2017年秋季模拟电子技术期末考核

2017年秋季模拟电子技术期末考核
2017年秋季模拟电子技术期末考核

期末作业考核

《模拟电子技术》

满分100分

一、简答题(每题10分,共30分)

1. 在集成运算放大电路中,常用的偏置电路有哪几种?

答:镜像电流源、比例电流源和微电流源。

2.简述温度对三极管参数的影响。

答:首先,从输入特性看,当温度升高时。为得到同样的I B所需的U BE值将减小。

其次,温度升高时三极管的β值也将增加,使输出特性之间的间距增大。

最后,当温度升高时,三极管的反向饱和电流I CBO将急剧增加。

3.试对放大电路三种基本组态进行比较。

答:(1)、共射电路同时具有较高的电压放大倍数和电流放大倍数,输入电阻和输出电阻值比较适中,所以,一般只要对输入电阻、输出电阻和频率相应没有特殊要求的地方,均常采用。因此,共射电路被广泛地用作低频电压放大电路的输入级、中间级和输出级。

(2)、共集电路的特点是电压跟随,这就是电压放大倍数接近于1而小于1,而且输入电阻很高、输出电阻很低,由于具有这些特点,常被用作多级放大电路的输入级、输出级或作为隔离用的中间级。

(3)、共基电路的突出特点在于它具有很低的输入电阻,使晶体管结电容的影响不显著,因而频率相应得到很大的改善,所以这种接法常常用于宽频带放大器中。另外,由于输出电阻高,共基电路还可以作为恒流源。

页脚内容1

页脚内容2 二、计算题(共70分)

1. 下图表示同向输入放大电路。试求此电路的放大倍数A V 。(15分)

解:11

i i

v v i R '

+=

()

o i i f f v v v i R '-+=

因1f i i =,故

1()

i i o i i f

v v v v v i R R ''+-+=

根据“虚短”概念知0i v '=,故

1

1i o f

v v v R R -=

页脚内容3 所以111f o v R v A v R ==+

即仅由电阻比确定。而且,同相输入放大器的放大倍数大于1。

2. 一个晶体管的基极电流I B =20μA ,集电极电流I C =1.5mA ,能否从这两个数据来确定它的电流放大系数?为什么?(15分)

解:因为电流放大系数C B

I I β?=?,所以严格地说,不能由一个I B 和一个I C 的值来确定它的电流放大系数。但是对于一个质量比较好的晶体管,如果基极电流I B =0时,集电极电流也基本为零,则00C C C B B B

I I I I I I β?-===?-。也就是直流电流放大倍数β,所以 1.57520C B I mA I A

ββμ==

== 3. 如图说是电路中U CC =12V ,R B =400K Ω,R C =3 K Ω,晶体管β=80,锗管。试求:

(1)估算放大电路的静态工作点,并标出电压、电流的极性和方向;

(2)应选多大的R B 才能使管压降U CE =-2.4V ;

(3)若调整电流I C =1.6mA ,问R B 应选多大?(20分)

页脚内容4

解:12

30400CC

B B U V I A R K μ-≈==Ω

8030 2.4C B I I A mA βμ==?=

12 2.43 4.8CE CC C C U U I R V =-+=-+?=- 电压、电路的极性和方向如下图。

(2)若管压降U CE =-2.4V ,则

页脚内容5 2.412 3.23CE CC C C U

U V V I mA R K +-+===Ω

11 3.24080

B C I I mA A μβ≈=?= 所以1230040CC

B B U V R K I A

μ-≈==Ω (3)若I C =1.6mA ,则11 1.62080

B C I I mA A μβ≈=?= 那么1260020CC

B B U V R K I A

μ-≈==Ω

4. 如图所示发射极接地电路中,当V BE 从0.1v 变化列0.4v 时,基极电流从0.2mA 变化到0.8mA ,集电极电流从14mA 变化到44mA 。求此时的电流放大系数h fe (=β)。(20分)

解:基极电流的变化量

IB 及集电极电流的变化量IC ,可由此二电流在变化后的大小减去变化前

的大小而得到:

IB (0.80.2)103A 0.6103A IC (4414)103A 30103A IC3010 3

50 所以,hfe()3IB0.610

即集电极电流的变化量相当于基极电流变化量的50倍。

页脚内容6

模拟电子技术试卷及答案样本

模拟试卷一 一、填空(16分) 1.半导体二极管的主要特性是___________ 。 2.三极管工作在放大区时, 发射结为____ 偏置, 集电结为_____偏置; 工作在饱和区时发射结为___偏置, 集电结为____偏置。3.当输入信号频率为fL和fH时, 放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍, 或者是下降了__dB, 此时与中频时相比, 放大倍数的 附加相移约为_____ 。 4.为提高放大电路输入电阻应引入___反馈; 为降低放大电路输出电阻, 应引入_____反馈。 5.乙类功率放大电路中, 功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下, 可达到_____, 但这种功放有______失真。 6.在串联型稳压电路中, 引入了——负反馈; 为了正常稳压, 调整管必须工作在____区域。 二、选择正确答案填空(24分) 1.在某放大电路中, 测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V, -10 V, -9.3 V, 则这只三极管是( )。 A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管2.某场效应管的转移特性如图1所示, 该管为 ( )。

