.5-3-3 DDR400B级的CAS-RCD-RP工作参数规定为：3-3-3 DDR400C级的CAS-RCD-RP工作参数规定为：3-4-4 三、 SPD（Serial Presence Detect）其实是一片EEPROM电可擦写可编程只读存储器，它一般处在内存条正面的右侧，里面记录了诸如内存的速度、容量、电压、行/列地址带宽等十分重要的参数信息。当计算机开机工作时的BIOS就会自动读取内存SPD中的记录信息，以获让内存运行在规定的工作频率上 内存负责向CPU提供运算所需的原始数据，而目前CPU运行速度超过内存数据传输速度很多，因此很多情况下CPU都需要等待内存提供数据，这就是常说的“CPU等待时间”。内存传输速度越慢，CPU等待时间就会越长，系统整体性能受到的影响就越大。因此，快速的内存是有效提升CPU效率和整机性能的关键之一。 在实际工作时，无论什么类型的内存，在数据被传输之前，传送方必须花费一定时间去等待传输请求的响应，通俗点说就是传输前传输双方必须要进行必要的通信，而这种就会造成传输的一定延迟时间。CL设置一定程度上反映出了该内存在CPU接到读取内存数据的指令后，到正式开始读取数据所需的等待时间。不难看出同频率的内存，CL设置低的更具有速度优势。 上面只是给大家建立一个基本的CL概念，而实际上内存延迟的基本因素绝对不止这些。内存延迟时间有个专门的术语叫“Latency”。要形象的了解延迟，我们不妨把内存当成一个存储着数据的数组，或者一个EXCEL表格，要确定每个数据的位置，每个数据都是以行和列编排序号来标示，在确定了行、列序号之后该数据就唯一了。内存工作时，在要读取或写入某数据，内存控制芯片会先把数据的列地址传送过去，这个RAS信号（Row Address Strobe，行地址信号）就被激活，而在转化到行数据前，需要经过几个执行周期，然后接下来CAS信号（Column Address Strobe，列地址信号）被激活。在RAS信号和CAS信号之间的几个执行周期就是RAS-to-CAS延迟时间。在CAS信号被执行之后同样也需要几个执行周期。此执行周期在使用标准PC133的SDRAM大约是2到3个周期；而DDR RAM则是4到5个周期。在DDR中，真正的CAS延迟时间则是2到2.5个执
汽车基本参数详解
1.悬挂系统与汽车的发动机和变速器被称为汽车的三大主要部件，是一部汽车的核心技术。 2.车长,长宽,长高, 单位mm. 3.轮距(较宽的轮距有更好的横向的稳定性与较佳的操纵性能), 4.轴距（反应汽车内部空间重要参数), 5.最小离地间距(汽车底盘与地面的距离,距离越大,车辆的通过性就越好) 6.最小转弯直径: 外转向轮的轨迹圆直径（将车辆方向盘向某个方向打满,驾驶车辆转一个圈.表明汽车转弯性能灵活 与否的参数.) 7.空车质量(按出厂技术装备完整,油水加满后的质量.单位为kg) 8.允许总质量:汽车在正常条件下准备行驶时,包括载人/物时的允许总质量. 9.允许总质量-空车质量=汽车承重质量 10.车门数(2门, 3门,4门,5门,6门) 11.座位数(2位,5位不等),行李箱容积(单位L) 12.油箱容积:指一辆车能够携带燃油的体积,单位为L.一般油箱容积与该车的油耗有关,油箱要能保证车行驶500公里 以上.百公里耗油10升的话,油箱容积在60升左右. 13.前后配重:指车身前轴与车身后轴各自所承担重量的比.汽车的配重,一般是在50:50最平均. 14.接近角:汽车满载静止时,汽车前端突出点向前轮所引切线与地面的夹角. 15.离去角: 汽车满载静止时,身车身后端出点向后轮引切线与地面之间的夹角. 16.爬坡角度: 当汽车满载时在良好路面上用第一档克报的最大坡度角,它表汽车的爬坡能力.用度数表示. 17.最大涉水深度: 汽车所能通过的最深水域.单位mm. 评价汽车越野性能的重要指标. 18.发动机: 又称引擎,把化学能转化为机械能.装配在汽车上主要以汽油,柴油,电池等. 标准的描述方法:排气量+排列形 式+汽缸数+发动机特殊功能. 如宝马3升直列6缸双涡轮增压直喷发动机. 奔驰1.8升直列4缸机械增压发动机. 18.1发动机放置位置: 前置,中置,后置发动机. 或分为横向式/纵向式发动机. 18.2发动机结构: L直列V形, W形,H形,转子发动机(尺寸小,重量轻,功率大,但是技术复杂,成本高,耐用性低) 18.3进气方式: 自然吸气, 涡轮增压, 机械增压, 18.3.1自然吸气: 利用汽缸内产生的负压力,将外部空气吸入.（常用,寿命长,维修方便） 18.3.2涡轮增压: 相当一个空气压缩机.利用发动机排出的废气作为动力来推动涡轮室内的涡轮.优点是发动 机动力增加40%,缺点就是迟滞性. 