A.P沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管 C.N沟道增强型MOS管 D.N沟道耗尽型MOS管 3.在图示2差分放大电路中, 若uI = 20 mV, 则电路的( )。 A.差模输入电压为10 mV, 共模输入电压为10 mV。 B.差模输入电压为10 mV, 共模输入电压为20 mV。 C.差模输入电压为20 mV, 共模输入电压为10 mV。 D.差模输入电压为20 mV, 共模输入电压为20 mV。 4.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路, 这是因为它的( )。 A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 5.在图示电路中,Ri为其输入电阻, RS为常数, 为使下限频率fL 降低, 应( )。 A.减小C, 减小Ri B.减小C, 增大Ri C.增大C, 减小Ri D.增大C, 增大 Ri 6.如图所示复合管, 已知V1的 b1 = 30, V2的 b2 = 50, 则复

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向) 导电性。 2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温 度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其 反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集) 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳 定交流输出电流采用(串联)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=(1/ F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(), ()称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号, 而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互 补功率放大器。 13、OCL电路是()电源互补功率放大电路; OTL电路是()电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻 ()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()

模拟电子技术基础试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空(18分) 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ,桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ,经过电容滤波后为 12 V ,二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3.差分放大电路,若两个输入信号u I1u I2,则输出电压,u O 0 ;若u I1=100V ,u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ;共模输入电压u Ic = 90 V 。 4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。 5.若三级放大电路中A u 1A u 230dB ,A u 320dB ,则其总电压增益为 80 dB ,折合为 104 倍。 6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到 78.5% ,但这种功放有 交越 失真。 7.集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空(20分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V ,-9.3 V ,则这只三极管是( A )。 A .NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。 A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。 A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻,R S 为常数,为使下限频率f L 降低,应( D )。 A . 减小C ,减小R i B. 减小C ,增大R i C. 增大C ,减小 R i D. 增大C ,增大 R i 5.如图所示复合管,已知V 1的1 = 30,V 2的2 = 50,则复合后的约为( A )。 A .1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( A )。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1

模拟电子技术试卷(含答案)

一、填空(30分,每空1分) 1、半导体中存在两种载流子,分别为 电子和 空穴 。杂质半导体分为两种,分别为 N 型半导体 和 P 型半导体 。 2、三极管实现放大作用的内部结构条件是发射区掺杂浓度 高;基区做得 很薄 ,且掺杂浓度 低 。实现放大作用的外部条件是外加电源的极性应保证了射结正偏 ;而集电结 反偏 。 3、组成放大电路的基本原则是外加电源的极性应使三极管的 发射结 正向偏置,三极管的 集电结 反向偏置,以保证三极管工作在放大区。针对放大电路的基本分析方法有两种,分别为 微变等效法 和 图解法 。 4、基本放大电路有三种组态,即 共发射极 、 共基极 和 共集电极 。多级放大电路常用的耦合方式有三种,分别为 直接耦合、阻容耦合 和变压器耦合。多级放大电路的电压放大倍数为各级电压放大倍数的 代数乘积 。 13、电压负反馈使输出电压 稳定 ,因而降低了放大电路的 输出电阻;电流负反馈使输出电流 稳定 ,因而提高了电路的 输出电阻 。串联负反馈增大 放大电路的输入电阻,并联负反馈则减小输入电阻。在实际的负反馈放大电路中,有以下四种基本的组态,分别为 电压串联负反馈、电压并联负反馈 、电流串联负反馈、电流并联负反馈。 二、按要求选其中正确的一项填入括号(20分,每小题4分) 1、在某种纯净的半导体中掺入以下杂质可以形成N 型半导体。(D) A 、含四价元素的杂质 B 、含空穴的杂质 C 、三价元素镓 D 、五价元素磷 2、在三极管的基本组态电路中(B) A 、共集组态的电压增益最大 B 、共集组态的电压增益最小 C 、共发组态的电压增益最小 D 、共基组态的电压增益最小 3、差分放大器是一种直接耦合放大器,它(D) A 、只能放大直流信号 B 、只能放大交流信号 C 、不能放大交流信号 D 、可以抑制共模信号 4、在实际工作中调整放大器的静态工作点一般是通过改变(C) A 、发射极电阻 B 、集电极电阻 C 、基极电阻 D 、三极管的值 5、判断负反馈电路可能发生自激振荡的根据有(C ) A 、负反馈深度较大的两级放大电路; B 、环路增益的幅值 1 AF ; 得分 评卷人

模拟电子技术期末考试试卷及答案

《模拟电子技术》期末考试卷 一、填空题(20 分) 1、二极管最主要的特性是 。 2、当三极管处于放大状态时其放射结、集电结的偏置方式为 、 。 3、多级放大电路中,常见的级间的耦合方式有 、 、 。 4、负反馈放大电路中的四种组态为 、 、 、 。 5、正弦波振荡电路的振荡条件为 、 。 二、选择题(20分) 1、P 型半导体中的多数载流子是 ,N 型半导体中的多数载流子是 。A 、电子 B 、空穴 C 、正离子 2、杂质半导体中少数载流子的浓度 本征半导体载流子的浓度。A 、大于 B 、小于 C 、等于 3、温度升高,二极管在正向电流不变的情况下的正向电压 ,反向电流 。 A 、增大 B 、减小 C 、不变 4、如图所示复合管,已知V 1的1 = 30,V 2的 2 = 50,则复合后的 约为 ( )。 A .1500 .80 C 5、RC 串并联网络在f=f 0=1/2 RC 时呈 。 A 、感性 B 、阻性 C 、容性 三、判断题(10分)(对的打“√”,错的打“×”) 1、本征半导体温度升高后,两种载流子浓度还是相等。( ) 2、参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差模信号,不能放大共模信号。( ) 3、放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。( ) 4、负反馈越深,电路的性能越稳定。( ) 5、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。( ) 四、简答题:( 25分) 1.写出下图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D =。 V 2 V 1

2、判断下图所示电路中是否引入了反馈,如果有反馈试判断反馈类型 ¥+ -+R S u o R L u i R F (b) R 1 R 2 R 4 R 5 R 3 u i + -+v cc -+ V 1 V 2 u o C 1 +- 3、 电路下图所示:请将图中左右两部分正确连接起来,使之能够产生正弦波振荡 五、计算题(25分) 1、电路如下图所示,试求出电路A U 、R i 、和R 0的表达式。

模拟电子技术期末试题及答案

《模拟电子期末练习题》应用电子2班张昌文 《模拟电子技术》模拟试题一 填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是()电流,它由()载流子形成,其大小与()有关,而与外加电压()。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变大),发射结压降(变小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共)、()、()放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用()负反馈,为了稳定交流输出电流采用()负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=()。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(),()称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称 为()信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙类)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路;OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极电路电压放大倍数(1),输入电阻(大),输出电阻(小),常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称(调幅),未被调制的高频信号是运载信息的工具称(载波信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KU X U Y ),电路符号是()。 二、选择题 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在(B)状态,但其两端电压必须(C),它的稳压值Uz才有 导通电流,否则处于(F )状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是(C),该管是(D)型。 A、( B、 C、E)B、(C、B、E)C、(E、C、B) D、(NPN) E、(PNP) 3、对功率放大器的要求主要是(B)、(D)、(E)。A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为(b ),此时应该( e )偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了(C)而设置的。A、稳定Au B、放大信号C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是(A )。A、压串负B、流串负C、压并负 7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ(B )倍。A、1 B、2 C、3 8、为了使放大器带负载能力强,一般引入(A )负反馈。A、电压B、电流C、串联

模拟电子技术基础试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空(18分) 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 3.差分放大电路中,若u I1=100μV ,u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ; 共模输入电压u Ic = 90 μV 。 4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。 6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到 78.5% ,但这种功放有 交越 失真。 二、选择正确答案填空(20分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V ,-9.3 V ,则这只三 极管是( A )。 A .NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。 A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。 A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( A )。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8.与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a .不用输出变压器 b .不用输出端大电容 c .效率高 d .无交越失真 9.稳压二极管稳压时,其工作在( C ),发光二极管发光时,其工作在( A )。 a .正向导通区 b .反向截止区 c .反向击穿区 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图