18.3.3机械增压: 采用皮带与发动机曲轴皮带连接,利用发动机转速来带动机械增压器内部叶片,以产生增压 空气送入引擎进气管内.以此达到增压并使发动机输出动力变高的目的 18.4混合气形成方式: 单点电喷, 多点电喷, 直喷式 18.4.1单点电喷:以喷油嘴取代了化油器,进气总管中的节流阀体内设置一只喷射器,对各缸实施集中喷射,汽 油被喷入进气气流中,形成可燃混合气,同上进气歧分配到各个气缸内.（电子控制,但无法精确均匀混合 与分配） 18.4.2多点电喷:每个气缸都由单独的喷油嘴喷射燃油.(目前主流的形式,能够按照每个气缸的需求实现精确 的按需供油,因此,降低了油耗和排放. 18.4.3直喷式: 燃油喷嘴安装在气缸内,直接将燃油喷入气缸内与进气混合.喷射压力也进一步提高,使燃油雾 化更加细致,真正实现了精准地按比例控制喷油并与进气混合,并且消除了缸外喷射的缺点. 18.5排气量:指活塞从上止点到下止点所扫过的气体容积,又称单缸排量.它取决于缸径和活塞行程.排气量越大,功 率和扭矩就会越大.单位为升(L) 18.6最大功率: 也叫马力,单位是kw或ps. 千瓦/匹.输出功率与发动机的转速关系很大.有100kw/6000rpm. 18.7最大扭矩: 发动机性能的一个重要参数,是指定发动机运转时从曲轴端输出的平均力矩.扭矩的大小也是和发 动机转速有关系的.在不同的转速就会有不同的扭矩.扭矩越大,发动机输出的劲就越大.扭矩决定了汽车的加速能力,爬坡能力和牵引力. 18.8汽缸: 按照冷却方式分为水冷发动机(水套)和风冷发动机气缸体(散热片) 一般来说,缸数越多,排量越大, 功率 越高,速度越高,加速度也越快. 18.9每缸气门数: 指发动机每个汽缸所拥有的气门数,有2,3,4,5,6几种.但超过6结构复杂,寿命短.常用为4气门. 气 门与气缸数量可以作为判断发动机优劣标准之一,但不是唯一的. 18.10凸轮轴: 活塞发动机里的一个部件,它的作用是控制气门的开启和闭合动作.其材质一般是特种铸铁,或者锻件. 凸轮轴的主体是一根与汽缸组长度相同的圆柱形棒体.上面套有若干个凸轮,用于驱动气门.凸轮轴的一端是轴承支承点,另一端与驱动轮相连接.
内存芯片参数介绍
内存芯片参数介绍 具体含义解释： 例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit 的容量；56、55、57、5A代表256MBit的容量；51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C 为7.5ns (CL=2) ；80为8ns；10 为10ns (66MHz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。 注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC 校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 Hynix(Hyundai)现代 现代内存的含义： HY5DV641622AT-36 HY XX X XX XX XX X X X X X XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 1、HY代表是现代的产品 2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)； 3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V 4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref； 257=256Mbits、8K Ref 5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、
单反相机基本参数调试详解
单反相机基本参数调试详解
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单反相机基本参数调试详解 单反相机作为一种比较复杂的摄影工具,让一些新手望而却步。其实只要了解了相机的一些简单的参数,想要上手还是比较容易的，今天小编就整理了网上的一些关于单反相机基本参数调试的内容，分享给大家。?一、镜头的焦距?焦距在物理中是指透镜中心到平行光聚集点的距离;而在摄影中,是指当对焦在无穷远时，镜头中心到感光器成像平面的距离。因此，只要知道镜头的焦距是怎样影响拍摄效果的就可以了。图下就是不同焦距拍摄的示意图。? ? ?