模拟电子技术试卷B带答案

一、填空题(1-20题。每小题有3个选项,其中只有一个是正确的,请并将 其代号填写在题中括号内,每小题1分,共20分。) 1.三端集成稳压器CXX7805的输出电压是()。 A 5v B 9v C 12v 2. 测某电路中PNP三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三 个电极分别是()。 A (E、C、B) B (C、B、E) C (B、C、E) 3. 三极管的反向电流I CBO是由()组成的。 A、多数载流子 B、少数载流子 C、多数载流子和少数载流子 4. 反映场效应管放大能力的一个重要参数是()。 A输入电压 B 击穿电压 C 跨导 5. 引入并联负反馈,可使放大器的()。 A. 输出电压稳定 B.反馈环内输入电阻增加 C. 反馈环内输入电 阻减小 6.差分放大电路是为了()而设置的。 A、稳定Au B、放大信号 C、抑制零点漂移 7. LM386是集成功率放大器,它可以使电压放大倍数在()之间变化。 A、0~20 B、20~200 C、200~1000 8.通用型集成运放的输入级通常采用()电路。 A. 差分放大 B. 基本共射极放大 C.电流源 9.交流负反馈是指()。 A. 只存在于阻容耦合电路中的负反馈 B. 交流通路中的负反馈 C.放大正弦信号时才有的负反馈 10.共集电极放大电路的负反馈组态是()。 A、电压串联负反馈 B、电流串联负反馈 C、电压并联负 反馈 11. 典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出,共模电压放大倍数

( )。 A.变大 B.变小 C.不变 12.某滤波器的通带增益为0A ,当0f →时,增益趋向于零;当f →∝时,增益趋向于0A ;那么,该滤波器具有( )特性。 A. 高通 B.低通 C.带通 13.实际上,乙类互补推挽功放电路中的交越失真就是( )。 A.幅频失真 B.饱和失真 C.截止失真 14.桥式整流电路如图1.14所示,流过二极管的平均电流为( )mA 。 图1.14 A. 4.5 B. 9 D. 14.14 15.在正弦振荡电路中,能产生等幅振荡的幅度条件是( )。 A.A F =1 B. A F <1 C . A F ≤1 16.由开关组成的逻辑电路如图1.16所示,设开关接通为“1”,断开为“0”,电灯亮为“1”,电灯暗为“0”,则该电路为 ( )。 A 图1.16 A. “ 与”门 B.“ 或”门 C. “ 非”门 17. 数/模转换器的分辨率取决于( )。 A. 输入的二进制数字信号的位数,位数越多分辨率越高. B. 输出的模拟电压的大小,输出的模拟电压越高,分辨率越高. C. 参考电压U R 的大小,U R 越大,分辨率越高. 18.逻辑电路如图1.18所示,当 A=“0”,B=“1”时,C 脉冲来到后D 触发器 ( )。

模拟电子技术期末试题

第四章 集成运算放大电路 自 测 题 一、选择合适答案填入空内。 (1)集成运放电路采用直接耦合方式是因为 C 。 A .可获得很大的放大倍数 B . 可使温漂小 C .集成工艺难于制造大容量电容 (2)通用型集成运放适用于放大 B 。 A .高频信号 B . 低频信号 C . 任何频率信号 (3)集成运放制造工艺使得同类半导体管的 C 。 A . 指标参数准确 B . 参数不受温度影响 C .参数一致性好 (4)集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 A 。 A .减小温漂 B . 增大放大倍数 C . 提高输入电阻 (5)为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用 A 。 A .共射放大电路 B . 共集放大电路 C .共基放大电路 解:(1)C (2)B (3)C (4)A (5)A 二、判断下列说法是否正确,用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。 (1)运放的输入失调电压U I O 是两输入端电位之差。(×) (2)运放的输入失调电流I I O 是两端电流之差。(√) (3)运放的共模抑制比c d CMR A A K (√) (4)有源负载可以增大放大电路的输出电流。(√) (5)在输入信号作用时,偏置电路改变了各放大管的动态电流。(× )

习题 4.1 通用型集成运放一般由几部分电路组成,每一部分常采用哪种基本电路?通常对每一部分性能的要求分别是什么? 解:通用型集成运放由输入级、中间级、输出级和偏置电路等四个部分组成。 通常,输入级为差分放大电路,中间级为共射放大电路,输出级为互补电路,偏置电路为电流源电路。 对输入级的要求:输入电阻大,温漂小,放大倍数尽可能大。 对中间级的要求:放大倍数大,一切措施几乎都是为了增大放大倍数。 对输出级的要求:带负载能力强,最大不失真输出电压尽可能大。 对偏置电路的要求:提供的静态电流稳定。 第五章放大电路的频率响应 自测题 一、选择正确答案填入空内。 (1)测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,可以得到它的频率响应,条件是 A 。 A.输入电压幅值不变,改变频率 B.输入电压频率不变,改变幅值 C.输入电压的幅值与频率同时变化 (2)放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 B ,而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 A 。 A.耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管极间电容和分布电容的存在。 C.半导体管的非线性特性 D.放大电路的静态工作点不合适 (3)当信号频率等于放大电路的f L或f H时,放大倍数的值约下降到中频时的 B 。 A.0.5倍 B.0.7倍 C.0.9倍 即增益下降 A 。 A.3dB B.4dB C.5dB

模拟电子技术基础试卷及其参考答案

模拟电子技术基础试卷及参考答案 试卷一专升本试卷及其参考答案 试卷一(总分150分) (成人高等学校专升本招生全国统一考试电子技术基础试卷之一) 一、选择题(本大题10个小题,每小题4分,共40分。在每小题给出的四个选项中,只有一项是符合题目要求的,把所选项前的字母填在题后的括号内。) 1. 用万用表的R ×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω,若改用R ×1k 档,测量同一二极管,则其正向电阻值( ) a. 增加 b. 不变 c. 减小 d. 不能确定 2. 某三极管各电极对地电位如图2所示,由此可判断该三极管( ) a. 处于放大区域 b. 处于饱和区域 c. 处于截止区域 d. 已损坏 图2 3. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V ,当接入2k Ω负载后,其输出电压降为4V ,这表明该放大电路的输出电阻为( ) a. 10k Ω b. 2k Ω c. 1k Ω d. 0.5k Ω 4. 某放大电路图4所示.设V CC >>V BE,L CEO ≈0,则在静态时该三极管处于( ) a.放大区 b.饱和区 c.截止区 d.区域不定 图4 5. 图5所示电路工作在线性放大状态,设L R '=R D //R L ,则电路的电压增益为( )

a.L m R g ' b.s m L m 1R g R g +'- C.L m R g '- d.m L /g R '- 图5 6. 图5中电路的输入电阻R i 为( ) a. R g +(R g1//R g2) b. R g //(R g1+R g2) c. R g //R g1//R g2 d. [R g +(R g1//R g2)]//(1+g m )R S 7. 直流负反馈是指( ) a. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 b. 放大直流信号时才有的负反馈 c. 直流通路中的负反馈 d. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( ) a. 输入信号所包含的干扰和噪声 b. 反馈环内的干扰和噪声 c. 反馈环外的干扰和噪声 d. 输出信号中的干扰和噪声 9. 在图9所示电路中,A 为理想运放,则电路的输出电压约为( ) a. -2.5V b. -5V c. -6.5V d. -7.5V 图9 10. 在图10所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid 为( ) a. 10mV b. 20mV c. 70mV d. 140mV 图10

模拟电子技术期末考试

课程《模拟电子技术》 一、填空题(1分×30=30分) 1、在掺杂半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 ,而少数载流子的浓度则与 有很大的关系。 2、二极管的伏安特性曲线上可以分为 区、 区、 区和 区四个工作区。 3、一个直流电源必备的3 个环节是 、 和 4、晶体三极管放大器中,当输入电流一定时,静态工作点设置太低,将产生 失真;静态工作点设置太高,将产生 失真。 5、理想集成运放组成的基本运算电路,它的反相输入端和同相输入端之间的电压为 ,这称为 。运放的两个输入端电流为 ,这称为 。 6、差模输入信号时两个输入信号电压的 值,共模输入电压信号是两个输入信号的 值。u i1=20mV ,u i2=18mV 时, u id = mV ,u ic = mV 。 7、将放大电路 的全部或部分通过某种方式回送到输入端,这部分信号称为 信号。 使放大电路净输入信号减小,放大倍数也减小的反馈,称为 反馈;使放大电 路净输入信号增加,放大倍数也增加的反馈,称为 反馈。 8、正弦波振荡器的振荡条件中,幅值平衡条件是指 ,相位平衡条件是 指 ,后者实质上要求电路满足 反馈。 9、电路如图所示,已知VT1、VT2的饱和压降|UCES|=3V ,Ucc=15V ,RL=8欧。则最大输出功率Pom 为 。 10、串联型稳压电路由 、 、 、 组成。 二、选择题(2分×10=20分) 1、某晶体管的极限参数为:I CM =100mA ,U BR(CEO)=20V ,P CM =100mW ,则该器件正常工作状态为( ) A I C =10mA U CE =15V B I C =10mA U CE =9V C I C =100mA U CE =9V D I C =100mA U C E =15V 2、测得晶体管在放大状态的参数时,当I B =30uA I C =2.4m A I B =40uA I C =3m A 时。则晶体管交流放大系数β为( ) A 80 B 60 C 75 D 90 3、射极输出器的输出电阻小,说明电路的( ) A 带负载能力差 B 带负载能力强 C 减轻前级或信号源的负荷 D 增加前级或信号源的负荷 4、放大电路产生零点漂移的主要原因是: ( ) A 电压增益过大 B 环境温度变化 C 采用直接耦合 D 采用阻容耦合

模拟电子技术基础期末考试试题(B)