二、等效焦距?我们把镜头上标注的焦距定义为绝对焦距。绝对焦距是不会随着相机的改变而改变的,它反映了镜头本身的物理特性。而等效焦距这个概念的出现是因为不同相机有着不同大小的感光器。简单来讲，相同的镜头装在不同大小感光器的相机上，照片拍出来的范围会有区别。 怎么来量化不同大小感光器带来的这种差异呢??尼康(NIKON)和佳能（CANOＮ）全幅相机的感光器大小一般在3６mm*２4ｍm左右，如尼康（NＩKＯＮ)D3ｘ,尼康(NIKＯＮ)D７00，佳能(CANON）1ＤｓMarｋIII，佳能(CAＮON）5DＭａrk II。尼康(NIKON）和佳能(CA ＮON）的非全幅(APS-C画幅）相机的感光器大小大约分别在24mｍ*１6mm和２2mm*15ｍm。我们将全幅相机（感光器大小为3６ｍｍ*２4mm的相机）作为摄影衡量标准。也就是说：所有能装在全幅相机上的镜头,等效焦距等于绝对焦距;而镜头在所有其他大小感光器相机上,等效焦距等于绝对焦距乘以一个固定的系数。?举个例子，镜头装在尼康（NIKON）的非全幅(APＳ-C画幅)相机上,如D3０0s，D90，等效焦距约等于绝对焦距乘以1.5倍；镜头装在佳能（CANOＮ)的非全幅(APS-Ｃ画幅）相机上,如７D,６0D，等效焦距约等于绝对焦距乘以1.6倍。意思就是这些镜头装在非全幅（AＰＳ-C画幅) 的相机上,拍摄出来的画面范围等效为一个更长的镜头在全幅相机上拍摄出来的范围。图下的几张例图可以很容易的帮助理解。 从图中我们可以看出一个2０0mm的镜头在APS-C画幅机器尼康(NIＫOＮ）D９0上拍摄到的范围与一个３00ｍm镜头在全画幅机器尼康（NIKOＮ)D7００上一致。 ?三、对焦?对焦又叫聚焦,
DDR系列内存详解及硬件设计规范-Michael
D D R 系列系列内存内存内存详解及硬件详解及硬件 设计规范 By: Michael Oct 12, 2010 haolei@https://www.360docs.net/doc/402637297.html,
目录 1.概述 (3) 2.DDR的基本原理 (3) 3.DDR SDRAM与SDRAM的不同 (5) 3.1差分时钟 (6) 3.2数据选取脉冲（DQS） (7) 3.3写入延迟 (9) 3.4突发长度与写入掩码 (10) 3.5延迟锁定回路（DLL） (10) 4.DDR-Ⅱ (12) 4.1DDR-Ⅱ内存结构 (13) 4.2DDR-Ⅱ的操作与时序设计 (15) 4.3DDR-Ⅱ封装技术 (19) 5.DDR-Ⅲ (21) 5.1DDR-Ⅲ技术概论 (21) 5.2DDR-Ⅲ内存的技术改进 (23) 6.内存模组 (26) 6.1内存模组的分类 (26) 6.2内存模组的技术分析 (28) 7.DDR 硬件设计规范 (34) 7.1电源设计 (34) 7.2时钟 (37) 7.3数据和DQS (38) 7.4地址和控制 (39) 7.5PCB布局注意事项 (40) 7.6PCB布线注意事项 (41) 7.7EMI问题 (42) 7.8测试方法 (42)
摘要： 本文介绍了DDR 系列SDRAM 的一些概念和难点，并分别对DDR-I/Ⅱ/Ⅲ的技术特点进行了论述，最后结合硬件设计提出一些参考设计规范。 关键字关键字：：DDR, DDR, SDRAM SDRAM SDRAM, , , 内存模组内存模组内存模组, , , DQS DQS DQS, DLL, MRS, ODT , DLL, MRS, ODT , DLL, MRS, ODT Notes : Aug 30, 2010 – Added DDR III and the PCB layout specification - by Michael.Hao
内存篇-三个影响内存性能的重要参数