模拟电子技术基础期末考试试题(B ) 姓名 班级 学号 计分 1.电路如图P1.4所示,已知u i =5sin ωt (V),二极管导通电压U D =0.7V 。试画出u i 与u O 的波形,并标出幅值。 (5分) 2. 设图中A 为理想运放,请求出各电路的输出电压值。(12分) U 01 = U 02 = U 03 = U 04 = U 05 = U 06 = 3. 电路如图所示,设满足深度负反馈条件。 1.试判断级间反馈的极性和组态; 2.试求其闭环电压放大倍数A uf 。 (10分) (1) (2) 10 k Ω (3) 20 k Ω 2(5) 2 o5 (6) 2 20 k Ω

4. 试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡。如可能振荡,指出该振荡电路属于什么类型(如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等),并估算其振荡频率。已知这两个电路中的L=0,C 1,C 2=F 。(8分) 5. 在图示电路中,设A 1、A 2、A 3均为理想运算放大器,其最大输出电压幅值为±12V 。 1. 试说明A 1、A 2、A 3各组成什么电路? 2. A 1、A 2、A 3分别工作在线形区还是非线形区? 3. 若输入为1V 的直流电压,则各输出端u O1、u O2、u O3的电压为多大?(10分) V CC V CC (a ) C b (b )

r=100Ω。 6.电路如图所示,晶体管的 =100,' bb A 、R i和R o; (1)求电路的Q点、 u (2)若电容C e开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化?如何变化?(15分) r=100Ω,U B E Q≈0.7。试计算R W滑动端7.图所示电路参数理想对称,晶体管的β均为50,' bb 在中点时T1管和T2管的发射极静态电流I EQ,以及动态参数A d和R i。(15分)

本科期末《模拟电子技术》试题与答案

图2 《模拟电子技术》试题 开卷( ) 闭卷(√) 考试时长:100分钟 一、单项选择题(10*2=20分) 每小题备选答案中,只有一个符合题意的正确答案。请将选定的答案,按答题卡的要求进 行填涂。多选、错选、不选均不得分。 1、半导体二极管加正向电压时,有( ) A 、电流大电阻小 B 、电流大电阻大 C 、电流小电阻小 D 、电流小电阻大 2、半导体稳压二极管正常稳压时,应当工作于( ) A 、反向偏置击穿状态 B 、反向偏置未击穿状态 C 、正向偏置导通状态 D 、正向偏置未导通状态 3、三极管工作于放大状态的条件是( ) A 、发射结正偏,集电结反偏 B 、发射结正偏,集电结正偏 C 、发射结反偏,集电结正偏 D 、发射结反偏,集电结反偏 4、三极管电流源电路的特点是( ) A 、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻小 B 、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻大 C 、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻小 D 、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻大 5、画三极管放大电路的小信号等效电路时,直流电压源VCC 应当( ) A 、短路 B 、开路 C 、保留不变 D 、电流源 6、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合,可以在信号源与低阻负载间接入( ) A 、共射电路 B 、共基电路 C 、共集电路 D 、共集-共基串联电路 7、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V 、2.7V 、2V ,(见图2所示)则此三极 管为( ) A 、PNP 型锗三极管 B 、NPN 型锗三极管 C 、PNP 型硅三极管 D 、NPN 型硅三极管 8、当放大电路的电压增益为-20dB 时,说明它的电压放大倍数为( ) A 、20倍 B 、-20倍 C 、-10倍 D 、0.1倍 9、电流源的特点是直流等效电阻( ) A 、大 B 、小 C 、恒定 D 、不定 10、在单相桥式整流电容滤波电路中,设U2为其输入电压,输出电压的平均值约为( ) A 、U0=0.45U2 B 、U0=1.2U2 C 、U0=0.9U2 D 、U0=1.4U2 二、填空题(25*1=25分) 1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为 V ,导通后在较大电流下的正向压降约为 V ;锗二极管的门槛电压约为 _ _V ,导通后在较大电流下的正向压降约为_ _V 。 2、二极管的正向电阻 ;反向电阻 。

《模拟电子技术》大学期末考试题及答案(七)

《模拟电子技术》模拟试题七 一、选择题(每空2分,共34分) 1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是() A 5v B 9v C 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是(),该管是()。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为()失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为()失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率 4、差分放大电路是为了()而设置的。 A稳定Au B放大信号C抑制零点漂移 5、对功率放大器的主要要求有()()() A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 6、LM386是集成功率放大器,它可以使电压放大倍数在()变化。 A 0-20 B 20 -200 C 200-1000 7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( )U2。 A 0.45 B 0.9 C 1.2 8、当集成运放线性工作时,在两条分析依据()()。 A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1 9、对功率放大器的主要要求有()()()。 A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 10、振荡器的输出信号最初是由()而来的。 A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声信号 二、填空题(每空1分,共32分) 1、自由电子为()载流子,空穴为()载流子的杂质半导体称为()半导体。 2、PN结的单向导电性,就是PN结正偏时(),反偏时()。 3、扩展运动形成的电流是()电流,漂移运动形成的电流是()。 4、所谓理想二极管就是当其正偏时,结电阻为(),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(),等效成开断。 5、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是()控制文件。 6、当温度升高时三极管的集电极电流IC(),电流放大系数β