内存篇-三个影响内存性能的重要参数 组装电脑选购内存时，还有一些影响其性能的重要参数需要注意，比如容量、电压和CL 值等。 ◎容量：容量是选购内存时优先考虑的性能指标，因为它代表了内存可以存储数据的多少，通常以GB 为单位。单根内存容量越大则越好。目前市面上主流的内存容量分为单条（容量为2GB、4GB、8GB、16GB）和套装（容量为2×2GB、2×4GB、2×8GB、8×4GB、4×4GB、16×2GB）两种。 ◎工作电压：内存的工作电压是指内存正常工作所需要的电压值，不同类型的内存电压不同，DDR2 内存的工作电压一般在1.8V 左右；DDR3 内存的工作电压一般在1.5V 左右；DDR4 内存的工作电压一般在1.2V 左右。电压越低，对电能的消耗越少，也就更符合目前节能减排的要求。 ◎CL 值：CL（CAS Latency，列地址控制器延迟）是指从读命令有效（在时钟上升沿发出）开始，到输出端可提供数据为止的这一段时间。对于普通用户来说，没必要太过在意CL 值，只需要了解在同等工作频率下，CL 值低的内存更具有速度优势。 小知识： 什么是内存超频？内存超频就是让内存外频运行在比它被设定的更高的速度下。一般情况下，CPU外频与内存外频是一致的，所以在提升CPU外频进行超频时，也必须相应提升内存外频，使之与CPU同频工作。内存超频技术目前在很多DDR4内存中应用，比如金士顿内存的PnP和XMP就是目前使用较多的内存自动超频技术。 CL值的含义 内存CL值通常采用4个数字表示，中间用“-”隔开，以“5-4-4-12”为例，第一个数代表CAS(Column Address Strobe)延迟时间，也就是内存存取数据所需的延迟时间，即通常说的CL值；第二个数代表RAS(Row Address Strobe)-to-CAS延迟，表示内存行地址传输到列地址的延迟时间；第三个数表示RAS Prechiarge延迟（内存行地址脉冲预充电时间）；最后一个数则是Act-to-Prechiarge延迟（内存行地址选择延迟）。其中最重要的指标是第一个参数CAS，它代表内存接收到一条指令后要等待多少个时间周期才能执行任务。 1
DDR内存时序设置详解
内存时序设置详解 内容概要 关键词：内存时序参数设置 导言：是否正确地设置了内存时序参数，在很大程度上决定了系统的基本性能。本文详细介绍了内存时序相关参数的基本涵义及设置要点。 与传统的SDRAM相比，DDR（Dual date rate SDRSM：双倍速率SDRAM），最重要的改变是在界面数据传输上，其在时钟信号上升缘与下降缘时各传输一次数据，这使得DDR 的数据传输速率为传统SDRAM的两倍。同样地，对于其标称的如DDR400，DDR333，DDR266数值，代表其工作频率其实仅为那些数值的一半，也就是说DDR400 工作频率为200MHz。 FSB与内存频率的关系 首先请大家看看FSB(Front Side Bus：前端总线)和内存比率与内存实际运行频率的关系。 FSB/MEM比率实际运行频率 1/1 200MHz 1/2 100MHz 2/3 133MHz 3/4 150MHz 3/05 120MHz 5/6 166MHz 7/10 140MHz 9/10 180MHz 对于大多数玩家来说，FSB和内存同步，即1:1是使性能最佳的选择。而其他的设置都是异步的。同步后，内存的实际运行频率是FSBx2，所以，DDR400的内存和200MHz的FSB正好同步。如果你的FSB为240MHz，则同步后，内存的实际运行频率为240MHz x 2 = 480MHz。
FSB与不同速度的DDR内存之间正确的设置关系 强烈建议采用1：1的FSB与内存同步的设置，这样可以完全发挥内存带宽的优势。内存时序设置 内存参数的设置正确与否，将极大地影响系统的整体性能。下面我们将针对内存关于时序设置参数逐一解释，以求能让大家在内存参数设置中能有清晰的思路，提高电脑系统的性能。 