长沙理工大学模拟电子技术试卷及答案04

一、填空(本题共20分,每空1分): 1.共射极放大电路中,若增加输入的正弦波信号,首先出现输出电压顶部削平的失真,这种失真是________失真,原因是静态工作点偏________。 2.在集成运放中,电流源电路的主要作用有两种:一是为放大电路提供合适的________,二是作为放大电路的________。 3. 场效应管的转移特性如图1所示。由图可知该管的I DSS =________,U GS(off)=________。 4.负反馈放大电路产生自激振荡的幅度条件是________,相位条件是________。 5. 在放大电路中,引入电压负反馈可以稳定________、降低________。 6. 串联型稳压电路一般由调整管、________电路、________电路、________电路这几个部分组成。 7.多级放大电路常见的三种耦合方式为:阻容耦合、________耦合和________耦合。 8.从结构上看,集成运放通常由________电路、输入级、________和输出级四部分组成。 9.功率放大电路如图2。(设U BE >0时,管子立即导通,忽略管子的饱和压降)电路最大输出功率P Omax =________,最大效率max η=________,T 1和T 2的耐压BR)CEO (U 至少应为________。 1. 截止,低。 2. 偏置电流,有源负载。 3. 6mA ,-6V 。 4. 1=F A &&,φA +φF =(2n +1)π,n 为整数。 5. 输出电压(或Uo ),输出电阻(或Ro )。 6. 基准电压电路,取样电路,比较放大电路。 7. 直接;变压器。 8. 偏置,中间放大级。 9. 9W ,78.5%,24V 。 图 1 图2 二、判断(本题共12分): 1.(本小题4分) 电路如图3所示。试用相位平衡条件判断是否有可能产生振荡。图中电容C E 、 C B 、C S 、C G 的容量足够大,对交流来说可视为短路。 3.(本小题8分) 电路如图4(a )和(b )所示。图中各电容的容量足够大,试判断电阻R 引入的反馈类型。(说明反馈是正、负、交流、直流、电压、电流、串联、并联反馈中的哪些类型) 解:1.(本小题4分)φA +φF =0,可能振荡。 2.(本小题8分)(a )、(b )均为交直流电流串联负反馈。 CC o

模拟电子技术试卷B答案

1、填空题(0.5分×20=10分) (1)N型半导体中有 2 种载流子,其中自由电子是多子。 (2)共集电极放大电路的信号是从基极输入,从发射极输出,输入与输出的相位关系是同相关系。 (3)场效应晶体管可以分为两大类:分别是结型(FJFET)和绝缘栅型(IGFET)。 (4)集成运算放大器的输入极一般采用差分放大电路电路,输出级一般采用功率放大电路电路。(5)使输入电阻增大的是串联负反馈,使输出电阻减小的是电压负反馈。 (6)根据通带和阻带所处的频率区域不同,一般将滤波器分成4类,分别是高通 ,低通,带通和带阻。 (7)正弦波自激振荡的幅度平衡条件和相位平衡条件分别是AF=1 和ψA+ψF=2nπ,n=0,±1,…。(8)乙类功率放大电路容易产生的失真称为交越(非线性)失真。 (9)直流稳压电路中,滤波电路的作用是将脉动的直流电压变换为平滑的直流电压。 (10)单相桥式整流电路的输出直流电压和变压器副边电压的有效值之间的关系是0.9 ,每个二极管的最高反向电压和变压器副边电压的有效值之间的关系为 1.414 。 2、选择题(3分×5=15分) (1)某放大电路在负载开路时的输出电压为6V,当接入2K欧姆的负载后,其输出电压为4V,这表明该放大电路的输出电阻是(C ) A.10K B. 2K C. 1K D.0.5K (2)电路如图1所示,若不慎将旁路电容Ce断开,则(C ) A.不仅影响静态工作点,而且影响电压增益 B. 只影响静态工作点,但不影响电压增益 C. 不影响静态工作点,只影响电压增益 D. 不影响静态工作点,页不影响电压增益 图1 共射放大电路 (3)在互补对称功率放大电路中,引起交越失真的原因是(D ) A.输入信号过大 B. 晶体管β值太大 C. 电源电压太高 D.晶体管输入特性的非线性 (4)双端输出的差分放大电路能抑制零点漂移的主要原因是(B ) A.电压增益高 B. 电路的结构和参数对称性好 C. 输入电阻大 D. 采用双电源 (5)负反馈所能抑制的干扰和噪声是(B) A.输入信号中所包含的干扰和噪声 B. 反馈闭环内的干扰和噪声 C. 反馈闭环外的干扰和噪声 D.输出信号中的干扰和噪声 3、运算放大器分析与设计(10分×2=20分) (1)由理想运算放大器组成的电路如图2所示,u1和u2为两路输入信号,uo为输出信号,试写出该电路输出uo与两输入信号之差(u1-u2)的关系表达式。 第- 1 -页共5页

模拟电子技术基础试题及答案

自测题分析与解答 一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。 (1I)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;( ) (2)可以说任何放大电路都有功率放大作用;( ) (3)放大电路中输出的电流和电压都是有由有源元件提供的;( ) (4)电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的;( ) (5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;( ) (6)由于放大的对象象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都豪无变化;( ) (7)只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。( ) 【解答】(1)×。放大的特征是功率的放大,电压电流其中一个或两个都放大都可称放大,但放大的前提条件是不能失真。 (2) √。放大的特征就是功率的放大。 (3)×。应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的,而不是直接提供。 (4)×。. (5) √。设置合适的静态工作点。 (6)×。任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。 (7)×。 二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。设图中所有电对交流信号均可视为短路。, 【解答1 (a)不能。因为输人信号被VBB所影响。 (a)

例1--3 为什么结型场效应管没有增强型的工作方式?能否用判别晶体管的简易方法 来判别结型和绝缘栅型场效应管的三个电极? 【解答】所谓增强型,即N沟道的场效应管必须在UGs>0的情况下才可能有导电沟道,P沟道的场效应管,必须在UGs<0的情况下才有导电沟道,在这两种情况下结型场效应管都将出现栅流,它不仅使场效应管失去了高输入电阻的特点,而且会造成管子损坏。 ‘而对于绝缘栅型效应管,由于宦容易积累电荷形成高电压,以致造成击穿现象,所以不能 用测晶体管的办法来检测。对于结型场效应管,则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅极,但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极。 自测题分析与解答 一、判断下列说法是否正确,用“√’’和“×’’表示判断结果填人空内。 (1)在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。( ) (2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。( ) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R大的特点。( ) G S (6)若耗尽型N沟道MOS管的 u大于零,则其输入电阻会明显变小。( ) G S 【解答】(1) √。三价元素产生空穴正好中和五价元素的自由电子,当空穴足够多时就能将N型半导体转变为P型半导体。,. (2)×。N型半导体内的多子,电子在没有受到激发的状态下,不能变成自由电子。 (3) √。由于扩散作用在空间形成空间电荷区,空间电荷区内电场的加强正好阻止扩散作用,所以在没有外加能量的作用下,结电流为零。 (4)×。在外加反向电压的作用下,基区的非平衡少子,在外电场作用下越过集电极到达 集电区形成漂移电流。 (5)√。当、|UGs l增大时,耗尽层加宽,沟道变窄,沟道电阻增大。当沟道消失时,RGs趋于无穷大。 4 (6)×。因为在制作MOS管子时,在Si02中渗人大量正离子,在正离子的作用下,P型衬 底表层形成反型层,因为反型层的存在,所以输入电阻不会明显变小。

模拟电子技术期末试卷5套及答案

《模拟电子技术》期末考试试卷1 2010.05 班级_ ______ 学号___ ___ 姓名___ ___ 分数___ ___ 一.填空(25分) (1)本征硅中若掺入五价元素的原子,则多数载流子应是 电子 ,掺杂越多,则其数量 一定越 多 ,相反,少数载流子应是 空穴 ,掺杂越多,则其数量一定越 少 。 (2)把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 单向导电 特性。 (3)当PN 结外加正向电压时,PN 结内多子 扩散 形成较大的正向电流。 (4)硅二极管的导通电压值约为 0.6V ,锗二极管的导通电压约为 0.2V 。 (5)晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 饱和 区和 截止 区。 (6)对于由三极管组成的放大电路而言,就其输入回路和输出回路的公共端不同,可以组 成 共基、 共射 、 共集电 三种组态。 (7)放大电路的频率特性是指 放大倍数值 随信号频率而变,称为 幅频 特性,而输出信号与输入信号的 相位差 随信号频率而变,称为 相频 特性。 (8)假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为 un u u u A A A A ......321、、,那么多级放大电路的放大倍数u A = un u u A A A (21) (9)要使电路产生稳定的振荡,必须满足 振幅平衡 和 相位平衡 两个条件。 (10)小功率直流电源一般由四部分组成,分别是 电源变压器 、 整流 、 滤波 和稳压电路。 二.选择题(每题2分,共20分) (1)为了减小输出电阻,应在放大电路中引入 ; 。 (A )电流负反馈 (B ) 电压负反馈 (C ) 直流负反馈 (D )交流负反馈

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