涉及到的参数分别为： ?CPC : Command Per Clock ?tCL : CAS Latency Control ?tRCD : RAS to CAS Delay ?tRAS : Min RAS Active Timing ?tRP : Row Precharge Timing ?tRC : Row Cycle Time ?tRFC : Row Refresh Cycle Time ?tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay) ?tWR : Write Recovery Time ?……及其他参数的设置 CPC : Command Per Clock 可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。 Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。
内存参数
内存 内存的主流品牌 目前市场上的主流品牌有金士顿（Kingston）、金邦（GEIL）、宇瞻（Apacer）、微刚（ADATA）、刚胜（Kingmax）、现代（Nynex）、三星（Samsung）、海盗船（Corsair）、芝奇（G.skill）、OCE、金泰克等。这些内存采用的工艺略有不同，性能上也多少有些差异。 内存的分类 现在市场上内存可以分为两种。 ①SDRAM： SDRAM又称为同步动态存储器，可以与CPU外频同步运作，有PC100、PC133、PC150等规格，目前的SDRAM都是以168Pin DIMM的内存模块出现。 ②DDR SDRAM： DDR是指Double Data Rate，它的传输速率是SDRAM的两倍，DDR标准包括DDR I、DDRII和DDRIII。DDR插槽与SDRAM插槽两侧的线数不同，DDR应用184pins（针脚）。因此，DDR内存和SDRAM的内存不能换插。 DDR I的主要型号有DDR266，工作频率为133MHz；DDR333，工作频率从为166MHz；DDR400，工作频率为200MHz。 现在DDRII正在逐渐占领主流市场，其频率在533MHz以上。从长远来说，DDRII最终会取代DDR 1，但就目前来说，DDRII的优势还不是特别明显，虽然在频率上有很大提高，但是在时间延迟上却长于DDR400，所以目前的DDR400和DDRII（533）性能差不多，除非选择高端的DDR II（800）。 预计DDRIII将在不久的将来正是面世，工作电压将下降，并且将会使用更
新的信号技术，实现更高的宽带，初始频率预计将达到800MHz，甚至更高。 内存的主要性能参数 ①容量 每个时期的内存条的容量都多种规格、例如，早期的30线内存条有256KB、1MB、4MB等容量，后来72线的EDD内存有4MB、8MB、16MB等容量，目前流行的168线SDRAM内存常见的内存容量有32MB、64MB、128MB、256MB、512MB、1GB等。 数据带宽 数据带宽指内存的数据传输速度，是衡量内存性能的重要指标。PCI00 SDRAM在额定频率（100MHz）下工作时，其峰值数据传输速度可以达到800MB/s。而PCI33SDRAM其峰值数据传输速度可达1.06GB/s，比PCI00内存提高了200MB/s。对于DDR DRAM,由于在同一个时钟周期的上升和下降沿都能传输数据，所以工作在133MHz时，实际传输速度可达2.1GB/s。 ②时钟周期 时钟周期代表了SDRAM所能运行的最大频率。显然，这个数字越小，说明SDRAM芯片所能运行的频率越高。对于一普通的PC 100 SDRAM来说，它芯片上的标识“-10”代表了它运行的时钟周期为10ns，即可以在100MHz的外频下正常工作。为什么说SDRAM 的时钟周期代表可它能运行的最大频率呢？SDRAM时钟周期的单位是ns（纳秒），而其最大工作频率则为MHz（兆赫兹），这两者有何关联呢？两者的关系其实很简单，遵循了“频率=1/周期”的原理。由于ns时10-9秒，而MHz是106Hz，因为以ns为单位的周期数值与以MHz为单位的频率数值的乘积应为1 000。所以说时钟周期为10ns的SDRAM可以在100MHz的外频下工作。根据同样的道理，我们可以算出各个时钟周期下的